• 被代替
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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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GB/T 6624-1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法_第1頁
GB/T 6624-1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法_第2頁
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UDC669.782-415：056.9·620.191.3H21中華人民共和國國家標準GB/T6624-1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法Standardmethodformeasuringthesurfacegualityofpolishedsiliconslicesbyvisualinspection1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T6624-1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法代警GB6624-86Standardmethodformeasuringthesurfacegualttyofpolishedsiliconsltcesbyvtsualinspectlon主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了在一定光照條件下，用目測檢驗硅單品單面拋光片（以下簡稱拋光片）表面質(zhì)量的方法本標準適用于硅拋光片表面質(zhì)量檢驗2引用標準GB/T14264華導體材料術(shù)語方法原理硅拋光片表面質(zhì)量缺陷在一定光照條件下可產(chǎn)生光的漫反射，且能目測觀察，據(jù)此可目測檢驗其表面缺陷。目測檢驗的光照條件分成二類：直射匯寨光和大面積漫射光.目測檢驗的缺陷包括單晶的原生缺陷和拋光片制備及包裝過程中所引入的缺陷4設各和器具4..1高強度匯聚光源：鴨絲燈。離光源100mm處匯聚光束斑直徑20～40mm,照度不小于16000k.4.2大面積漫射光源：可調(diào)節(jié)光強度的熒光燈或乳白燈，使檢測面上的光強度為430～650k。4.3凈化臺：大小能容納檢測設備，凈化級別優(yōu)于100級，高凈化臺正面邊緣230mm處背景照度為50~650lx。4.4真空吸筆：吸筆頭可拆卸清洗，地光片與其接觸后不留下任何痕跡，不引入任何缺陷。4.5照度計：應可測到100～2200k。5試樣按照規(guī)定的抽樣方案或商定的抽樣方案從清洗后的拋光片中抽取試樣6檢測程序6.1檢測條件6.1.1在100級凈化臺內(nèi)，用真空吸筆吸住拋光片背面,使拋光面向上，正對光源。光源、拋光片與檢測人員位置如圖所示。光源離拋光片距離為50～100mm。a角為45"士1

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