標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12964-2003 硅單晶拋光片》標(biāo)準(zhǔn)相比于《GB 12964-1996》，主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整：

  1. 范圍擴展：新標(biāo)準(zhǔn)可能對硅單晶拋光片的適用范圍進行了細化或拓展，以適應(yīng)技術(shù)進步和市場需求的變化，涵蓋了更廣泛的硅單晶材料類型或增加了新的應(yīng)用領(lǐng)域。

  2. 技術(shù)指標(biāo)優(yōu)化：針對硅單晶拋光片的物理、化學(xué)及電學(xué)性能指標(biāo)進行了修訂，可能包括尺寸精度、表面粗糙度、晶體缺陷密度、電阻率均勻性等方面的更嚴(yán)格要求，以提升產(chǎn)品質(zhì)量和一致性。

  3. 檢測方法改進：更新了檢測和測量方法，引入了更先進、精確的測試技術(shù)和設(shè)備，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。這可能涉及光學(xué)測量、掃描電子顯微鏡（SEM）、四探針法電阻率測量等方面的技術(shù)更新。

  4. 質(zhì)量控制增強：加強了生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制要求，可能新增或修訂了有關(guān)原材料篩選、生產(chǎn)環(huán)境、工藝控制、成品檢驗等方面的條款，以保證最終產(chǎn)品的高質(zhì)量輸出。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與表述：對標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)進行了調(diào)整，使其更加條理化、清晰易懂。同時，更新了術(shù)語定義，采用國際通用標(biāo)準(zhǔn)語言，提高了標(biāo)準(zhǔn)的國際化水平，便于國內(nèi)外企業(yè)遵循和交流。

  6. 環(huán)保與安全要求：隨著時代發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了環(huán)境保護和生產(chǎn)安全的相關(guān)要求，強調(diào)在硅單晶拋光片的制造過程中應(yīng)遵循的環(huán)保規(guī)定和操作安全規(guī)范。

這些變化旨在適應(yīng)科技進步、提升產(chǎn)品質(zhì)量、促進產(chǎn)業(yè)升級，并與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌，滿足全球市場的需求。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12964-2018
  • 2003-06-16 頒布
  • 2004-01-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１２９６４—２００３

代替ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６

硅單晶拋光片

犕狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀狆狅犾犻狊犺犲犱狑犪犳犲狉狊

２００３０６１６發(fā)布２００４０１０１實施

中華人民共和國發(fā)布

國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１２９６４—２００３

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｂｚｃｂｓ．ｃｏｍ

電話：６３７８７３３７、６３７８７４４７

２００３年１０月第一版２００４年１１月電子版制作

書號：１５５０６６·１１９８６８

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜１２９６４—２００３

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織標(biāo)準(zhǔn)ＳＥＭＩＭ１—０９９７《硅單晶拋光片規(guī)范》中的有關(guān)

內(nèi)容，對ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６進行修訂而成的。主要在原標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容上增加了直徑２００ｍｍ直拉硅單

晶拋光片的內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所負責(zé)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院、洛陽單晶硅有限責(zé)任公司負責(zé)起草。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：翟富義、孫燕、董慧燕、盧立延、曹孜、孫文海。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９１、ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６。

Ⅰ

書

犌犅／犜１２９６４—２００３

硅單晶拋光片

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶拋光片（簡稱硅拋光片）的必要的相關(guān)性術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、

檢測規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉硅單晶研磨片經(jīng)腐蝕減薄后進行單面拋光制備的硅拋光片。產(chǎn)品主要用于制作

集成電路等半導(dǎo)體器件或做為硅外延沉積的襯底。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５０—１９９７非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

ＧＢ／Ｔ１５５２—１９９５硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１５５８—１９８３測定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法

ＧＢ／Ｔ２８２８—１９８７逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查）

ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法

ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５硅片彎曲度測試方法

ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５硅片翹曲度非

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