數(shù)字電路-分析與設(shè)計：第十章習題答案

1、第十章習題 解：ROM內(nèi)部數(shù)據(jù)只能由半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家編程；PROM可由用戶編程，但只能編程一次；EPROM用戶可多次編程，數(shù)據(jù)的擦除由非電方法，即紫外線照射完成；EEPROM可電擦除，使用非常方便。 解：EPROM 27080的容量為1M8Bit，它的地址線為20條（1M=220）、數(shù)據(jù)線為8位、字線為1M（220=1048576）根、位線為8條。 解：共需32Kx16/4Kx8=16片； 先進行位擴展：兩片8位擴展為1個16位ROM：D15D8D7D0212 X8ROM212 X8ROMA11A02n X16ROMA11A0D15D0位擴展再進行地址線（容量）的擴展：D15D0212x16RO

2、M212x16ROM3-8譯碼器CSCSA11A0A14A11A0A13CS地址線的擴展A12MSB 解：RAM為隨機存儲器，又稱為讀寫存儲器（RWM），既可向RAM寫數(shù)據(jù)，又可從中讀出數(shù)據(jù)。在數(shù)字系統(tǒng)中，用于暫時存儲數(shù)據(jù)；系統(tǒng)失電，數(shù)據(jù)丟失。為只讀存儲器，系統(tǒng)只可從中讀出數(shù)據(jù)，而不可向其寫數(shù)據(jù)。通常用于存儲程序和固定的數(shù)據(jù)表格；系統(tǒng)失電，數(shù)據(jù)不丟失。. RAM與ROM都用于存儲數(shù)據(jù)； 解：SRAM為靜態(tài)RAM，系統(tǒng)不失電，數(shù)據(jù)不丟失；單位面積上的存儲單元數(shù)較少；DRAM為動態(tài)RAM，其中數(shù)據(jù)需定時刷新，否則數(shù)據(jù)會丟失。單位面積上可集成更多的存儲單元。 答：DRAM中的數(shù)據(jù)存儲在存儲電容上，這

3、些電容的容量都很小；隨著時間的推移，這些電容上的電荷會減少，直至數(shù)據(jù)丟失；因此需要定時給這些電容補充電荷（能量）；給電容補充能力的過程稱為刷新；在系統(tǒng)中定時將DRAM中的數(shù)據(jù)讀出，再寫回，從而完成刷新。 解：D7(A2,A1,A0)=0D6(A2,A1,A0)=(0,1,2,3,4,5,6)= A2+A1+A0D5(A2,A1,A0)=(7)= A2A1A0D4(A2,A1,A0)=(2,3)= A2A1D3(A2,A1,A0)=(1,3,5,6)= A2A0+A1 A0+A2A1A0D2(A2,A1,A0)=(2,3,6)= A2A1+A2A1A0D1(A2,A1,A0)=(0,3,4,6)

4、= A1A0+A2A1A0 +A2A0D0(A2,A1,A0)=(1,3,4,7)= A2A0+A1A0+A2A1A0 答：PLA的與、或陣列均可用戶編程；而PAL的與陣列可編程，或陣列不可編程。PAL的輸出固定，不可改變；而GAL的輸出由輸出宏單元組成，可用戶編程，使用靈活。 解：1四位二進制數(shù)比較器有8個輸入變量，3個輸出變量。所以用ROM實現(xiàn)時，ROM的容量至少為28*3； 2三位二進制數(shù)乘法器有6個輸入變量，6個輸出變量。所以用ROM實現(xiàn)時，ROM的容量至少為26*6。解：此題涉及到多輸出函數(shù)的化簡。先作F1的K圖：AF111111BCD得：F2、F4共用與項AB，共有7個與項。所以圖

5、示PLA可實現(xiàn)這四個函數(shù)。結(jié)果見圖。或陣列ABCDABCDF1F2F3F4與陣列圖題10-10解：1. 寫出所有與項：P0=CLKP1=ENQ1Q0P2=ENQ0P3=ENQ0P4=ENQ1P5=ENQ1Q0P6=ENQ1Q02. 寫出觸發(fā)器驅(qū)動和輸出：CP=P0=CLK，同步時序電路；Z=P1=ENQ1Q0，米里型同步時序電路；D1=P4+P5+P6=ENQ1+ENQ1Q0+ENQ1Q0D0=P2+P3=ENQ0+ENQ0（Q1Q0）n（Q1Q0）n+1/ZEN=0EN=10 000/001/00 101/010/01 010/011/01 111/000/13. 觸發(fā)器狀態(tài)方程：Q1n+1=