標準解讀
《GB/T 1554-1995 硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法》相比于《GB 1554-1979》與《GB 4057-1983》,主要在以下幾個方面進行了調整和更新:
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標準性質的轉變:從《GB 1554-1979》的強制性國家標準轉變?yōu)椤禛B/T 1554-1995》的推薦性國家標準,這一變化體現(xiàn)了標準適用的靈活性增強,更多地作為推薦指導而非強制執(zhí)行的要求。
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技術內容的更新:《GB/T 1554-1995》引入了更先進的硅晶體完整性檢測技術和方法,具體包括化學擇優(yōu)腐蝕的詳細步驟、試劑配比、腐蝕條件控制等方面的新規(guī)定,以適應技術進步和行業(yè)發(fā)展的需要。這些更新有助于提高檢測的準確性和效率。
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檢驗程序的優(yōu)化:新標準對檢驗流程進行了優(yōu)化,明確了樣品制備、腐蝕過程監(jiān)控、以及后續(xù)觀察分析的具體要求,旨在統(tǒng)一檢驗操作,減少人為誤差,提升檢驗結果的一致性和可比性。
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質量控制要求的強化:《GB/T 1554-1995》增加了對實驗室環(huán)境、設備校準、人員培訓等方面的規(guī)范要求,強調了檢驗過程中的質量控制措施,確保檢驗結果的可靠性和準確性。
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術語和定義的明確:為避免理解上的歧義,新標準對涉及的專業(yè)術語給出了明確的定義,增強了標準的可讀性和實施的準確性。
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參考標準的更新:鑒于科學和技術的發(fā)展,新標準引用了最新的參考文獻和相關標準,確保了檢驗方法的先進性和國際兼容性。
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文檔簡介
UDC.669.782:621.193.4H26中華人民共和國國家標準GB/T1554-1995硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法Testmethodforcrystallographicperfectionofsiliconbypreferentialetchtechniques1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號中華人民共和國國家標準桂品體完整性化學擇優(yōu)腐做檢驗方法GB/T1554-1995中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼:100045電話:63787337、637874471995年10月第一版2005年1月電子版制作書號:155066·1-11891版權專有侵權必究舉報電話:(010)68533533
中華人民共和國國家標準GB/T1554-1995硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法代林GB1554-79TestmethodforcrystallographicperfectionGB4057-83ofsiliconbypreferentiaietchtechniques1主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。本標準通用于品向為(111)或(100)、電阻率為10-~10"n·cm、位錯密度在0~10°cm-之間的硅單晶鍵或硅片中原生缺陷的檢驗。用標準GB/T4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法YS/T2097桂硅材料原生缺陷圖譜方法原理試祥經擇優(yōu)腐蝕液腐蝕,在有缺陷的位置被腐蝕成淺坑或丘,在宏觀上可能組成一定的圖形,在微觀上呈現(xiàn)為分立的腐蝕淺坑或丘。用肉眼和金相顯微鏡進行觀察。試劑和材料4.1三氧化鉻,化學純4.2氫氟酸(42%)。4.3!硝酸(p1.48/mL)。4.4乙酸(冰乙酸p1.058/mL)4.5高純水,電阻率大于10MQ·cm(25℃)。4.6化學腐蝕地光液,采用表1中諸配方之一。表1化學腐蝕拋光液配方硝酸(4.3)氫氟
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