如何向LTspice正確導(dǎo)入Spice模型

1、如何正確導(dǎo)入Spice模型方法一、將模型文件粘在當(dāng)前的圖紙上，方法見圖：步驟1：復(fù)制模型文件（來源于OrCADPSpiceModel）步驟2：將復(fù)制的文件復(fù)制到下圖所示位置ifLTspicfiIV-CyjftS.JccfiledkHjerarchy里iewSulewTools血ndcm吐Elp7ypCtb-.tortrtmhlin*Cnk4ntulSFICBdircctin|VTbrftZ.*ecE?H寧%5咳呂怡宰th#4口目|丄回，十仝=：-芒匕/J-a&Li,Eacti.iaUEtt|氏trLwaLTuLEditTwtOHth?Sc-hprnalK-11Br&Et3.uc|hruFLE.

2、FLTspictIV-IDrSASEL,l日1口EdilHjMPfdnyVicntfgimulmHgkWiridiawf#i訊?喩邈j亓白孚取c腐爭$??；w1；-宀c.iQ|口回與EdrtTl片”*加於iwSBMffilgWEZlDHa-1SF*iP2ln+4.1購Nk-i.U2Bt-牯-1WBr-ltK-iHc-2FCj:-2AZ4t-.X3nt*.niFc-5中呵*Tf-iMrr-iia.4pir-ijflitxir4.E-tiTriD方法二、如有*.lib的庫文件，比如PSPICE的日本晶體管庫jbipolar.lib,將該文件考到LTCLTspiceIVlibsub目錄中。然后按圖操作

3、：點(diǎn)擊OK后，效果如下所示:回2SC1907.includejbipolar.libDrift?:ItrpFIA匹亡IHtiiLH.t-uLTapiceJV-CDraft.aMfiledtHiwardiyIfiewiimuhls-IaolsWindow吐dp回金|口|它|石石|負(fù)q魚電繭可日毛諾以電啟勵|曰爭亙點(diǎn)叩之豐3空芒暫頁e弓仿真效果圖如下：gm斗釦蛍:仇輕旦衛(wèi)|目色宵丄味険棘巴3匚古眇寸+J宜*也管乍守鼻門耳X站hP；4M空IrhZM五*E.dilirjrrh-f/rLTijmN=E4w4.*d：書IfJ$iwIhSfflindbw(jdptDriMirErihmccSpiAiMm-M

4、ivMs|irii011ti-ii1WemdHPlMrTT5uJiciMrM10rlKOiCl10Q1iflWsiHZQ2scl907相頻特性（30MHz截止頻率）方法三：將模型文件直接粘貼到LTCLTspiceIVlibcmp中的相應(yīng)文件中。如要將PSPICE的diode.lib的模型全導(dǎo)入到cmp中的standard.dio中。先用記事本打開diode.lib,全選，復(fù)制。而后用記事本打開standard.dio,在其適當(dāng)?shù)奈恢谜迟N，關(guān)閉。發(fā)現(xiàn)二極管庫里多了很多元件（見下圖）。三極管同理。ISelertDiodeOKC：=lTlCHjLFartITo.性typeVbkiItlVT:A_SP

5、ICEMolei區(qū)1R914OnSemisiliconT5.00.0.model1114D1N4148UriSermE111C0Tl75.0.20.model1H4148IWMSD414Ssilicc-TL100.00.ZO.mdelMMSI41451N5817OriSemiSchottkyZO.O1.00.model1H581TI1N5B18UriSemiScho七tky30.01.00.model1H5810I1N5819OriSemiSchottky40.01.00.model1H5819IDAT54VishaySchcttky30.00.30.mdelBAT54DHBE0520LUri

6、SemiEcho七tky20.00.50.mcdelMBRJ05201HBE0530LOriSemiSchottky30.00.50.modelMBRJ05301HBIE11COOnS已miSchcttky100.C1.00MBE5110CHBES13OLUriEenuSchottky30.0i.ao.modelMBRS1301HBES14OOriSemiSchottky40.0i.ao.modelMBR5140HBES34CUriSemiSchott40.03.00.mcdelMBRS340HBES360OriEemiSchcttky60.03.ao.mdelMEES3&0GMDSH2-3C

7、entralSchottky30.00.20.modelClflDSHZ-DFLS220LDimilesInc.Echo七七ky20.02.ao.modelDFLS2201WKES12OOtiE目misilicc-TL200.01.ao.m1R914OnSemisiliconT5.00.0.model1114Dg|1N4148UriSermE111C0Tl75.0.20.model1H4148IWMSD414Ssilicc-TL100.00.ZO.mdelMMSI41451N5817OriSemiSchottkyZO.O1.00.model1H581TI1N5B18UriSemiScho七tk

8、y30.01.00.model1H5810I1N5819OriSemiSchottky40.01.00.model1H5819IDAT54VishaySchcttky30.00.30.mdelBAT54DHBE0520LUriSemiEcho七tky20.00.50.mcdelMBRJ05201HBE0530LOriSemiSchottky30.00.50.modelMBRJ05301HBIE11COOnS已miSchcttky100.C1.00MBE5110CHBES13OLUriEenuSchottky30.0i.ao.modelMBRS1301HBES14OOriSemiSchottky

9、40.0i.ao.modelMBR5140HBES34CUriSemiSchott40.03.00.mcdelMBRS340HBES360OriEemiSchcttky60.03.ao.mdelMEES3&0GMDSH2-3CentralSchottky30.00.20.modelClflDSHZ-DFLS220LDimilesInc.Echo七七ky20.02.ao.modelDFLS2201WKES12OOtiE目misilicc-TL200.01.ao.mdelMUES120L1KRS320OnS已misilicorL200.03.ao.modelMUES320WBE735UriSermScho七tky35.07.50.modelMBR735IMBL745OriSemiSchottky45.07.50.modelMBR745IDZS4C6V2LUriSHfTii6.E.E邛典U苗BZ3IB4CBV2LUriEemizenerB.2.modelBZXSilCSbBZX84C10LOriSemizencr10.0.modelBZX84C1CDZ2IS4C12LOriSemi12.0.BZX64C1SBZ3IB4C