第6章 光敏傳感器.ppt

1、1,第6章 光敏傳感器,2,光敏傳感器構(gòu)成：光源、光學(xué)通路、光電元件。 應(yīng)用： 1、光量變化的非電量； 2、能轉(zhuǎn)換成光量變化的其他非電量。 特點：非接觸、響應(yīng)快、性能可靠。,被測量 的變化,光信號 的變化,電信號 的變化,6.0 引 言,什么是光敏傳感器？,3,光敏傳感器的測量方法可歸納為四種形式。,4,6.1 概 述,6.1.1 光的特性,光波是波長為10106nm的電磁波。,1000,000 nm,10 nm,780 nm,380 nm,可見光,紅外光,紫外光,性質(zhì)：光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性質(zhì)。,5,6.1.2 光源（發(fā)光器件）,1. 白熾光源,最為普通的是用鎢絲通電

2、加熱作為光輻射源。一般白熾燈的輻射光譜是連續(xù)的。 發(fā)光范圍：320 nm2500 nm, 所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信號。 特點：壽命短而且發(fā)熱大、效率低、動態(tài)特性差，但對接收光敏元件的光譜特性要求不高，是可取之處。,6,2. 氣體放電光源,利用電流通過氣體產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象制成的燈即氣體放電燈。,它的光譜是不連續(xù)的，光譜與氣體的種類及放電條件有關(guān)。改變氣體的成分、壓力、陰極材料和放電電流大小，可得到主要在某一光譜范圍的輻射。 汞燈、氫燈、鈉燈、鎘燈、氦燈是光譜儀器中常用的光源，統(tǒng)稱為光譜燈,7,構(gòu)成：由半導(dǎo)體PN結(jié)構(gòu)成。 特點：工作電壓低、響應(yīng)速度快、壽命長、體積小、重量輕，因此獲得了廣

3、泛的應(yīng)用。,3. 發(fā)光二極管（LED）,8,N,P,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,+ +,_ _,原理：,當(dāng)加正向電壓時，勢壘降低，電子由N區(qū)注入到P區(qū)，和P區(qū)里的空穴復(fù)合；空穴則由P區(qū)注入到N區(qū)，和N區(qū)里的電子復(fù)合，這種電子空穴對的復(fù)合同時伴隨著光子的放出，因而發(fā)光。,9,可供制作發(fā)光二極管的材料見下表：,LED材料,10,發(fā)光二極管的光譜特性如圖所示。圖中砷磷化鎵曲線有兩根，這是因為其材質(zhì)成分稍有差異而得到不同的峰值波長p。除峰值波長p決定發(fā)光顏色之外，峰的寬度（用描述）決定光的色彩純度，越小

4、，其光色越純。,11,發(fā)光二極管的光譜特性,12,反向電壓應(yīng)在5V以下!,發(fā)光二極管的伏安特性與普通二極管相似，但隨材料的不同，開啟（點燃）電壓略有差異。紅色約為1.7V開啟，綠色約為2.2V。,砷磷化鎵發(fā)光二極管的伏安曲線,13,4、激光器 激光是20世紀(jì)60年代出現(xiàn)的最重大科技成就之一。具有高方向性、高單色性、高亮度和高的相干性四個重要特性。激光波長一般從0.15m到遠(yuǎn)紅外整個光頻波段范圍。X-射線激光器。,14,激光器種類繁多，按工作物質(zhì)分類： 固體激光器（如紅寶石激光器） 氣體激光器（如氦-氖氣體激光器、二氧化碳激光器） 液體激光器（染料激光器）。 半導(dǎo)體激光器（如砷化鎵激光器）,15

5、,6.2.1 外光電效應(yīng),在光的作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象叫做外光電效應(yīng)。,6.2 光電效應(yīng),兩類：外光電效應(yīng)和內(nèi)光電效應(yīng)。,16,1887年，首先是赫茲（M.Hertz）在證明波動理論實驗中首次發(fā)現(xiàn)的； 1902年，勒納（Lenard)也對其進(jìn)行了研究，指出光電效應(yīng)是金屬中的電子吸收了入射光的能量而從表面逸出的現(xiàn)象。但無法根據(jù)當(dāng)時的理論加以解釋 ； 1905年，愛因斯坦提出了光子假設(shè)。,17,愛因斯坦光電效應(yīng)方程：,1.光電子能否產(chǎn)生，取決于光子的能量是 否大于該物體的表面電子逸出功A。,2. 一定時，產(chǎn)生的光電流和光強成正比。,3.逸出的光電子具有動能。,基于外光電效應(yīng)

6、的光電器件有光電管、光電倍增管。,18,6.2.2 內(nèi)光電效應(yīng) 當(dāng)光照在物體上，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象。分為光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)（光伏效應(yīng)）。,1光電導(dǎo)效應(yīng) 在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導(dǎo)率的變化。,19,自由電子所占能帶,不存在電子所占能帶,價電子所占能帶,hEg,當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上時，若這個光電導(dǎo)體為本征半導(dǎo)體材料，且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導(dǎo)帶上去，使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大。,20,基于這種效應(yīng)的光電器件有光敏電阻。,21,結(jié)光電效應(yīng) 光照射PN結(jié)時，若hEg，使價帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶，而產(chǎn)生電子

7、空穴對，在阻擋層內(nèi)電場的作用下，電子偏向N區(qū)外側(cè)，空穴偏向P區(qū)外側(cè)，使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，形成光生電動勢。,光生伏特效應(yīng)：在光作用下能使物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象。基于該效應(yīng)的器件有光電池、光敏二極管、三極管。,22,側(cè)向光電效應(yīng) 當(dāng)半導(dǎo)體光電器件受光照不均勻時，光照部分產(chǎn)生電子空穴對，載流子濃度比未受光照部分的大，出現(xiàn)了載流子濃度梯度，引起載流子擴散，如果電子比空穴擴散得快，導(dǎo)致光照部分帶正電，未照部分帶負(fù)電，從而產(chǎn)生電動勢，即為側(cè)向光電效應(yīng)。,23,6.3.1光電管及其基本特性,結(jié)構(gòu)與工作原理,6.3外光電效應(yīng)器件,24,主要性能,（1）光電管的伏安特性 在一定的光照射下，對光電器件

8、的陰極所加電壓與陽極所產(chǎn)生的電流之間的關(guān)系稱為光電管的伏安特性。,真空光電管 充氣光電管,25,（2）光電管的光照特性 當(dāng)光電管的陰極和陽極之間所加的電壓一定時，光通量與光電流之間的關(guān)系。,光照特性曲線的斜率稱為光電管的靈敏度。,圖6-1 光電管的光照特性,1-氧銫陰極 2-銻銫陰極,26,(3) 光電管的光譜特性 一般光電陰極材料不同的光電管對應(yīng)不同的紅限頻率，因此它們可用于不同的光譜范圍。 另外，同一光電管對于不同頻率的光的靈敏度不同。以GD-4型光電管為例，陰極是用銻銫材料制成，其紅限c=700nm，對可見光范圍的入射光靈敏度比較高。適用于白光光源，被應(yīng)用于各種光電式自動檢測儀表中。,2

9、7,對紅外光源，常用銀氧銫陰極，構(gòu)成紅外探測器。 對紫外光源，常用銻銫陰極和鎂鎘陰極。,國產(chǎn)光電管的技術(shù)參數(shù),28,由陰極、次陰極（倍增電極）、陽極組成 陰極由半導(dǎo)體光電材料銻銫做成，次陰極是在鎳或銅-鈹?shù)囊r底上涂上銻銫材料形成。次陰極可達(dá)30級。通常為1214級。,使用時在各個倍增電極上均加上電壓，陰極電位最低，以后依次升高，陽極最高。相鄰兩個倍增電極之間有電位差，因此存在加速電場。,6.3.2 光電倍增管及其基本特性,29,30,入射光,陰極K,第一倍增極,第二倍增極,第三倍增極,第四倍增極,陽極A,31,光電倍增管的電流放大倍數(shù)為,如果n個倍增電極二次發(fā)射電子的數(shù)目相同,則in 因此陽極

10、電流為i in,M與所加的電壓有關(guān)。一般陽極和陰極之間的電壓為10002500V，兩個相鄰的倍增電極的電位差為50100V。,主要參數(shù)： 1.倍增系數(shù)M：等于各個倍增電極的2次發(fā)射電子數(shù)i的乘積。,32,一個光子在陰極能夠打出的平均電子數(shù)叫做光電陰極的靈敏度。 一個光子在陽極上產(chǎn) 生的平均電子數(shù)叫光 電倍增管的總靈敏度.,(2) 光電陰極靈敏度和光電管的總靈敏度,最大靈敏度可達(dá) 10A/lm不能受強光照射。,圖6-2 光電倍增管的特性曲線,33,（3）暗電流和本底電流 由于環(huán)境溫度、熱輻射和其它因素的影響，即使沒有光信號輸入，加上電壓后陽極仍有電流，這種電流稱為暗電流。 在其受人眼看不到的宇宙

11、射線的照射后，光電倍增管會有電流信號輸出本底脈沖。,4.光電倍增管的光譜特性 與相同材料的光電管的相似。,34,6.4 內(nèi)光電效應(yīng)器件,6.4.1 光敏電阻,1. 光敏電阻的結(jié)構(gòu)和工作原理,圖10-8 光敏電阻的結(jié)構(gòu)與電路連接,35,如果把光敏電阻連接到外電路中，在外加電壓的作用下，用光照射就能改變電路中電流的大?。?36,光敏電阻具有很高的靈敏度、很好的光譜特性、很長的使用壽命、高度的穩(wěn)定性能、小的體積及工藝簡單，故應(yīng)用廣泛。,當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上時，而且光輻射能量又足夠強，光導(dǎo)材料價帶上的電子將激發(fā)到導(dǎo)帶上去，從而使導(dǎo)帶的電子和價帶的空穴增加，致使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大。,37,2. 光敏電阻

12、的主要參數(shù)和基本特性,（1）暗電阻、暗電流、亮電阻、亮電流、光電流 光敏電阻在未受到光照時的阻值稱為暗電阻，此時流過的電流為暗電流。 在受到光照時的電阻稱為亮電阻，此時的電流稱為亮電流。 亮電流與暗電流之差為光電流。,38,（2）光照特性 用于描述光電流與光照強度之間的關(guān)系。,多數(shù)是非線性的。不宜做線性測量元件，一般用做開關(guān)式的光電轉(zhuǎn)換器。,圖10-9 光敏電阻的光照特性,39,（3）光譜特性,硫化鎘的峰值在可見光(380-780)區(qū)域，硫化鉛的峰值在紅外區(qū)域。故選用時要把元件和光源結(jié)合起來考慮。,圖6-3 光敏電阻的光譜特性,40,(4) 伏安特性,所加的電壓越高，光電流越大，而且沒有飽和的

13、現(xiàn)象。,在給定的電壓下，光電流的數(shù)值將隨光照增強而增大。,圖6-4 光敏電阻的伏安特性,41,（5） 頻率特性,時間常數(shù)：光敏電阻自停止光照起到電流下降為原來的63%所需要的時間。,圖6-5 光敏電阻的頻率特性,多數(shù)光敏電阻的時間常數(shù)都很大。,42,(6) 溫度特性,峰值隨溫度上升向波長短的方向移動。,圖6-6 光敏電阻的光譜溫度特性,43,初制成的光敏電阻，性能不穩(wěn)定。但在人工加溫、光照及加負(fù)載情況下，性能可達(dá)穩(wěn)定。光敏電阻在最初的老化過程中，阻值會有變化，但最后達(dá)到穩(wěn)定值后就不再變化。這是光敏電阻的主要優(yōu)點。 光敏電阻的使用壽命在密封良好、使用合理的情況下幾乎是無限長的。,（7）穩(wěn)定性,4

14、4,6.4.2 光電池,光電池是利用光生伏特效應(yīng)把光直接轉(zhuǎn)變成電能的光電器件。由于它可把太陽能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，因此又稱為太陽能電池。它有較大面積的PN結(jié)，當(dāng)光照射在PN結(jié)上時，在結(jié)的兩端出現(xiàn)電動勢。故光電池是有源元件。,45,光電池有硒光電池、砷化鎵光電池、硅光電池、硫化鉈光電池、硫化鎘光電池等。目前，應(yīng)用最廣、最有發(fā)展前途的是硅光電池和硒光電池。,硅光電池的價格便宜，轉(zhuǎn)換效率高，壽命長，適于接受紅外光。硒光電池的光電轉(zhuǎn)換效率低、壽命短，適于接收可見光。砷化鎵光電池轉(zhuǎn)換效率比硅光電池稍高，光譜響應(yīng)特性與太陽光譜最吻合，且工作溫度最高，更耐受宇宙射線的輻射。適于宇宙飛船、衛(wèi)星、太空探測器等方面應(yīng)

15、用。,46,1. 光電池的結(jié)構(gòu)和工作原理,圖6-7 光電池的結(jié)構(gòu)圖,硅光電池的結(jié)構(gòu)如圖。它是在一塊N型硅片上用擴散的辦法摻入一些P型雜質(zhì)（如硼）形成PN結(jié)。,47,圖6-8 光電池的工作原理示意圖,當(dāng)光照到PN結(jié)區(qū)時，如果光子能量足夠大，將在結(jié)區(qū)附近激發(fā)出電子-空穴對，在N區(qū)聚積負(fù)電荷，P區(qū)聚積正電荷，這樣N區(qū)和P區(qū)之間出現(xiàn)電位差。,若將PN結(jié)兩端用導(dǎo)線連起來，電路中就有電流流過。若將外電路斷開，就可測出光生電動勢。,48,2.基本特性,（）光譜特性,故硒光電池適用于可見光，常用于分析儀器、測量儀表。如用照度計測定光的強度。,硅光電池的光譜峰值在800nm附近，硒的在540nm附近。,圖6-9

16、 光電池的光譜特性,49,(2) 光照特性,不同光照射下有不同光電流和光生電動勢。短路電流在很大范圍內(nèi)與光強成線性關(guān)系。,圖6-10 光電池的光照特性,開路電壓與光強是非線性的，且在2000 lx時趨于飽和。光電池作為測量元件時，應(yīng)把它作為電流源的形式來使用，不宜用作電壓源，且負(fù)載電阻越小越好。,50,(3) 頻率特性,硅光電池有很高的頻率響應(yīng)，可用于高速記數(shù)、有聲電影等方面。,光電池的頻率特性是反映光的交變頻率和光電池輸出電流的關(guān)系。,圖6-11 光電池的頻率特性,51,(4) 溫度特性 主要描述光電池的開路電壓和短路電流隨溫度變化的情況。,開路電壓隨溫度升高而下降的速度較快。 短路電流隨溫

17、度升高而緩慢增加。 因此作測量元件時應(yīng)考慮進(jìn)行溫補。,圖6-12 光電池的溫度特性,52,6.4.3 光敏晶體管,1. 光敏二極管,光敏二極管在電路中一般是處于反向工作狀態(tài)。,光敏二極管的光照特性是線性的，適合檢測等方面的應(yīng)用。,53,54,I,當(dāng)光照射時，光敏二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。,當(dāng)光不照射時，光敏二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。,55,56,2. 光敏三極管,集電結(jié)一邊做得很大，以擴大光的照射面積，且基極一般不接引線。,57,普通三極管,58,IC,基區(qū)很薄，基極一般不接引線；集電極面積較大。,光敏三極管,59,3. 光敏晶體管的主要特性,(1) 光譜特性,存在一個最佳靈敏度波長,60,(2) 伏安特

18、性,與一般晶體管在不同的基極電流時的輸出特 性一樣。只需把光電流看作基極電流即可。,61,(3) 光照特性,故光敏三極管既可做線性轉(zhuǎn)換元件， 也可做開關(guān)元件,近似線性關(guān)系。但光照足夠大時會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象。,62,(4) 溫度特性,溫度變化對光電流的影響很小，對暗電流的影響很大。故電子線路中應(yīng)對暗電流進(jìn)行溫度補償。,63,(5) 頻率特性,減小負(fù)載電阻可以提高響應(yīng)頻率，但將使輸出降低。故使用時要根據(jù)頻率選擇最佳的負(fù)載電阻。硅管的響應(yīng)頻率比鍺管的好。,64,6.5 新型光電傳感器 6.5.1 高速光電二極管 1. PIN結(jié)光電二極管,P、N間加了層很厚的高電阻率 的本征半 導(dǎo)體I。P層做的很薄。 比

19、普通的光電二極管施加較高的反偏壓。,65,入射光照射在P層上， 由于P層很薄，大量的 光被較厚的I層吸收， 激發(fā)較多的載流子形 成光電流；又PIN結(jié) 光電二極管比PN結(jié)光 電二極管施加較高的反偏置電壓，使其耗盡層加寬。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，在交界處形成電子和空穴的濃度差別，因此，N區(qū)的電子要向P區(qū)擴散，P區(qū)空穴向N區(qū)擴散。,圖6-14 PIN光電二極管,66,PIN結(jié)光電二極管仍然具有一般PN結(jié)光電二極管的線性特性。大大減小了漂移時間，因而提高了響應(yīng)速度。,67,2.雪崩式光電二極管（APD）,在PN結(jié)的P區(qū)外增加一層摻雜濃度極高的P +層，且在其上加上高反偏壓。,圖6-15 雪崩式二極管

20、,射入的光被P-N結(jié)吸收后會形成光電流。加大反向偏壓會產(chǎn)生“雪崩”(即光電流成倍地激增)的現(xiàn)象,因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。,注：,68,6.5.2 色敏光電傳感器,不同區(qū)域?qū)Σ煌ㄩL分別具有不同 靈敏度，淺結(jié)對紫外光靈敏度高。,69,6.5.3、光固態(tài)圖象傳感器 由光敏元件陣列和電荷轉(zhuǎn)移器件集合而成。它的核心是電荷轉(zhuǎn)移器件CTD(Charge Transfer Device),最常用的是電荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)。CCD自1970年問世以后，由于它的低噪聲等特點，CCD圖象傳感器廣泛的被應(yīng)用在微光電視攝像、信息存儲和信息處理等方面。,70,當(dāng)

21、向SiO2表面的電極加正偏壓時，P型硅襯底中形成耗盡區(qū)（勢阱），耗盡區(qū)的深度隨正偏壓升高而加大。其中的少數(shù)載流子（電子）被吸收到最高正偏壓電極下的區(qū)域內(nèi)，形成電荷包（勢阱）。對于N型硅襯底的CCD器件，電極加正偏壓時，少數(shù)載流子為空穴。,1CCD的結(jié)構(gòu)和基本原理,71,如何實現(xiàn)電荷定向轉(zhuǎn)移呢？電荷轉(zhuǎn)移的控制方法，非常類似于步進(jìn)電極的步進(jìn)控制方式。也有二相、三相等控制方式之分。下面以三相控制方式為例說明控制電荷定向轉(zhuǎn)移的過程。,P1,P1,P2,P2,P3,P3,P1,P1,P2,P2,P3,P3,P1,P1,P2,P2,P3,P3,P1,P1,P2,P2,P3,P3,(a),1,2,3,t0,

22、t1,t2,t3,t,(b),t=t0,t=t1,t=t2,t=t3,0,電荷轉(zhuǎn)移過程,72,2線型CCD圖像傳感器 由一列光敏元件與一列CCD并行且對應(yīng)的構(gòu)成一個主體,在它們之間設(shè)有一個轉(zhuǎn)移控制柵。當(dāng)入射光照射在光敏元件陣列上,梳狀電極施加高電壓時,光敏元件聚集光電荷,進(jìn)行光積分,光電荷與光照強度和光積分時間成正比。在光積分時間結(jié)束時,轉(zhuǎn)移柵上的電壓提高(平時低電壓),與CCD對應(yīng)的電極也同時處于高電壓狀態(tài)。然后,降低梳狀電極電壓，各光敏元件中所積累的光電電荷并行地轉(zhuǎn)移到移位寄存器中。當(dāng)轉(zhuǎn)移完畢,轉(zhuǎn)移柵電壓降低,梳妝電極電壓回復(fù)原來的高電壓狀態(tài),準(zhǔn)備下一次光積分周期。同時,在電荷耦合移位寄存

23、器上加上時鐘脈沖,將存儲的電荷從CCD中轉(zhuǎn)移,由輸出端輸出,從而讀出電荷圖形。,73,目前，實用的線型CCD圖像傳感器為雙行結(jié)構(gòu)，如圖。單、雙數(shù)光敏元件中的信號電荷分別轉(zhuǎn)移到上、下方的移位寄存器中，然后，在控制脈沖的作用下，自左向右移動，在輸出端交替合并輸出，這樣就形成了原來光敏信號電荷的順序。,74,面型CCD圖像傳感器結(jié)構(gòu),3面型CCD圖像傳感器 由感光區(qū)、信號存儲區(qū)和輸出轉(zhuǎn)移部分組成。,75,76,4、光電耦合器 由一發(fā)光元件和一光電傳感器同時封裝在一個外殼內(nèi)組合而成的轉(zhuǎn)換元件。,絕緣玻璃,發(fā)光二極管,透明絕緣體,光敏三極管,塑料,發(fā)光二極管,光敏三極管,透明樹脂,1） 光電耦合器的結(jié)構(gòu)

24、,采用金屬外殼和玻璃絕緣的結(jié)構(gòu)，在其中部對接，采用環(huán)焊以保證發(fā)光二極管和光敏二極管對準(zhǔn)，以此來提高靈敏度。,(a)金屬密封型,(b)塑料密封型,采用雙列直插式用塑料封裝的結(jié)構(gòu)。管心先裝于管腳上，中間再用透明樹脂固定，具有集光作用，故此種結(jié)構(gòu)靈敏度較高。,77,2. 光電耦合器的組合形式 光電耦合器的組合形式有多種。,(a),(b),(c),(d),光電耦合器的組合形式,該形式結(jié)構(gòu)簡單、成本低，通常用于50kHz以下工作頻率的裝置內(nèi)。,該形式采用高速開關(guān)管構(gòu)成的高速光電耦合器,適用于較高頻率的裝置中。,該組合形式采用了放大三極管構(gòu)成的高傳輸效率的光電耦合器，適用于直接驅(qū)動和較低頻率的裝置中。,該

25、形式采用功能器件構(gòu)成的高速、高傳輸效率的光電耦合器。,78,6.6 光傳感器的應(yīng)用舉例,79,光電開關(guān)結(jié)構(gòu)與外形,80,例1：直射式光電轉(zhuǎn)速傳感器,81,它由開孔圓盤、光源、光敏元件及縫隙板等組成。開孔圓盤的輸入軸與被測軸相連接，光源發(fā)出的光通過開孔圓盤和縫隙板照射到光敏元件上，光敏元件將其轉(zhuǎn)為電信號輸出。 通過測量光敏元件輸出的脈沖頻率，得被測轉(zhuǎn)速 n=f/N n轉(zhuǎn)速； f脈沖頻率； N圓盤孔數(shù)。,82,測速也可以采用反射式：只要用白紙畫上黑道的圓紙貼在旋轉(zhuǎn)體上即可。 其測量電路與透射式相同,83,2、光電池應(yīng)用 光電池主要有兩大類型的應(yīng)用： 作光伏器件使用，利用光伏作用直接將大陽能轉(zhuǎn)換成電能，即太陽能電池。這是全世界范圍內(nèi)人們所追求、探索新能源的一個重要研究課題。太陽能電池已在宇宙開發(fā)、航空、通信設(shè)施、太陽電池地面發(fā)電站、日常生活和交通事業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。 作光電轉(zhuǎn)換器件應(yīng)用，需要光電池具有靈敏度高、響應(yīng)時間短等特性，但不必需要像太陽電池那樣的光電轉(zhuǎn)換效率。這一類光電池需要特殊的制造工藝，主要用于光電檢測和自動控制系統(tǒng)中。 光電池應(yīng)用舉例如下：,84,1）太陽電池電源 太陽電池電源系統(tǒng)主要由太陽電池方陣、蓄電池組、調(diào)節(jié)控制和阻塞二極管組成。如果還需要向交流負(fù)載供電，則加一個直流交流變換器，太陽電池電源系統(tǒng)框圖如下圖。,調(diào)節(jié)控