GB/T 12962-2005硅單晶

ICS29.045H82中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12962-2005代替GB/T12962—1996硅單晶Monoccrystallinesilicon2005-09-19發(fā)布2006-04-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T12962-2005本標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)參照了國(guó)外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)（見(jiàn)參考文獻(xiàn)）結(jié)合我國(guó)硅材料的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況，并考慮國(guó)際上硅材料的生產(chǎn)及微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀進(jìn)行修訂而成的。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T12962-1996.本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T12962—1996相比，有如下變動(dòng)：-刪去了原標(biāo)準(zhǔn)直拉單品的直徑為63.5mm規(guī)格，增加了直徑200mm直拉硅單品及摻As單晶的內(nèi)容。刪去了原標(biāo)準(zhǔn)區(qū)熔單品的直徑為30mm規(guī)格，增加了直徑125mm區(qū)熔硅單品的內(nèi)容根據(jù)國(guó)內(nèi)外對(duì)直拉硅單品要求的變化,對(duì)150mm以下的硅單品參數(shù)進(jìn)行了修訂。增加了硅單品的金屬含量要求。對(duì)重?fù)絾尉У难鹾浚?、基磷含量的要求及檢測(cè)方法由供需雙方協(xié)商的內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)與GB/T12964、GB/T12965配套使用。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院、中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所負(fù)責(zé)起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫燕、王敬、盧立延、賀東江、翟富義。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T12962-1991-GB/T12962-1996

GB/T12962-2005硅范圍TT本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品的產(chǎn)品分類、術(shù)語(yǔ)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸廣存1.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉、懸浮區(qū)熔和中子嬉變摻雜制備的硅單品。。產(chǎn)品主要用于制作半導(dǎo)體元器件2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注明年代的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn).然而.鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1551硅錯(cuò)單品電阻率測(cè)定直流二探針?lè)℅B/T1552硅錯(cuò)單品電阻率測(cè)定直排四探針?lè)℅B/T1553硅和錯(cuò)體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法GB/T1554硅品體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1555半導(dǎo)體單品品向測(cè)定方法GB/T1557，硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T12964硅單品拋光片GB/T13387電子材料品片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法GB/T14140(所有部分）硅片直徑測(cè)量方法GB/T14143300m～900m硅片間隙氧含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)徑向電阻率變化Cradialresistivityvariation晶片中心點(diǎn)與偏離中心的某一點(diǎn)或若干對(duì)稱分布的設(shè)定點(diǎn)（典型設(shè)定點(diǎn)是品片半徑的1/2處或靠近晶片邊緣處)的電阻率之間的差值。這種電阻率的差值可以表示為中心值的百分?jǐn)?shù)。又稱徑向電阻率梯度。3.2雜質(zhì)條紋impurityslriation品體生長(zhǎng)時(shí)，在旋轉(zhuǎn)的固液交界面處發(fā)生周期性的溫度起伏.引起品體內(nèi)雜質(zhì)分布的周期性變化。在