新高考人教版高考化學(xué)三輪課件：專題十四物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(選修3)

專題二物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(選修3)專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三考點(diǎn)考例考頻命題角度原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2016課標(biāo)全國I，37（1）（4）2016課標(biāo)全國II，37（1）（2）2015課標(biāo)全國I，37(1)2015課標(biāo)全國II，37(1)2014課標(biāo)全國I，37(1)(2)2014課標(biāo)全國II，37(1)2013課標(biāo)全國I，37(1)2013課標(biāo)全國II，37(1)2012課標(biāo)全國，37（2）（3）高頻考點(diǎn)考法一：考查基態(tài)原子核外電子排布式(或軌道表示式)的書寫考法二：考查元素的性質(zhì)及其應(yīng)用分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2016課標(biāo)全國I，37（3）（5）2016課標(biāo)全國II，37（2）①③2016課標(biāo)全國III，37（3）2015課標(biāo)全國I，37（3）2015課標(biāo)全國II，37(3)(4)2014課標(biāo)全國I，37(3)2014課標(biāo)全國II，37(2)(3)2013課標(biāo)全國I，37(5)(6)2012課標(biāo)全國，37(1)(4)(5)高頻考點(diǎn)考法一：考查共價(jià)鍵的形成及作用考法二：考查中心原子的雜化軌道類型及分子的構(gòu)型判斷考法三：考查分子的性質(zhì)及其影響因素晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2016課標(biāo)全國II，37（3）（4）（6）2016課標(biāo)全國III，37（4）（5）2015課標(biāo)全國I，37(4)2015課標(biāo)全國II，37(2)（5）2014課標(biāo)全國I，37(1)(3)(4)2014課標(biāo)全國II，37(4)(5)2013課標(biāo)全國II，37(3)(4)2012課標(biāo)全國，37(6)高頻考點(diǎn)考法一：考查晶胞的結(jié)構(gòu)及計(jì)算考法二：考查四種晶體類型及性質(zhì)專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三【真題印證】1．(1)[2016課標(biāo)全國Ⅰ，37(1)]基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有________個(gè)未成對(duì)電子。(2)[2016課標(biāo)全國Ⅱ，37(1)]鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為____________，3d能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)為________。(3)[2016課標(biāo)全國Ⅲ，37(1)]寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式：________________________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)Ge與Si元素同處于周期表中第ⅣA族，Ge元素位于Si元素的下一周期，其核外電子數(shù)為14＋18＝32，根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知，其核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2。基態(tài)Ge原子4p軌道上排布2個(gè)電子，據(jù)洪特規(guī)則可知，這2個(gè)電子排布在不同的4p軌道上，且自旋狀態(tài)相同，故未成對(duì)電子數(shù)為2。(2)Ni處于第四周期第Ⅷ族，其核外有28個(gè)電子，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s2。3d能級(jí)上有5個(gè)原子軌道，根據(jù)洪特規(guī)則，其中5個(gè)電子先占滿5個(gè)原子軌道，且自旋狀態(tài)相同，剩余3個(gè)電子再分占3個(gè)軌道，且自旋狀態(tài)相反，故未成對(duì)電子數(shù)為2。(3)As元素在周期表中處于第ⅤA族，處于P元素的下一周期，則基態(tài)As原子核外有33個(gè)電子，根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知，其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3

或[Ar]3d104s24p3。解析【答案】(1)3d104s24p2

2(2)1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s2

2(3)1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三書寫基態(tài)原子核外電子排布式的方法：(1)題型特點(diǎn)基態(tài)原子核外電子排布式的書寫是課標(biāo)全國卷考查熱點(diǎn)之一，幾乎每年都有不同程度的考查，以第四周期過渡金屬或第ⅣA族～第ⅦA族中長周期元素為主，命題集中在：①基態(tài)原子(或離子)核外電子排布式；②基態(tài)原子的價(jià)電子(或外圍電子)排布式；③外圍電子排布的軌道表示式；④基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)等。(2)解法技巧書寫基態(tài)原子(或離子)核外電子排布式(或軌道表示式)遵循的規(guī)律：①能量最低原理：提供電子優(yōu)先排布各原子軌道的順序，即1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p→5s→4d→5p→6s→……②泡利不相容原理：在一個(gè)原子軌道里，最多只能容納2個(gè)電子，而且它們的自旋狀態(tài)相反。③洪特規(guī)則：當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋狀態(tài)相同。④洪特規(guī)則特例：當(dāng)能量相同的原子軌道(即等價(jià)軌道)處于全充滿、半充滿、全空狀態(tài)時(shí)，整個(gè)原子一般具有較低能量，原子比較穩(wěn)定，即具有下列電子層結(jié)構(gòu)的原子一般是比較穩(wěn)定的：①全充滿：p6、d10、f14；②半充滿：p3、d5、f7；③全空：p0、d0、f0。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三1．(1)[2015課標(biāo)全國Ⅰ，37(1)]處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用________形象化描述。在基態(tài)14C原子中，核外存在________對(duì)自旋相反的電子。(2)[2014課標(biāo)全國Ⅰ，37(2)]基態(tài)Fe原子有________個(gè)未成對(duì)電子數(shù)，F(xiàn)e3＋的電子排布式為________________。(3)[2013課標(biāo)全國Ⅰ，37(1)]基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)________，該能層具有的原子軌道數(shù)為________、電子數(shù)為________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)基態(tài)碳原子中位于1s、2s軌道的2對(duì)電子自旋方向相反。(2)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子排布式為3d64s2，3d能級(jí)排有6個(gè)電子，存在4個(gè)未成對(duì)電子，F(xiàn)e3＋是基態(tài)Fe原子失去4s能級(jí)上的2個(gè)電子和3d能級(jí)上的1個(gè)電子形成的，其電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。(3)硅的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，第三層又稱M層；M能層有s、p、d三個(gè)能級(jí)，s能級(jí)只有1個(gè)軌道，p能級(jí)有3個(gè)軌道，d能級(jí)有5個(gè)軌道，故M能層共有9個(gè)原子軌道。解析【答案】(1)電子云2(2)4

1s22s22p63s23p63d5或[Ar]3d5

(3)M

9

4專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三【真題印證】2．(1)[2016課標(biāo)全國Ⅰ，37(4)]光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是_________。(2)[2016課標(biāo)全國Ⅱ，37(2)]元素銅與鎳的第二電離能分別為：ICu＝1959kJ·mol－1，INi＝1753kJ·mol－1，ICu＞INi

的原因是___________________________。(3)[2016課標(biāo)全國Ⅲ，37(2)]根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga______As，第一電離能Ga________As。(填“大于”或“小于”)【答案】(1)O＞Ge＞Zn(2)銅失去的是全充滿的3d10電子，鎳失去的是4s1電子(3)大于小于

專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)O元素處于第二周期，其電負(fù)性最大；Zn和Ge同處于第四周期，Ge的原子序數(shù)大于Zn，則Ge元素的電負(fù)性強(qiáng)于Zn元素，故三種元素電負(fù)性的大小順序?yàn)镺＞Ge＞Zn。(2)基態(tài)Cu＋、Ni＋的核外電子排布式分別為[Ar]3d10、[Ar]3d84s1，而元素Cu與Ni的第二電離能分別是指Cu＋、Ni＋失去1個(gè)電子變成Cu2＋、Ni2＋所需要的能量，由于Cu＋失去的是全充滿的3d10電子，Ni＋失去的是4s1電子，故Cu元素的第二電離能大于Ni元素。(3)Ga和As元素同處于第四周期，Ga位于第ⅢA族，As位于第ⅤA族。根據(jù)元素周期律，同周期主族元素隨原子序數(shù)的遞增，原子半徑逐漸減小，第一電離能呈增大趨勢(shì)，故Ga的原子半徑大于As，Ga的第一電離能小于As。解析專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)題型特點(diǎn)元素周期律的應(yīng)用是課標(biāo)全國卷考查的重點(diǎn)之一，命題主要集中在：①原子半徑的比較；②元素電負(fù)性的比較；③元素的第一電離能的比較；④逐級(jí)電離能的比較及原因分析等，側(cè)重考查綜合分析能力和遷移應(yīng)用能力。(2)解法技巧①原子半徑：同周期主族元素符合“序小徑大”規(guī)律，即原子序數(shù)越小，原子半徑越大；同主族元素符合“層多徑大”規(guī)律，即電子層數(shù)越多，原子半徑越大。②電負(fù)性：同周期主族元素的電負(fù)性隨原子序數(shù)的遞增而逐漸增強(qiáng)；同主族元素的電負(fù)性隨電子層數(shù)的增大而逐漸減小。③第一電離能：同周期主族元素的第一電離能隨原子序數(shù)的遞增呈增大趨勢(shì)，具體比較時(shí)，還要考慮價(jià)電子排布對(duì)第一電離能的影響；同主族元素的第一電離能隨電子層數(shù)增大而逐漸減小。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三2．(1)[2015課標(biāo)全國Ⅱ，37(1)]A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素，A2－和B＋具有相同的電子構(gòu)型；C、D為同周期元素，C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍；D元素最外層有一個(gè)未成對(duì)電子。四種元素中電負(fù)性最大的是________(填元素符號(hào))。(2)[2012課標(biāo)全國，37(2)]原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_______________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)【答案】(1)O(2)O＞S＞Se【解析】(1)由題意可知，A、B、C、D分別為O、Na、P、Cl。O、Na、P、Cl四種元素中電負(fù)性最大的是O。(2)同主族元素，從上到下第一電離能逐漸減小，所以第一電離能從大到小的順序?yàn)镺＞S＞Se。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)【真題印證】3．(1)[2016課標(biāo)全國Ⅰ，37(2)]Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是__________________________________。(2)[2016課標(biāo)全國Ⅱ，37(2)]在[Ni(NH3)6]2＋中Ni2＋與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為________，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)【答案】(1)Ge原子半徑大，原子間形成的單鍵較長，p－p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不重疊，難以形成π鍵(2)配位鍵N【解析】(1)碳原子之間形成的單鍵、雙鍵和三鍵中均有σ鍵，但只有雙鍵和三鍵中存在π鍵。Ge原子半徑較大，原子間形成的單鍵較長，p－p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不重疊，難以形成π鍵，故Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。(2)根據(jù)配位鍵的形成條件，在[Ni(NH3)6]2＋中Ni2＋與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為配位鍵，其中Ni2＋提供空軌道，NH3中N原子提供成鍵的孤對(duì)電子。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)題型特點(diǎn)近五年，課標(biāo)全國卷重點(diǎn)考查了共價(jià)鍵的形成及作用，命題主要集中在：①共價(jià)鍵類型的判斷，包括σ鍵和π鍵、極性鍵和非極性鍵；②共價(jià)鍵形成的原因分析；③物質(zhì)的穩(wěn)定性與鍵能的關(guān)系等，側(cè)重考查綜合分析能力和遷移應(yīng)用能力。(2)解法技巧①σ鍵和π鍵：π鍵的重疊程度小，不牢固；σ鍵的重疊程度大，比較牢固；兩原子形成共價(jià)鍵時(shí)，先“頭碰頭”形成σ鍵，再“肩并肩”形成π鍵。單鍵都是σ鍵，雙鍵有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，三鍵有1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵。②極性鍵和非極性鍵：X—X型、Y—Y型是非極性鍵；X—Y型是極性鍵。③配位鍵：可表示為X→Y，其中X是配體，提供孤對(duì)電子，Y是配位中心，通常是過渡金屬原子或離子。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三3．(1)[2015課標(biāo)全國Ⅰ，37(2)]碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是_____________________________________。CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有________。(2)[2014課標(biāo)全國Ⅰ，37(3)]1mol乙醛(CH3CHO)分子中含有的σ鍵的數(shù)目為________。(3)[2013課標(biāo)全國Ⅰ，37(5)]碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：化學(xué)鍵C—CC—HC—OSi—SiSi—HSi—O鍵能/(kJ·mol－1)356413336226318452專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是________________。②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是_________________?！敬鸢浮?1)C有4個(gè)價(jià)電子且半徑小，難以通過得或失電子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)σ鍵和π鍵(2)6NA(3)①C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成②C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)在CS2中存在兩對(duì)碳硫雙鍵，在碳硫雙鍵中，一個(gè)是σ鍵，一個(gè)是π鍵。(2)單鍵為σ鍵，雙鍵中含有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，故1molCH3CHO分子中含6molσ鍵。解析專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三【真題印證】4．(1)[2016課標(biāo)全國Ⅰ，37(5)]Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為________，微粒之間存在的作用力是__________。(2)[2016課標(biāo)全國Ⅱ，37(2)節(jié)選][Ni(NH3)6]SO4中陰離子的立體構(gòu)型是__________。氨的中心原子的軌道雜化類型為__________。(3)[2016課標(biāo)全國Ⅲ，37(3)]AsCl3分子的立體構(gòu)型為__________，其中As的雜化軌道類型為__________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，據(jù)此推知，Ge單晶中每個(gè)Ge原子與周圍4個(gè)Ge原子形成Ge—Ge鍵，則Ge原子采取sp3雜化，Ge原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合。(2)[Ni(NH3)6]SO4中陰離子為SO42－，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知，S原子周圍有4對(duì)成鍵電子對(duì)參與排斥，則SO42－為正四面體結(jié)構(gòu)。NH3分子中N原子形成3個(gè)σ鍵，且含有1對(duì)未成鍵孤對(duì)電子，則N原子采取sp3雜化，NH3分子為三角錐形結(jié)構(gòu)。(3)由價(jià)層電子對(duì)互斥理論知，AsCl3分子的中心原子As的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為4(其中孤電子對(duì)數(shù)為

＝1)，因此其分子構(gòu)型為三角錐形；As的雜化軌道類型是sp3雜化。解析【答案】(1)sp3共價(jià)鍵(2)正四面體sp3

(3)三角錐形sp3專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三判斷中心原子雜化軌道類型及分子的立體構(gòu)型的方法(1)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷①中心原子上的價(jià)電子都用于形成共價(jià)鍵，例如，CO2、CH4等分子中的碳原子，它們的空間構(gòu)型可用中心原子周圍的原子數(shù)n來預(yù)測(cè)，概括如下表：ABn型分子分子的空間構(gòu)型實(shí)例n＝2直線形CS2、BeCl2等n＝3平面三角形BF3、CH2O等n＝4正四面體形CCl4、SiH4等專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三②中心原子上有孤對(duì)電子的分子，例如H2O、NH3等，中心原子上的孤對(duì)電子也要占據(jù)中心原子周圍的空間，并參與相互排斥。先分析分子的中心原子的σ鍵電子對(duì)數(shù)和孤電子對(duì)數(shù)，確定價(jià)層電子對(duì)互斥模型，再去除孤電子對(duì)，得出分子的實(shí)際空間構(gòu)型。(2)根據(jù)雜化軌道理論判斷由于雜化軌道類型不同，雜化軌道的夾角也不同，其成鍵時(shí)鍵角也不相同，故雜化軌道的類型與分子的空間構(gòu)型有關(guān)，具體如下表：雜化類型用于雜化的原子軌道數(shù)雜化軌道間的夾角空間構(gòu)型sp雜化2180°直線形sp2雜化3120°平面三角形sp3雜化4109°28′四面體形專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三4．(1)[2015課標(biāo)全國Ⅰ，37(3)]CS2分子中，C原子的雜化軌道類型是________，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子：____________。(2)[2014課標(biāo)全國Ⅰ，37(3)]新制備的Cu(OH)2可將乙醛(CH3CHO)氧化為乙酸，而自身還原成Cu2O。乙醛中碳原子的雜化軌道類型為_____。(3)[2012課標(biāo)全國，37(4)]氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____________，SO32－離子的立體構(gòu)型為____________?！敬鸢浮?1)sp

CO2、SCN－(或COS)

(2)sp2、sp3

(3)平面三角形三角錐形專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，因此其雜化軌道類型為sp；依據(jù)等電子體理論可知CO2

、SCN－和COS等的空間構(gòu)型和鍵合形式與CS2相同。(2)CH3CHO中甲基碳原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，采取sp3雜化，醛基中碳原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，采取sp2雜化。(3)SeO3的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3，Se原子上無孤電子對(duì)，故其分子的立體構(gòu)型是平面三角形；SO32－的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，S原子上孤電子對(duì)數(shù)是1，所以離子的空間構(gòu)型是三角錐形。解析專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三【真題印證】5．(1)[2016課標(biāo)全國Ⅰ，37(3)]比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因：_______________。(2)[2016課標(biāo)全國Ⅱ，37(2)改編]氨是__________分子(填“極性”或“非極性”)；氨的沸點(diǎn)__________(“高于”或“低于”)膦(PH3)，原因是_________________________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃－49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三【答案】(1)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高；原因是分子結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強(qiáng)(2)極性高于NH3分子間可形成氫鍵【解析】(1)分析鍺鹵化合物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù)可知，GeCl4、GeBr4和GeI4的熔、沸點(diǎn)均呈增大的趨勢(shì)；由GeCl4、GeBr4和GeI4的熔、沸點(diǎn)較低可判斷三者為分子晶體，而相同類型的分子晶體，其熔、沸點(diǎn)高低取決于分子間作用力的大小，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就越高。(2)氨分子間存在氫鍵，分子間作用力強(qiáng)，所以氨的沸點(diǎn)高于膦(PH3)；根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，氨中心原子N的σ鍵電子對(duì)數(shù)為3，孤電子對(duì)數(shù)為(5－3)×1/2＝1，則N原子是sp3雜化，氨分子空間構(gòu)型為三角錐形，正、負(fù)電荷重心不重合，氨是極性分子。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)判斷ABm型分子極性的方法①根據(jù)元素的化合價(jià)與中心原子的價(jià)電子數(shù)判斷：對(duì)于ABm型分子，中心原子A對(duì)應(yīng)元素的化合價(jià)的絕對(duì)值等于A原子的價(jià)電子數(shù)時(shí)，該分子為非極性分子，此時(shí)分子的空間結(jié)構(gòu)對(duì)稱；否則，為極性分子，分子的空間結(jié)構(gòu)不對(duì)稱。②根據(jù)中心原子最外層電子成鍵情況判斷：若分子的中心原子最外層電子全部參與成鍵，該分子一般為非極性分子；若分子的中心原子最外層電子未全部參與成鍵，該分子一般為極性分子。例如，CH4、CO2、BF3等分子的中心原子的最外層電子全部參與成鍵，則它們都是非極性分子；H2O、NH3、PCl3等分子的中心原子的最外層電子部分參與成鍵，則它們都是極性分子。(2)氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響：NH3、H2O、HF易形成分子間氫鍵，其熔、沸點(diǎn)在同主族元素形成的氫化物中最高；NH3、HF、CH3OH、CH3CH2OH等易與H2O形成分子間氫鍵，導(dǎo)致這些物質(zhì)極易溶于水。(3)分子間作用力(范德華力)對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響：對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)而言，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力也越大，其熔、沸點(diǎn)越高。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三5．(1)[2014課標(biāo)全國Ⅰ，37(3)]乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是______________________。(2)[2012課標(biāo)全國，37(5)]H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10－3和2.5×10－8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：______________；②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：____________________?！敬鸢浮?1)CH3COOH存在分子間氫鍵(2)①第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子②H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2。H2SeO3中的Se為＋4價(jià)，而H2SeO4中的Se為＋6價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致Se—O—H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H＋專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(1)CH3COOH分子間存在氫鍵，而CH3CHO分子間無氫鍵，故沸點(diǎn)：CH3COOH＞CH3CHO。(2)①第一步電離出的H＋會(huì)抑制HSeO3－、HSeO4－的電離，使得HSeO3－、HSeO4－較難再電離出H＋。②同種元素形成的不同含氧酸，若表示為(HO)mROn，n值越大，R的化合價(jià)越高，正電性越高，R—O—H中O的電子更向R原子偏移，O—H鍵越易斷裂，易電離出H＋，酸性越強(qiáng)。解析專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三【真題印證】6．(1)[2016課標(biāo)全國Ⅰ，37(6)]晶胞有兩個(gè)基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)；B為(1/2，0，)；C為(1/2，1/2，0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為____________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a＝565.76pm，其密度為______g·cm－3(列出計(jì)算式即可)。(2)[2016課標(biāo)全國Ⅱ，37(4)]某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_______。②若合金的密度為dg·cm－3，晶胞參數(shù)a＝________nm。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三(3)[2016課標(biāo)全國Ⅲ，37(5)節(jié)選]GaAs的密度為ρg·cm－3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol－1和MAsg·mol－1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為__________。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三利用“均攤法”計(jì)算晶胞結(jié)構(gòu)的方法“均攤法”是指每個(gè)晶胞平均擁有的粒子數(shù)目，例如每個(gè)粒子被n個(gè)晶胞所共用，則該粒子1/n有屬于這個(gè)晶胞。(1)長方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算①處于頂角的粒子，同時(shí)被8個(gè)晶胞所共用，每個(gè)粒子1/8有屬于該晶胞；②處于棱上的粒子，同時(shí)被4個(gè)晶胞所共用，每個(gè)粒子1/4有屬于該晶胞；③處于面上的粒子，同時(shí)被2個(gè)晶胞所共用，每個(gè)粒子1/2有屬于該晶胞；④處于晶胞內(nèi)部的粒子，則完全屬于該晶胞。(2)非長方體(正方體)晶胞中粒子數(shù)的計(jì)算非長方體(正方體)晶胞中粒子的計(jì)算，要結(jié)合具體晶胞的結(jié)構(gòu)，視具體情況而定。例如石墨晶胞中每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂角(1個(gè)碳原子)被3個(gè)六邊形所共用，每個(gè)六邊形占有1個(gè)碳原子的。專題綜練考法探究考點(diǎn)導(dǎo)圖考情數(shù)據(jù)高頻點(diǎn)一高頻點(diǎn)二高頻點(diǎn)三6．(1)[2015課標(biāo)全國Ⅰ，37(5)]碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示：①在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接________個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有________個(gè)C原子。②在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接________個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有________個(gè)C原子在同一平面。(2)[2014課標(biāo)全國Ⅰ，37(3)節(jié)選]Cu2O為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，則該晶胞中有________個(gè)銅原子。(3)[2014課標(biāo)全國Ⅰ，37(4)]Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a＝0.405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為____________，列式表示Al單質(zhì)的密度________g·cm－3(不必計(jì)算出結(jié)果)。專題綜練考法探究考