標準解讀

《GB/T 6620-1995 硅片翹曲度非接觸式測試方法》相對于《GB 6620-1986》，主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整：

首先，在標準編號上，從GB變更為GB/T，這一變化意味著該標準由強制性國家標準轉(zhuǎn)為推薦性國家標準。這種轉(zhuǎn)變通常反映了行業(yè)或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)對于標準化要求的更加靈活的態(tài)度。

其次，新版本對術(shù)語定義進行了細化和完善，確保了與國際相關(guān)標準的一致性和準確性。這有助于提高測試結(jié)果的可比性，并促進國際貿(mào)易和技術(shù)交流。

再者，《GB/T 6620-1995》增加了關(guān)于測試設(shè)備的要求，包括但不限于光源、探測器等關(guān)鍵組件的技術(shù)參數(shù)規(guī)定。這些新增內(nèi)容旨在規(guī)范測試條件，減少因設(shè)備差異導致的數(shù)據(jù)偏差，從而保證測量結(jié)果的一致性和可靠性。

此外，新版標準還明確了具體的測試步驟及數(shù)據(jù)處理方法，提供了更詳細的指導信息，幫助使用者正確執(zhí)行實驗操作并準確計算出硅片的翹曲度值。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 6620-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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UDC.669.782-415：620：173：26H21中華人民共和國國家標準GB/T6620－1995硅片翹曲度非接觸式測試方法Testmethodformeasuringwarponsiliconslicesbynoncontactscanning1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅片翹曲度非接觸式測試方法CB/T6620-1995Testmethodrormeasuringwarponsilicon代替6620-86sltcesbynoncontactscanning主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱硅片)翹曲度的非接觸式測量方法。本標準適用于測量直徑大于50mm,厚度為150～1000m的圓形硅片的翹曲度。本標準也適用于測量其他半導體圓片的翹曲度方法原理硅片置于基準環(huán)的3個支點上，3支點形成一基準平面。硅片上、下表面相對于測量儀的一對探頭沿規(guī)定路徑同時進行掃描，成對地給出上、下探頭與硅片最近表面之間的距離，求其一系列差值。差值中最大值與最小值相減除以2,所得數(shù)值表示硅片翹曲度。掃描路徑如圖1所示。翹曲度的示意圖如圖2所示。一掃描制形圖1測量掃描路徑圖國家技

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