項目一電力電子學(xué)基礎(chǔ)

1、1 1）概念: :電力電子器件（Power Electronic Device） 可直接用于主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。主電路（Main Power Circuit） 電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔電能的變換或控制任務(wù)的電路。2 2）分類: : 電真空器件 (汞弧整流器、閘流管) 半導(dǎo)體器件 (采用的主要材料硅）仍然1.1 電力電子器件的概念和特征電力電子器件電力電子器件能處理電功率的能力，一般遠大于處理信息的電子器件。電力電子器件一般都工作在開關(guān)狀態(tài)。電力電子器件往往需要由信息電子電路來控制。電力電子器件自身的功率損耗遠大于信息電子器件，一般都要安裝散熱器。3）同處理信息的電子

2、器件相比的一般特征：）同處理信息的電子器件相比的一般特征：通態(tài)損耗是器件功率損耗的主要成因。器件開關(guān)頻率較高時，開關(guān)損耗可能成為器件功率損耗的主要因素。主要損耗通態(tài)損耗斷態(tài)損耗開關(guān)損耗關(guān)斷損耗開通損耗 電力電子器件的損耗電力電子器件的損耗電力電子系統(tǒng)：由控制電路、驅(qū)動電路、保護電路 和以電力電子器件為核心的主電路組成。圖2-1 電力電子器件在實際應(yīng)用中的系統(tǒng)組成控制電路檢測電路驅(qū)動電路RL主電路V1V2保護電路在主電路和控制電路中附加一些電路，以保證電力電子器件和整個系統(tǒng)正?？煽窟\行1.1.2 應(yīng)用電力電子器件系統(tǒng)組成電氣隔離控制電路半控型器件（Thyristor） 通過控制信號可以控制其導(dǎo)通

3、而不能控制其關(guān)斷。全控型器件（IGBT,MOSFET) ) 通過控制信號既可控制其導(dǎo)通又可控制其關(guān) 斷，又稱自關(guān)斷器件。不可控器件( (Power Diode) ) 不能用控制信號來控制其通斷, 因此也就不需要驅(qū)動電路。1.1.3 電力電子器件的分類按照器件能夠被控制的程度，分為以下三類：按照器件能夠被控制的程度，分為以下三類：電流驅(qū)動型 通過從控制端注入或者抽出電流來實現(xiàn)導(dǎo)通或者 關(guān)斷的控制。電壓驅(qū)動型 僅通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號就可實現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制。 按照驅(qū)動電路信號的性質(zhì)，分為兩類：按照驅(qū)動電路信號的性質(zhì)，分為兩類：1.2 不可控器件電力二極管一、 半導(dǎo)體(sem

4、iconductor) 自然界中的物質(zhì)，按其導(dǎo)電能力可分為三大類：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。 導(dǎo)電性導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。無雜質(zhì)無雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。1、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？ 導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。 絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原絕緣體惰性氣體

5、、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強，只有在外電場強到一定程度時才可能導(dǎo)子核的束縛力很強，只有在外電場強到一定程度時才可能導(dǎo)電。電。 半導(dǎo)體硅（半導(dǎo)體硅（Si）、鍺（）、鍺（Ge），均為四價元素，它們原），均為四價元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：( (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻) )。摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電 能力明顯改變( (可做成各種不同用途的半導(dǎo) 體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏性：當受到光照時，導(dǎo)電能力明顯變化 ( (可做 成各種光敏元件，如

6、光敏電阻、光敏二極 管、光敏三極管等) )。熱敏性：當環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力顯著增強2 2、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)由于熱運動（熱激發(fā)），具有足由于熱運動（熱激發(fā)），具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為縛而成為自由電子自由電子自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一個空位置，稱為個空位置，稱為空穴空穴 在本征半導(dǎo)體中自由電子與空穴是成對出現(xiàn)的，即自由電子與空穴在本征半導(dǎo)體中自由電子與空穴是成對出現(xiàn)的，即自由電子與空穴的數(shù)目相等。的數(shù)目相等。共價鍵共價鍵 一定溫度下，一定溫度下，自由電子與空穴對自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動的濃度一定

7、；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。 自由電子與空穴相碰同時消失，稱為自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復(fù)合復(fù)合。 在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴對的現(xiàn)象，稱為對的現(xiàn)象，稱為本征激發(fā)本征激發(fā)。載流子載流子 外加電場時，帶負電的自由電外加電場時，帶負電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運動方向相反。由于載流子數(shù)且運動方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。目很少，故導(dǎo)電性很差。 溫度升高，熱運動加劇，載流溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)

8、電性增強。子濃度增大，導(dǎo)電性增強。 熱力學(xué)溫度熱力學(xué)溫度0K時不導(dǎo)電。時不導(dǎo)電。在本征半導(dǎo)體中，在本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴自由電子和空穴都參與導(dǎo)電！都參與導(dǎo)電！3 3、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子運載電荷的粒子稱為運載電荷的粒子稱為載流子載流子。4 4、雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體5磷（磷（P） N型半導(dǎo)體主要靠電子（多型半導(dǎo)體主要靠電子（多數(shù)載流子）導(dǎo)電。數(shù)載流子）導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強，實現(xiàn)導(dǎo)電性可控。強，實現(xiàn)導(dǎo)電性可控。多數(shù)載流子多數(shù)載流子 空穴比未加雜質(zhì)時的數(shù)目空穴比未加雜質(zhì)時的數(shù)目多了？少了？為什么？多了？少了？為什么？1）. N型半

9、導(dǎo)體型半導(dǎo)體-摻入五價元素摻入五價元素2 2）. . P P型半導(dǎo)體-摻入三價元素3硼（硼（B）多數(shù)載流子多數(shù)載流子 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電。型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強導(dǎo)電性越強，空穴為多數(shù)載流子（多子），自由電子為少數(shù)載流子（少子）。 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運動稱為物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動擴散運動。氣。氣體、液體、固體均有之。體、液體、固體均有之。擴散運動擴散運動P區(qū)空穴區(qū)空穴濃度遠高濃度遠高于于N區(qū)。區(qū)。N區(qū)自由電區(qū)自由電子濃度遠高子濃度遠高于于P區(qū)。區(qū)。5、PN結(jié)的形成結(jié)的形成 因電場作用所產(chǎn)生因電場作用所產(chǎn)生的

10、運動稱為的運動稱為漂移運動漂移運動。 參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，達到動態(tài)平衡，就形成了達到動態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。結(jié)。漂移運動漂移運動 由于擴散運動使由于擴散運動使P區(qū)與區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場。內(nèi)電場一方面阻止（多子）擴散運動的進行，另一方內(nèi)電場。內(nèi)電場一方面阻止（多子）擴散運動的進行，另一方面使空穴（少子）從面使空穴（少子）從N區(qū)向區(qū)向P區(qū)、自由電子（少子）從區(qū)、自由電子（少子）從P區(qū)向區(qū)向N 區(qū)運動。區(qū)運動。PN結(jié)加結(jié)加正向電壓正向電壓導(dǎo)通：導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴散運動加耗盡層變窄，擴

11、散運動加劇，由于外電源的作用，形劇，由于外電源的作用，形成擴散電流，成擴散電流，PNPN結(jié)處于導(dǎo)通結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。狀態(tài)。PN結(jié)加結(jié)加反向電壓反向電壓截止：截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動，耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電有利于漂移運動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似流。由于電流很小，故可近似認為其截止。認為其截止。PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦远⒍O管（Diode） 1 1、二極管的組成二極管的組成將將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。點接觸型：點接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小結(jié)面積小，結(jié)電容小故結(jié)允許的電流小故結(jié)允許

12、的電流小最高工作頻率高最高工作頻率高面接觸型：面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大結(jié)面積大，結(jié)電容大故結(jié)允許的電流大故結(jié)允許的電流大最高工作頻率低最高工作頻率低平面型：平面型：結(jié)面積可小、可大結(jié)面積可小、可大小的工作頻率高小的工作頻率高大的結(jié)允許的電流大大的結(jié)允許的電流大反向擊穿電壓U(BR)反向特性UIPN+PN+陰極陽極D定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的，UZIZIZM UZ IZ_+UIO4、特殊二極管-穩(wěn)壓二極管（Stabilivolt）（4）穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ(Izmin)、最大穩(wěn)定電流最大穩(wěn)定電流Izmax（5 5）最大允許功

13、耗maxZZZMIUP （1 1）穩(wěn)定電壓 UZ（2 2）電壓溫度系數(shù) U（%/）（3 3）動態(tài)電阻ZZIUZr 穩(wěn)壓管正常工作( (反向擊穿) )時管子兩端的電壓。5 5、用萬用表檢測二極管在 R 100或 R 1 k 擋測量紅表筆是(表內(nèi)電源)負極， 黑表筆是(表內(nèi)電源)正極。 正反向電阻各測量一次， 測量時手不要接觸引腳。 用指針式萬用表檢測一般硅管一般硅管正向電阻正向電阻為幾千歐，鍺為幾千歐，鍺管正向電阻為幾百歐；管正向電阻為幾百歐；反向電阻反向電阻為為幾百千歐。幾百千歐。 正反向電阻相差不大為劣質(zhì)管。正反向電阻相差不大為劣質(zhì)管。 正反向電阻都是無窮大或零則正反向電阻都是無窮大或零則二

14、極管內(nèi)部斷路或短路。二極管內(nèi)部斷路或短路。 1k 0 0 0結(jié)論： （1）若測得的反向電阻很大（幾百千歐以上），正向電阻很?。◣浊W以下），表明二極管性能良好。 （2）若測得的反向電阻和正向電阻都很小，表明二極管短路，已損壞。 （3）若測得的反向電阻和正向電阻都很大，表明二極管斷路，已損壞。(Transistor) 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如下所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。NPN型PNP型 發(fā)射極，用E或e表示（Emitter）；集電極，用C或c表示（Collector）。 基極，用B或b表示（Base） 發(fā)射結(jié) 集電結(jié)BECIBIEICBECIBIEIC 結(jié)構(gòu)特

15、點：管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高； 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大； 基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+晶體管電流測量數(shù)據(jù)：晶體管電流測量數(shù)據(jù)：集電極電路基極電路常常數(shù)數(shù) B)(CECIufiiC/mAuCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0晶體管的輸出特性曲線 對應(yīng)于一個IB就有一條iC隨uCE變化的曲線，所以晶體管的輸出特性曲線是一組曲線。 輸出特性曲線分為三個工作區(qū)，對應(yīng)晶體管的三種工作狀態(tài)。iC/mAuCE/V100 A80A 60 A 40

16、 A 20 A O 3 6 9 1242.31.531IB =03DG100晶體管的輸出特性曲線iC/mAuCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0截止時, 集電結(jié)也處于反向偏置( (UBC 0),),此時, IB = 0 的曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。IB = 0 時, IC = ICEO( (很小) )。(ICEOIC 0, UCE UCC 。iC/mAuCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0當 UCE 0) )，晶體管工作于飽和狀態(tài)。輸出特性三個區(qū)域的特

17、點輸出特性三個區(qū)域的特點: :(1)(1)放大區(qū)：放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 即：即： I IC C= = I IB B , , 且且 I IC C = = I IB B(2) (2) 飽和區(qū)：飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 即：即：U UCECE U UBEBE ， I IB B I IC C，U UCECE 0.3V0.3V (3) (3) 截止區(qū)：截止區(qū)：發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置于反向偏置. . 即即：UBE UBEIG1IG2-461.3.2 晶閘管的基本特性反向特性類似二極管的反反向特性類似

18、二極管的反向特性。向特性。反向阻斷狀態(tài)時，只有極反向阻斷狀態(tài)時，只有極小的反相漏電流流過。小的反相漏電流流過。當反向電壓達到反向擊穿當反向電壓達到反向擊穿電壓后，可能導(dǎo)致晶閘管電壓后，可能導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。發(fā)熱損壞。圖2-8 晶閘管的伏安特性IG2IG1IG正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM（2）反向特性反向特性2-471.3.2 晶閘管的基本特性1)1) 開通過程開通過程延遲時間延遲時間t td d (0.51.5(0.51.5 s)s)上升時間上升時間t tr r (0.53(0.53 s)s)開通時間開通時間t tgt

19、gt以上兩者之和，以上兩者之和， t tgtgt= =t td d+ + t tr r （2-62-6）100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2)2) 關(guān)斷過程關(guān)斷過程反向阻斷恢復(fù)時間反向阻斷恢復(fù)時間t trrrr正向阻斷恢復(fù)時間正向阻斷恢復(fù)時間t tgrgr關(guān)斷時間關(guān)斷時間t tq q以上兩者之和以上兩者之和t tq q= =t trrrr+ +t tgrgr （2-7)2-7)普通晶閘管的關(guān)斷時間約普通晶閘管的關(guān)斷時間約幾百微秒幾百微秒2） 動態(tài)特性圖2-9 晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形1.3.3 晶閘管的主要參數(shù)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM 在門極斷路而結(jié)溫為

20、額定值時，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓。反向重復(fù)峰值電壓URRM 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。通態(tài)（峰值）電壓UT 晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓。通 常 取 晶 閘 管 的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓額定電壓。選用時，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓23倍。使用注意：使用注意：1）電壓定額電壓定額2-491.3.3 晶閘管的主要參數(shù)通態(tài)平均電流 IT(AV）在環(huán)境溫度為40C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。標稱其額定電流的參數(shù)。使用時應(yīng)按有

21、效值相等的原則來選取晶閘管。維持電流 IH 使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。擎住電流 IL 晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后， 能維持導(dǎo)通所需的最小電流。對同一晶閘管來說，通常IL約為IH的24倍。浪涌電流ITSM指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過載電流 。2 2）電流定額電流定額1.3.3 晶閘管的主要參數(shù) 除開通時間tgt和關(guān)斷時間tq外，還有：斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt 指在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通 態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。 電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會使晶閘管誤導(dǎo)通 。 通態(tài)電流臨界上升率di/dt 指在規(guī)

22、定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。 如果電流上升太快，可能造成局部過熱而使晶閘管損壞。3 3）動態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)1.3.4 晶閘管的派生器件有快速晶閘管和高頻晶閘管。開關(guān)時間以及du/dt和di/dt耐量都有明顯改善。普通晶閘管關(guān)斷時間數(shù)百微秒，快速晶閘管數(shù)十微秒，高頻晶閘管10s左右。高頻晶閘管的不足在于其電壓和電流定額都不易做高。由于工作頻率較高，不能忽略其開關(guān)損耗的發(fā)熱效應(yīng)。1 1）快速晶閘管快速晶閘管（Fast Switching Thyristor FST)1.3.4 晶閘管的派生器件2 2）雙向晶閘管（Triode AC SwitchTRIAC或Bidirect

23、ional triode thyristor）圖2-10 雙向晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可認為是一對反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成。有兩個主電極T1和T2，一個門極G。在第和第III象限有對稱的伏安特性。不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。1.3.4 晶閘管的派生器件3)逆導(dǎo)晶閘管（Reverse Conducting ThyristorRCT）a)KGAb)UOIIG=0圖2-11 逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向壓降小、

24、關(guān)斷時間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等優(yōu)點。1.3.4 晶閘管的派生器件4)光控晶閘管（Light Triggered ThyristorLTT）AGKa)AK光強度強弱b)OUIA圖2-12 光控晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長的光照信號觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間的絕緣，且可避免電磁干擾的影響。因此目前在高壓大功率的場合。 電路結(jié)構(gòu)特點UVWRd共陽極組共陽極組共陰極組共陰極組共陽極組共陽極組 電路結(jié)構(gòu)特點UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4RdEmAeBeCeABCabc原邊形接法副邊Y形接法tUu

25、asin22)120_sin(202tUub)120sin(202tUuc3090區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd3090區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd3090區(qū)間區(qū)間90150區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd90150區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd90150區(qū)間區(qū)間150210區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd150210區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd150210區(qū)間區(qū)間210270區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd210270區(qū)間區(qū)間U

26、VWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd210270區(qū)間區(qū)間270330區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd270330區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd270330區(qū)間區(qū)間33030區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd33030區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4Rd33030區(qū)間區(qū)間 換流規(guī)律 2.1 2.1 單相可控整流電路單相可控整流電路 。TVTR0a)u1u2uVTudidt12ttttu2uguduVT0b)c)d)e)00圖2-1 單相半波可控整流電路及波形圖2-1 單相半波可控整流電路及波形TVTR0a

27、)u1u2uVTudidt12ttttu2uguduVT0b)c)d)e)00工作過程和特點：（1）在U2的正半周，VT承受正向電壓，0t1期間，無觸發(fā)脈沖，VT處于正向阻斷狀態(tài)，UVTU2，Ud=0;（2） t1以后，VT由于觸發(fā)脈沖UG的作用而導(dǎo)通，則Ud=U2, UVT=0,Id=U2/R，一直到時刻；（3） 2期間，U2反向，VT由于承受反向電壓而關(guān)斷,UVT=U2,Ud=0。以后不斷重復(fù)以上過程。特點：為單拍電路，易出現(xiàn)變壓器直流磁化，應(yīng)用較少。 三相可控三相可控電路結(jié)構(gòu)特點UVWRd共陽極組共陽極組共陰極組共陰極組共陽極組共陽極組 電路結(jié)構(gòu)特點UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4R 電路結(jié)構(gòu)特點 =0時電路工作分析 t1t2區(qū)間區(qū)間UVWVT1VT3VT5VT2VT6VT4R