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ESD靜電放電知識(shí)培訓(xùn)培訓(xùn)講師:2006/07/282/5/2023靜電基本概念Electrostatic靜電:絕緣體與絕緣體相互進(jìn)行磨擦,分開后將在其表面附著大量正或負(fù)離子,這些在絕緣體中不能流動(dòng)的電荷就叫靜電。例如:膠尺在與干布磨擦之后能夠吸引紙屑;冬天脫毛衣聽到之聲及看到之火花均為靜電現(xiàn)象。WhatisElectrostatic?2/5/2023ESD基本概念ESD:ElectrostaticDischarge靜電泄放,指靜電累積到一定的電勢(shì)能后對(duì)電子元器件造成的一種快速放電現(xiàn)象。WhatisESD?2/5/2023ESD防護(hù)基本概念ESD防護(hù):就是為了防止靜電滿泄放對(duì)靜電敏感器件造成傷害而采取的一切保護(hù)措施。同時(shí)還包括對(duì)操作人員的安全保護(hù)要求。一般有預(yù)防產(chǎn)生、泄放、中和等方法!WhatisESDSafety?2/5/2023ESD/SSD基本概念ESD/SSD:ESD/StaticSensitiveDevices靜電敏感器件,指受到一定能量的靜電泄放后將會(huì)引起暫時(shí)性或永久性損傷的電子器件。WhatisESDSensitiveDevices?2/5/2023ESD放電模型ESD
靜電放電模型有:
HBM:HumanBodyModel人體模型參考:ESDSTM5.1MM:MachineModel機(jī)器模型參考:ESDSTM5.2CDM:ChargedDeviceModel帶電器件模型參考:ESDDS5.3.12/5/2023HBM放電模型
HBM:人體靜電是引起靜電損失和發(fā)生意外爆炸的最主要和最經(jīng)常的因素,因此國(guó)內(nèi)外對(duì)產(chǎn)品的防靜電危害要求都是以防人體靜電為主,并建立了人體模型,HBM是ESD模型中建立最早和最主要的模型之一。人體能貯存一定的電荷,所以人體明顯地存在電容。人體也有電阻,這電阻依賴于人體肌肉的彈性、水份、接觸電阻等因素。美國(guó)海軍1980年提出了一個(gè)電容值為100PF,電阻為1.5kΩ的所謂“標(biāo)準(zhǔn)人體模型”。這一標(biāo)準(zhǔn)得到廣泛采用,但在后來也遇到一些問題。
2/5/2023HBM等效電路圖及其ESD等級(jí)2/5/2023MM等效電路圖及其ESD等級(jí)2/5/2023CDM等效電路圖及其ESD等級(jí)2/5/2023ESD靜電敏感等級(jí)試驗(yàn)等級(jí)參考:MIL-STD-883,GJB1649,GJB548A-97等標(biāo)準(zhǔn)一般分為以下3個(gè)等級(jí)分類來控制:Class1:0~1999VClass2:2kV~3999VClass3:4kV~15999V16000V以上為非靜電敏感產(chǎn)品2/5/2023ESD標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ESDS20.20-1999:該標(biāo)準(zhǔn)是由USA國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)制訂,于1999.8.4發(fā)行生效的ESD標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)作為ESD控制的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)被廣泛采用。該標(biāo)準(zhǔn)可以作為認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)使用;獲得證書必須滿足相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)需求:即建立控制方案和控制計(jì)劃并實(shí)施、記錄運(yùn)行狀況和核實(shí)標(biāo)準(zhǔn)的遵守/滿足情況ANSI/ESDS20.20-19992/5/2023ESDS器件分類器件種類耐ESD的靈敏度(V)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100-200JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管140-7000CMOS250-3000ECL500-1500SCR680-1000TTL100-200100-25002/5/2023器件ESD等級(jí)分類級(jí)別靜電敏感度范圍元器件類型區(qū)域顏色I(xiàn)0~1999V
微波器件(肖特基二極管、點(diǎn)接觸二極管)離散型MOSFET器件、聲表面波SAW、電耦合器件CCDS、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFETs、精密穩(wěn)壓二極管、運(yùn)算放大器OPAMPs、MOS集成電路IC、使用I級(jí)元器件的混合電路、超高速集成電路UHSIC、可控硅整流器紅色I(xiàn)I2000~3999V
由試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為II級(jí)的元器件和微電路,離散型MOSFET器件、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFETs、運(yùn)算放大器OPAMPs、IC、超高速集成電路UHSIC、使用II級(jí)元器件的混合電路、精密電阻網(wǎng)絡(luò)RZ、低功率雙模型晶體管黃色I(xiàn)II4000~15999V
由試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為III級(jí)的元器件和微電路,離散型MOSFET器件、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFETs、運(yùn)算放大器OPAMPs、IC、超高速集成電路UHSIC、使用II級(jí)元器件的混合電路、片式電阻器、光電器件、小信號(hào)二極管、硅整流管、低功率雙模型晶體管藍(lán)色非敏感≥16000V
不需實(shí)施ESD防護(hù)區(qū)域的器件
綠色2/5/2023濕度對(duì)ESD靜電場(chǎng)的影響靜電產(chǎn)生方式靜電電位(V)相對(duì)濕度10-20%相對(duì)濕度65-90%在聚乙烯地面上步行12000250在工作臺(tái)上工作的工人6000100在工作臺(tái)上拿起的聚酯口袋200001200用聚氯基甲酸泡沫塑料填充的工作椅180001500在地毯上步行3500015002/5/2023靜電產(chǎn)生的原因建筑裝修材料采用高阻材料。人體靜電空氣調(diào)節(jié)和空氣凈化引起的靜電搬運(yùn)工具和包裝材料
2/5/2023ESD控制方法根據(jù)靜電的產(chǎn)生原因和相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)要求:ANSI/ESDS20.20:1999,制訂適合于公司內(nèi)部管控的《ESD控制方案》和《ESD控制計(jì)劃》2/5/2023靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)ESDSTANDARDESD防靜電材料的種類導(dǎo)電型耗散型2/5/2023ESD防護(hù)類別防止靜電產(chǎn)生ESD防護(hù)將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)走/中和消耗ESD材料離子風(fēng)機(jī)濕度控制絕緣體隔離人員接地設(shè)備工具接地包裝要求ESD區(qū)域規(guī)定材料取放要求標(biāo)識(shí)要求2/5/2023ESD防護(hù)具體方法一建筑工程設(shè)計(jì)中實(shí)施防靜電措施。消除人體靜電,如穿ESD工衣、戴ESD工帽、手套、手指套、戴靜電環(huán)進(jìn)行溫濕度管理(溫度25+-5C,濕度40-60%)搬運(yùn)工具、隔離和ESD包裝材料選用工作臺(tái)面鋪上防靜電席,并加接地裝置
2/5/2023ESD防護(hù)具體方法二防靜電運(yùn)輸帶。所有使用工具及生產(chǎn)測(cè)試儀器設(shè)備可靠接地使用正負(fù)離子產(chǎn)生器張貼靜電敏感器件警示標(biāo)貼ESD區(qū)域和非ESD區(qū)域的標(biāo)識(shí)和隔離
2/5/2023ESD防護(hù)標(biāo)志2/5/2023工作臺(tái)ESD防護(hù)接地方法2/5/2023靜電環(huán)(
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