升壓降壓電源電路工作原理

1、boost 升壓電路工作原理boost升壓電路是一種開(kāi)關(guān)直流升壓電路，它可以是輸出電壓比輸入電壓高?；倦娐穲D見(jiàn)圖一:VinFigure 1: The Boost ConveHer假定那個(gè)開(kāi)關(guān)（三極管或者 mos管）已經(jīng)斷開(kāi)了很長(zhǎng)時(shí)間，所有的元件都處于理想狀態(tài)，電容電壓等于輸入電壓。F面要分充電和放電兩個(gè)部分來(lái)說(shuō)明這個(gè)電路充電過(guò)程在充電過(guò)程中，開(kāi)關(guān)閉合（三極管導(dǎo)通），等效電路如圖二，開(kāi)關(guān)（三 極管）處用導(dǎo)線(xiàn)代替。這時(shí)，輸入電壓流過(guò)電感。二極管防止電容對(duì)地放電。由于輸入是直流電，所以電感上的電流以一定的比率線(xiàn)性增加，這個(gè)比率跟 電感大小有關(guān)。隨著電感電流增加，電感里儲(chǔ)存了一些能量。苫、Voute

2、lecfanscom電3家貨反Fiom t 2： Booh Conteiter C Plu；e放電過(guò)程如圖，這是當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)（三極管截止）時(shí)的等效電路。當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)（三極管截止）時(shí)，由于電感的電流保持特性，流經(jīng)電感的電流不會(huì)馬上變?yōu)?0, 而是緩慢的由充電完畢時(shí)的值變?yōu)?0。而原來(lái)的電路已斷開(kāi)，于是電感只能 通過(guò)新電路放電，即電感開(kāi)始給電容充電，電容兩端電壓升高，此時(shí)電壓已 經(jīng)高于輸入電壓了。升壓完畢。Vin若el.etfanscom 電 3 發(fā)依發(fā)T VoutFiarjf 3: Boost < onveiter Dischiree Phase說(shuō)起來(lái)升壓過(guò)程就是一個(gè)電感的能量傳遞過(guò)程。 充電

3、時(shí)，電感吸收能量, 放電時(shí)電感放出能量。如果電容量足夠大，那么在輸出端就可以在放電過(guò)程中保持一個(gè)持續(xù)的 電流。如果這個(gè)通斷的過(guò)程不斷重復(fù)，就可以在電容兩端得到高于輸入電壓的 電壓。InductorFigure 4; Inductor Cnrrent一些補(bǔ)充1 AA電壓低,反激升壓電路制約功率和效率的瓶頸在開(kāi)關(guān)管， 整流管，及其他損耗（含電感上）.1.電感不能用磁體太小的（無(wú)法存應(yīng)有的能量）,線(xiàn)徑太細(xì)的（脈沖電流大, 會(huì)有線(xiàn)損大）.2整流管大都用肖特基，大家一樣，無(wú)特色，在輸出時(shí),整流損耗約百分之 十.3開(kāi)關(guān)管，關(guān)鍵在這兒了，放大量要足夠進(jìn)飽和，導(dǎo)通壓降一定要小，是成 功的關(guān)鍵.總共才一伏，管子

4、上耗多了就沒(méi)電出來(lái)了，因些管壓降應(yīng)選最大電 流時(shí)不超過(guò)單只做不到就多只并聯(lián).4最大電流有多大呢？我們簡(jiǎn)單點(diǎn)就算1A吧，其實(shí)是不止的.由于效率低 會(huì)超過(guò)，這是平均值，半周供電時(shí)為3A,實(shí)際電流波形為0至6A.所以咱建議 要用兩只號(hào)稱(chēng)5A實(shí)際3A的管子并起來(lái)才能勉強(qiáng)對(duì)付.5現(xiàn)成的芯片都沒(méi)有集成上述那么大電流的管子，所以咱建議用土電路 就夠?qū)Ω堆箅娐妨?.以上是書(shū)本上沒(méi)有直說(shuō)的知識(shí)，但與書(shū)本知識(shí)可對(duì)照印證.開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，電源經(jīng)由電感-開(kāi)關(guān)管形成回路，電流在電感中轉(zhuǎn)化為磁 能貯存；開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電感中的磁能轉(zhuǎn)化為電能在電感端左負(fù)右正，此電 壓疊加在電源正端，經(jīng)由二極管-負(fù)載形成回路，完成升壓功能。既然

5、如此， 提高轉(zhuǎn)換效率就要從三個(gè)方面著手：1.盡可能降低開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)回路的阻 抗，使電能盡可能多的轉(zhuǎn)化為磁能；2.盡可能降低負(fù)載回路的阻抗，使磁能 盡可能多的轉(zhuǎn)化為電能，同時(shí)回路的損耗最低；3.盡可能降低控制電路的消耗，因?yàn)閷?duì)于轉(zhuǎn)換來(lái)說(shuō)，控制電路的消耗某種意義上是浪費(fèi)掉的，不能轉(zhuǎn)化 為負(fù)載上的能量。具體計(jì)算已知參數(shù)：輸入電壓：12V - Vi輸出電壓：18V -Vo輸出電流：1A - Io輸出紋波：36mV - Vpp工作頻率：100KHz - f ?1:占空比穩(wěn)定工作時(shí)，每個(gè)開(kāi)關(guān)周期，導(dǎo)通期間電感電流的增加等于關(guān)斷期間電 感電流的減少，即 Vi*don/(f*L)=(Vo+Vd-Vi)*(1-

6、don)/(f*L), 整理后有don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),參數(shù)帶入，don=2:電感量先求每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感初始電流等于輸出電流時(shí)的對(duì)應(yīng)電感的電感量其值為 Vi*(1-don)/(f*2*Io),參數(shù)帶入，Lx=,deltaI=Vi*don/(L*f) ,參數(shù)帶入，deltaI=當(dāng)電感的電感量小于此值Lx時(shí)，輸出紋波隨電感量的增加變化較明顯,當(dāng)電感的電感量大于此值Lx時(shí)，輸出紋波隨電感量的增加幾乎不再變 小，由于增加電感量可以減小磁滯損耗，另外考慮輸入波動(dòng)等其他方面影響 取 L=60uH,deltaI=Vi*don/(L*f),參數(shù)帶入，deltaI=,I1=Io/(1-d

7、on)-(1/2)*deltaI,I2= Io/(1-don)+(1/2)*deltaI,參數(shù)帶入，I1=,I2=3:輸出電容：此例中輸出電容選擇位陶瓷電容，故 ESR可以忽略C=Io*don/(f*Vpp),參數(shù)帶入，C= 3個(gè)33uF/25V陶瓷電容并聯(lián)4:磁環(huán)及線(xiàn)徑：查找磁環(huán)手冊(cè)選擇對(duì)應(yīng)峰值電流I2=時(shí)磁環(huán)不飽和的適合磁環(huán)IrmsA2=(1/3)*(I1A2+I2A2-I1*I2),參數(shù)帶入，irms=按此電流有效值及工作頻率選擇線(xiàn)徑其他參數(shù)：電感：L占空比：don初始電流：I1峰值電流：I2線(xiàn)圈電流：Irms輸出電容：C電流的變化：deltal整流管壓降：Vd 兩種降壓升壓電路原理圖

8、2011年11月15日11:06?來(lái)源：電子發(fā)燒友網(wǎng)？作者：小蘭？我要評(píng)論（0）圖顯示兩種降壓升壓電路， 可在輸入電壓可能大于或小于輸出電壓的情形下使用。這些電路與前述兩種降壓拓?fù)溆邢嗤恼蹧_特點(diǎn)，與電流偵測(cè)電阻與門(mén)極驅(qū)動(dòng)的位置有關(guān)。圖2的降壓升壓拓?fù)?，顯示接地參考的閘極驅(qū)動(dòng)。 此拓?fù)湫枰粶?zhǔn)移位電流偵測(cè)訊號(hào)，不過(guò)反向的升壓降壓拓?fù)鋭t具有接地參考的電流偵測(cè)及位準(zhǔn)移位閘極驅(qū)動(dòng)。如果控制IC與負(fù)輸出有關(guān)，且電流偵測(cè)電阻與LED進(jìn)行交換，即可利用有效的方式配置反向升壓BI壓拓?fù)?。只要適當(dāng)控制IC,即可直接測(cè)量輸出電流，也可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET求DC-DCM降壓電路原理及設(shè)計(jì)要點(diǎn)？DC-DC升壓與降

9、壓電路簡(jiǎn)介DC/DC轉(zhuǎn)換器電路的各種特性（效率、紋波、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)等）可根據(jù)外設(shè)元件的變更而變更，盡量在各種制約條件下，設(shè)計(jì)出最接近要求規(guī)格的DC/DC轉(zhuǎn)換器電路。1、DC/DC轉(zhuǎn)換的基本工作原理最基本的基本型 DC/DC轉(zhuǎn)換器電路為升壓和降壓電路。1）升壓電路FET為ON時(shí)的電路圖在FET為ON的時(shí)間里在L積蓄電流能。虛線(xiàn)表示的電流路徑雖是微小的漏電流， 但會(huì)使輕負(fù)載的效率變差。FET為OFF時(shí)的電路圖電源”在FET為OFF時(shí)，L要保持OFF前的電流值，相當(dāng)于在輸入回路增加了一個(gè)由于線(xiàn)圈的左端被強(qiáng)制性固定于VIN,因此輸出VOUT勺電壓要大于 VIN,即升壓電路原理。由此，F(xiàn)ET的ON時(shí)間越

10、長(zhǎng)（FET的觸發(fā)占空比 D越大），L里積蓄的電流能越大， 越能獲得電源功率，于是升壓就越高。但是，F(xiàn)ET的ON時(shí)間太長(zhǎng)的話(huà)，給輸出側(cè)供電的時(shí)間就極為短暫，F(xiàn)ET為ON時(shí)的損失也就增大，變換效率變差。因此，通常要限制占空比的最大值，不超過(guò)適宜 的占空比D。2）降壓電路FET為ON時(shí)的電路圖在FET為ON的時(shí)間里，L積蓄電流能的同時(shí)為輸出供電。虛線(xiàn)表示的電流路徑雖 是微小的漏電流，但會(huì)使輕負(fù)載的效率變差。FET為OFF時(shí)的電路圖在FET為OFF時(shí)，L要保持OFF前的電流值，使 SBD為ON此時(shí)，由于線(xiàn)圈的左 端被強(qiáng)制性地降到 0V以下，VOUTB電壓下降，即降壓電路原理。由此，F(xiàn)ET的ON時(shí)間長(zhǎng)L

11、里積蓄的電流能越大，越能獲得大功率電源，降壓的幅 度越小。降壓時(shí)，由于FET為ON時(shí)也要給輸出供電，所以不需要限制占空比的最大值。2、DC/DC轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)設(shè)計(jì)要點(diǎn)：（1）穩(wěn)定工作（=不會(huì)因異常振動(dòng)等誤動(dòng)作、燒損、過(guò)電壓而損壞）（2）效率大輸出紋波小(4)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)好這些設(shè)計(jì)指標(biāo)可通過(guò)變更DC/DC轉(zhuǎn)換器IC和外設(shè)元件得到某種程度的改善。3、開(kāi)關(guān)頻率的選擇DC/DC轉(zhuǎn)換器IC具備固有的開(kāi)關(guān)頻率，頻率的不同會(huì)對(duì)各種特性產(chǎn)生影響。以XC9237A18C()和XC9237A18D(3MH2為例表明開(kāi)關(guān)頻率與效率的關(guān)系。測(cè)試 電路圖(降壓型 DC-DQ ,如下圖所示。CIN: 10 產(chǎn)，CL:

12、 10 產(chǎn)，LjH ( NR3015T-4R7M , Topr=25 CXC9237A18C (振蕩頻率)開(kāi)關(guān)頻率與效率的關(guān)系，如下圖所示：XC9237A18D (振蕩頻率3MHz開(kāi)關(guān)頻率與效率的關(guān)系，如下圖所示：效率最大的電流值不同是因?yàn)椴煌拈_(kāi)關(guān)頻率適合的感應(yīng)系數(shù)值也不同的緣故。對(duì)于結(jié)構(gòu)相同的線(xiàn)圈，感應(yīng)系數(shù)越大直流電阻越增加，重負(fù)載時(shí)的損失增加，由此，效率最大的電流值越是低頻的越會(huì)向輕負(fù)載側(cè)移動(dòng)。相反，頻率高則因FET的充放電次數(shù)增加和 IC自身的靜態(tài)消耗電流增大，3MHz產(chǎn)品比產(chǎn)品在輕負(fù)載時(shí)的效率大幅度變差。綜合來(lái)看，可知產(chǎn)品的效率峰值大，效率最大的輸出電流值峰值小。此外，PFM工作時(shí)，

13、輕負(fù)載時(shí)的頻率都進(jìn)一步下降，效率明顯得到改善。3、 FET的選擇RDS Drain-sourceON-ResistanceRD*1起的損失：RDS可以看成是FET的漏源極間電阻成分，因而會(huì)發(fā)熱而損失能量，負(fù)載越大其損失越是增大。因此，重負(fù)載時(shí)減少RDS引起的損失效果較好。CISS： InputCapacitanceCISS引起的損失：CISS可以看成是FET的柵源極問(wèn)充放電時(shí)被丟棄的功率。驅(qū)動(dòng) 電壓和開(kāi)關(guān)頻率越大損失就越大，由于重負(fù)載時(shí)和輕負(fù)載時(shí)損失值基本相同，所 以會(huì)使輕負(fù)載時(shí)的效率大幅度變差。因此，輕負(fù)載時(shí)減少CISS引起的損失對(duì)提高效率的效果較好。雖然RDSffi CISS都是越小損失也

14、越小，但因RDSft CISS成反比關(guān)系，改善損失大的一方效果更好。一般電壓額定值定為使用電壓的倍2倍，RDS和CISS引起的損失較小。輸入電流=輸出（負(fù)載）電流x輸出電壓+輸入電壓+效率效率未知時(shí)，可姑且升壓時(shí)采用70%降壓時(shí)采用80林計(jì)算。測(cè)試實(shí)例：更換 FET,測(cè)試效率，F(xiàn)ET的參數(shù)規(guī)格如下表所示：XC9220c093的測(cè)試電路：測(cè)試的效率圖：4、線(xiàn)圈的選擇線(xiàn)圈引起的損失表現(xiàn)為線(xiàn)圈的繞線(xiàn)電阻RDCffi鐵氧體磁心產(chǎn)生的損失等。開(kāi)關(guān)頻率不同的話(huà)，最佳 L值也不同。因?yàn)榫€(xiàn)圈的電流與FET的ON時(shí)間成正比，與L值成反比。對(duì)于 2MHz左右的開(kāi)關(guān)頻率，可以認(rèn)為線(xiàn)圈的大部分損失是RDC引起的損失，

15、首先應(yīng)選擇 RDC、的線(xiàn)圈。如果為了減小 RDC而選擇L值過(guò)小的線(xiàn)圈的話(huà)，在FET為ON的時(shí)間內(nèi)電流值過(guò)大， FEK SBD線(xiàn)圈產(chǎn)生的熱損失變大，效率下降。而且，因電流增加，紋波也增大。相反，如果L值過(guò)大的話(huà)，RDC變大，不僅重負(fù)載時(shí)的效率變差，而且鐵氧體磁心 發(fā)生磁飽和，L值急速減少，這樣就不能發(fā)揮出線(xiàn)圈的性能，陷入電流過(guò)大引起發(fā) 熱的危險(xiǎn)狀態(tài)。因而，為了在L值大的線(xiàn)圈流經(jīng)大電流，形狀上必須有一定程度的大小，以避免磁飽和。綜上所述，相對(duì)于線(xiàn)圈的外形尺寸和效率兩個(gè)方面，適當(dāng)?shù)?L值已被限定，如下 表所示：實(shí)例：XC9104D093（升壓）電路只變更了L值后的效率和紋波。測(cè)試電路如下：實(shí)例：XC

16、9220A093 （降壓）電路只變更了L值后的效率和紋波。測(cè)試電路如下：5、SBD的選擇SBD的損失為正向熱損失 VFX IF和反向漏電流IR引起的熱損失的合計(jì)值。因此， 選才¥ VF、IR都小的產(chǎn)品比較理想。但是， VF與IR成反比關(guān)系，一般要視負(fù)載電 流而選用。VF在重負(fù)載時(shí)大，考慮到 IR與負(fù)載無(wú)關(guān)為一定的值，所以輕負(fù)載時(shí)選擇 IR小的 產(chǎn)品對(duì)提高效率的效果較好，重負(fù)載時(shí)選擇VF小的產(chǎn)品效果較好。選才? SBD的要點(diǎn)見(jiàn)下表：實(shí)例：比較兩個(gè) SBD在輕重負(fù)載時(shí)的效率。與XBS203V17相比，XBS204S17的VF大IR小，輕負(fù)載時(shí)的效率好，重負(fù)載時(shí)的效 率差。下表是詳細(xì)參數(shù)：

17、測(cè)試電路和效率曲線(xiàn)如下：XB32Q3V17V1M-0 OV-zJlX, i ,1giMO1MCO6、CL的選擇CL越大則紋波越小，但過(guò)分大的話(huà)，電容器的形狀也大，成本提高。CL由所需的紋波大小而定。以10mg 40mV的紋波大小為目標(biāo)，升壓和降壓CL值參考下表：升壓：CL值為表中值乘以升壓比 降壓：CL值為表中值乘以降壓比紋波與ESR成正比，與電容值成反比。以下是測(cè)試電路和紋波與CL的關(guān)系圖：注：鋁電解電容時(shí)，沒(méi)有并聯(lián)的陶瓷電容的話(huà)，ESR過(guò)大難以獲得輸出電流。7、CIN的選擇雖然不及CL對(duì)輸出穩(wěn)定性的影響大，但CIN也是電容值越大、ESR®小則輸出穩(wěn)定性越好，紋波也越小。大到某種程

18、度，降低輸出紋波的效果會(huì)變小，從防止對(duì)輸入側(cè)的電磁干擾EMI的意義上說(shuō)，電容值應(yīng)從 CL的一半左右開(kāi)始探討較好。CIN不會(huì)因ESR太小而輸出振蕩，所以ESR越低越好。實(shí)例：CIN與紋波的關(guān)系，測(cè)試電路如下：CIN值變化的輸入側(cè)紋波，見(jiàn)下圖：8、 RFB1,和RFB2的選擇使用FB （反饋）產(chǎn)品時(shí)，RFB1、RFB2用于決定輸出電壓，對(duì)同一輸出電壓有時(shí)可 考慮多種組合。此時(shí)選擇RFB1+RFB2=150©500k Q比較妥當(dāng)。這里成為問(wèn)題的是輕負(fù)載時(shí)的效率和重負(fù)載時(shí)的輸出穩(wěn)定性。因?yàn)榱飨騌FBt RFB2的電流沒(méi)有被作為輸出功率使用，而視作DC/DC轉(zhuǎn)換器的損失，所以要想提高輕負(fù)載時(shí)的

19、效率的話(huà)，要將RFB1、RFB2設(shè)定得大一些（RFB1+RFB2<1物左右）。而要想提高重負(fù)載時(shí)的瞬態(tài)響應(yīng)的話(huà)，則要做好輕負(fù)載時(shí)的效率差的準(zhǔn)備，將 RFB1RFB2設(shè)定得比標(biāo)準(zhǔn)值小 1位數(shù)，使FB端子的電壓穩(wěn)定性提高即可。9、CFB的選擇CFB是紋波反饋調(diào)整用電容器，該值也會(huì)影響負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。CFB過(guò)小：電壓恢復(fù)到恒定狀態(tài)的時(shí)間短，但負(fù)載變重時(shí)電壓急劇下降；CFB過(guò)大：負(fù)載變重時(shí)的瞬間電壓下降雖小，但電壓恢復(fù)到恒定狀態(tài)的時(shí)間長(zhǎng)。在特別的情況下，重負(fù)載時(shí)會(huì)出現(xiàn)從CFB反饋到FB端子的紋波的影響過(guò)大，輸出不穩(wěn)定的情況。出現(xiàn)這種情況時(shí)，不連接CFB有時(shí)能使工作穩(wěn)定。實(shí)例：測(cè)試電路如下：求電容降

20、壓限流電路工作原理？ ？電容降壓工作原理發(fā)起投票|刪除電容降壓的工作原理 2009年04月27日星期一 13:25電容降壓的工作原理并不復(fù)雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號(hào)頻率下產(chǎn)生的容抗來(lái)限制最大工作電流。例如，在 50Hz的工頻條件下，一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端，則流過(guò)電容的最大電流約為70mA雖然流過(guò)電容的電流有70mA但在電容器上并不產(chǎn)生功耗，應(yīng)為如果電容是一個(gè)理想電容，則流過(guò)電容的電流為虛部電流，它所作的功為無(wú)功功率。根據(jù)這個(gè)特點(diǎn)，我們?nèi)绻谝粋€(gè)1uF的電容器上再串聯(lián)一個(gè)阻性元件，則阻性元件兩端所得到的電壓和它所產(chǎn)生的功

21、耗完全取決于這個(gè)阻性元件的特性。例如，我們將一個(gè)110V/8W的燈泡與一個(gè)1uF的電容串聯(lián)，在接到220V/50HZ的交流電壓上，燈泡被點(diǎn)亮，發(fā)出正常的亮度而不會(huì) 被燒毀。因?yàn)?10V/8W的燈泡所需的電流為 8W/110V=72mA它與1uF電容所產(chǎn)生的限流特性相吻合。同理，我們也可以將5W/65V的燈泡與1uF電容串聯(lián)接到220V/50HZ的交流電上，燈泡同樣會(huì)被點(diǎn)亮，而不會(huì)被燒毀。因?yàn)?W/65V的燈泡的工作電流也約為 70mA因此，電容降壓 實(shí)際上是利用容抗限流。 而電容器實(shí)際上起到一個(gè)限制電流和動(dòng)態(tài)分配電容器和負(fù)載兩端電壓的角色。采用電容降壓時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：1根據(jù)負(fù)載的電流大小和交

22、流電的工作頻率選取適當(dāng)?shù)碾娙?，而不是依?jù)負(fù)載的電壓和功率。2限流電容必須采用無(wú)極性電容，絕對(duì)不能采用電解電容。而且電容的耐壓須在400V以上。最理想的電容為鐵殼油浸電容。3電容降壓不能用于大功率條件，因?yàn)椴话踩?電容降壓不適合動(dòng)態(tài)負(fù)載條件5同樣，電容降壓不適合容性和感性負(fù)載。6當(dāng)需要直流工作時(shí)，盡量采用半波整流。不建議采用橋式整流而且要滿(mǎn)足恒定負(fù)載的條件。以上是電容降壓工作原理的簡(jiǎn)單介紹。前些日子我曾再次提出一個(gè)問(wèn)題，就是只用電阻和電容可以組成什么電路，進(jìn)一步講只用一個(gè)電阻和一個(gè)電容可以組成什么電路。此篇可以是一個(gè)回答， 有興趣的可以再想一想還能組成什么電路。 其實(shí)電阻、電容和電感作為電子電

23、路的基本元件，熟知它們的特性并靈活地應(yīng)用它。采用電容降壓電路是一種常見(jiàn)的小電流電源電路，由于其具有體積小、成本低、電流相對(duì)恒定等優(yōu)點(diǎn)，也常應(yīng)用于LED的驅(qū)動(dòng)電路中。圖一為一個(gè)實(shí)際的采用電容降壓的LED驅(qū)動(dòng)電路：請(qǐng)注意，大部分應(yīng)用電路中沒(méi)有連接壓敏電阻或瞬變電壓抑制晶體管，建議連接上,因壓敏電阻或瞬變電壓抑制晶體管能在電壓突變瞬間（如雷電、大用電設(shè)備起動(dòng)等）有效地將突變電流泄放，從而保護(hù)二級(jí)關(guān)和其它晶體管，它們的響應(yīng)時(shí)間一般在微毫秒級(jí)。？電路工作原理：電容C1的作用為降壓和限流：大家都知道，電容的特性是通交流 、隔直流，當(dāng)電容連接于交流電路中時(shí)，其容抗計(jì)算公式為：XC = 1/2 兀 f C式中

24、，XC表示電容的容抗、f表示輸入交流電源的頻率、C表示降壓電容的容量流過(guò)電容降壓電路的電流計(jì)算公式為:I = U/XC式中I表示流過(guò)電容的電流、U表示電源電壓、XC表示電容的容抗在220V、50Hz的交流電路中，當(dāng)負(fù)載電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于 220V時(shí)，電流與電容的關(guān)系式為：I = 69C?其中電容的單位為 uF ,電流的單位為 mAF表為在220V、50Hz的交流電路中，理論電流與實(shí)際測(cè)量電流的比較電容（證）0 0470.10 22Ml2.24J電流理愴值326.915.232 469152笈43.37.01532.570152英5電阻R1為泄放電阻，其作用為：當(dāng)正弦波在最大峰值時(shí)刻被切斷時(shí)，電容C1上的殘存電荷無(wú)法釋放，會(huì)長(zhǎng)久存在，在維修時(shí)如果人體接觸到C1的金屬部分，有強(qiáng)烈的觸電可能，而電阻R1的存在，能將殘存的電荷泄放掉，從而保證人、機(jī)安全。泄放電阻的阻