電子技術(shù)第1章

1、1. 1. 信號(hào)：信號(hào)：是反映消息的物理量是反映消息的物理量 信息需要借助于某些物理量（如聲、光、電）信息需要借助于某些物理量（如聲、光、電）的變化來表示和傳遞。的變化來表示和傳遞。 電信號(hào)是指隨時(shí)間而變化的電壓電信號(hào)是指隨時(shí)間而變化的電壓 u 或電流或電流 i ，記作記作 u = f ( t ) 或或 i = f ( t ) 。 如溫度、壓力、流量，自然界的聲音信號(hào)等等，如溫度、壓力、流量，自然界的聲音信號(hào)等等，因而信號(hào)是消息的表現(xiàn)形式。因而信號(hào)是消息的表現(xiàn)形式。2. 2. 電信號(hào)電信號(hào) 由于非電的物理量很容易轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，而且由于非電的物理量很容易轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，而且電信號(hào)又容易傳送和控制，

2、因此電信號(hào)成為應(yīng)用電信號(hào)又容易傳送和控制，因此電信號(hào)成為應(yīng)用最為廣泛的信號(hào)。最為廣泛的信號(hào)。緒緒 論論模擬信號(hào)：模擬信號(hào)：在時(shí)間上和數(shù)值上具有連續(xù)變化的特點(diǎn)，在時(shí)間上和數(shù)值上具有連續(xù)變化的特點(diǎn)，溫度；壓力等。溫度；壓力等。t數(shù)字信號(hào)：數(shù)字信號(hào)：在時(shí)間上和數(shù)值上是離散的，人數(shù)；物件等。在時(shí)間上和數(shù)值上是離散的，人數(shù)；物件等。ttu電子管時(shí)代（電子管時(shí)代（19051948）u晶體管時(shí)代（晶體管時(shí)代（19481959）基本分立元件展示基本分立元件展示電容器電容器電阻器電阻器線圈線圈三極管三極管二極管二極管1、分立元件發(fā)展、分立元件發(fā)展2、集成電路的發(fā)展、集成電路的發(fā)展時(shí)時(shí) 期期規(guī)規(guī) 模模集成度集成度

3、（元件數(shù)）（元件數(shù)）50年代末年代末 小規(guī)模集成電路（小規(guī)模集成電路（SSI）10060年代年代中規(guī)模集成電路（中規(guī)模集成電路（MSI）100070年代年代大規(guī)模集成電路（大規(guī)模集成電路（LSI）100070年代末年代末 超大規(guī)模集成電路（超大規(guī)模集成電路（VLSI）1000080年代年代特大規(guī)模集成電路（特大規(guī)模集成電路（ULSI）100000IBM 7090IBM 360 晶體管計(jì)算機(jī)晶體管計(jì)算機(jī)品牌電腦品牌電腦第一代（第一代（19461957）電子管計(jì)算機(jī)時(shí)代電子管計(jì)算機(jī)時(shí)代（ENIAC） 第二代（第二代（19581963） 晶體管計(jì)算機(jī)時(shí)代晶體管計(jì)算機(jī)時(shí)代第三代（第三代（1964197

4、0）集成電路計(jì)算機(jī)時(shí)代集成電路計(jì)算機(jī)時(shí)代第四代（第四代（1971）大規(guī)模集大規(guī)模集成電路計(jì)算機(jī)時(shí)代成電路計(jì)算機(jī)時(shí)代課程特點(diǎn)：課程特點(diǎn)： 電路圖多、內(nèi)容分散、誤差較大，計(jì)算簡(jiǎn)單、電路圖多、內(nèi)容分散、誤差較大，計(jì)算簡(jiǎn)單、實(shí)用性強(qiáng)。實(shí)用性強(qiáng)。 學(xué)習(xí)方法：學(xué)習(xí)方法： 元器件重點(diǎn)放在特性、參數(shù)和正確使用方法，元器件重點(diǎn)放在特性、參數(shù)和正確使用方法，不要過分追究其內(nèi)部機(jī)理，掌握電路的構(gòu)成原則、不要過分追究其內(nèi)部機(jī)理，掌握電路的構(gòu)成原則、記住幾個(gè)典型電路及時(shí)總結(jié)及練習(xí)、掌握近似原則、記住幾個(gè)典型電路及時(shí)總結(jié)及練習(xí)、掌握近似原則、與實(shí)驗(yàn)有機(jī)結(jié)合。與實(shí)驗(yàn)有機(jī)結(jié)合。1、電工學(xué)（下冊(cè)）、電工學(xué)（下冊(cè)） 秦曾煌秦曾煌

5、 高教出版社高教出版社電工學(xué)（下冊(cè)）學(xué)習(xí)輔導(dǎo)與習(xí)題全解電工學(xué)（下冊(cè)）學(xué)習(xí)輔導(dǎo)與習(xí)題全解 秦曾煌秦曾煌 高教出高教出版社版社2、模擬電子技術(shù)、模擬電子技術(shù) 楊素行楊素行 高教出版社高教出版社3、數(shù)字電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù) 余孟嘗余孟嘗 高教出版社高教出版社1.1 半導(dǎo)體基本知識(shí)半導(dǎo)體基本知識(shí)1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管1.3 晶體管晶體管+4+4概念：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。概念：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅(Si)和鍺和鍺(Ge)。半導(dǎo)體半導(dǎo)體14284Si3228 18 4Ge簡(jiǎn)化模型簡(jiǎn)化模型+4+4

6、+4+4+4+4+4+4+41.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體概念：純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。概念：純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。價(jià)價(jià)電電子子共共價(jià)價(jià)鍵鍵當(dāng)溫度當(dāng)溫度 T = 0 K T = 0 K 時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。+4+4+4+4+4+4+4+4+4若若 T ， 將有少數(shù)價(jià)電子克將有少數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵的束縛成為服共價(jià)鍵的束縛成為自由電子自由電子， 在原來的共價(jià)鍵中在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，成為留下一個(gè)空位，成為空穴空穴?？昭煽闯蓭д姷目昭煽闯蓭д姷妮d流子。載流子。自由電子自由電子空穴空穴載流子：運(yùn)載電荷的粒子。載流子：運(yùn)載電荷的粒子

7、。自由電子（帶負(fù)電）自由電子（帶負(fù)電）空穴（帶正電）空穴（帶正電）復(fù)合復(fù)合（1）本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，）本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，稱為稱為 電子電子 - 空穴對(duì)?？昭▽?duì)。（2）由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)）由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又不斷的復(fù)合。生又不斷的復(fù)合。在一定的溫度下，產(chǎn)生與復(fù)合運(yùn)動(dòng)會(huì)在一定的溫度下，產(chǎn)生與復(fù)合運(yùn)動(dòng)會(huì)達(dá)到平衡，載流子的濃度不變，且相等。達(dá)到平衡，載流子的濃度不變，且相等。（3）載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的）載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。

8、常溫下，本征半導(dǎo)體常溫下，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力差導(dǎo)電能力差。本征半導(dǎo)體相關(guān)結(jié)論：本征半導(dǎo)體相關(guān)結(jié)論：1.1.2 N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的在硅或鍺的晶體中摻入少量的 + 5 價(jià)價(jià)雜質(zhì)元素，雜質(zhì)元素，如如磷、銻、砷磷、銻、砷等。等。 雜質(zhì)原子最外層雜質(zhì)原子最外層5個(gè)價(jià)電子。個(gè)價(jià)電子。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由電子自由電子N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 多余一個(gè)電子只多余一個(gè)電子只受自身原子核吸引，受自身原子核吸引，在室溫下即可成為在室溫下即可成為自自由電子由電子。 自由電子濃度遠(yuǎn)自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度。

9、大于空穴的濃度。 自自由電子由電子稱為多數(shù)載流稱為多數(shù)載流子子(簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱多子多子)，空穴空穴稱為少數(shù)載流子稱為少數(shù)載流子(簡(jiǎn)簡(jiǎn)稱稱少子少子)。半導(dǎo)體主要靠半導(dǎo)體主要靠自由電子自由電子導(dǎo)電。導(dǎo)電。+4+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或鍺的晶體在硅或鍺的晶體中摻入少量的中摻入少量的 3 價(jià)價(jià)雜質(zhì)元素，如雜質(zhì)元素，如硼、鎵、硼、鎵、銦銦等。等。+3 空穴濃度大于空穴濃度大于自由電子濃度。自由電子濃度?？昭槎嘧樱昭槎嘧?，自由電子為少子。自由電子為少子。P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體半導(dǎo)體主要靠半導(dǎo)體主要靠空穴空穴導(dǎo)電。導(dǎo)電?？昭昭?.1.3 P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃

10、度；溫度決摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決定少數(shù)載流子的濃度。定少數(shù)載流子的濃度。 3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法：雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法：2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。( (a) )N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體( (b) ) P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體練習(xí)：練習(xí)： 在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層，稱為成了一個(gè)特殊的薄層，稱為 PN

11、 結(jié)結(jié)。PNPN結(jié)結(jié)1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管1.2.1 PN PN 結(jié)的形成及單向?qū)щ娦越Y(jié)的形成及單向?qū)щ娦院谋M層耗盡層空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)PN多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)PN復(fù)合消失復(fù)合消失空間電荷區(qū)（耗盡層）空間電荷區(qū)（耗盡層）內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)阻擋多子擴(kuò)散阻擋多子擴(kuò)散動(dòng)態(tài)平衡，形成動(dòng)態(tài)平衡，形成PN結(jié)結(jié)有利少子漂移有利少子漂移2、PN PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦酝怆妶?chǎng)外電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)VRI空間電荷區(qū)變窄，有利空間電荷區(qū)變窄，有利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，電路中有于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，電路中有較大的正向電流。較大的正向電流。PN1 、加正向電壓、加正向電壓2、加反向電壓、加

12、反向電壓空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)少子形成反向電流，反向電流很小，溫度越高，電流越大。少子形成反向電流，反向電流很小，溫度越高，電流越大。PN外電場(chǎng)外電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)VRIS由上可見：由上可見：當(dāng)當(dāng)PNPN結(jié)結(jié)正向正向偏置時(shí)，呈現(xiàn)偏置時(shí)，呈現(xiàn)低低電阻，回路中將產(chǎn)電阻，回路中將產(chǎn)生較大的生較大的正向擴(kuò)散正向擴(kuò)散電流，電流， PN PN 結(jié)處于結(jié)處于 導(dǎo)通狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)； 當(dāng)當(dāng)PNPN結(jié)結(jié)反向反向偏置時(shí)，呈現(xiàn)偏置時(shí)，呈現(xiàn)高高電阻，回路中的電阻，回路中的反向反向漂移漂移電流非常小，幾乎為零，電流非常小，幾乎為零， PN PN 結(jié)處于結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)截止?fàn)顟B(tài)。可見，可見， PN PN 結(jié)具有結(jié)具有單向?qū)щ娦詥蜗?/p>

13、導(dǎo)電性。1.2.2 二極管的基本結(jié)構(gòu)二極管的基本結(jié)構(gòu)將將 PN 結(jié)封裝在塑料、玻璃或金屬外殼里，再從結(jié)封裝在塑料、玻璃或金屬外殼里，再從 P 區(qū)和區(qū)和 N 區(qū)分別焊出兩根引線作正、負(fù)極。區(qū)分別焊出兩根引線作正、負(fù)極。符號(hào)：符號(hào)：PND半導(dǎo)體二極管的類型：半導(dǎo)體二極管的類型：按按 PN 結(jié)結(jié)構(gòu)結(jié)結(jié)構(gòu)分：分： 點(diǎn)接觸型二極管：點(diǎn)接觸型二極管：不允許通過較大的電流，因結(jié)電容小，不允許通過較大的電流，因結(jié)電容小，可在高頻下工作。可在高頻下工作。 面接觸型二極管：面接觸型二極管：PN 結(jié)的面積大，允許流過的電流大，結(jié)的面積大，允許流過的電流大，但只能在較低頻率下工作。但只能在較低頻率下工作。 平面型二極

14、管：平面型二極管：往往用于集成電路制造工藝中，往往用于集成電路制造工藝中，PNPN結(jié)面結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。 按用途劃分：按用途劃分：有整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、有整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管等。開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管等。按半導(dǎo)體材料分：按半導(dǎo)體材料分：有硅二極管、鍺二極管等。有硅二極管、鍺二極管等。0iu正向特性正向特性U(BR)反向特反向特性性IS80oC 20oC1.2.3 二極管的伏安特性二極管的伏安特性1 1、正向特性、正向特性當(dāng)正向電壓比較小當(dāng)正向電壓比較小時(shí)，

15、正向電流幾乎時(shí)，正向電流幾乎為零。為零。當(dāng)正向電壓超過開當(dāng)正向電壓超過開啟電壓時(shí)，正向電啟電壓時(shí)，正向電流才按指數(shù)規(guī)律明流才按指數(shù)規(guī)律明顯增大。顯增大。T ，正向特性曲線左移，正向特性曲線左移，反向特性曲線下移。，反向特性曲線下移。2 2、反向特性、反向特性反向電流反向電流IR值很小，值很小，反向電壓足夠大時(shí)，反向電壓足夠大時(shí)，反向電流為反向電流為IS。3 3、反向擊穿特性、反向擊穿特性反向電壓超過反向電壓超過U(BR)后，電流急劇增大。后，電流急劇增大。擊穿后，二極管不擊穿后，二極管不再具有單向?qū)щ娦?。再具有單向?qū)щ娦浴Ｋ绤^(qū)電壓死區(qū)電壓: :硅管硅管0.5V0.5V鍺管鍺管0 0.1V.1V

16、結(jié)論：結(jié)論：二極管具有二極管具有單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦浴＜诱螂妷簳r(shí)導(dǎo)通，呈。加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，呈現(xiàn)很小的正向電阻，如同開關(guān)閉合；加反向電壓時(shí)截現(xiàn)很小的正向電阻，如同開關(guān)閉合；加反向電壓時(shí)截止，呈現(xiàn)很大的反向電阻，如同開關(guān)斷開。止，呈現(xiàn)很大的反向電阻，如同開關(guān)斷開。二極管反向擊穿后，不再具有單向?qū)щ娦?。二極管反向擊穿后，不再具有單向?qū)щ娦浴?.2.4 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù)1 1、最大整流電流、最大整流電流 I IF 二極管長期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均二極管長期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。電流。2 2、反向擊穿電壓、反向擊穿電壓U(BR) ：管子反向擊穿時(shí)的電壓值。：管子

17、反向擊穿時(shí)的電壓值。 UR U(BR) 21最高反向工作電壓最高反向工作電壓 UR ：工作時(shí)，允許外加的最：工作時(shí)，允許外加的最大反向電壓。大反向電壓。3 3、反向電流、反向電流 IR未擊穿時(shí)的反向電流。未擊穿時(shí)的反向電流。IR 值愈小，二極管單向?qū)щ娦杂谩Ｖ涤?，二極管單向?qū)щ娦杂谩?duì)溫度敏感。對(duì)溫度敏感。1、理想模型（理想二極管）、理想模型（理想二極管）正向短路正向短路 ，反向斷路。，反向斷路。 二極管的模型二極管的模型（2）恒壓降模型）恒壓降模型（常用）（常用） 反向斷路，正向?qū)ㄇ皵嗦?，?dǎo)通后有反向斷路，正向?qū)ㄇ皵嗦?，?dǎo)通后有恒定壓降，內(nèi)阻為恒定壓降，內(nèi)阻為0。硅管：硅管：0.7

18、V鍺管：鍺管：0.2V電路如圖所示，二極管的導(dǎo)通電壓電路如圖所示，二極管的導(dǎo)通電壓UD約為約為0.7V。試分別估算開關(guān)斷開和閉合時(shí)輸出電壓的數(shù)值。試分別估算開關(guān)斷開和閉合時(shí)輸出電壓的數(shù)值。解：解：開關(guān)斷開時(shí)：開關(guān)斷開時(shí)：UOV1UD5.3V開關(guān)閉合時(shí)：開關(guān)閉合時(shí)：UOV212V例例1：例例2：D6V12V3k BAUAB+例例3:BD16V12V3k AD2UAB+V sin18itu t t 求二極管所在電路輸出電壓或畫輸出波形：求二極管所在電路輸出電壓或畫輸出波形：1.2.5 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)工作于反向擊穿區(qū)。 iuO u穩(wěn)壓管符號(hào)：穩(wěn)壓管符號(hào)：穩(wěn)壓管伏安特

19、性：穩(wěn)壓管伏安特性：+ i陽極陽極陰極陰極DzUzIZIZM注意注意:穩(wěn)壓二極管通常工作在穩(wěn)壓二極管通常工作在反向擊穿區(qū)反向擊穿區(qū)，使用時(shí)應(yīng)串使用時(shí)應(yīng)串入一個(gè)電阻，入一個(gè)電阻，電阻起限流作用，以保證穩(wěn)壓管正常工電阻起限流作用，以保證穩(wěn)壓管正常工作，此電阻被稱作，此電阻被稱為限流電阻為限流電阻。例例5 求通過穩(wěn)壓管的電流求通過穩(wěn)壓管的電流 IZ 等等于多少？于多少？R 是限流電阻，其值是否是限流電阻，其值是否合適？合適？IZVDZ+20 VR = 1.6 k + UZ = 12 V- - IZM = 18 mAIZ VBVE PNP型型 VEVBVC beceRcRbICBOIEICIBIEIB

20、EICE過程：過程：（1 1）發(fā)射）發(fā)射1 1、晶體管內(nèi)部載流子的傳輸過程、晶體管內(nèi)部載流子的傳輸過程（2 2）復(fù)合和擴(kuò)散）復(fù)合和擴(kuò)散（3 3） 收集收集關(guān)系：關(guān)系：IE = IC + IBBCII ECEBBCEIII IB ICUBE0，BCII (3)飽和區(qū)飽和區(qū) (兩結(jié)均正偏兩結(jié)均正偏)UBEUCE ， IB =100 A80 ACCCCRUI 0CE UCCCEUU 例例5 測(cè)得三只晶體管的直流電位如圖測(cè)得三只晶體管的直流電位如圖 (a)、(b)、(c)所示，試判所示，試判斷它們的工作狀態(tài)。斷它們的工作狀態(tài)。解：解：(a) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 - 飽和狀態(tài)飽

21、和狀態(tài) (b) 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏 - 放大狀態(tài)放大狀態(tài) (c) 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 - 截止?fàn)顟B(tài)截止?fàn)顟B(tài)1.3.4 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)ICEO（輸出特性曲線（輸出特性曲線IB0對(duì)應(yīng)）對(duì)應(yīng)） ICBO1 1、直流參數(shù)、直流參數(shù)2 2、交流參數(shù)、交流參數(shù)盡量小盡量小過過損損耗耗區(qū)區(qū)iCuCEOPCM = iCuCE安安全全 工工 作作 區(qū)區(qū)工工 作作 區(qū)區(qū)3 3、極限參數(shù)、極限參數(shù)（1）最大集電極耗散功率）最大集電極耗散功率 PCMPCM = iCuCE常數(shù)常數(shù)（2）最大集電極電流）最大集電極電流 ICM使使 值下降到正常值的值下降

22、到正常值的 的的 iC 。32（3）極間反向擊穿電壓）極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。U(BR)CEO：基極開路，集電極和發(fā)射極間的反向擊穿電壓。：基極開路，集電極和發(fā)射極間的反向擊穿電壓。U(BR)CEOICM溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響1 1、 I ICBO CBO ：溫度每升高溫度每升高1010o oC C，I ICBOCBO增加約增加約1 1倍。倍。2 2、輸入特性：、輸入特性：溫度升高，正向特性左移，反之溫度升高，正向特性左移，反之 右移。右移。3 3、輸出特性：、輸出特性：溫度升高，溫度升高， 值增大值增大( (平行線間平行線間 距變寬距變寬) )。3 D G 11 A用漢語拼音字母表示用漢語拼音字母表示規(guī)格號(hào)規(guī)格號(hào)用數(shù)字表示用數(shù)字表示序號(hào)序號(hào)用字母用字母表示器件的類型型號(hào)如：表示器件的類型型號(hào)如： X低頻小功低頻小功率管、率管、D低頻大功率管、低頻大功率管、 G高頻小功率管、高頻小功率管、A高頻大功率管、高頻大功率管、K開關(guān)管開關(guān)管用字母表示器件的材料如：用字母表示器件的材料如：A為為PNP型型Ge，B為為NPN型型Ge；C為為PNP型