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半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)一、什么是半導(dǎo)體(semiconductor)?
帶隙
電阻率二、半導(dǎo)體的主要特征:
溫度對(duì)半導(dǎo)體的影響
雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體電阻率的影響
光照對(duì)半導(dǎo)體的影響
三、半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域
LED照明
IC
光電器件半導(dǎo)體-一個(gè)充滿前途的領(lǐng)域!半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1.1半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶1.3半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴1.5回旋共振1.6硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)*1.7Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)*1.8Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)*1.9Si1-xGex合金的能帶*1.10寬禁帶半導(dǎo)體材料
一、晶體結(jié)構(gòu)
晶體的基本特點(diǎn)組成晶體的原子按一定的規(guī)律周期性重復(fù)排列而成固定的熔點(diǎn)硅的溶點(diǎn):1420oC,鍺的熔點(diǎn):941oC
單晶具有方向性:各向異性理想晶體是由全同的結(jié)構(gòu)單元在空間無限重復(fù)而構(gòu)成的;結(jié)構(gòu)單元組成:?jiǎn)蝹€(gè)原子(銅、鐵等簡(jiǎn)單晶體)多個(gè)原子或分子(NaCd2,1192個(gè)原子組成最小結(jié)構(gòu)單元;蛋白質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)單元往往由上萬了原子或分子組成);晶體結(jié)構(gòu)用點(diǎn)陣來描述,在點(diǎn)陣的每個(gè)陣點(diǎn)上附有一群原子;這樣一個(gè)原子群成為基元;基元在空間重復(fù)就形成晶體結(jié)構(gòu)。
基元和晶體結(jié)構(gòu)
每個(gè)陣點(diǎn)上附加一個(gè)基元,就構(gòu)成晶體結(jié)構(gòu);每個(gè)基元的組成、位形和取向都是全同的;相對(duì)一個(gè)陣點(diǎn),將基元放在何處是無關(guān)緊要的;
基元中的原子數(shù)目,可以少到一個(gè)原子,如許多金屬和惰性氣體晶體;也可以有很多個(gè)(超過1000個(gè))
晶胞與初基晶胞(原胞)
晶胞:能完整反映晶體內(nèi)部原子或離子在三維空間分布之化學(xué)-結(jié)構(gòu)特征的平行六面體單元。通過適當(dāng)平移操作,晶胞可以填充整個(gè)空間初級(jí)晶胞(原胞):晶體中最小重復(fù)單元一個(gè)初基晶胞是一個(gè)體積最小的晶胞初基晶胞中的原子數(shù)目(密度)都是一樣的初基晶胞中只含有一個(gè)陣點(diǎn)(平行六面體的8個(gè)角隅,1/8共享)原胞往往不能反映晶體的對(duì)稱性,晶胞一般不是最小的重復(fù)單元。其體積(面積)可以是原胞的數(shù)倍
晶胞:a,b,c軸圍成的六面體原胞:a1,a2,a3圍成的六面體
三維點(diǎn)陣的類型
平行六面體的三個(gè)棱長(zhǎng)a、b、c和及其夾角α、β、γ,可決定平行六面體尺寸和形狀,這六個(gè)量亦稱為
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