高二物理競賽課件半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)_第1頁
高二物理競賽課件半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)_第2頁
高二物理競賽課件半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)_第3頁
高二物理競賽課件半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)_第4頁
高二物理競賽課件半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)_第5頁
已閱讀5頁，還剩7頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)

半導體的聲子和等離子體的光學性質(zhì)3D聲子極化激元本章將利用非耦合振子模型解釋聲子和等離子體的光學性質(zhì)●光學聲子的本征頻率與波矢依賴光學相當弱.在整個布里淵區(qū)域(第一布里淵邊界約為),光學聲子的本征能量的變化運動方程為在x方向周期電場中，自由載流子滿足的解方程可得電導率為考慮麥克斯韋方程,在

區(qū)域,介電函數(shù)實部小于0,相應折射率為純虛數(shù),反射率接近1.自由電子氣晶格離子●k=0附近，光學聲子和等離子激元空間色散都很弱.其中等離子共振兩者之和晶格離子A.三維材料中的空間色散可以忽略，但是低維系統(tǒng)中不可以忽略。B.如果所有晶格離子頻率都比高（或低）得多,它們對等離子共振的影響都可描述.說明：以用2.對激發(fā)CB空穴費米海簡并電子氣帶內(nèi)激發(fā)（陰影部分),激發(fā)能量較小.

中電子填充到

●電子從低于

躍遷到高于

激發(fā)能量從0至CB寬度，即幾個eV；

波矢:0～2

●對激發(fā)區(qū)域與等離子體區(qū)域相交于

在

區(qū)域,等離子激元能量大于e-h

對激發(fā)能量,集體激發(fā)不能被個別e-h對激發(fā)產(chǎn)生,也不能衰變?yōu)閭€別e-h對激發(fā).

在

區(qū)域,等離子振蕩衰變,只存在對激發(fā).3.等離子激元-縱光學聲子耦合?！癜雽w中

●半金屬以及某些窄帶半導體中,如等離子激元

縱極化電場

縱光學聲子模（可根據(jù)非交叉原理分析）.產(chǎn)生等離子激元-縱光學聲子耦合模上支

和下支

●對于下支

在載流子密度較小時,

的理解：當載流子密度很大時,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論