GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１１０７３—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９

硅片徑向電阻率變化的測量方法

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１１０７３—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９《硅片徑向電阻率變化的測量方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了

ＡＳＴＭＦ８１０１《硅片徑向電阻率變化的測量方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＡＳＴＭＦ８１０１的一致性程度為修改采用，主要差異如下：

———刪去了ＡＳＴＭＦ８１０１第４章“意義和用途”。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９相比主要變化如下：

———因ＧＢ／Ｔ６６１５已并入ＧＢ／Ｔ１５５２，本標(biāo)準(zhǔn)在修訂時(shí)將硅片電阻率測試方法標(biāo)準(zhǔn)改為

ＧＢ／Ｔ１５５２，并將第２章“規(guī)范性引用文件”中的“ＧＢ／Ｔ６６１５”改為“ＧＢ／Ｔ１５５２”；

———采用ＡＳＴＭＦ８１０１第８章“計(jì)算”中的計(jì)算方法替代原ＧＢ１１０７３—１９８９中徑向電阻率變化

的計(jì)算方法；

———依據(jù)ＧＢ／Ｔ１５５２將電阻率的測量上限由１×１０３Ω·ｃｍ改為３×１０３Ω·ｃｍ；

———將原ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９中第７章“測量誤差”改為第４章“干擾因素”，并對其后各章章號作

了相應(yīng)調(diào)整；

———刪去了原ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９中的表１，采用ＧＢ／Ｔ１２９６５規(guī)定的直徑偏差范圍；

———將原ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９中的表２改為表１，并依據(jù)ＧＢ／Ｔ１２９６５中的規(guī)定，在本標(biāo)準(zhǔn)中刪去

８０．０ｍｍ標(biāo)稱直徑規(guī)格，增加了１５０．０ｍｍ和２００．０ｍｍ標(biāo)稱直徑規(guī)格。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ是規(guī)范性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起，同時(shí)代替ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：梁洪、覃銳兵、王炎。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０７３—２００７

硅片徑向電阻率變化的測量方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針法測量硅單晶片徑向電阻率變化的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于１５ｍｍ、電阻率為１×１０－３Ω·ｃｍ～３×１０３Ω·ｃｍ

硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ２８２８（所有部分）計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序

ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ１２９６５硅單晶切割片和研磨片

３方法提要

根據(jù)要求選擇四種選點(diǎn)方案中的一種，按ＧＢ／Ｔ１５５２的方法進(jìn)行測量，并利用幾何修正因子計(jì)算

出硅片電阻率及徑向電阻率變化。

本標(biāo)準(zhǔn)提供四種測量選點(diǎn)方案。采用不同的選點(diǎn)方案能測得不同的徑向電阻率變化值。

４干擾因素

４．１四探針間距小于本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的探針間距或測量高壽命樣品時(shí)，應(yīng)找出適當(dāng)?shù)碾娏鞣秶米麟娮杪?/p>

測量。

４．２摻雜濃度的局部變化也會引起沿晶體生長方向上的電阻率變化，而四探針測量的是局部電阻率平

均值，這個(gè)值受樣品縱向電阻率變化的影響；所以在硅片正面和背面測量電阻率變化的結(jié)果可能不同。

這種影響程度也與探針間距相關(guān)。

４．３當(dāng)探針位置靠近硅片邊緣時(shí)，對測出的電壓與電流比有明顯的影響。根據(jù)電壓與電流比和幾何修

正因子來計(jì)算局部電阻率。附錄Ａ中第Ａ．２章提供了探針間距為１．５９ｍｍ、測量點(diǎn)向硅片邊緣移動

０．１５ｍｍ時(shí)的局部電阻率誤差量。對不同尺寸的硅片和測量點(diǎn)來說，這些誤差量隨著探針間距的減小

而減小。

４．４與硅片的幾何形狀有關(guān)的誤差。

４．４．１在靠近硅片參考面位置上測量或在硅片背面及其周圍導(dǎo)電的情況下測量均會產(chǎn)生誤差。

４．４．２沒有按硅片實(shí)際直徑計(jì)算修正因子，則會增加幾何修正因子的誤差。當(dāng)測量時(shí)探針距邊緣

６ｍｍ以上，采用標(biāo)稱直徑引起的誤差可以忽略不計(jì)。

４．４．３硅片厚度直接影響所