GB/T 12964-2003硅單晶拋光片

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１２９６４—２００３

代替ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６

硅單晶拋光片

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２００３０６１６發(fā)布２００４０１０１實(shí)施

中華人民共和國發(fā)布

國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１２９６４—２００３

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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電話：６３７８７３３７、６３７８７４４７

２００３年１０月第一版２００４年１１月電子版制作

書號：１５５０６６·１１９８６８

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜１２９６４—２００３

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織標(biāo)準(zhǔn)ＳＥＭＩＭ１—０９９７《硅單晶拋光片規(guī)范》中的有關(guān)

內(nèi)容，對ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６進(jìn)行修訂而成的。主要在原標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容上增加了直徑２００ｍｍ直拉硅單

晶拋光片的內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所負(fù)責(zé)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院、洛陽單晶硅有限責(zé)任公司負(fù)責(zé)起草。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：翟富義、孫燕、董慧燕、盧立延、曹孜、孫文海。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９１、ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６。

Ⅰ

書

犌犅／犜１２９６４—２００３

硅單晶拋光片

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶拋光片（簡稱硅拋光片）的必要的相關(guān)性術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、

檢測規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉硅單晶研磨片經(jīng)腐蝕減薄后進(jìn)行單面拋光制備的硅拋光片。產(chǎn)品主要用于制作

集成電路等半導(dǎo)體器件或做為硅外延沉積的襯底。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５０—１９９７非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

ＧＢ／Ｔ１５５２—１９９５硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１５５８—１９８３測定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法

ＧＢ／Ｔ２８２８—１９８７逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查）

ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法

ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５硅片彎曲度測試方法

ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５硅片翹曲度非