太陽能電池專業(yè)英語

1、A1.中文：暗飽和電流 英文：Dark Saturation Current 解釋：沒有光照的條件下，將PN結(jié)反偏達(dá)到飽和時(shí)的電流。降低暗飽和電流利于提高電池品質(zhì) 在以下的理想二極管公式中，I =流過二極管的總電流; I0 = “暗飽和電流”, V = 加在二極管兩端的電壓 B1.中文：包裝密度 英文：Packing density 解釋：組件中被太陽能電池覆蓋的面積對比于整個(gè)組件的面積。它影響了組件的輸出功率及工作溫度2.中文：背電場 英文：Back Surface Field 解釋：在電池背面由于重?fù)诫s引起的電場。該電場會(huì)排斥少數(shù)載流子以使它們遠(yuǎn)離高復(fù)合率的背表面3.中文：背面反射/底面反

2、射 英文：Rear Surface Reflection 解釋：穿過電池而未被吸收的長波光會(huì)被電池背面的金屬或染料反射回電池，增大吸收概率4.中文：本底摻雜 英文：Background Doping 解釋：電池襯底的摻雜濃度5.中文：表面制絨 英文：Surface Texturing 解釋：用物理或化學(xué)的方法將平滑的硅電池表面變得粗糙，增大光捕獲，減小反射6.中文：并網(wǎng)系統(tǒng) 英文：Grid-connected Systems 解釋：并網(wǎng)系統(tǒng)指由光伏組件供電的，接入公用電網(wǎng)的光伏系統(tǒng)。這類系統(tǒng)無須蓄電池7.中文：薄膜太陽能電池 英文：Thin-film Solar Cells 解釋：薄膜太陽能電

3、池是通過在襯底上鍍光伏材料薄層制成的，厚度從幾微米到幾十微米不等。成本較低 但效率普遍較低8.中文：復(fù)合 英文：Recommbination 解釋：又稱為載流子復(fù)合，是指半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴）成對消失的過程。9.中文：表面復(fù)合速率 英文：Surface Recombination Velocity 解釋：當(dāng)少子在表面消失時(shí)，由于濃度梯度，少子會(huì)從電池體流向表面。表面復(fù)合速度表征表面復(fù)合的強(qiáng)弱。C1.中文：摻雜 英文：Doping 解釋：在本征半導(dǎo)體里加入施主或受主雜質(zhì)（通常是磷或硼）使半導(dǎo)體內(nèi)自由載流子濃度變高并使其具有p型或n型半導(dǎo)體的性質(zhì)2.中文：串聯(lián)電阻 英文：Series Re

4、sistance 解釋：由電池體、電極接觸等產(chǎn)生的分壓電阻。電池運(yùn)作時(shí)，部分電壓降在電池的串聯(lián)電阻上，影響了電池輸出效率D1.中文：大氣質(zhì)量/大氣光學(xué)質(zhì)量 英文：Air Mass 解釋：定義為1/cos(太陽與法線夾角）。表征太陽光到達(dá)電池前穿越的大氣厚度。不同的AM值還對應(yīng)不同的太陽光譜2.中文：帶隙 英文：Band Gap 解釋：半導(dǎo)體導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的能級差。常溫下，本征硅的帶隙是1.1eV3.中文：導(dǎo)帶 英文：Conduction Band 解釋：又名傳導(dǎo)帶，是指半導(dǎo)體或是絕緣體材料中，一個(gè)電子所具有能量的范圍。這個(gè)能量的范圍高于價(jià)帶（valence band），而所有在導(dǎo)帶中的電子均可

5、經(jīng)由外在的電場加速而形成電流。4.中文：電池工作溫度 英文：Cell Operating Temperature 解釋：太陽能電池在受到光照激發(fā)產(chǎn)生電流時(shí)的實(shí)際溫度。工作溫度通常高于標(biāo)準(zhǔn)測試條件（STC)規(guī)定的25攝氏度， 并且會(huì)影響電池的開路電壓5.中文：電池互聯(lián) 英文：Cell Interconnection 解釋：將電池板串聯(lián)一起組成電池組件6.中文：電池降格 英文：Cell Degradation 解釋：電池降格指組件在戶外工作一段時(shí)間后，效能降低。對晶硅電池來說原因包括：電極脫落或被腐蝕，電極金屬遷移透過P-N節(jié)而降低了并聯(lián)電阻，減反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物 等7.中文：電流

6、電壓特性 英文：Current-Voltage Charateristic 解釋：又稱為伏安特性，是電子器件的在外部電壓偏置的情況下電流隨外部變壓變化的特性，常用伏安特性曲線來表征。8.中文：電子空穴對 英文：Electron-hole Pair 解釋：半導(dǎo)體中，吸收了一個(gè)光子能量的電子離開原子束縛，成為自由載流電子，原來的原子則產(chǎn)生了正電荷，等效于一個(gè)孔穴，它們合稱電子空穴對9.中文：獨(dú)立系統(tǒng) 英文：Stand-alone Systems 解釋：不接入公用電網(wǎng)的獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)，通常需要蓄電池蓄能以備夜間及陰天使用，也常裝備柴油發(fā)電機(jī)作為補(bǔ)充10.中文：短路電流 英文：Short Circu

7、it Current (Isc) 解釋：在光照下將電池短路，此時(shí)流過電池的電流為短路電流。表征電池能產(chǎn)生的光電流強(qiáng)度。11.中文：多晶硅 英文：Polycrystalline/Multicrystalline silicon 解釋：在硅晶體里面，晶向的分布式隨機(jī)的而不是同一的，相較于單晶硅生產(chǎn)成本低但材料品質(zhì)也較差12.中文：等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法 英文：Plasma enhanced, Chemical Vapor Deposition (PECVD) 解釋：一種鍍膜技術(shù)。常用于在晶硅電池表面鍍氮化硅，二氧化硅，氧化鋁等薄膜。E1.中文：額定功率 英文：Rated Power/Rated

8、Watt 解釋：太陽能電池板在國際通行標(biāo)準(zhǔn)條件下（光譜AM1.5，光強(qiáng)1000W平米，溫度25C）測試出來的輸出功率，實(shí)際的輸出功率受使用環(huán)境影響F1.中文：反偏 英文：Reverse Bias 解釋：對于p-n節(jié)來說,指n-type接高電勢，p-type接低電勢2.中文：方塊電阻率/薄層電阻率 英文：Sheet Resistivity 解釋：通常表征發(fā)射極摻雜濃度的高低。高摻雜則電阻率低但削弱藍(lán)光響應(yīng)?？赏ㄟ^四點(diǎn)探針測量3.中文：非晶硅/無定形硅 英文：Amorphous Silicon 解釋：硅的一種同素異形體，它的原子間的晶格網(wǎng)絡(luò)呈無序排列，不存在晶體硅的延展性晶格結(jié)構(gòu)。無定形硅中的部分

9、原子含有懸空鍵(dangling bond)，雖然可以被氫所填充，但在光的照射下，氫化無定形硅的導(dǎo)電性能將會(huì)顯著衰退。4.中文：分布式光伏系統(tǒng) 英文：Distributed PV Systems 解釋：小型模塊化、分散式、布置在用戶附近的，依靠光伏組件發(fā)電的電力系統(tǒng)。5.中文：分流電阻/并聯(lián)電阻 英文：Shunt Resistance 解釋：在太陽能電池等效電路中，并聯(lián)于電池兩端的漏電阻。該電阻會(huì)分流掉部分光電流，因此并聯(lián)電阻越大越好6.中文：封裝 英文：Encapsulation 解釋：指將已互聯(lián)的電池通過層壓密封到電池組件里。封裝可以實(shí)現(xiàn)電池組件防水，防潮，并且增強(qiáng)電池的機(jī)械性能。7.中文

10、：峰瓦 英文：Peak Watts 解釋：組件在理想的標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的輸出功率， 該功率值也是組件的額定功率。8.中文：峰值日照小時(shí)數(shù) 英文：Peak Sun Hours 解釋：這是一個(gè)等效概念，表征一天中太陽的輻射總能量。數(shù)值上等于一天中太陽的總輻射能量(千瓦時(shí)/平方米) 除以1 千瓦/平方米9.中文：伏安特性曲線 英文：I-V Curve 解釋：用來表征電子器件的在外部電壓偏置的情況下電流隨外部變壓變化的特性曲線。10.中文：復(fù)合 英文：Recommbination 解釋：又稱為載流子復(fù)合，是指半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴）成對消失的過程。11.中文：復(fù)合損失 英文：Recombinati

11、on Loss 解釋：在被電極收集之前 電子與空穴的復(fù)合使電能流失。12.中文：副柵線 英文：Fingers 解釋：太陽能電池的電極的一部分，用于收集積累于電池表面的電荷從而形成外電路電流。副柵線通常由絲網(wǎng)印刷金屬漿料或者電鍍金屬形成，寬度小于130微米，與主柵（bus bar）相連。G1.中文：跟蹤 英文：Tracking 解釋：在電池組件上安裝智能的制動(dòng)系統(tǒng)使組件始終朝向太陽以獲得最大輻射量2.中文：光捕獲/光陷阱 英文：Light Trapping 解釋：通過散射與折射使光進(jìn)入電池后就被限制在電池內(nèi)部傳播直至大部分被完全吸收3.中文：光伏效應(yīng) 英文：Photovoltaic Effect

12、 解釋：指在光照激發(fā)下的半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬組合的部位間產(chǎn)生電勢差的現(xiàn)象。由于材料內(nèi)部的參雜不均勻，在內(nèi)建電場的作用下，受到激勵(lì)的電子和失去電子的空穴向相反方向移動(dòng)，而形成了正負(fù)兩級。此效應(yīng)最早于1839年由法國物理學(xué)家亞歷山大·埃德蒙·貝克勒爾發(fā)現(xiàn)。4.中文：光譜響應(yīng) 英文：Spectral Response 解釋：指電池對不同波長的單色光的響應(yīng)。 通常以量子效率來呈現(xiàn)這種響應(yīng)。5.中文：光學(xué)損失 英文：Optical Loss 解釋：入射光由于受到電池的表面反射，電極遮擋等因素影響而無法在電池中激發(fā)載流子形成的損失。通過光陷阱的設(shè)計(jì)和對電極遮擋的優(yōu)化可以有效減少光學(xué)損失

13、。6.中文：光照強(qiáng)度 英文：Light Intensity 解釋：單位面積接收到的光照功率，單位是 瓦/平方米7.中文：光子 英文：Photon 解釋：是傳遞電磁相互作用的基本粒子，也是電磁輻射的載體。光子具有波利二象性：既能表現(xiàn)經(jīng)典波的折射、干涉和衍射等性質(zhì)，作為粒子性的光子只能傳遞量子化的能量，即： E=hv，其中h是普朗克常數(shù)，v是光波的頻率。8.中文：光伏建筑一體化 英文：Building Integrated PV (BIPV) 解釋：是使用太陽能光伏材料取代傳統(tǒng)建筑材的一種應(yīng)用方式，通常利用天窗和外墻是作為最大的接光面，使建筑物本身能夠?yàn)樽陨硖峁┠茉?，可以部分或全部供?yīng)建筑用電，而

14、不必用外加方式加裝太陽能板。由于在建筑設(shè)計(jì)階段提前規(guī)劃，所以發(fā)電率和成本比值最佳。H1.中文：耗盡區(qū)/耗盡層 英文：Depletion Region 解釋：指在P-N節(jié)中P型與N型的交界面周圍的區(qū)域，通常有幾個(gè)微米寬。由于該區(qū)域內(nèi)建電場的存在，多數(shù)載流子被排斥而形成耗盡區(qū)。J1.中文：激光刻槽埋柵太陽能電池 英文：Laser rooved, Buried ontact olar Cells 解釋：由新南威爾士大學(xué)研究中心開發(fā)的電極設(shè)計(jì)。激光刻槽使副柵線深埋入電池，在減少電極遮光的同時(shí)保持良好的導(dǎo)電。2.中文：寄生電阻 英文：Parasitic Resistance 解釋：電池串聯(lián)電阻與并聯(lián)電阻

15、的總稱。3.中文：價(jià)帶 英文：Valence Band 解釋：通常是指半導(dǎo)體中在絕對零度下能被電子占滿的最高能帶。全充滿的價(jià)帶中的電子不能在固體中自由運(yùn)動(dòng)。4.中文：交錯(cuò)背接觸電池 英文：Interdigitated Back Contact (IBC) Cell 解釋：電池的正負(fù)極接觸都在背面，并且相互交叉，其結(jié)構(gòu)如圖所示。5.中文：減反膜 英文：Antireflection Coating 解釋：在電池表面鍍上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而減少反射率，理想情況下，單層減反膜可使一個(gè)特定波長的光的反射率降為零6.中文：金屬化（形成電極） 英文：Metallisation 解釋：在電池的正表

16、面或背表面上加上金屬使電池形成電極接觸7.中文：金字塔（表面制絨結(jié)構(gòu)） 英文：Pyramids 解釋：堿溶液對單晶硅的腐蝕是各項(xiàng)異性的，在制絨過程中單晶硅的特定晶面會(huì)暴露出來，使得制絨后的硅表面出現(xiàn)數(shù)微米高的金字塔8.中文：禁帶 英文：Forbidden Gap 解釋：在能帶結(jié)構(gòu)中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。常用來表示價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。9.中文：單晶硅/晶體硅 英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon 解釋：硅的單晶體，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，純度高。10.中文：接觸電阻 英文：Contact Resistance 解釋：指

17、電流流過半導(dǎo)體與電極金屬界面所克服的電阻。 該電阻是電池總串聯(lián)電阻的一部分11.中文：間接帶隙半導(dǎo)體 英文：Indirect Band-gap semiconductor 解釋：指半導(dǎo)體的能帶圖上導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂不在同一動(dòng)量上。需要光子與聲子共同作用來激發(fā)電子孔穴對。硅就是常見的間接帶隙半導(dǎo)體12.中文：聚光光伏 英文：Concentrator PV (CPV) 解釋：通過光學(xué)器件將太陽光聚集到電池表面， 等效于太陽能電池有了更大的受光面積K1.中文：開路電壓 英文：Open Circuit Voltage (Voc) 解釋：電池光照下并且電路處于開路狀態(tài)時(shí)，正負(fù)電極之間產(chǎn)生的電勢差。開路電壓衡

18、量了電池可以達(dá)到的最高電壓。2.中文：擴(kuò)散 英文：Diffusion 解釋：是粒子通過隨機(jī)運(yùn)動(dòng)從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的網(wǎng)狀的傳播。在光伏應(yīng)用中，擴(kuò)散用于向襯底中參雜施主或受主原子以形成p-n結(jié)或高低結(jié)3.中文：擴(kuò)散長度/載流子擴(kuò)散長度 英文：Diffusion Length 解釋：半導(dǎo)體中載流子在復(fù)合前平均移動(dòng)的距離。與少子壽命及擴(kuò)散系數(shù)成正比，一般擴(kuò)散長度越長材料的質(zhì)量越高。L1.中文：理想二極管定律 英文：Ideal Diode Law 解釋：電池在無光照情況下的電流電壓關(guān)系滿足如下理想二極管公式 I=I_0*(exp(qV/kT)-1)2.中文：理想因子 英文：Ideality Fac

19、tor 解釋：用于描述電池等效電路模型中的二極管和理想二極管的接近程度。由于理想二極管方程有一些前提假設(shè)，而實(shí)際二極管會(huì)因一些二階效應(yīng)的影響表現(xiàn)出與理想二極管不同，理想因子被用于表征這種差異。3.中文：硫化（蓄電池） 英文：Sulfation 解釋：由于長期處在低充電量狀態(tài)下，蓄電池電極出現(xiàn)硫酸鉛晶體的現(xiàn)象稱為硫化。硫化會(huì)使電池容量及充放電效率降低。M1.中文：漫射輻射 英文：Diffuse Radiation 解釋：通常指陰天條件下的太陽光輻射，其特點(diǎn)是輻射能量沿各個(gè)方向傳播且光強(qiáng)低。2.中文：冥王星電池 英文：Pluto solar cells 解釋：由尚德電力主導(dǎo)研發(fā)的一種高效率太陽能電

20、池。它具備激光參雜，選擇性發(fā)射級，以及背表面局部接觸等特點(diǎn)。2012年初，其在6英寸直拉單晶硅片轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20.3%。N1.中文：N 型（半導(dǎo)體） 英文：-type (semiconductor) 解釋：在半導(dǎo)體中由于摻入施主元素而使得電子成為半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子。常用來制成N型半導(dǎo)體的施主元素為磷2.中文：逆變器 英文：Inverter 解釋：又稱變流器、反流器，或稱反用換流器、電壓轉(zhuǎn)換器，是一個(gè)利用高頻電橋電路將直流電變換成交流電的電子器件，其目的與整流器相反。P1.中文：P-N 結(jié) 英文：p-n junction 解釋：P型與N型半導(dǎo)體相接處形成的特殊界面。由于內(nèi)建電場存在，電流容易從

21、P型流向N型，反之則困難。太陽能電池利用P-N節(jié)將被光激發(fā)的少數(shù)載流子從P-N節(jié)的一端遷移到另一端2.中文：P 型（半導(dǎo)體） 英文：p-type (semiconductor) 解釋：在半導(dǎo)體中由于摻入受主元素而使得空穴成為半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子。常用來制成P型半導(dǎo)體的施主元素為硼3.中文：旁路二極管 英文：Bypass diode 解釋：是電池組件中用于防止組件由于遮擋產(chǎn)生局部過熱而附加的安全器件。旁路二極管與其所保護(hù)的電池并聯(lián)，但是二極管極性與電池相反。R1.中文：日照常數(shù) 英文：Solar Constant 解釋：數(shù)值上等于峰值日照小時(shí)數(shù)，沒有單位。S1.中文：砷化鎵 英文：Gallium

22、 Arsenide 解釋：由A族元素Ga和A族元素As化合而成的半導(dǎo)體材料。分子式為GaAs。室溫下禁帶寬度為1.42eV，屬直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)。2.中文：失諧損失 英文：Mismatch Losses 解釋：如果組件中串聯(lián)的電池板輸出電流的不一致，則總電流受最小電流限制，因而造成功率損失。3.中文：死層 英文：Dead Layer 解釋：參雜濃度過高的電池前表面參雜區(qū)域。這會(huì)導(dǎo)致表層載流子壽命顯著減少，電池對短波長光譜反映嚴(yán)重衰減。T1.中文：體電阻 英文：Bulk Resistance 解釋：電流流穿電池襯底時(shí)所需克服的電阻。由電池的本底摻雜濃度決定2.中文：填充因子 英文：Fill Fa

23、ctor 解釋：定義了電池最大輸出功率和開路電壓與短路電流乘積的比值。在圖形上，填充因子描述了電池伏安特性曲線的“直方性”。填充因子越大，伏安曲線約接近于方形。3.中文：銅銦鎵硒薄膜電池 英文：CuInxGa(1-x)Se2 (CIGS) 解釋：具有穩(wěn)定性好、抗輻照性能好、成本低、效率高等優(yōu)點(diǎn)。但也面臨三個(gè)主要的問題：制程復(fù)雜，投資成本高；關(guān)鍵原料的供應(yīng)不足；緩沖層CdS具有潛在的毒性。4.中文：同質(zhì)節(jié) 英文：Homojunctions 解釋：P-N節(jié)兩端由同種半導(dǎo)體組成，例如晶硅太陽能電池5.中文：太陽光譜 英文：solar spectrum 解釋：太陽光在各個(gè)波長的輻射能量分布。不同的太陽

24、光譜可能導(dǎo)致不同的電池效率，即使總光強(qiáng)一致。通常測試所用光譜的 AM1.5的太陽光譜X1.中文：吸收系數(shù) 英文：absorption coefficient 解釋：吸收系數(shù)決定了某一波長的光在材料中被吸收前能穿透的深度。例如藍(lán)光在硅中的吸收系數(shù)高，所以藍(lán)光在穿透很薄的硅后就被吸收了2.中文：效率 英文：efficiency 解釋：又稱為光電轉(zhuǎn)換效率，是衡量電池質(zhì)量的最重要標(biāo)準(zhǔn)之一。電池效率由電池的最大輸出功率和輸入功率的比值決定。在標(biāo)準(zhǔn)測試條件（STC）下，輸入功率為：1瓦每平方米 X 電池面積。Y1.中文：異質(zhì)結(jié) 英文：Heterojunctions 解釋：P-N節(jié)兩端由不同的半導(dǎo)體組成Z1.中文：載流子壽命 英文：carri