標準解讀
《GB/T 12965-1996 硅單晶切割片和研磨片》標準相比其前身《GB 12965-1991》,主要在以下幾個方面進行了調(diào)整和更新:
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標準性質(zhì)的改變:從標準編號的變化可以看出,從原來的GB(國家強制性標準)變更為GB/T(國家推薦性標準),意味著該標準從強制執(zhí)行轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]使用,給予企業(yè)更多選擇空間。
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技術(shù)內(nèi)容的修訂:對硅單晶切割片和研磨片的技術(shù)要求進行了細化和優(yōu)化,可能包括尺寸公差、表面粗糙度、平整度、潔凈度等方面的要求更加明確和嚴格,以適應(yīng)技術(shù)進步和市場的需求變化。
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檢測方法的改進:更新了對硅單晶片的檢測和試驗方法,引入了更先進的檢測技術(shù)和手段,提高了檢測的準確性和效率。這可能涵蓋了切割損傷層深度的測量、微缺陷檢測技術(shù)等方面。
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質(zhì)量控制指標的調(diào)整:根據(jù)行業(yè)發(fā)展的實際情況,對產(chǎn)品的質(zhì)量控制指標進行了適當?shù)恼{(diào)整,如可能增加了對特定雜質(zhì)含量的限制,或是對機械強度的要求有所提高,以確保產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性和一致性。
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標準適用范圍的明確:對標準的適用范圍進行了重新界定或說明,可能更清晰地界定了適用于哪些類型的硅單晶材料及其應(yīng)用領(lǐng)域,便于企業(yè)和用戶準確理解和執(zhí)行。
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術(shù)語和定義的完善:隨著行業(yè)的發(fā)展,對一些專業(yè)術(shù)語進行了修訂或新增,使得標準中的表述更加準確無歧義,有助于行業(yè)內(nèi)的交流與理解。
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文檔簡介
ICS29.045H82中華人民共和國國家標準GB/T12965-1996.硅單晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices1996-11-04發(fā)布1997-04-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
GB/T12965-1996前本標準參照國外有關(guān)標準,結(jié)合我國硅材料的使用情況,對GB12965—91進行修訂而成的。。修訂時保留了原標準中符合我國實際的內(nèi)容。修訂后的本標準,刪去了原標準中的直徑90mm的規(guī)格,增加了直徑125mm的規(guī)格,主要技術(shù)指標,都有不同程度的提高。與本標準配套的標準有:GB/T12962硅單晶本標準從1997年4月1日起實施。本標準從生效之日起,代替GB12965-91。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口。本標準起草單位:洛陽單品硅廠和中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所本標準主要起草人:王從贊、郭瑾、吳福立。本標準首次發(fā)布日期:1991年6月。
中華人民共和國國家標準硅單晶切割片和研磨片CB/T12965-1996Monocrystallinesiliconascutslices代替GB12965—91andlappedslices1范園本標準規(guī)定了單品切割片和研磨片(簡稱硅片)的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、財存。本標準適用于由直拉、懸浮區(qū)熔和中子煊變摻雜硅單品經(jīng)切割、雙面研磨制備的圓形硅片,硅片直徑范圍為50.8~125mm。產(chǎn)品用于制作晶體管、整流器件等半導(dǎo)體器件,或進一步加工成硅拋光片。2引用標準下列標準所包含的條文,通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效,所有標準都會被修訂,使用本標準的各方應(yīng)探討使用下列標準最新版本的可能性GB/T1550硅單晶導(dǎo)電類型測定方法GB/T1552一1995硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測量方法GB2828—87逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批檢查)GB/T6618一1995硅片厚度和總厚度變化的測試方法GB/T6620—1995硅片翹曲度的非接觸式測試方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB11073—89硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12962-1996硅單晶GB/T13387—92電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T14140—93硅片直徑測量方法GB/T14844—93半導(dǎo)體材料牌號表示方法3產(chǎn)品分類3.1分類健片按導(dǎo)電類型分為n型和p型兩種類型,按硅單晶的生產(chǎn)方法和硅片的加工方法分別分為直拉、懸浮區(qū)熔和中子嫂變摻雜(NTD)三種硅單品
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