標準解讀
《GB/T 15651.5-2024 半導體器件 第5-5部分:光電子器件 光電耦合器》是針對光電耦合器這一特定類型的光電子器件制定的標準。該標準詳細規(guī)定了光電耦合器的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和貯存等方面的內(nèi)容,旨在為光電耦合器的設計、生產(chǎn)、測試及應用提供規(guī)范性指導。
在技術要求方面,標準明確了光電耦合器應具備的基本性能參數(shù),如電氣特性(包括正向電壓、反向電流等)、光學特性(如發(fā)光強度、波長范圍)以及環(huán)境適應性要求等。此外,還對光電耦合器的可靠性進行了規(guī)定,比如溫度循環(huán)耐久性、濕度敏感度等指標,確保產(chǎn)品能在各種工作條件下穩(wěn)定運行。
關于試驗方法,標準提供了具體的檢測流程和技術手段,用以驗證光電耦合器是否符合所設定的各項技術規(guī)格。這包括但不限于外觀檢查、電性能測試、光學性能評估及環(huán)境應力篩選等內(nèi)容。通過這些嚴格的測試程序,可以有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。
對于檢驗規(guī)則,《GB/T 15651.5-2024》也給出了明確指示,涵蓋出廠檢驗與型式檢驗兩大部分,并指出了不同情況下需要執(zhí)行的具體項目及其合格判定準則。此部分內(nèi)容有助于生產(chǎn)企業(yè)建立健全的質(zhì)量管理體系,同時也為用戶選購時提供了參考依據(jù)。
最后,在標志、包裝、運輸和貯存方面,該標準同樣做了細致的規(guī)定,比如要求每個光電耦合器或其最小包裝單元上必須清晰地標示出必要的信息;同時,根據(jù)產(chǎn)品的特點提出了相應的保護措施建議,以避免因不當處理而造成損壞。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-03-15 頒布
- 2024-07-01 實施
文檔簡介
ICS31080
CCSL.50
中華人民共和國國家標準
GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020
.:
半導體器件第5-5部分
:
光電子器件光電耦合器
Semiconductordevices—
Part5-5Otoelectronicdevices—Photocoulers
:pp
IEC60747-5-52020IDT
(:,)
2024-03-15發(fā)布2024-07-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………2
電特性
4……………………9
光電晶體管輸出型光電耦合器
4.1……………………9
光電雙向晶閘管輸出型光電耦合器或固態(tài)光繼電器
4.2……………10
具有電擊防護功能的光電耦合器
5………………………11
概述
5.1…………………11
類型
5.2…………………11
額定值
5.3………………11
電氣安全要求
5.4………………………12
電氣環(huán)境和或耐久性測試信息補充信息
5.5、/()……………………13
光電耦合器的測試方法
6…………………19
電流傳輸比H
6.1F(ctr)…………………19
輸入輸出電容C
6.2-IO…………………20
輸入輸出隔離電阻R
6.3-(IO)…………20
隔離試驗
6.4……………21
光電耦合器的局部放電
6.5……………22
光電耦合器的集電極發(fā)射極飽和電壓V
6.6-CE(sat)…………………25
光電耦合器的開關時間tt
6.7on,off……………………27
峰值關斷狀態(tài)電流I
6.8DRM……………28
峰值導通電壓V
6.9TM…………………30
直流關斷電流I
6.10BD…………………32
直流導通電壓V
6.11T………………33
維持電流I
6.12H………………………34
關斷電壓臨界上升率Vt
6.13d/d……………………34
輸入觸發(fā)電流
6.14……………………36
光電耦合器的共模瞬態(tài)抑制CMTI測試方法
6.15()………………37
光控雙向閘流晶體管型耦合器的電額定值的測試方法
7………………39
關斷狀態(tài)重復峰值電壓V
7.1DRM……………………39
Ⅰ
GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020
.:
關斷狀態(tài)直流電壓V
7.2BD……………40
附錄規(guī)范性輸入輸出安全試驗
A()/…………………41
目的
A.1………………41
測試電路
A.2…………………………41
電路描述
A.3…………………………41
注意事項
A.4…………………………41
測試步驟
A.5…………………………41
規(guī)定條件
A.6…………………………41
參考文獻
……………………42
Ⅱ
GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020
.:
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分
GB/T156515-5。GB/T15651:
半導體器件分立器件和集成電路第部分光電子器件
———5:(GB/T15651—1995);
半導體分立器件和集成電路第部分光電子器件基本額定值和特性
———5-2:(GB/T15651.2—
2003);
半導體分立器件和集成電路第部分光電子器件測試方法
———5-3:(GB/T15651.3—2003);
半導體器件分立器件第部分光電子器件半導體激光器
———5-4:(GB/T15651.4—2017);
半導體器件第部分光電子器件光電耦合器
———5-5:(GB/T15651.5—2024);
半導體器件第部分光電子器件發(fā)光二極管
———5-6:(GB/T15651.6—2023);
半導體器件第部分光電子器件光電二極管和光電晶體管
———5-7:(GB/T15651.7—2024)。
本文件等同采用半導體器件第部分光電子器件光電耦合器
IEC60747-5-5:2020《5-5:》。
本文件做了下列最小限度的編輯性改動
:
范圍中刪除了注的內(nèi)容與的英文翻譯成中文都是光電耦合器
———,“optocoupler”“photocoupler”。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出并歸口
。
本文件起草單位中國電子技術標準化研究院中國電子科技集團公司第四十四研究所威凱檢測
:、、
技術有限公司中國電子科技集團公司第十三研究所國網(wǎng)江蘇省電力有限公司
、、。
本文件主要起草人劉秀娟趙英張佳寧曹勇崔波龔磊徐曉軼劉東月成先文霍福廣
:、、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020
.:
引言
制定系列的第部分為光電耦合器產(chǎn)品的測試評價等提供適當?shù)囊罁?jù)
GB/T156515-5,、。
系列的第部分是半導體光電子器件的系列標準主要規(guī)定了光電子器件的總體要
GB/T156515,
求基本額定值和特性測試方法半導體激光器光電耦合器發(fā)光二極管光電二極管和光電晶體管等
、、、、、、
器件的技術要求質(zhì)量保證規(guī)定等內(nèi)容擬由以下幾個部分構成
、,。
第部分光電子器件目的在于給出半導體光發(fā)射器件半導體光電探測器件半導體光敏
———5:。、、
元器件內(nèi)部工作機理與光輻射有關的半導體器件和分類型器件的標準
、。
第部分光電子器件基本額定值和特性目的在于給出半導體光電子發(fā)射器件半導體
———5-2:。、
光電探測器件半導體光敏器件內(nèi)部進行光輻射工作的半導體器件及分類為光電子器件的基
、、
本額定值和特性用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外
,。
第部分光電子器件測試方法目的在于給出光電子器件的測試方法用于光纖系統(tǒng)或
———5-3:。,
子系統(tǒng)的除外
。
第部分光電子器件半導體激光器目的在于規(guī)定半導體激光器的基本額定值特性及
———5-4:。、
測試方法
。
第部分光電子器件光電耦合器目的在于規(guī)定光耦合器的術語基本額定值特性安
———5-5:。、、、
全試驗及測量方法
。
第部分光電子器件發(fā)光二極管目的在于規(guī)定發(fā)光二極管的術語額定值和特性測
———5-6:。、、
試方法和質(zhì)量評估方法
。
第部分光電子器件光電二極管和光電晶體管目的在于規(guī)定光電二極管和光電晶體
———5-7:。
管的術語基本額定值和特性以及測量方法
、。
Ⅳ
GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020
.:
半導體器件第5-5部分
:
光電子器件光電耦合器
1范圍
本文件規(guī)定了光電耦合器的基本額定值特性安全試驗及測試方法
、、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
環(huán)境試驗概述和指南
GB/T2421—2020(IEC60068-1:2013,IDT)
音視頻信息技術和通信技術設備第部分安全要求
GB4943.1—2022、1:(IEC62368-1:
2018,MOD)
注被引用的內(nèi)容與被引用的內(nèi)容沒有技術上的差異
:GB4943.1—2022IEC62368-1:2018。
低壓系統(tǒng)內(nèi)設備的絕緣配合第部分原理要求和試驗
GB/T16935.1—20231:、(IEC60664-1:
2020,IDT)
環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗低溫
IEC60068-2-12:A:(Environmentaltesting—Part2-1:
Tests—TestA:Cold)
環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗高溫
IEC60068-2-22:B:(Environmentaltesting—Part2-2:
Tests—TestB:Dryheat)
環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗振動正弦
IEC60068-2-62:Fc:()[Environmentaltesting—
Part2-6:Tests—TestFc:Vibration(sinusoidal)]
環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗溫度變化
IEC60068-2-142:N:(Environmentaltesting—
Part2-14:Tests—TestN:Changeoftemperature)
環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗密封
IEC60068-2-17
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