標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 6619-1995 硅片彎曲度測試方法》相對于《GB 6619-1986》主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善:
- 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的變化:從強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)(GB)轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T),表明該標(biāo)準(zhǔn)更側(cè)重于提供技術(shù)指導(dǎo)而非強(qiáng)制執(zhí)行。
- 測試方法的改進(jìn)與補(bǔ)充:新版本可能引入了更加精確或簡便的測量手段,以適應(yīng)硅片制造技術(shù)的發(fā)展。例如,對于特定尺寸和類型的硅片,增加了新的檢測項(xiàng)目或者優(yōu)化了原有的測量流程。
- 技術(shù)參數(shù)及要求的更新:隨著行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步,《GB/T 6619-1995》可能對硅片彎曲度的具體數(shù)值范圍、允許偏差等指標(biāo)做出了相應(yīng)調(diào)整,使之更能反映當(dāng)前技術(shù)水平下的產(chǎn)品質(zhì)量要求。
- 文本結(jié)構(gòu)與表述方式的優(yōu)化:新版標(biāo)準(zhǔn)或許重新組織了內(nèi)容框架,使用更為清晰準(zhǔn)確的語言來描述各項(xiàng)規(guī)定,便于使用者理解和操作。
- 參考文獻(xiàn)及相關(guān)規(guī)范引用的更新:考慮到相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)其他標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)文件也可能經(jīng)歷了修訂,《GB/T 6619-1995》對其所引用的標(biāo)準(zhǔn)版本號等信息進(jìn)行了同步更新,確保一致性與時(shí)效性。
這些變化反映了我國在半導(dǎo)體材料特別是硅片加工質(zhì)量控制方面技術(shù)水平的提升以及標(biāo)準(zhǔn)化工作的不斷完善。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 6619-2009
- 1995-04-18 頒布
- 1995-12-01 實(shí)施
文檔簡介
PDC.669.782-415:620.173.26H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6619-一—1995硅片彎曲度測試方法Testmethodsforbowofsiliconslices1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T6619-1995硅片彎曲度測試方法代替GB6619-86Testmethodsforbowofsiliconslices第一篇:方法4一接觸式測試方法主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于50mm,厚度為200~1000m的圓形硅片的彎曲度。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測量其他半導(dǎo)體圓片彎曲度。方法原理將硅片置于基準(zhǔn)環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上,3支點(diǎn)形成一個(gè)基準(zhǔn)平面,用低壓力位移指示器測量硅片中心偏離基準(zhǔn)平面的距離,該距離表示硅片的彎曲度3測量儀器3.1基準(zhǔn)環(huán)基準(zhǔn)環(huán)是由基座、3個(gè)支撐球、3個(gè)定位柱組成的專用器具,如圖所示。國家技術(shù)監(jiān)督局1995-04-18批準(zhǔn)1995-12-01實(shí)施
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