標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4058-1995 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法》與之前的標(biāo)準(zhǔn)《GB 4058-1983》、《GB 6622-1986》以及《GB 6623-1986》相比，在內(nèi)容上進(jìn)行了多方面的更新和改進(jìn)。這些變化主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

首先，《GB/T 4058-1995》標(biāo)準(zhǔn)更加專注于硅拋光片在特定條件下通過熱氧化處理后產(chǎn)生缺陷的檢測(cè)技術(shù)，明確了具體的測(cè)試條件如溫度、時(shí)間等參數(shù)設(shè)置，這與早期版本相比有了更明確的規(guī)定。

其次，對(duì)于樣品準(zhǔn)備及處理過程，《GB/T 4058-1995》提供了更為詳細(xì)的指導(dǎo)，包括但不限于清洗程序、裝載方式等，以確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性和可重復(fù)性。

此外，《GB/T 4058-1995》還增加了關(guān)于如何使用光學(xué)顯微鏡或電子掃描顯微鏡來觀察并記錄氧化層內(nèi)出現(xiàn)的各種類型缺陷的具體步驟，并且對(duì)不同類型缺陷（如堆垛層錯(cuò)、位錯(cuò)環(huán)等）給出了定義及其特征描述，使得缺陷識(shí)別更加準(zhǔn)確可靠。

最后，該標(biāo)準(zhǔn)也修訂了部分術(shù)語定義，使之與其他相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)保持一致；同時(shí)，對(duì)于報(bào)告編寫提出了新的要求，強(qiáng)調(diào)了數(shù)據(jù)記錄的重要性以及如何根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。


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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實(shí)施
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GB/T 4058-1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法_第1頁
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UDC669.782-415.056.9620.19H26中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4058-一1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法Testmethodfordetectionofoxidationinduceddefectsinpolishedsiliconwafers1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4058-1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法代替GB4058-83GB6622-一86TestmethodfordetectionofoxidationGB6623-86induceddefectsinpolishedsiliconwarers主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的品體缺陷的檢測(cè)。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T15544硅品體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法YS/T209硅材料原生缺陷圖譜3方法提要模擬器件工藝的氧化條件,利用氧化來級(jí)飾或擴(kuò)大硅片中的缺陷，或兩者兼有，然后用擇優(yōu)腐蝕液顯示缺陷，并用顯微技術(shù)觀測(cè)。4試劑和材料4.11三氧化鉻4.22氫氟酸(42%）優(yōu)級(jí)純。4.3硝硝酸(p1.4g/mL）,優(yōu)級(jí)純4.4氨水（o0.90g/mL）,優(yōu)級(jí)純4.5鹽酸(p1.18g/mL）,優(yōu)級(jí)純.4.6乙酸(p1.05g/mL)，優(yōu)級(jí)純。4.7過過氧化氫(30%),優(yōu)級(jí)純。4.8高純水,25℃時(shí)的電阻率大于10MQ·cm。4.9清洗液1“：水·氮水(4.4）·過氧化氫(4.7)=4：1：1（V/V)。4.10清洗液2：水·鹽酸(4.5）；過氧化氫(4.7)－4：1：1（V/V)。4.11化學(xué)拋光液采用表

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