化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)分析報(bào)告2024年

2024年化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)分析報(bào)告匯報(bào)人：XXX日期：XXX1contents目錄行業(yè)發(fā)展概述行業(yè)環(huán)境分析行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)格局及趨勢(shì)12342Part01行業(yè)發(fā)展概述行業(yè)定義行業(yè)發(fā)展歷程行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈3行業(yè)定義半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和寬禁帶半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），具有電子遷移率高、光電性能好等特點(diǎn)，是當(dāng)前僅次于硅之外最成熟的半導(dǎo)體材料，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、光纖通信、新一代顯示、人工智能、無(wú)人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天方面有廣闊的應(yīng)用前景。寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點(diǎn)，在通信、新能源汽車等領(lǐng)域前景廣闊，但目前成本較高。（注:本文主要討論的化合物半導(dǎo)體為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體）半導(dǎo)體材料的對(duì)比情況半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和寬禁帶半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），具有電子遷移率高、光電性能好等特點(diǎn)，是當(dāng)前僅次于硅之外最成熟的半導(dǎo)體材料，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、光纖通信、新一代顯示、人工智能、無(wú)人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天方面有廣闊的應(yīng)用前景。寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點(diǎn)，在通信、新能源汽車等領(lǐng)域前景廣闊，但目前成本較高。（注:本文主要討論的化合物半導(dǎo)體為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體）半導(dǎo)體材料的對(duì)比情況4行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈化合物半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長(zhǎng)、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)垂直分工格局。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用，其對(duì)于我國(guó)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)及國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展具有重要意義。半導(dǎo)體材料可細(xì)分為襯底、靶材、化學(xué)機(jī)械拋光材料、光刻膠、電子濕化學(xué)品、電子特種氣體、封裝材料等材料，其中襯底是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最核心的材料。襯底由單元素半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體組成，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、磷化銦（lnP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成的半導(dǎo)體?；衔锇雽?dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備屬于芯片制造、封測(cè)的支撐性產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子、軌道交通、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。產(chǎn)業(yè)鏈概述5Part02行業(yè)環(huán)境分析行業(yè)政治環(huán)境行業(yè)經(jīng)濟(jì)環(huán)境行業(yè)社會(huì)環(huán)境行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素6行業(yè)政治環(huán)境近年來(lái)，國(guó)家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位，通過(guò)各種政策持續(xù)大力扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2021年，全國(guó)兩會(huì)發(fā)布《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，提出加強(qiáng)在人工智能、量子計(jì)算、集成電路前沿領(lǐng)域的前瞻性布局；2022年《“十四五”國(guó)家信息化規(guī)劃》提出加快集成電路；2023年《關(guān)于鞏固回升向好趨勢(shì)加力振作工業(yè)經(jīng)濟(jì)的通知》提出加強(qiáng)半導(dǎo)體材料提升工作等。綜合來(lái)看，國(guó)家持續(xù)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推出各項(xiàng)鼓勵(lì)政策，站在國(guó)家戰(zhàn)略高度對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出頂層規(guī)劃，自上而下地進(jìn)行多角度、全方位的扶持，加速產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具體措施包括財(cái)稅政策、研發(fā)項(xiàng)目支持、產(chǎn)業(yè)投資、人才補(bǔ)貼等。7Part03行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)痛點(diǎn)8行業(yè)現(xiàn)狀磷化銦是磷和銦的化合物，磷化銦作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良特性。使用磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長(zhǎng)適宜光纖低損通信、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底可被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。20世紀(jì)90年代以來(lái)，磷化銦技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為主流半導(dǎo)體材料之一。2026年全球磷化銦襯底（折合二英寸）預(yù)計(jì)銷量為1219萬(wàn)片，2019-2026年復(fù)合增長(zhǎng)率為140%；2026年全球磷化銦襯底市場(chǎng)規(guī)模為02億美元，2019-2026年復(fù)合增長(zhǎng)率為142%。砷化鎵是砷與鎵的化合物，砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀(jì)90年代以來(lái)，砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為最成熟的半導(dǎo)體材料之一。2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場(chǎng)銷量約為2,000萬(wàn)片，預(yù)計(jì)到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場(chǎng)銷量將超過(guò)3,500萬(wàn)片；2019年全球砷化鎵襯底市場(chǎng)規(guī)模約為2億美元，預(yù)計(jì)到2025年全球砷化鎵襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到48億美元，2019-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率67%。2019-2026年全球磷化銦和砷化鎵襯底預(yù)計(jì)銷量和市場(chǎng)規(guī)模砷化鎵是砷與鎵的化合物，砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀(jì)90年代以來(lái)，砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為最成熟的半導(dǎo)體材料之一。2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場(chǎng)銷量約為2,000萬(wàn)片，預(yù)計(jì)到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場(chǎng)銷量將超過(guò)3,500萬(wàn)片；2019年全球砷化鎵襯底市場(chǎng)規(guī)模約為2億美元，預(yù)計(jì)到2025年全球砷化鎵襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到48億美元，2019-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率67%。2019-2026年全球磷化銦和砷化鎵襯底預(yù)計(jì)銷量和市場(chǎng)規(guī)模全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)重要機(jī)遇:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈歷史上曾經(jīng)歷過(guò)兩次地域上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次為20世紀(jì)70年代從美國(guó)向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代從日本向韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于向中國(guó)大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移的進(jìn)程之中。目前，半導(dǎo)體材料仍是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移的背景下，中國(guó)大陸作為全球最大的半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場(chǎng)，將有望吸引更多國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)在中國(guó)大陸建廠，將進(jìn)一步提升國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展水平，預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)大陸化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈配套環(huán)境將顯著改善，市場(chǎng)份額占比也將持續(xù)擴(kuò)大。新應(yīng)用產(chǎn)生的新需求帶來(lái)的新機(jī)遇:化合物半導(dǎo)體襯底材料具有優(yōu)異的性能，但長(zhǎng)期受限于下游應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模較小并且自身成本較高，因此其市場(chǎng)規(guī)模遠(yuǎn)低于硅襯底材料。然而，近年來(lái)，化合物半導(dǎo)體出現(xiàn)了多個(gè)新的應(yīng)用領(lǐng)域，為襯底企業(yè)帶來(lái)了增量市場(chǎng)，例如MiniLED、MicroLED、可穿戴設(shè)備傳感器、車載激光雷達(dá)、生物識(shí)別激光器等。該等需求均處于產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程之中，由于化合物襯底市場(chǎng)規(guī)?；鶖?shù)很低，上述每一個(gè)市場(chǎng)的放量均會(huì)對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)帶來(lái)顯著的拉動(dòng)作用。此外，在化合物半導(dǎo)體的固有應(yīng)用領(lǐng)域：基站及數(shù)據(jù)中心的光模塊、智能手機(jī)及基站射頻器件等市場(chǎng)，5G通信、大數(shù)據(jù)及云計(jì)算的快速發(fā)展也帶來(lái)了5G基站建設(shè)、數(shù)據(jù)中心建設(shè)、5G智能手機(jī)更新?lián)Q代的機(jī)遇，體現(xiàn)在半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)均是很大的增長(zhǎng)點(diǎn)。半導(dǎo)體行業(yè)投資過(guò)熱可能產(chǎn)生供需錯(cuò)配以及人才流失:在我國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的過(guò)程中，隨著大量資本涌入，出現(xiàn)了一定程度的投資過(guò)熱，部分企業(yè)的規(guī)模與其技術(shù)水平并不匹配，預(yù)計(jì)未來(lái)低端產(chǎn)品領(lǐng)域可能面臨惡性競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)行業(yè)人才也可能會(huì)因競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高薪聘請(qǐng)而流失。國(guó)家對(duì)于環(huán)保、安全生產(chǎn)的要求不斷提高:2015年，砷化鎵被國(guó)家安監(jiān)局列入了危險(xiǎn)化學(xué)品清單，行業(yè)監(jiān)管政策地不斷趨嚴(yán)要求砷化鎵襯底企業(yè)不斷加強(qiáng)對(duì)原材料、半成品及產(chǎn)成品運(yùn)輸、使用、生產(chǎn)等環(huán)節(jié)的管理，行業(yè)安全生產(chǎn)投入將不斷提高，以確保生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)的合法、合規(guī)性?；衔锇雽?dǎo)體襯底企業(yè)的生產(chǎn)工藝涉及化學(xué)合成工藝、高溫高壓合成工藝、物理切割拋光清洗工藝、提純工藝等，會(huì)產(chǎn)生一定的“三廢”排放。隨著國(guó)家對(duì)于環(huán)境治理標(biāo)準(zhǔn)的不斷提高，以及客戶對(duì)供應(yīng)商產(chǎn)品品質(zhì)的提高，化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)的環(huán)保治理成本也將不斷增長(zhǎng)。9行業(yè)壁壘行業(yè)壁壘技術(shù)壁壘:化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程涉及微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)、電子線路、機(jī)械力學(xué)、熱力學(xué)等諸多學(xué)科，需多種學(xué)科的交叉融合，行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要綜合掌握外延、微細(xì)加工、封裝測(cè)試等多領(lǐng)域技術(shù)或工藝，并加以整合集成。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，技術(shù)門(mén)檻較高。下游產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄等發(fā)展趨勢(shì)以及新技術(shù)、新應(yīng)用領(lǐng)域的大量涌現(xiàn)，對(duì)化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)提出了非常高的技術(shù)要求。行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要擁有豐厚的技術(shù)、工藝經(jīng)驗(yàn)儲(chǔ)備并持續(xù)技術(shù)革新和創(chuàng)新，而且能夠在短期內(nèi)成功開(kāi)發(fā)出多品類、適宜量產(chǎn)的產(chǎn)品，才能在市場(chǎng)上站穩(wěn)腳步。新進(jìn)企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)掌握先進(jìn)技術(shù)，亦難以持續(xù)保持技術(shù)的先進(jìn)性，這些均構(gòu)成了較高的技術(shù)壁壘。人才壁壘:化合物半導(dǎo)體行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)的高技術(shù)門(mén)檻同時(shí)也造就了該行業(yè)的高人才門(mén)檻，企業(yè)的高素質(zhì)的經(jīng)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)和具備持續(xù)創(chuàng)新力的研發(fā)團(tuán)隊(duì)的實(shí)力決定了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。雖然國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的研究人員較多，但相當(dāng)一部分人員往往缺乏對(duì)半化合物半導(dǎo)體尤其是先進(jìn)產(chǎn)品的長(zhǎng)期實(shí)踐和經(jīng)驗(yàn)積累，缺乏成功的實(shí)戰(zhàn)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從理論研究到實(shí)踐操作仍有很大的跨度。而且，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)、新產(chǎn)品推出、產(chǎn)品的售后服務(wù)上，對(duì)生產(chǎn)技術(shù)工人、研發(fā)技術(shù)人才和專業(yè)的營(yíng)銷人才有一定的依賴性，新進(jìn)入企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)招募到足夠的上述人才，這會(huì)對(duì)公司的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品成本、交貨期等產(chǎn)生重大不利影響。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)需要既懂芯片設(shè)計(jì)同時(shí)又懂生產(chǎn)制造工藝、器件可靠性及應(yīng)用的高素質(zhì)人才，這在很大程度上也提高了該行業(yè)企業(yè)的準(zhǔn)入門(mén)檻。資金壁壘:化合物半導(dǎo)體行業(yè)亦屬于資本密集型行業(yè)。從行業(yè)投入設(shè)備看，外延、光刻、蝕刻、離子注入、擴(kuò)散等工序所必須的高技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)加工和測(cè)試設(shè)備主要依靠向歐美、日韓等進(jìn)口，價(jià)格昂貴。從研發(fā)設(shè)計(jì)看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)從購(gòu)買仿真軟件和版圖繪制軟件到光刻版制作、成品封裝測(cè)試、應(yīng)用評(píng)估、可靠性考核都需要大量資金支持。從日常運(yùn)營(yíng)看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)一方面需要龐大的流動(dòng)資金來(lái)用于芯片代工及芯片封裝測(cè)試；另一方面，需要有非常齊全的產(chǎn)品品類來(lái)滿足下游各領(lǐng)域的需求，保持足夠的市場(chǎng)占有率和品牌影響力，這就要求企業(yè)保持較高的營(yíng)運(yùn)資金水平。另外，行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)激烈，對(duì)企業(yè)的研發(fā)投入和人才投入等也有較高的要求。綜上，如果行業(yè)內(nèi)新進(jìn)企業(yè)沒(méi)有持續(xù)性高水平的資金投入，將很難與化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。質(zhì)量管控壁壘:化合物半導(dǎo)體作為內(nèi)嵌于電子整機(jī)產(chǎn)品中的關(guān)鍵零部件之一，在電流、電場(chǎng)、濕度以及溫度等外界應(yīng)力激活的影響下，存在潛在的失效風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而影響電子整機(jī)產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。如果電子整機(jī)產(chǎn)品質(zhì)量和性能未達(dá)到要求，將直接影響下游應(yīng)用領(lǐng)域中高價(jià)值產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，從而造成大量損失。因此，在化合物半導(dǎo)體大批量生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中，對(duì)產(chǎn)品良率、失效率及一致性水平等方面提出了較高要求。實(shí)現(xiàn)精益化生產(chǎn)、擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備、精細(xì)的現(xiàn)場(chǎng)管理以及長(zhǎng)期的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)沉積是行業(yè)內(nèi)企業(yè)確保產(chǎn)品質(zhì)量、性能和可靠性的基本保障。行業(yè)新進(jìn)入者由于缺少長(zhǎng)期的生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)積累以及成熟的質(zhì)量管理體系，短期內(nèi)較難達(dá)到相關(guān)質(zhì)量控制要求?？蛻粽J(rèn)證壁壘:化合物半導(dǎo)體很大程度上影響下游產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，因此通過(guò)客戶嚴(yán)格的認(rèn)證是進(jìn)入本行業(yè)開(kāi)展競(jìng)爭(zhēng)的必要條件。化合物半導(dǎo)體作為電子信息產(chǎn)業(yè)中的一種基礎(chǔ)性元器件，最終應(yīng)用于規(guī)模化的下游廠商，包括消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子等。為了保證產(chǎn)品品質(zhì)及性能的穩(wěn)定性，下游客戶通常對(duì)供應(yīng)商有較嚴(yán)格的認(rèn)證條件，要求供應(yīng)商除了具備行業(yè)內(nèi)較領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)以及穩(wěn)定的量產(chǎn)能力外，還須通過(guò)行業(yè)內(nèi)質(zhì)量管理體系認(rèn)證或下游客戶嚴(yán)格的采購(gòu)認(rèn)證程序，一旦通過(guò)則能與客戶建立起長(zhǎng)期、穩(wěn)定的合作關(guān)系。行業(yè)新進(jìn)入者通過(guò)下游客戶的認(rèn)證需要一定的周期以及較高的條件，這對(duì)新進(jìn)入者形成了較高的壁壘。行業(yè)壁壘化合物半導(dǎo)體行業(yè)亦屬于資本密集型行業(yè)。從行業(yè)投入設(shè)備看，外延、光刻、蝕刻、離子注入、擴(kuò)散等工序所必須的高技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)加工和測(cè)試設(shè)備主要依靠向歐美、日韓等進(jìn)口，價(jià)格昂貴。從研發(fā)設(shè)計(jì)看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)從購(gòu)買仿真軟件和版圖繪制軟件到光刻版制作、成品封裝測(cè)試、應(yīng)用評(píng)估、可靠性考核都需要大量資金支持。從日常運(yùn)營(yíng)看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)一方面需要龐大的流動(dòng)資金來(lái)用于芯片代工及芯片封裝測(cè)試；另一方面，需要有非常齊全的產(chǎn)品品類來(lái)滿足下游各領(lǐng)域的需求，保持足夠的市場(chǎng)占有率和品牌影響力，這就要求企業(yè)保持較高的營(yíng)運(yùn)資金水平。另外，行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)激烈，對(duì)企業(yè)的研發(fā)投入和人才投入等也有較高的要求。綜上，如果行業(yè)內(nèi)新進(jìn)企業(yè)沒(méi)有持續(xù)性高水平的資金投入，將很難與化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)?；衔锇雽?dǎo)體行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)的高技術(shù)門(mén)檻同時(shí)也造就了該行業(yè)的高人才門(mén)檻，企業(yè)的高素質(zhì)的經(jīng)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)和具備持續(xù)創(chuàng)新力的研發(fā)團(tuán)隊(duì)的實(shí)力決定了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。雖然國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的研究人員較多，但相當(dāng)一部分人員往往缺乏對(duì)半化合物半導(dǎo)體尤其是先進(jìn)產(chǎn)品的長(zhǎng)期實(shí)踐和經(jīng)驗(yàn)積累，缺乏成功的實(shí)戰(zhàn)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從理論研究到實(shí)踐操作仍有很大的跨度。而且，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)、新產(chǎn)品推出、產(chǎn)品的售后服務(wù)上，對(duì)生產(chǎn)技術(shù)工人、研發(fā)技術(shù)人才和專業(yè)的營(yíng)銷人才有一定的依賴性，新進(jìn)入企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)招募到足夠的上述人才，這會(huì)對(duì)公司的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品成本、交貨期等產(chǎn)生重大不利影響。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)需要既懂芯片設(shè)計(jì)同時(shí)又懂生產(chǎn)制造工藝、器件可靠性及應(yīng)用的高素質(zhì)人才，這在很大程度上也提高了該行業(yè)企業(yè)的準(zhǔn)入門(mén)檻。資金壁壘人才壁壘技術(shù)壁壘化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程涉及微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)、電子線路、機(jī)械力學(xué)、熱力學(xué)等諸多學(xué)科，需多種學(xué)科的交叉融合，行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要綜合掌握外延、微細(xì)加工、封裝測(cè)試等多領(lǐng)域技術(shù)或工藝，并加以整合集成。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，技術(shù)門(mén)檻較高。下游產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄等發(fā)展趨勢(shì)以及新技術(shù)、新應(yīng)用領(lǐng)域的大量涌現(xiàn)，對(duì)化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)提出了非常高的技術(shù)要求。行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要擁有豐厚的技術(shù)、工藝經(jīng)驗(yàn)儲(chǔ)備并持續(xù)技術(shù)革新和創(chuàng)新，而且能夠在短期內(nèi)成功開(kāi)發(fā)出多品類、適宜量產(chǎn)的產(chǎn)品，才能在市場(chǎng)上站穩(wěn)腳步。新進(jìn)企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)掌握先進(jìn)技術(shù)，亦難以持續(xù)保持技術(shù)的先進(jìn)性，這些均構(gòu)成了較高的技術(shù)壁壘。流通環(huán)節(jié)有待完善化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品種類繁多，消費(fèi)數(shù)量較大，質(zhì)量參差不齊，試劑流通管理難以完善，導(dǎo)致化合物半導(dǎo)體行業(yè)目前在流通領(lǐng)域還面臨許多問(wèn)題。（1）在產(chǎn)品的流通中，許多環(huán)節(jié)缺少安全的冷鏈和冷庫(kù)設(shè)施供應(yīng)。在目前運(yùn)輸多為汽車和鐵路運(yùn)輸?shù)那闆r下，化合物半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)普遍采用運(yùn)輸箱內(nèi)置冰凍袋的冷藏方式，在高溫天氣或長(zhǎng)距離運(yùn)輸?shù)那闆r下無(wú)法確保運(yùn)輸溫度的穩(wěn)定，影響試劑的安全性。（2）監(jiān)管人員技術(shù)水平有待提高。化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品是一種高技術(shù)含量的產(chǎn)品，產(chǎn)品研發(fā)涉及生物學(xué)、信息技術(shù)、電子技術(shù)、工程學(xué)等多項(xiàng)學(xué)科，而目前從事化合物半導(dǎo)體行業(yè)的人員50%以上是工商、質(zhì)檢管理等專業(yè)背景的人員，缺少必要的專業(yè)技術(shù)知識(shí)。知識(shí)背景的不匹配使得管理流程漏洞頻發(fā)，化合物半導(dǎo)體行業(yè)整體監(jiān)管水平有待提高。（3）中間環(huán)節(jié)加價(jià)嚴(yán)重。出于安全的考慮，國(guó)家對(duì)化合物半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)出口標(biāo)準(zhǔn)與流程嚴(yán)格把控，環(huán)節(jié)復(fù)雜，中間環(huán)節(jié)加價(jià)嚴(yán)重，代理公司的介入可能使產(chǎn)品出廠價(jià)格上漲至少一倍以上，導(dǎo)致產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降，阻礙本土化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)的國(guó)際化進(jìn)程。流通環(huán)節(jié)問(wèn)題中間環(huán)節(jié)加價(jià)嚴(yán)重供應(yīng)鏈質(zhì)量監(jiān)管Part04行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及趨勢(shì)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局行業(yè)代表企業(yè)13&&&行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局概述行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局概述中國(guó)政府正大力推動(dòng)社會(huì)資本進(jìn)入化合物半導(dǎo)體行業(yè)，對(duì)化合物半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品需求被迅速拉動(dòng)，需求量呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)進(jìn)軍國(guó)民經(jīng)濟(jì)大產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略窗口期已經(jīng)來(lái)臨?；衔锇雽?dǎo)體行業(yè)各業(yè)態(tài)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，當(dāng)前，市場(chǎng)上50%以上的化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)有外資介入，包括中外獨(dú)（合）資、臺(tái)港澳與境內(nèi)合資、外商獨(dú)資等，純內(nèi)資本土化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)數(shù)目較少，約占化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)總數(shù)的25%。此外，商業(yè)銀行逐步進(jìn)入化合物半導(dǎo)體行業(yè)，興業(yè)銀行、中心銀行、民生銀行等先后成立金融公司，涉足設(shè)備融資租賃業(yè)務(wù)。中國(guó)本土化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)根據(jù)租賃公司股東背景及運(yùn)營(yíng)機(jī)制的不同又可以劃分為廠商系、獨(dú)立系和銀行系三類三類化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)各有優(yōu)劣勢(shì)：（1）化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)具有設(shè)備技術(shù)優(yōu)勢(shì)，主要與母公司設(shè)備銷售聯(lián)動(dòng)，以設(shè)備、耗材的銷售利潤(rùn)覆蓋融資租賃成本；（2）獨(dú)立系化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化程度高，易形成差異化商業(yè)模式，提供專業(yè)化的融資租賃服務(wù)；（3）銀行系化合物半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)背靠銀行股東，能夠以較低成本獲取資金，且在渠道體系等方面具備一定優(yōu)勢(shì)。行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，主要供應(yīng)商包括Sumitomo、北京通美、日本JX、Umicore等。磷化銦單晶批量生長(zhǎng)的技術(shù)主要包括LEC法、VGF法和VB法。北京通美和Sumitomo分別使用VGF和VB技術(shù)可以生長(zhǎng)出直徑6英寸磷化銦單晶，日本JX使用LEC技術(shù)可以生長(zhǎng)出直徑4英寸的磷化銦單晶。砷化鎵晶體主流生長(zhǎng)工藝包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化鎵單晶生產(chǎn)以VB法為主，F(xiàn)reiberger以VGF和LEC法為主，而北京通美則以VGF法為主。目前國(guó)內(nèi)涉及砷化鎵襯底業(yè)務(wù)的公司較少，除北京通美外，廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司等公司在生產(chǎn)LED的砷化鎵襯底方面已具備一定規(guī)模。15行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)化合物半導(dǎo)體襯底尺寸不斷增大:與硅襯底類似，化合物半導(dǎo)體襯底也在不斷向更大尺寸演進(jìn)化合物半導(dǎo)體襯底的直徑越大，在單片襯底上可制造的芯片數(shù)量越多，制造單位芯片的成本也越低。同時(shí)，在圓形的襯底上制造矩形的芯片會(huì)使襯底邊緣處的一些區(qū)域無(wú)法被利用，而襯底的直徑越大，相對(duì)而言襯底邊緣的損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。降低芯片制造成本對(duì)下游芯片和器件企業(yè)而言，也是擴(kuò)大在新興應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的關(guān)鍵因素之一。對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)而言，下游客戶降低制造芯片成本的需求對(duì)擴(kuò)大化合物半導(dǎo)體襯底直徑提出了更高的要求。當(dāng)前，全球