標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 14140.1-1993 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了硅片直徑的測量方法,具體采用光學(xué)投影法進(jìn)行測定。這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體工業(yè)中硅片或其他類似材料圓片的直徑測量,確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:

  1. 范圍:明確了該標(biāo)準(zhǔn)適用的對象為單晶硅片或其他功能相似材料的圓片直徑測量,通過光學(xué)投影原理實(shí)現(xiàn)尺寸檢測。

  2. 術(shù)語和定義:對標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了解釋,確保讀者對關(guān)鍵概念有統(tǒng)一的理解。

  3. 符號與單位:規(guī)定了測量中使用的符號及其對應(yīng)的國際單位制單位,例如直徑用“D”表示,單位為毫米(mm)。

  4. 測量原理:詳細(xì)闡述了光學(xué)投影法的原理,即利用光學(xué)系統(tǒng)將硅片邊緣投影到觀察屏上,通過測量投影圖像的直徑來間接獲得硅片的實(shí)際直徑。這種方法依賴于精確的光學(xué)放大和定位系統(tǒng),以確保測量精度。

  5. 測量設(shè)備:描述了實(shí)施該測量方法所需設(shè)備的基本要求,包括光學(xué)投影儀的構(gòu)造、分辨率、照明條件及校準(zhǔn)方法等,確保所有設(shè)備滿足測量精度標(biāo)準(zhǔn)。

  6. 測量步驟

    • 準(zhǔn)備工作:確保硅片表面清潔,無損傷,選擇合適的測量位置。
    • 調(diào)整設(shè)備:調(diào)整光學(xué)投影儀的焦距和光源,使得硅片邊緣清晰投射。
    • 測量與記錄:在觀察屏上測量投影圖像的直徑,并記錄數(shù)據(jù)。
    • 數(shù)據(jù)處理:根據(jù)設(shè)備的校準(zhǔn)系數(shù)對測量值進(jìn)行必要的修正,得到最終直徑。
  7. 測量不確定度評估:指導(dǎo)如何評估測量過程中的不確定度來源,包括儀器誤差、環(huán)境因素和操作者影響,以提高測量結(jié)果的可靠性。

  8. 質(zhì)量控制:提出了實(shí)施質(zhì)量控制的措施,如定期校驗(yàn)設(shè)備、比對試驗(yàn)等,以維持測量系統(tǒng)的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

  9. 安全注意事項(xiàng):簡要提及了在操作過程中應(yīng)注意的安全事項(xiàng),確保操作人員的安全。

實(shí)施意義:

該標(biāo)準(zhǔn)為硅片生產(chǎn)、加工及應(yīng)用領(lǐng)域提供了一套標(biāo)準(zhǔn)化的直徑測量流程,通過統(tǒng)一的測量方法和要求,不僅提升了測量結(jié)果的互換性和可比性,還促進(jìn)了半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的技術(shù)交流與合作,對保證產(chǎn)品質(zhì)量和促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級具有重要意義。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14140-2009
  • 1993-02-06 頒布
  • 1993-10-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 14140.1-1993硅片直徑測量方法光學(xué)投影法_第1頁
GB/T 14140.1-1993硅片直徑測量方法光學(xué)投影法_第2頁
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文檔簡介

UDC669.782H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14140.1-93硅片直徑測量方法光學(xué)投影法Siliconslicesandwafers-Measuringofdiameterpticalprojectingmethod1993-02-06發(fā)布1993-10-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局,發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片直徑測量方法光學(xué)投影法GB/T14140.1-93Siliconslicesandwafers—Meusuringofdiameter一-Opticalprojeetingmethod主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用光學(xué)投影儀測量硅片直徑的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測址圓形硅片的直徑。測量范圍為”40~為100mm.本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測量硅片的不圓度,本標(biāo)準(zhǔn)用作仲裁測量方法。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB12962建單晶3方法提要利用光學(xué)投影儀,將硅片投影到顯示屏上,使用螺旋測微計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)長度塊進(jìn)行測址。以硅片投影的兩端邊緣分別與顯示屏上的垂直坐標(biāo)軸左右兩邊相切,其位置差即為硅片直徑。4測量儀器4.1光學(xué)投影儀放大倍數(shù)為10~50×,載物臺可在X和Y方向移動,移動范圍皆為0~25mm.移動精度為1Km。4.2樣品架,包括支架和樣品夾兩部分。樣品夾能在支架上滑動?;瑒臃秶鸀?0~100mm。4.3標(biāo)準(zhǔn)長度塊,長度范圍為5~100mm,絕對誤差小于1gm,一套共20塊。5試驗(yàn)樣品5.1從一批硅片中按GB2828計(jì)數(shù)抽樣方案或商定的方案抽取試樣,6測量步驥6.1測量在23±5C下進(jìn)行。樣品架及標(biāo)準(zhǔn)長度塊應(yīng)潔凈.6.2移動載物臺到中間位置。6.33按硅片的導(dǎo)電類型確定要測量的三條直徑的位置,見圖1。硅片參考面位置應(yīng)符合GB

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