《單片機》編程題題庫

1-第2頁共3頁《單片機原理及應(yīng)用》編程題題庫六、編程（每題10分）內(nèi)部RAM30H和31H單元中存放著2個0-9的ASCII碼（高位字節(jié)在前），請將其轉(zhuǎn)換為壓縮BCD碼（高位在前）并存入外部RAM2300H單元中。將存放在內(nèi)部RAM30H-35H單元的壓縮型BCD碼轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的ASCII碼，依次存放到外部RAM2100H開始的單元區(qū)中。內(nèi)部RAM20H和30H開始的單元分別存放著16個16進制數(shù)，請將對應(yīng)單元的內(nèi)容相加（不考慮溢出），并將和存入外部RAM2000H開始的單元中。請編寫多字節(jié)無符號數(shù)減法程序。被減數(shù)存放在內(nèi)部RAM20H開始的8個單元中，減數(shù)存放在內(nèi)部RAM30H開始的8個單元，請將差存放到外部RAM2000H開始的8個單元中，借位存放到OV標志中。注意：所有數(shù)據(jù)均按照從低字節(jié)到高字節(jié)的順序存放。內(nèi)部RAM40H和41H單元中存放著2個0-9的ASCII碼（高位字節(jié)在前），請將其轉(zhuǎn)換為壓縮BCD碼（高位在前）并存入外部RAM2000H單元中。將存放在內(nèi)部RAM20H-2FH單元的壓縮型BCD碼(高位在前)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的ASCII碼，依次存放到外部RAM1000H開始的單元區(qū)中。內(nèi)部RAM30H和38H開始的單元分別存放著8個壓縮BCD碼，請將對應(yīng)單元的內(nèi)容相加（不考慮溢出），并將和存入外部RAM1000H開始的單元中。請編寫多字節(jié)無符號數(shù)加法程序。被加數(shù)存放在內(nèi)部RAM20H開始的8個單元中，加數(shù)存放在內(nèi)部RAM30H開始的8個單元，請將和存放到外部RAM2000H開始的8個單元中，進位存放到F0標志中。注意：所有數(shù)據(jù)均按照從低字節(jié)到高字節(jié)的順序存放。兩個8字節(jié)壓縮BCD碼分別存放在內(nèi)部RAM30H和40H開始的連續(xù)單元中（低位字節(jié)在前），請將二者求和（不考慮溢出情況），并將和存入外部RAM1000H開始的單元中。將存放在內(nèi)部RAM20H-2FH單元的十六進制數(shù)轉(zhuǎn)換成ASCII碼，依次存放到外部RAM2000H開始的單元中。內(nèi)部RAM30H和外部RAM2200H開始的單元分別存放著兩個8字節(jié)十六進制數(shù)（低位字節(jié)存放在前），請將二者相加（不考慮溢出情況），并將和存入內(nèi)部RAM40H開始的單元中。請編寫多字節(jié)無符號數(shù)減法程序。被減數(shù)存放在內(nèi)部RAM30H開始的8個單元中，減數(shù)存放在內(nèi)部RAM38H開始的8個單元，請將差存放到外部RAM1000H開始的8個單元中，借位存放到F0標志中。注意：所有數(shù)據(jù)均按照從低字節(jié)到高字節(jié)的順序存放。請編寫多字節(jié)無符號數(shù)減法程序。被減數(shù)存放在內(nèi)部RAM20H開始的16個單元中，減數(shù)存放在內(nèi)部RAM30H開始的16個單元，請將差存放到外部RAM2000H開始的16個單元中，借位存放到OV標志中。注意：所有數(shù)據(jù)均按照從低字節(jié)到高字節(jié)的順序存放。將存放在內(nèi)部RAM20H-3FH單元的壓縮BCD碼轉(zhuǎn)換成ASCII碼，依次存放到外部RAM2300H開始的單元中。（注：每個單元均先轉(zhuǎn)換高四位）將存放在內(nèi)部RAM30H-35H單元的十六進制數(shù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的ASCII碼，依次存放到外部RAM1100H開始的單元區(qū)中。（注：每個字節(jié)轉(zhuǎn)換時先轉(zhuǎn)換高四位）內(nèi)部RAM30H開始的單元中存放著16個0-9的ASCII碼（高位字節(jié)在前），請將其轉(zhuǎn)換為壓縮BCD碼（高位在前）并存入外部RAM1000H開始的單元中。設(shè)有兩個長度為16字節(jié)的一維數(shù)組(數(shù)組的每個元素為1個字節(jié))，分別存放在外部RAM0200H和0300H為首址的存儲區(qū)域中，試編寫程序求其對應(yīng)項之和（不考慮溢出的情況），結(jié)果存放在以0400H為首址的外部RAM中。編程求內(nèi)部RAM中40H～4FH共16個單元中的內(nèi)容的和（結(jié)果為2字節(jié)），并將和放入50H和51H單元中（高8位在50H）。有一個長度為16字節(jié)的ASCII碼字符串存放在外部RAM1000H為首址的存儲區(qū)域中，字符串中的每一個字符均不相同，試編寫程序查找字符串中是否存在ASCII碼“9”。如果在字符串中存在ASCII碼“9”，則將其存儲單元的地址存放到內(nèi)部RAM30H和31H單元中（高8位地址在30H單元中），同時將OV標志位清零。否則，將30H和31H單元的內(nèi)容清零，并將OV標志位置“有兩個8字節(jié)的16進制數(shù)a和b，它們分別存放在內(nèi)部RAM中30H～37H和40H～47H的單元中（高位字節(jié)在前）。請編程求a-b，并將差存入30H開始的內(nèi)部RAM單元中（高位字節(jié)在前）。若差小于零則將F0標志位置“1”若外部RAM的（3000H）=X，（3001H）=Y，編程實現(xiàn)Z=X*X+2Y，并將結(jié)果存到片內(nèi)RAM的40H單元（設(shè)Z＜256)。設(shè)外部RAM2000H單元為數(shù)據(jù)塊的起始地址，數(shù)據(jù)塊長度為10，試編程求數(shù)據(jù)塊中的最小值，存入內(nèi)部RAM30H單元。若外部RAM的（1000H）=X，（1001H）=Y，請編程實現(xiàn)Z=2X+Y*Y+5（設(shè)Z<65536），并將結(jié)果保存到片內(nèi)RAM的30H和31H單元（31H單元存放結(jié)果的高8位，30H單元存放結(jié)果的低8位）。設(shè)外部RAM1000H單元為數(shù)據(jù)塊的起始地址，數(shù)據(jù)塊長度為60字節(jié)，試編程求數(shù)據(jù)塊中所有數(shù)據(jù)的和，并將其存入內(nèi)部RAM30H和31H單元（30H單元存放和的低8位，31H單元存放和的高8位）。若外部RAM的（1000H）=X，內(nèi)部RAM（30H）=Y，請編程實現(xiàn)Z=X*X+3Y+18（設(shè)Z<65536），并將結(jié)果保存到片內(nèi)RAM的40H和41H單元（41H單元存放結(jié)果的高8位，40H單元存放結(jié)果的低8位）。若外部RAM的（1000H）=X，請編程實現(xiàn)Y=X2+2X+1（設(shè)Y<65536），并將結(jié)果保存到片內(nèi)RAM的30H和31H單元（31H單元存放結(jié)果的高8位，30H單元存放結(jié)果的低8位）。設(shè)外部RAM2000H單元為數(shù)據(jù)塊的起始地址，數(shù)據(jù)塊長度為100字節(jié)。假設(shè)在數(shù)據(jù)塊中存在唯一的一個ASCII字符“A”，試編程找到它，并將其在外部RAM的存放地址存入內(nèi)部RAM30H和31H單元中（30H單元存放地址的高8位，31H單元存放地址的低8位）。若內(nèi)部RAM的（20H）=a，外部RAM（1300H）=b，請編程實現(xiàn)y=a2+b2+5（設(shè)y<65536），并將結(jié)果保存到片內(nèi)RAM的30H和31H單元（31H單元存放結(jié)果的高8位，30H單元存放結(jié)果的低8位）。若內(nèi)部RAM的（30H）=X，（31H）=Y，請編程實現(xiàn)Z=X2+5Y（設(shè)Z<65536），并將結(jié)果保存到片外RAM的1000H和1001H單元（1001H單元存放結(jié)果的高8位，1000H單元存放結(jié)果的低8位）。設(shè)內(nèi)部RAM20H單元為數(shù)據(jù)塊的起始地址，數(shù)據(jù)塊長度為32字節(jié)。請將整個數(shù)據(jù)塊求和（共32字節(jié)的數(shù)據(jù)求和，設(shè)和小于65536），并把和存入外部RAM1000H和1001H的單元中（和的高8位存入1001H單元）。若內(nèi)部RAM的（20H）=a，（21H）=b，請編程實現(xiàn)y=a2+b2（設(shè)y<65536），并將結(jié)果保存到片外RAM的2000H和2001H單元（2001H單元存放結(jié)果的高8位，2000H單元存放結(jié)果的低8位）。將內(nèi)部RAM40H為起始地址的32個連續(xù)單元中的十六進制數(shù)轉(zhuǎn)換成ASCⅡ碼存入外部RAM3000H開始的存儲單元中。設(shè)內(nèi)部RAM20H單元為數(shù)據(jù)塊的起始地址，數(shù)據(jù)塊長度為10H，數(shù)據(jù)為8位無符號數(shù)，試編程找出數(shù)據(jù)塊中的最小值，并將其存入40H單元。比較兩個等長ASCII碼字符串是否相等。字符串長度存放在內(nèi)部RAM2FH單元，兩字符串分別存放在內(nèi)部RAM30H和40H開始的單元中。如果兩個字符串相等，則CY=1，否則，CY=0。將MCS51內(nèi)部RAM60H～65H單元存放的12個16進制數(shù)變?yōu)锳SCII碼，存放到0100H單元開始的外部RAM中。將片外數(shù)據(jù)存儲器的2500H單元與2501H單元中的數(shù)據(jù)作十進制加法運算，和送入2503H和2502H單元中，即（2500H）+（2501H）→（2503H）（2502H）。設(shè)單片機的晶體震蕩頻率為12MHz，利用定時器T0編程由P1.2輸出周期為10ms的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作）已知8051單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩頻率為12MHz，請利用定時器T0實現(xiàn)在P1.0引腳上輸出周期為100ms的方波。（要求：采用中斷方式，T0工作在方式1下）設(shè)8031單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶振頻率為12MHz，請利用T0在P1.0和P1.1引腳上輸出頻率為20Hz、互補（兩個波形互為反相）的方波。要求：采用中斷方式，T0工作在方式1。8031單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為12MHz，請利用定時器T0編程實現(xiàn)在P1.7引腳輸出頻率為20Hz的方波。要求：采用中斷方式，T0工作在方式1下。設(shè)單片機的晶體振蕩頻率為12MHz，利用定時器T0編程由P1.0和P1.1輸出周期為10ms、互補（互為反相）的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作）已知8051單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩頻率為12MHz，請利用定時器T1實現(xiàn)在P1.0和P1.1引腳上輸出互補（互為反相）的周期為100ms的方波。（要求：采用中斷方式，T1工作在方式1下）設(shè)8031單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶振頻率為12MHz，請利用T0在P1.0引腳上輸出頻率為20Hz的方波。要求：采用中斷方式，T0工作在方式1。8031單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為12MHz，請利用定時器T1編程實現(xiàn)在P1.6和P1.7引腳輸出互補（互為反相）的、頻率為20Hz的方波。要求：采用中斷方式，T1工作在方式1下。設(shè)單片機的晶體振蕩頻率為6MHz，利用定時器T1編程由P1.6和P1.7輸出周期為500μs、互補（互為反相）的方波。（要求：T1工作在方式2下，采用中斷方式工作）已知8051單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩頻率為12MHz，請利用定時器T1實現(xiàn)在P1.0和P1.1引腳上輸出互補（互為反相）的周期為2ms的方波。（要求：采用中斷方式，T1工作在方式2下）設(shè)8031單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶振頻率為12MHz，請利用T1在P1.0引腳上輸出頻率為1Hz的方波。要求：采用中斷方式，T1工作在方式1。8051單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為6MHz，請利用定時器T1編程實現(xiàn)在P1.0和P1.1引腳輸出互補（互為反相）的、頻率為20Hz的方波。要求：采用中斷方式，T1工作在方式2下。8751單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為12MHz，請利用定時器T0編程實現(xiàn)在P1.7引腳輸出頻率為20Hz的方波。要求：采用中斷方式，T0工作在方式1下。設(shè)8051單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶振頻率為12MHz，請利用T1在P1.0和P1.1引腳上輸出頻率為20Hz、互補（兩個波形互為反相）的方波。要求：采用中斷方式，T1工作在方式1。已知8051單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩頻率為12MHz，請利用定時器T0實現(xiàn)在P1.0引腳上輸出頻率為2kHz的方波。（要求：采用中斷方式，T0工作在方式2下）設(shè)單片機的晶體振蕩頻率為12MHz，利用定時器T0編程由P1.0輸出周期為1秒的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作）設(shè)單片機的晶體振蕩頻率為6MHz，利用定時器T0編程由P1.0和P1.1輸出周期為1s、互補（互為反相）的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作）8031單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為6MHz，請利用定時器T0編程實現(xiàn)在P1.0引腳輸出頻率為0.1Hz的方波。要求：采用中斷方式，T0工作在方式1下。設(shè)單片機的晶體振蕩頻率為3MHz，利用定時器T0編程由P1.6和P1.7輸出周期為10s、互補（互為反相）的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作）89C51單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為12MHz，請利用定時器T1編程實現(xiàn)在P1.0引腳輸出頻率為2Hz的方波。要求：T1采用中斷方式工作，工作在方式1下。設(shè)單片機的晶體振蕩頻率為12MHz，P1.0接有一個共陰極驅(qū)動方式連接的發(fā)光二極管。現(xiàn)要求利用定時器T1編程使該發(fā)光二極管每10秒鐘點亮一次，每次點亮時間為1秒。（要求：T1工作在方式1下，采用中斷方式工作，在中斷服務(wù)程序中控制發(fā)光二極管的亮與滅）89C51單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為6MHz，單片機的P1.7引腳接有一個共陽極驅(qū)動方式連接的發(fā)光二極管，請利用定時器T0編程實現(xiàn)使該發(fā)光二極管點亮1秒鐘，熄滅1秒鐘的循環(huán)。（要求：T0采用中斷方式工作，工作在方式1下，在中斷服務(wù)程序中控制發(fā)光二極管的亮與滅。）已知89C51單片機的晶體振蕩頻率為3MHz，請編程從P1.0和P1.1口輸出互補的（即互為反相）、周期為2秒的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作，在中斷服務(wù)程序中控制P1.0和P1.1的輸出）89C51單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為6MHz，單片機的P1.0引腳接有一個共陰極驅(qū)動方式連接的發(fā)光二極管，請利用定時器T1編程實現(xiàn)使該發(fā)光二極管點亮2秒鐘，熄滅3秒鐘的循環(huán)。（要求：T1采用中斷方式工作，工作在方式1下，在中斷服務(wù)程序中控制發(fā)光二極管的亮與滅。）已知89C51單片機的晶體振蕩頻率為24MHz，請編程從P1.6和P1.7口輸出互補的（即互為反相）、頻率為500Hz的方波。（要求：T1工作在方式1下，采用中斷方式工作，在中斷服務(wù)程序中控制P1.6和P1.7的輸出）已知89C51單片機的晶體振蕩頻率為12MHz，請編程從P1.0口輸出頻率為50Hz的方波。（要求：T0工作在方式2下，采用中斷方式工作，在中斷服務(wù)程序中控制P1.0的輸出）89C51單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為3MHz，請編程實現(xiàn)從單片機的P1.0引腳輸出25Hz方波。（要求：T1采用中斷方式工作，工作在方式2下，在中斷服務(wù)程序中控制P1.0的輸出。）已知89C51單片機的晶體振蕩頻率為24MHz，請編程從P1.0和P1.1口輸出互補的（即互為反相）、頻率為100Hz的方波。（要求：T1工作在方式2下，采用中斷方式工作，在中斷服務(wù)程序中控制P1.0和P1.1的輸出）已知89C51單片機的晶體振蕩頻率為24MHz，請編程從P1.0口輸出頻率為2Hz的方波。（要求：T0工作在方式1下，采用中斷方式工作，在中斷服務(wù)程序中控制P1.0的輸出）89C51單片機應(yīng)用系統(tǒng)的晶體振蕩器頻率為24MHz，請編程實現(xiàn)從單片機的P1.3引腳輸出100Hz方波。（要求：T1采用中斷方式工作，工作在方式2下，在中斷服務(wù)程序中控制P1.3的