高中電子控制技術(shù)二極管課件

電子元件普通高中課程標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)教科書通用技術(shù)電子元件1半導(dǎo)體自然界中的物質(zhì),按其導(dǎo)電能力可分為三大類導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。半導(dǎo)體的特點(diǎn)①導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。②熱敏性:溫度可明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。⑧光敏性:光照可改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,還可產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),這是BJT的光電效應(yīng)。④摻雜性:通過(guò)摻入雜質(zhì)可明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,(在30°℃的純鍺中摻入一億分之一的雜質(zhì),電導(dǎo)率增加幾百倍)半導(dǎo)體2半導(dǎo)體半導(dǎo)體主要由硅(Si)或鍺(Ge)制造而成,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。在硅(或鍺〕半導(dǎo)體晶體中,摻入微量的五價(jià)元素,如磷、砷、銻,則構(gòu)成N(Negative)型半導(dǎo)體,也叫電子型。在硅(或鍺)半導(dǎo)體晶體中,摻入微量的三價(jià)元素,如硼、鋁、銦,則構(gòu)成P(P。sitive)型半導(dǎo)體,也叫空穴型。半導(dǎo)體3在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成為N型半導(dǎo)體,兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層(不能移動(dòng)的正、負(fù)離子),稱為PN結(jié)。PN結(jié)9e⊕d在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體,464單向?qū)щ娦?1)正向偏置:P“+2”,N“電路中有較大的正向電流,PN結(jié)導(dǎo)通,相當(dāng)于導(dǎo)線當(dāng)PN結(jié)兩端加上正向電壓時(shí),因電子流向正極,空穴流向負(fù)極,使半導(dǎo)體的門N結(jié)減薄,使電流流過(guò)645高中電子控制技術(shù)二極管課件6高中電子控制技術(shù)二極管課件7高中電子控制技術(shù)二極管課件8高中電子控制技術(shù)二極管課件9高中電子控制技術(shù)二極管課件10高中電子控制技術(shù)二極管課件11高中電子控制技術(shù)二極管課件12高中電子控制技術(shù)二極管課件13高中電子控制技術(shù)二極管課件14高中電子控制技術(shù)二極管課件15高中電子控制技術(shù)二極管課件16高中電子控制技術(shù)二極管課件17高中電子控制技術(shù)二極管課件18高中電子控制技術(shù)二極管課件19高中電子控制技術(shù)二極管課件20電子元件普通高中課程標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)教科書通用技術(shù)電子元件21半導(dǎo)體自然界中的物質(zhì),按其導(dǎo)電能力可分為三大類導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。半導(dǎo)體的特點(diǎn)①導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。②熱敏性:溫度可明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。⑧光敏性:光照可改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,還可產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),這是BJT的光電效應(yīng)。④摻雜性:通過(guò)摻入雜質(zhì)可明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,(在30°℃的純鍺中摻入一億分之一的雜質(zhì),電導(dǎo)率增加幾百倍)半導(dǎo)體22半導(dǎo)體半導(dǎo)體主要由硅(Si)或鍺(Ge)制造而成,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。在硅(或鍺〕半導(dǎo)體晶體中,摻入微量的五價(jià)元素,如磷、砷、銻,則構(gòu)成N(Negative)型半導(dǎo)體,也叫電子型。在硅(或鍺)半導(dǎo)體晶體中,摻入微量的三價(jià)元素,如硼、鋁、銦,則構(gòu)成P(P。sitive)型半導(dǎo)體,也叫空穴型。半導(dǎo)體23在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成為N型半導(dǎo)體,兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層(不能移動(dòng)的正、負(fù)離子),稱為PN結(jié)。PN結(jié)9e⊕d在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體,2464單向?qū)щ娦?1)正向偏置:P“+2”,N“電路中有較大的正向電流,PN結(jié)導(dǎo)通,相當(dāng)于導(dǎo)線當(dāng)PN結(jié)兩端加上正向電壓時(shí),因電子流向正極,空穴流向負(fù)極,使半導(dǎo)體的門N結(jié)減薄,使電流流過(guò)6425高中電子控制技術(shù)二極管課件26高中電子控制技術(shù)二極管課件27高中電子控制技術(shù)二極管課件28高中電子控制技術(shù)二極管課件29高中電子控制技術(shù)二極管課件30高中電子控制技術(shù)二極管課件31高中電子控制技術(shù)二極管課件32高中電子控制技術(shù)二極管課件33高中電子控制技術(shù)二極管課件34高中電子控制技術(shù)二極管課件35