標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12962-1996 硅單晶》與前一版《GB 12962-1991》相比，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的調(diào)整：從標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)的變化可以看出，《GB/T 12962-1996》變?yōu)榱送扑]性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（"T"表示推薦性），而《GB 12962-1991》為強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，這一變化意味著新版標(biāo)準(zhǔn)為企業(yè)提供了更多的執(zhí)行靈活性。

  2. 技術(shù)指標(biāo)的更新：新版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)硅單晶的純度、晶體結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)含量、缺陷密度等關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)進(jìn)行了修訂或新增，以適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步對(duì)材料性能提出的更高要求。例如，可能對(duì)某些特定雜質(zhì)元素的濃度限值給出了更嚴(yán)格的規(guī)定，或是對(duì)晶體的完整性檢測(cè)方法進(jìn)行了優(yōu)化。

  3. 檢測(cè)方法的改進(jìn)：隨著分析技術(shù)和測(cè)試手段的發(fā)展，《GB/T 12962-1996》引入了更為精確和高效的檢測(cè)方法，用于評(píng)價(jià)硅單晶的各項(xiàng)性能指標(biāo)。這些新方法可能包括更先進(jìn)的光譜分析技術(shù)、電子顯微鏡觀測(cè)技術(shù)等，旨在提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

  4. 規(guī)范性附錄的增補(bǔ)：為了便于理解和執(zhí)行，新標(biāo)準(zhǔn)可能增加了詳細(xì)的規(guī)范性附錄，提供了具體的測(cè)試程序、樣品制備方法、數(shù)據(jù)處理規(guī)則等，從而使得標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施更加規(guī)范化和標(biāo)準(zhǔn)化。

  5. 術(shù)語(yǔ)和定義的明確：隨著行業(yè)的發(fā)展，一些專業(yè)術(shù)語(yǔ)可能有了新的定義或解釋，新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)此進(jìn)行了整理和明確，有助于統(tǒng)一行業(yè)語(yǔ)言，減少理解上的歧義。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的調(diào)整：雖然具體調(diào)整內(nèi)容未直接說(shuō)明，但根據(jù)慣例，新版標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)市場(chǎng)和技術(shù)發(fā)展的實(shí)際情況，對(duì)硅單晶的適用范圍進(jìn)行適當(dāng)擴(kuò)展或細(xì)化，以更好地指導(dǎo)生產(chǎn)和應(yīng)用。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12962-2005
  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29.045H82中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T12962－1996硅單晶Monocrystallinesilicon1996-11-04發(fā)布1997-04-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12962-1996本標(biāo)準(zhǔn)參照國(guó)外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合我國(guó)硅材料的使用情況，對(duì)GB12962—91進(jìn)行修訂而成的。。修訂時(shí)保留了原標(biāo)準(zhǔn)中符合我國(guó)實(shí)際的內(nèi)容。修訂后的本標(biāo)準(zhǔn),刪去了原標(biāo)準(zhǔn)中直拉硅單品直徑為38mm、80mm、90mm規(guī)格，增加了直徑125mm、150mm規(guī)格;對(duì)硅單品的旋渦缺陷密度和微缺陷密度指標(biāo)改為由供需雙方商定;對(duì)徑向電阻率變化指標(biāo)，增加了距邊緣6mm測(cè)點(diǎn)(見GB11073的B方案)計(jì)算;對(duì)區(qū)熔硅單晶和中子嬉變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化指標(biāo)，改為按GB11073的C方案或B方案測(cè)量和計(jì)算。中子姬變摻雜硅單晶增加了微區(qū)電阻率條紋內(nèi)容。與本標(biāo)準(zhǔn)配套的標(biāo)準(zhǔn)有：GB/T12964硅單晶拋光片GB/T12965硅單晶切割片和研磨片本標(biāo)準(zhǔn)從1997年4月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起，代替GB12962-91。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠和中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所.本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王鴻高、劉文魁、尹建華、吳福立。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布日期：1991年6月。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)晶硅GB/T12962-1996Monocrystallinesilicon代替GB12962-911范園本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、財(cái)存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于用直拉法、懸浮區(qū)熔法(包括中子嫂變摻雜)制備的硅單品。產(chǎn)品主要供制作半導(dǎo)體元器件使用。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效，所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T1550硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)定方法GB/T1551—1995硅、錯(cuò)單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)℅B/T1552—1995硅、錯(cuò)單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)℅B/T1553硅單晶壽命直流光電導(dǎo)衰退測(cè)量方法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB1555—79硅單晶晶向光圖測(cè)量方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測(cè)量方法GB1557—89硅晶體中間隙氧含量紅外吸收測(cè)量方法GB1558-83測(cè)定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法GB/T4058—1995硅拋光片氧化誘生缺陷檢驗(yàn)方法GB/T6617—1995硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針?lè)℅B11073—89硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T12964—1996硅單晶拋光片GB/T14844-93半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示法3.產(chǎn)品分類3.1分類產(chǎn)品按硅單晶的生產(chǎn)工藝方法分為直拉、懸浮區(qū)熔和中子嬉變摻雜(NTD)3種硅單

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