項目6示波器、電橋、晶體管圖示儀的使用

1、項目項目6示波器、電橋、晶體管圖示儀的使用示波器、電橋、晶體管圖示儀的使用 相關知識專業(yè)技能知識拓展相關知識相關知識 lXJ4312型雙蹤示波器型雙蹤示波器 lQS18A型萬能電橋型萬能電橋 lXJ4810型晶體管特性圖示儀型晶體管特性圖示儀 XJ4312型雙蹤示波器型雙蹤示波器QS18A型萬能電橋型萬能電橋XJ4810型晶體管特性圖示儀型晶體管特性圖示儀XJ4810型晶體管特性圖示儀型晶體管特性圖示儀專業(yè)技能專業(yè)技能 l使用使用XJ4312型雙蹤示波器測量電壓、型雙蹤示波器測量電壓、頻率和相位頻率和相位 l使用電橋測量元器件參數(shù)（使用電橋測量元器件參數(shù)（R、L、C） l使用使用XJ4810型

2、晶體管特性圖示儀測型晶體管特性圖示儀測量晶體二極管、三極管、場效應管量晶體二極管、三極管、場效應管 雙蹤示波器的使用雙蹤示波器的使用 儀器使用前的自校儀器使用前的自校 l用本儀器的專用探極，分別接到Y1輸入端和校正信號輸出端。儀器各控制機件撥到適當位置。 l打開電源開關，指示燈亮，表示電源接通。l經過預熱后，調節(jié)“輝度”“聚焦”電位器，使亮度適中，聚焦最佳，再調節(jié)“觸發(fā)電平”使波形同步，呈現(xiàn)如圖所示，說明儀器工作基本正常。雙蹤示波器的使用雙蹤示波器的使用 直流電壓的測量直流電壓的測量l將Y1（或Y2）軸輸入耦合開關“DCAC”置于“”位置。此時顯示的水平掃描線為零電平的基準線，其高低位置可用Y

3、軸“位移”旋鈕調節(jié)。l將Y1（或Y2）軸輸入耦合開關扳至“DC”位置，被測信號由相應的Y1（或Y2）輸入端輸入，此時掃描線在Y軸方向上產生位移。l將對應的“v/div”開關所指的數(shù)值（“微調”旋鈕位于“校準”位置）與掃描線在Y軸方向上產生的位移格數(shù)相乘，即為測得的直流電壓值。雙蹤示波器的使用雙蹤示波器的使用 交流分量電壓測量交流分量電壓測量l垂直系統(tǒng)的輸入選擇開關置于“AC”，“v/div”檔級開關和“t/div”開關，根據(jù)被測信號的幅度和頻率選擇適當?shù)臋n級，并將被測信號直接或通過101探極輸入儀器的Y1（或Y2）軸輸入端，調節(jié)“觸發(fā)電平”使波形穩(wěn)定。l根據(jù)屏幕上的坐標刻度，讀顯示信號波形的峰

4、峰值為Ddiv，如果儀器的“v/div”檔級標稱值為0.1v/div，則被測信號的的峰峰值應為： VP-P=0.1v/divDdiv=0.1DVP-Pl如果Y1（或Y2）輸入端使用101的衰減探頭，被測信號的峰峰值應為： VP-P=0.1v/divDdiv10=DVP-P雙蹤示波器的使用雙蹤示波器的使用 瞬時電壓的測量瞬時電壓的測量l測試瞬時電壓首先應注意輸入信號的幅度，選擇合適的Y1（或Y2）偏轉因數(shù)。同時還要選擇相對的參考電位，通常是地電位，也可選擇其它的參考地位。l測量步驟如下測量步驟如下：l將測試探頭接入所需的參考電位，觸發(fā)選擇置于“自動”時出現(xiàn)一掃描線，調節(jié)Y1（或Y2）移位，使光跡

5、移到屏幕的合適位置（基準電平線），此時Y1（或Y2）移位不能再調節(jié)。l將探極接至被測信號端，調節(jié)觸發(fā)電平，使波形穩(wěn)定顯示。l讀出被測波形上某一瞬時相對于基準線在Y軸上的距離Bdiv（如圖中的5div），則被測瞬時電壓為：l被測瞬時電壓=nAB。l式中：n為探極衰減比，A為Y軸v/div開關所處的檔級雙蹤示波器的使用雙蹤示波器的使用 頻率的測量（利用定量掃描法）頻率的測量（利用定量掃描法）l頻率的測量是通過信號周期T的測量，然后根據(jù)公式f=1/T，求出頻率f的。l在測量信號周期時，把掃描微調處于校準位置，這樣可以由掃描時間因數(shù)開關t/div所指的數(shù)值乘以波形在水平方向上一個周期所占的格數(shù)，直接計

6、算出被測信號的周期。l測量步驟如下測量步驟如下：l調節(jié)有關控制件使顯示波形穩(wěn)定，將“t/div”置于適當?shù)臋n級b/div。l借助刻度即可讀出波形的一個周期在X軸方向上的距離d（div）。l計算出被測信號的周期T=db。l若測量時X擴展裝置“拉出10”，則測得的周期為：l T=0.1db。l根據(jù)公式f=1/T，求出被測信號的頻率f即可。 雙蹤示波器的使用雙蹤示波器的使用 相位的測量相位的測量l垂直方向開關置于Y1 Y2，分別將兩個信號輸入Y1和Y2，使波形穩(wěn)定。l調節(jié)Y1、Y2位移，使兩蹤波形均移到上下對稱于00軸，從圖中可知Y2信號滯后于Y1信號角，其中l(wèi)=360A/B。使用電橋測量元器件參數(shù)

7、使用電橋測量元器件參數(shù) 電阻電阻R的測量的測量l（1）將測量選擇開關撥到“R10”擋或“R10”擋位置。當撥在“R10”時，量程選擇開關應相應撥到“1”或“10”位置；當撥在“R10”時，量程選擇開關應相應撥到“10010M”范圍內的位置。l（2）根據(jù)被測電阻值的大約數(shù)值，將量程選擇開關撥在適當?shù)膿跷弧（3）調節(jié)電橋讀數(shù)開關和讀數(shù)度盤，使電表指針往零的方向偏轉，再將靈敏度開到足夠大，繼續(xù)調節(jié)讀數(shù)度盤，使電表指針往零的方向偏轉（即電表的讀數(shù)最小），當電橋達到最好平衡時，電橋讀數(shù)開關和讀數(shù)度盤所指示的數(shù)值即為被測電阻值。 即：被測量被測量Rx=量程選擇開關指示值量程選擇開關指示值（電橋讀數(shù)開關示

8、值（電橋讀數(shù)開關示值+讀數(shù)度盤示值）讀數(shù)度盤示值）使用電橋測量元器件參數(shù)使用電橋測量元器件參數(shù) 電感電感L的測量的測量l（1）將測量選擇開關撥到“L”擋上。l（2）根據(jù)被測電感的大約數(shù)值，將量程選擇開關置于適當?shù)牧砍獭?l（3）在測量空心線圈時，損耗倍率開關放在“Q1”擋，在測量高Q值線圈時，損耗倍率開關放在“D0.01”擋，在測量疊片鐵心電感線圈時，損耗倍率開關放在“D1”擋位置。l（4）將損耗平衡旋鈕放在“1”左右的位置，然后調節(jié)靈敏度旋鈕，提高平衡指示器的靈敏度，使電表指針的偏轉略小于滿刻度。l（5）先將電橋讀數(shù)開關放在0.9或1.0位置，然后調節(jié)讀數(shù)盤和損耗平衡旋鈕，使電表偏轉最小，再

9、調節(jié)靈敏度旋鈕，提高平衡指示器的靈敏度，使電表指針的偏轉略小于滿刻度，反復調節(jié)電橋讀數(shù)度盤和損耗平衡旋鈕，直至靈敏度旋鈕開到足夠滿足測量精度，電表指示指零或接近于零的位置，此時即電橋達到最后平衡。即：被測量被測量Lx=量程選擇開關指示值量程選擇開關指示值（電橋讀數(shù)開關示值（電橋讀數(shù)開關示值+讀數(shù)度盤的示值）讀數(shù)度盤的示值） 使用電橋測量元器件參數(shù)使用電橋測量元器件參數(shù) 電容電容C的測量的測量l（1）將測量選擇開關撥到“C”擋，損耗倍率開關放在“D0.01”（一般電容）或“D1”（大電解電容）的位置上，損耗平衡旋鈕撥到“1”左右的位置上，損耗微調旋鈕逆時針旋足。l（2）根據(jù)被測電容的大約數(shù)值，將

10、量程選擇開關置于適當?shù)牧砍獭＠鐪y量電容量為500pF左右的電容器時，量程選擇開關應撥在1000pF位置上（1000pF是該擋量程的最大值）。l（3）調節(jié)微調靈敏度旋鈕，使平衡指示器的靈敏度逐漸增大，一般使平衡指示電表的指針偏轉略小于滿刻度即可。l（4）首先調節(jié)電橋的讀數(shù)開關和讀數(shù)度盤，然后調節(jié)損耗平衡旋鈕，并同時觀察電表指針的轉向，應使電表指示趨于零。然后再調節(jié)靈敏度旋鈕，使平衡指示器的靈敏度增大，直至使指針偏轉小于滿刻度。反復調節(jié)電橋讀數(shù)度盤和損耗平衡旋鈕直至靈敏度開到足夠滿足測量精度時，而電表仍指零或接近于零，此時電橋便達到最后平衡。 即：被測量被測量Cx=量程選擇開關指示值量程選擇開關

11、指示值（電橋讀數(shù)開關示值（電橋讀數(shù)開關示值+讀數(shù)度盤的示值）讀數(shù)度盤的示值） 晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 測試前注意事項測試前注意事項l對被測管的主要直流參數(shù)有一個大概的了解和估計，特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率PCM，最大允許電流ICM和擊穿電壓BVCEO、BVEBO、BVCBO。l選擇好掃描和階梯信號的極性，以適應不同管型和測試項目的需要。l根據(jù)所測參數(shù)或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應先將峰值電壓調至零，更改掃描電壓范圍時，也應先將峰值電壓調至零。選擇一定的功耗電阻，測試反向特性時，功耗電阻要選大一點，同時將X、Y偏轉開關置于合適

12、的擋位，測試時掃描電壓應從零逐步調節(jié)到需要值。l對被測管進行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點，再根據(jù)需要逐步加大。測試時不應超過被測管的集電極最大允許功耗。l在進行ICM的測試時，一般采用單簇為宜，以免損壞被測管。l在進行IC或ICM的測試中，應根據(jù)集電極電壓的實際情況選擇，不應超過儀器規(guī)定的最大電流。l進行高壓測試時，應特別注意安全，電壓應從零逐步調節(jié)到需要值。觀察完畢，應及時將峰值電壓調到零。晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 測試步驟測試步驟l按下電源開關，指示燈亮，預熱15min后，即可進行測試。l調節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點清晰。l將峰值電壓旋

13、鈕調至零，峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關置于測試所需位置。l對X、Y軸放大器進行10度校準。l進行階梯調零：進行階梯調零：未測試前，應首先調整階梯信號起始級零電位的位置。當熒光屏上顯示基極階梯信號后，將測試臺上“階梯信號輸入”開關置于“零電壓”，觀察光點停留在熒光屏上的位置，復位后調節(jié)“調零”電位器，使階梯信號的起始級光點仍在該處，這樣階梯信號的“零電位”即被準確校準了。l選擇需要的基極階梯信號，將極性、串聯(lián)電阻置于適合擋位，調節(jié)級/簇旋鈕，使階梯信號為10級/簇，階梯信號置重復位置。l插上被測晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用

14、晶體管晶體管hFE和和值的測量值的測量l以NPN型3DK2晶體三極管為例，查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為VCE=1V、IC=10mA。將光點移至熒光屏的左下角作為坐標零點。儀器部件的位置詳見左表。l逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線，如圖所示。讀出X軸集電極電壓VCE=1V時最上面一條曲線（每條曲線為20A，最下面一條IB=0不計在內）IB值和Y軸IC值，可得lhFE=IC/IB=8.5mA/200A=42.5l若把X軸選擇開關放在基極電流或基極電壓位置，即可得到所示的電流放大特性曲線，即l=IC/IB 部件置位部件置位峰值電壓范圍010VY軸集電極電流1mA/度集電極極性

15、+階梯信號重復功耗電阻250階梯極性+X軸集電極電壓1V/度階梯選擇20A晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 晶體管反向電流的測試晶體管反向電流的測試l以NPN型3DK2晶體三極管為例，查手冊得知3DK2 ICEO、ICBO的測試條件為VCE=10V、VCB=10V。測試時，儀器部件的位置詳見上表 。l逐漸調高“峰值電壓”使X軸VCB=10V，讀出Y軸的偏移量，即為被測值。測試曲線如圖所示。l讀數(shù)：ICBO=0.5A（VCB=10V）l ICEO=1A（VCE=10V） ICBOICEO峰值電壓范圍010V010V極性+X軸集電極電壓2V/度2V/度Y軸集電極電流10A/度10A/度

16、倍率Y軸位移拉出0.1Y軸位移拉出0.1功耗限制電阻5k5k晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 晶體管擊穿電壓的測試晶體管擊穿電壓的測試l以NPN型3DK2晶體三極管為例，查手冊得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測試條件IC分別為100A、200A和100A。測試時，儀器部件的位置詳見上表 。l逐漸調高“峰值電壓”，測試曲線如圖所示。l讀數(shù)：BVCBO=70V（IC=100A）l BVCEO=60V（IC=200A）l BVEBO=7.8V（IC=100A） BVCBOBVCEOBVEBO峰值電壓范圍0100V0100V010V極性+X軸集電極電壓10V/度10V/度

17、1V/度Y軸集電極電流20A/度20A/度20A/度功耗限制電阻1k5k1k5k1k5k晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 場效應管的測試場效應管的測試l將被測管S（E）、G（B）、D（C）分別插入測試插座的E、B、C插孔，按下測試選擇按鈕被測管一方的琴鍵，根據(jù)被測管溝道的性質，選擇掃描電壓極性。N溝道：掃描電壓“+”，階梯信號“-”；P溝道：掃描電壓“-”，階梯信號“+”。l調節(jié)X、Y軸位移，使光點N溝道位于左下方、P溝道位于右上方零點位置。l以N溝道3DJ7為例，說明場效應管的具體測試方法。測試時，儀器部件的置位詳見左表。l緩慢調節(jié)“峰值電壓”，熒光屏上即可顯示IDS-VDS曲線

18、，如圖所示。l如需顯示轉移特性曲線（VGS-ID曲線），僅需將X軸選擇開關置于基極源信號擋位，即可讀出VP、IDSS等參數(shù)。 部件置位部件置位峰值電壓范圍010VY軸集電極電流0.5mA/度(實為IDS值)集電極極性+重復-關開關重復功耗限制電阻1k階梯極性-X軸集電極電壓1V/度(實為VDS值)階梯信號選擇開關0.2V/度晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 穩(wěn)壓二極管的測試穩(wěn)壓二極管的測試l以2CW19穩(wěn)壓二極管為例，查手冊得知2CW19穩(wěn)定電壓的測試條件IR=3mA。測試時，儀器各部件的置位詳見左表。l逐漸增大“峰值電壓”，即可在熒光屏上看到被測管的特性曲線，如圖所示。 l讀數(shù)：正向壓降約0.7Vl穩(wěn)定電壓約12.5V 部 件置 位峰值電壓范圍AC010V功耗限制電阻5kX軸集電極電壓5V/度Y軸集電極電流1mA/度晶體管特性圖示儀的使用晶體管特性圖示儀的使用 二簇特性曲線比較測試二簇特性曲線比較測試l以NPN型3DG6晶體三極管為例，查手冊得知3DG6晶體管輸出特性的測試條件VCE=10V、IC=10mA。測試時，儀器各部件的置位詳見左表。l將被測的兩