2020屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)12題題型各個(gè)擊破-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合練習(xí)（選擇專練）

第=page22頁(yè)，共=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè)，共=sectionpages11頁(yè)2020屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)12題題型各個(gè)擊破——晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合練習(xí)（選擇專練）下列敘述中正確的是(????)A.二氧化硅和干冰晶體熔化時(shí)所克服的作用力類型相同

B.含有離子的晶體一定是離子晶體

C.H2O是一種非常穩(wěn)定的化合物，這是由于水分子中存在氫鍵

下列說(shuō)法正確的是A.HCl、HBr、HI的分子間作用力依次減小

B.Si與SiO2中原子以共價(jià)鍵結(jié)合，晶體類型相同

C.NaHSO4在水溶液中或熔融狀態(tài)下，都能電離出下列說(shuō)法正確的是A.硫酸鈉溶液的導(dǎo)電過(guò)程發(fā)生了化學(xué)變化

B.由于SiO2的分子間作用力比CO2大，導(dǎo)致SiO2的熔點(diǎn)比CO下列說(shuō)法不正確的是A.化學(xué)鍵的斷裂與形成一定伴隨著電子的轉(zhuǎn)移和能量變化

B.碘晶體是分子晶體，加熱升華過(guò)程中只需克服分子間作用力

C.二氧化硅晶體屬于原子晶體，每個(gè)Si通過(guò)共價(jià)鍵與4個(gè)O結(jié)合

D.氯化鈉的電離是一個(gè)破壞離子鍵的過(guò)程晶體呈現(xiàn)自范性的條件之一是晶體生長(zhǎng)的速率適當(dāng)。瑪瑙是熔融態(tài)的SiO2快速冷卻形成的，而水晶是熱液緩慢冷卻形成的。以下說(shuō)法中正確的是(

)A.區(qū)分水晶和瑪瑙的最科學(xué)的方法是紅外光譜分析法

B.可用光譜分析法確定SiO2晶體中含有氧元素

C.1?mol?SiO2晶體Si?O鍵的個(gè)數(shù)為2?碳的一種同素異形體——金剛石，其晶胞如圖所示。已知金屬鈉的晶胞(體心立方堆積)沿其體對(duì)角線垂直在紙平面上的投影圖如圖A所示，則金剛石晶胞沿其體對(duì)角線垂直在紙平面上的投影圖應(yīng)該是圖(

)

A.

B.

C.

D.

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，研究物質(zhì)的手段和途徑越來(lái)越多，N+、H3、O4、CA.N5+離子中含有36個(gè)電子 B.O2與O4屬于同位素

C.C60是原子晶體 共價(jià)鍵、離子鍵和分子間作用力是粒子之間的三種作用。下列晶體：①NaOH；②SiO2；③石墨；④NaCl；⑤干冰中，含有兩種作用力的是(

)A.①②③ B.①③⑤ C.②④⑤ D.②③④GaAs晶體的熔點(diǎn)很高，硬度很大，密度為ρg·cm?3，原子半徑分別為a?pm和b?pm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(A.該晶體為原子晶體

B.在該晶體中，Ga和As均無(wú)孤對(duì)電子，Ga和As的配位數(shù)均為4

C.原子的體積占晶胞體積的百分率為4π×10?27NAρ設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是(

)A.標(biāo)準(zhǔn)狀況下，22.4?L?HF的分子數(shù)大于NA

B.一定條件下，SO2與氧氣反應(yīng)生成0.1?mol?SO3，反應(yīng)中轉(zhuǎn)移電子數(shù)小于0.2?NA

C.28?g晶體硅中含有的Si-Si下列說(shuō)法不正確的是(????)A.CS2中所有原子的最外層電子數(shù)均為8

B.沸點(diǎn)：CH4<CCl下列說(shuō)法正確的是A.HCl、HBr、HI的分子間作用力依次增大，熱穩(wěn)定性也依次增強(qiáng)

B.N2和Cl2兩種分子中，每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)

C.在O2、CO2和SiO下列各項(xiàng)敘述中，正確的是(????)A.因?yàn)樗肿娱g有氫鍵，所以水的穩(wěn)定性強(qiáng)于H2S

B.在所有的元素中，氟的第一電離能最大

C.已知某元素+3價(jià)離子的電子排布式為1s22s22p63s23下列說(shuō)法正確的是A.NaOH是含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體

B.氫化物的穩(wěn)定性H2O>H2S，是因?yàn)樗肿娱g形成氫鍵

C.金剛石、硅、鍺的熔點(diǎn)和硬度依次降低

D.NaF下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小無(wú)關(guān)的是(????)

①F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高

②HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱

③金剛石、碳化硅、晶體硅熔點(diǎn)逐漸降低

④NaF、NaClA.僅② B.①④ C.②③ D.①②③如圖所示是元素周期表的一部分，W、X、Y、Z為四種短周期元素。下列說(shuō)法正確的是(????)XYWZA.四種元素中沒(méi)有金屬元素

B.由X、Y和氫三種元素形成的化合物中只有共價(jià)鍵

C.若這四種元素的原子最外層電子數(shù)之和為22，則物質(zhì)WY2、W3X4、WZ4均有熔點(diǎn)高、硬度大的性質(zhì)

D.若W通常情況下，NCl3是一種油狀液體，其分子立體構(gòu)型與NH3相似，下列對(duì)NCl3和A.分子中N—Cl鍵鍵長(zhǎng)比CCl4分子中C—Cl鍵鍵長(zhǎng)短

B.在氨水中，大部分NH3與H2O以氫鍵(用“…”表示)結(jié)合形成NH3·H2O分子，則N下列有關(guān)物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序正確的是(

)A.HF?<?HCl<?HBr B.金剛石<碳化硅<晶體硅

C.I2>SiO2 下列有關(guān)說(shuō)法正確的是(

)①晶體中有陽(yáng)離子就一定有陰離子②熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體③冰中存在極性共價(jià)鍵和氫鍵兩種化學(xué)鍵的作用④Ge是ⅣA族的一個(gè)主族元素，其核外電子排布式為Ge：[Ar]4s24⑤鍵角：C⑥干冰和SiO⑦碳酸鹽的分解溫度：MgCA.①⑤⑦ B.⑤⑦ C.②⑤⑥ D.②④據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道，國(guó)外一研究所發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子，它的分子式為C60Si60，其分子結(jié)構(gòu)好似中國(guó)傳統(tǒng)工藝品“鏤雕”，經(jīng)測(cè)定其中包含C60A.該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn)、很大的硬度

B.該物質(zhì)形成的晶體屬分子晶體

C.該物質(zhì)分子中Si60被包裹在C60里面

二茂鐵[(C5H5)2Fe]的發(fā)現(xiàn)是有機(jī)金屬化合物研究中具有里程碑意義的事件，它開(kāi)辟了有機(jī)金屬化合物研究的新領(lǐng)域．已知二茂鐵熔點(diǎn)是173℃(在100℃A.二茂鐵屬于分子晶體

B.在二茂鐵結(jié)構(gòu)中，C5H5?與Fe2+之間形成的化學(xué)鍵類型是離子鍵

C.已知環(huán)戊二烯的結(jié)構(gòu)式為：，則其中僅有1個(gè)碳原子采取sp3下列說(shuō)反中正確的是(????)A.P4、CS2、PH3都是非極性分子

B.金剛石和C60都是原子晶體

C.aXm?和bYn?普魯士藍(lán)晶體結(jié)構(gòu)如圖所示(每?jī)蓚€(gè)立方體中，一個(gè)K+在其中一個(gè)立方體中心，另一個(gè)則無(wú)K+)，下列說(shuō)法正確的是(

)A.化學(xué)式可以表示為KFe2(CN)6???

B.每一個(gè)立方體中平均含有24個(gè)π鍵

C.普魯士藍(lán)不屬于配位化合物

D.每個(gè)Fe冰晶石(化學(xué)式為Na3AlF6)的晶體結(jié)構(gòu)單元如圖所示(●位于大立方體的頂點(diǎn)和面心，?位于大立方體的12條棱的中點(diǎn)和8個(gè)小立方體的體心).已知冰晶石熔融時(shí)的電離方程式為Na3AlFA.Na+ B.Al3+ C.下列說(shuō)法正確的是(

)A.水分解和水汽化，克服的作用力一樣

B.石英、金剛石、硫磺晶體類型不完全相同

C.離子化合物的熔點(diǎn)一定比共價(jià)化合物的高

D.NaCl稀溶液中，微粒間既存在離子鍵、共價(jià)鍵，也有分子間作用力下列敘述正確的是(

)A.某晶體在固態(tài)與液態(tài)時(shí)均能導(dǎo)電，該晶體是離子晶體

B.H2O的熱穩(wěn)定性比H2S強(qiáng)，說(shuō)明水分子內(nèi)的氫鍵強(qiáng)

C.Na2O固體上滴加少量水，有共價(jià)鍵和離子鍵的破壞及形成

D.N2答案和解析1.【答案】D

【解析】解：A.二氧化硅為原子晶體，晶體熔化時(shí)所克服的作用力為共價(jià)鍵，而干冰為分子晶體，晶體熔化時(shí)所克服的作用力為分子間作用力，故A錯(cuò)誤；

B.金屬晶體中含有金屬陽(yáng)離子，則含有離子的晶體可能為離子晶體，也可能為金屬晶體，故B錯(cuò)誤；

C.水的穩(wěn)定性與化學(xué)鍵有關(guān)，而與氫鍵無(wú)關(guān)，氫鍵只影響水的物理性質(zhì)，故C錯(cuò)誤；

D.稀有氣體形成的晶體不存在化學(xué)鍵；離子晶體的作用力為離子鍵，即分子晶體中不一定含有共價(jià)鍵，離子晶體中一定含有離子鍵，故D正確；

故選D．

2.【答案】B

【解析】【分析】本題旨在考查學(xué)生對(duì)共價(jià)鍵、分子間作用力等應(yīng)用。【解答】A.三者結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，故HCl、HBr、HI的分子間作用力依次增大，故A不符合題意；B.Si與SiO2中原子以共價(jià)鍵結(jié)合，晶體類型相同，都是原子晶體，故C.硫酸氫鈉在水溶液中能電離出氫離子，但是在熔融狀態(tài)下，電離出鈉離子和硫酸氫根離子，沒(méi)有氫離子，故C不符合題意；D.水受熱汽化成水蒸氣吸收的能量主要用于分子間作用力的斷裂，故D不符合題意。故選B。

3.【答案】A

【解析】【分析】

本題考查化學(xué)鍵、化合物類型與電解質(zhì)強(qiáng)弱關(guān)系、晶體熔沸點(diǎn)比較等知識(shí)點(diǎn)，側(cè)重考查基礎(chǔ)知識(shí)的理解和靈活運(yùn)用，注意：電解質(zhì)強(qiáng)弱與是否是離子化合物無(wú)關(guān)，與電解質(zhì)電離程度有關(guān)，D為易錯(cuò)點(diǎn)。

【解答】

A.電解質(zhì)溶液的導(dǎo)電過(guò)程就是電解過(guò)程，硫酸鈉導(dǎo)電過(guò)程中生成氫氣、氧氣，有新物質(zhì)生成，所以發(fā)生了化學(xué)變化，故A正確；

B.二氧化硅是原子晶體，由原子構(gòu)成，不存在分子間作用力，只存在共價(jià)鍵，故B錯(cuò)誤；

C.H與其它元素可能形成離子化合物，如NaH、銨鹽等，故C錯(cuò)誤；

D.強(qiáng)電解質(zhì)可能是共價(jià)化合物，如硫酸、HCl等，故D錯(cuò)誤。

故選A。

4.【答案】A

【解析】【分析】本題考查化學(xué)鍵、晶體類型，熟悉常見(jiàn)物質(zhì)中的化學(xué)鍵并能舉例即可解答，題目難度不大?！窘獯稹緼.成鍵釋放能量，但不一定發(fā)生氧化還原反應(yīng)，則化學(xué)鍵的形成一定伴隨著能量變化，不一定存在電子的轉(zhuǎn)移，故A錯(cuò)誤；

B.I2是分子晶體，加熱升華過(guò)程中，狀態(tài)發(fā)生變化，分子不變，只需克服分子間作用力，故B正確；

C.SiO2晶體中每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子以共價(jià)鍵結(jié)合，故C正確；

D.氯化鈉溶于水，只有離子鍵斷裂，故D正確。

5.【答案】B

【解析】【分析】

本題考查晶體與非晶體的性質(zhì)與區(qū)別，要理解晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別，題型較易。

【解答】

A.水晶是晶體，瑪瑙屬于非晶態(tài)，則區(qū)別兩者最科學(xué)的方法是X射線衍射法，故A錯(cuò)誤；

B.

根據(jù)物質(zhì)的光譜來(lái)鑒別物質(zhì)及確定其化學(xué)組成和相對(duì)含量的方法，可確定SiO2晶體中含有氧元素，故B正確；

C.

SiO2

晶體中，每個(gè)Si原子與周圍的O原子共用4個(gè)Si?O鍵，則1?mol?SiO2

晶體Si?O鍵的個(gè)數(shù)為4NA，故C錯(cuò)誤；

D.?SiO2與SiC均為原子晶體，又因Si?O鍵的鍵長(zhǎng)小于Si?C鍵，其鍵能大于Si?C鍵，則SiO2

【解析】【分析】

本題考查金剛石的結(jié)構(gòu)及其投影圖，考查學(xué)生的空間想象能力和結(jié)合原子結(jié)構(gòu)解題的能力，有一定的難度。

【解答】

由金剛石的晶胞結(jié)構(gòu)，可知金剛石的晶胞相當(dāng)于一個(gè)大的體心立方堆積中套一個(gè)小的體心立方堆積，由于金剛石結(jié)構(gòu)類似甲烷空間構(gòu)型的正四面體結(jié)構(gòu)，沿其體對(duì)角線垂直在紙平面上的投影圖應(yīng)為規(guī)則的正六邊形，結(jié)合其晶胞圖可知應(yīng)是圖D。

故選D。

7.【答案】D

【解析】A、離子中原子質(zhì)子總數(shù)減去所帶的電荷等于該離子的電子數(shù)，N5+離子中電子數(shù)為7×5?1=34，故AB、同位素研究對(duì)象是原子，O2與O4是氧元素形成的結(jié)構(gòu)不同的單質(zhì)，互為同素異形體，故B錯(cuò)誤C、C60是分子晶體，故C錯(cuò)誤；D、H2與H3是由氫元素形成的結(jié)構(gòu)不同的單質(zhì)，互為同素異形體，故D故選D。

8.【答案】B

【解析】【分析】本題考查了化學(xué)鍵，分子間作用力和晶體等，難度不大?！窘獯稹竣貼aOH中含有離子鍵和共價(jià)鍵，為離子晶體；

②SiO2中只有共價(jià)鍵，為原子晶體；

③石墨中存在共價(jià)鍵和分子間作用力，為混合晶體；

④NaCl中只有離子鍵，為離子晶體；

⑤干冰中存在共價(jià)鍵和分子間作用力，為分子晶體，故B正確。

故選B。

9.【答案】C

【解析】【分析】

本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算、晶體類型與性質(zhì)、化學(xué)鍵等，關(guān)鍵是對(duì)晶胞結(jié)構(gòu)的理解，掌握確定配位數(shù)常用方法，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，需要學(xué)生具備知識(shí)的基礎(chǔ)與靈活運(yùn)用的能力。

【解答】

A.GaAs

晶體的熔點(diǎn)很高，硬度很大，為空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，故A正確；

B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ga的配位數(shù)為4，晶胞中Ga原子數(shù)目=4，As原子數(shù)目=8×18+6×12=4，晶胞中As、Ga原子數(shù)目之比為1：1，故As的配位數(shù)也是4，Ga與周圍4個(gè)As原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，As與周圍4個(gè)Ga原子也形成正四面體結(jié)構(gòu)，原子均形成4個(gè)鍵，Ga原子價(jià)電子為3，與As形成4個(gè)共價(jià)鍵，說(shuō)明As原子提供1對(duì)孤電子對(duì)給Ga形成配位鍵，As原子最外層5個(gè)電子全部成鍵，均沒(méi)有孤電子對(duì)，故B正確；

C.晶胞中原子總體積=4×43π(a3+b3)×10?30cm3，晶胞質(zhì)量=4×MGa+MAsNAg，晶胞體積=(4×MGa+MAs【解析】【分析】

本題考查阿伏加德羅常數(shù)的相關(guān)知識(shí)，需要根據(jù)物質(zhì)結(jié)構(gòu)、反應(yīng)原理等依據(jù)判斷對(duì)應(yīng)的計(jì)算是否正確，綜合性較強(qiáng)，難度一般。

【解答】

A.標(biāo)準(zhǔn)狀況下HF是液體，所以22.4LHF的分子數(shù)大于NA

，故A正確；

B.二氧化硫和氧氣反應(yīng)生成三氧化硫時(shí)，硫元素由+4價(jià)變?yōu)?6價(jià)，故當(dāng)生成0.1mol三氧化硫時(shí)，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.2NA個(gè)，故B錯(cuò)誤；

C.28g硅晶體中含有1molSi原子，晶體硅中，每個(gè)硅原子與其它4個(gè)Si形成4個(gè)Si?Si鍵，則每個(gè)硅原子形成的共價(jià)鍵為：12×4=2，則1mol單質(zhì)硅含有2molSi?Si鍵，數(shù)目為2NA，故C錯(cuò)誤；

D.32g銅的物質(zhì)的量為32g64g/mol=0.5mol，0.5molCu與氧氣反應(yīng)生成CuO，產(chǎn)物中Cu元素的化合價(jià)為+2價(jià)，則反應(yīng)中轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為1mol，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為NA，0.5molCu與硫蒸氣反應(yīng)生成0.25molCu2S，產(chǎn)物中Cu元素的化合價(jià)為+1價(jià)，則反應(yīng)中轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為0.5mol，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.5N【解析】【分析】

本題考查8e?結(jié)構(gòu)、晶體沸點(diǎn)比較及化學(xué)鍵的知識(shí)，題目比較基礎(chǔ)，難度不大。

【解答】

A.若最外層電子數(shù)+|化合價(jià)|=8，原子滿足最外層8電子結(jié)構(gòu)，所以CS2中所有原子的最外層電子數(shù)均為8，故A正確，不符合題意；

B.SiO2是原子晶體，沸點(diǎn)最高，CH4、CCl4都是分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量CH4<CCl4，所以沸點(diǎn)CH4<CCl4<SiO【解析】【分析】本題考查化學(xué)鍵的類型、8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)等，難度不大，注意物質(zhì)的構(gòu)成微粒?！窘獯稹緼.非金屬性：F>Cl>Br>I，元素的非金屬性越強(qiáng)，對(duì)應(yīng)的氫化物越穩(wěn)定，與分子間作用力無(wú)關(guān)，故A錯(cuò)誤；B.N2分子中是氮氮叁鍵，而Cl2分子中氯氯單鍵，所以每個(gè)原子的最外層都具有8C.二氧化硅為原子晶體，是由硅原子和氧原子直接構(gòu)成的，故C錯(cuò)誤；D.氯化鎂中不存在共價(jià)鍵，故D錯(cuò)誤。故選B。

13.【答案】D

【解析】【分析】

本題考查的是物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較、元素周期表的分區(qū)、第一電離能的比較等，掌握晶體的熔沸點(diǎn)高低的影響因素是解答本題的關(guān)鍵，題目難度不大。

【解答】

A.氫鍵影響物質(zhì)的沸點(diǎn)高低，與物質(zhì)的穩(wěn)定性無(wú)關(guān)，影響穩(wěn)定性的因素是共價(jià)鍵，故A錯(cuò)誤；

B.稀有氣體的原子結(jié)構(gòu)是穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，同周期稀有氣體的第一電離能最大，同族自上而下第一電離能降低，故氦元素的第一電離能最大，故B錯(cuò)誤；

C.某元素+3價(jià)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5，則該元素原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，處于第四周期第Ⅷ族位置，屬于d【解析】【分析】本題考查晶格能大小比較、離子晶體以及不同晶體的性質(zhì)變化等相關(guān)知識(shí)，題目難度中等，熟練掌握晶格能、共價(jià)鍵的類型、氫鍵的作用等是解題的關(guān)鍵?！窘獯稹緼.NaOH中氧元素與氫元素形成的極性共價(jià)鍵，故A錯(cuò)誤；

B.氫化物的穩(wěn)定性H2O>H2S，是因?yàn)镺的非金屬性比S強(qiáng)，而與氫鍵無(wú)關(guān)，故B錯(cuò)誤；

C.原子半徑：C<Si，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵能越大，原子晶體的硬度越大，則金剛石的熔點(diǎn)和硬度大于硅晶體的硬度，鍺是金屬晶體，金剛石、硅、鍺的熔點(diǎn)和硬度依次降低，故C正確；

D.Na+、Mg2+、Al3+的電荷數(shù)分別為：1，2，3；Na+、Mg2+

15.【答案】B

【解析】解：①F2、Cl2、Br2、I2屬于分子晶體，影響熔沸點(diǎn)的因素是分子間作用力的大小，物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，與共價(jià)鍵的鍵能大小無(wú)關(guān)，故①錯(cuò)誤；

②HF、HI、HBr、HCl屬于共價(jià)化合物，影響穩(wěn)定性的因素是共價(jià)鍵，共價(jià)鍵的鍵能越大越穩(wěn)定，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)，HF，HC1，HBr，HI的熱穩(wěn)定性依次減弱，故②正確；

③金剛石、碳化硅、晶體硅屬于原子晶體，原子之間存在共價(jià)鍵，原子半徑越小，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)且正確，故③正確；

④NaF、NaCl、NaBr、NaI屬于離子晶體，離子半徑越大，鍵能越小，熔沸點(diǎn)越低，與共價(jià)鍵的鍵能大小無(wú)關(guān)，故④錯(cuò)誤．

所以正確的有①④；

故選B．

①F2、Cl2、Br2、I2屬于分子晶體，影響熔沸點(diǎn)的因素是分子間作用力的大?。?/p>

②HF、HI、HBr、HCl屬于共價(jià)化合物，影響穩(wěn)定性的因素是共價(jià)鍵；

③金剛石、晶體硅屬于原子晶體，影響熔沸點(diǎn)的因素是共價(jià)鍵；

④NaF、【解析】【分析】

本題考查位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用，題目難度中等，推斷元素為解答關(guān)鍵，注意掌握元素周期律內(nèi)容、元素周期表結(jié)構(gòu)，試題培養(yǎng)了學(xué)生的分析能力及邏輯推理能力。

【解答】

A.W位于第三周期，W可以為金屬元素Al，故A錯(cuò)誤；

B.當(dāng)X為N、Y為O元素時(shí)，N、O、H可以形成硝酸銨，硝酸銨為離子化合物，含有離子鍵，故B錯(cuò)誤；

C.W、X、Y、Z為短周期元素，由元素在周期表中位置可知，X、Y處于第二周期，W、Z處于第三周期，若這四種元素的原子最外層電子數(shù)之和為22，設(shè)W的最外層電子數(shù)為a，則X、Y、Z最外層電子數(shù)分別為a+1、a+2、a+3，則：a+a+1+a+2+a+3=22，解得：a=4，則W為Si、X為N、Y為O、Z為Cl，SiO2、Si3N4屬于原子晶體，熔點(diǎn)高，硬度大，而SiCl4屬于分子晶體，熔點(diǎn)低，硬度小，故C錯(cuò)誤；

D.若W和Z的最高價(jià)氧化物的水化物能相互反應(yīng)，則W為Al元素，X為C元素，Y為N元素，Z為S元素，C與H形成的化合物為烴，含有較多碳原子的烴具有較高沸點(diǎn)，其沸點(diǎn)可以大于氨氣，故D正確。

【解析】【分析】本題考查共價(jià)鍵知識(shí)，為高頻考點(diǎn)，明確熔沸點(diǎn)大小的判斷方法、原子半徑與鍵長(zhǎng)的關(guān)系即可解答本題，難度不大?！窘獯稹緼.N—Cl鍵中氮原子的半徑比C—Cl鍵中碳原子的半徑小，使得N—Cl鍵的鍵長(zhǎng)比C—Cl鍵的鍵長(zhǎng)短，故A正確；B.由于氫鍵作用在，NH3·H2C.NCl3與NH3的空間構(gòu)型相似，可知D.分子晶體中物質(zhì)的熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大其熔沸點(diǎn)越高，所以NBr3比NCl3的熔沸點(diǎn)高，NCl故選D。

18.【答案】D

【解析】【分析】

本題考查幾類晶體熔沸點(diǎn)的比較以及范德華力和氫鍵對(duì)熔沸點(diǎn)的影響，注意掌握熔沸點(diǎn)的影響因素是解題的關(guān)鍵，題目難度不大。

【解答】

A.HF、HCl、HBr組成結(jié)構(gòu)相似，熔沸點(diǎn)和相對(duì)分子質(zhì)量成正比，又由于HF分子間存在氫鍵，故熔沸點(diǎn)為：

HCl<?HBr<HF，故A錯(cuò)誤；

B.金剛石、碳化硅、晶體硅都為原子晶體，熔沸點(diǎn)與共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)有關(guān)，鍵長(zhǎng)越短鍵能越大熔沸點(diǎn)越高，故熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋航饎偸?gt;碳化硅>晶體硅，故B錯(cuò)誤；

C.I2為分子晶體，SiO2為原子晶體，對(duì)于不同晶體類型的熔沸點(diǎn)大小順序?yàn)椋涸泳w>離子晶體>分子晶體，故熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋篠iO2>I2，故C錯(cuò)誤；

D.H2O與H2S組成結(jié)構(gòu)相似，熔沸點(diǎn)和相對(duì)分子質(zhì)量成正比，又由于H2O分子間存在氫鍵，故熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋篐2O>H2【解析】【分析】

本題考查了晶體的類型及性質(zhì)，明確晶體的類型是解答本題的關(guān)鍵，題目難度不大。

【解答】

①晶體中有陽(yáng)離子不一定一定有陰離子，如金屬晶體，故①錯(cuò)誤；

②熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體不一定是離子晶體，如金屬晶體，故②錯(cuò)誤；

③氫鍵不是化學(xué)鍵，故③錯(cuò)誤；

④Ge是ⅣA族的一個(gè)主族元素，其核外電子排布式為Ge：[Ar]3d104s24p2，屬于P區(qū)元素，故④錯(cuò)誤；

⑤CH4、NH3、H2O中中心原子均采取sp3雜化，其中含有的孤電子對(duì)數(shù)越多，鍵角越小，所以鍵角：CH4>NH3>H2O，故⑤正確；【解析】解：A、由分子式及信息可知該物質(zhì)為分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)低、硬度小，故A錯(cuò)誤；

B、由題目中的信息可知是一種新的球形分子，它的分子式為C60Si60，所以該物質(zhì)有分子存在，屬于分子晶體，故B正確；

C、硅的原子半徑比碳大，所以硅化合物Si60C60，外層球殼為Si60，內(nèi)層球殼為C60，故C錯(cuò)誤。

D、它的分子式為C60Si60，所以該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量=(12+28)×60=2400，故D錯(cuò)誤；

故選：B。

A、根據(jù)分子晶體的熔點(diǎn)低、硬度小分析；

B、由分子式及信息可知該物質(zhì)為分子晶體；【解析】解：A.由信息可知，二茂鐵熔沸點(diǎn)較低，則二茂鐵屬于分子晶體，故A正確；

B.C5H5?與Fe2+之間形成的化學(xué)鍵時(shí)亞鐵離子提供空軌道，C提供孤對(duì)電子，二者形成配位鍵，故B錯(cuò)誤；

C.由圖可知，只有1號(hào)C形成4個(gè)單鍵，則僅有1個(gè)碳原子采取sp3雜化，故C正確；

D.由微粒結(jié)構(gòu)可知C5H5?中含有不飽和鍵，則C5H5?【解析】解：A.分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱、正負(fù)電荷中心重疊的分子為非極性分子，P4、CS2都是非極性分子，PH3分子是三角錐形分子，結(jié)構(gòu)不對(duì)稱屬于極極性分子，故A錯(cuò)誤；

B.C60晶體中存在分子屬于分子晶體，金剛石晶體由原子構(gòu)成屬于原子晶體，故B錯(cuò)誤；

C.電子排布相同的離子，原子序數(shù)越大，其離子半徑越小，aXm?和bYn?是電子層結(jié)構(gòu)相同的短周期元素的離子，若n>m，則電子層數(shù)相同，原子序數(shù)X>Y，則原子半徑X<Y，故C錯(cuò)誤；

D.金屬性越強(qiáng)，對(duì)應(yīng)最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的堿性越強(qiáng)，其陽(yáng)離子的氧化性越弱，已知最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的堿性：M(OH)m>N(OH)n，則金屬性：M>N，所以離子氧化性：Mm+<Nn+，故D正確．

故選D．

A.分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱、