雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度教學(xué)課件_第1頁
雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度教學(xué)課件_第2頁
雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度教學(xué)課件_第3頁
雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度教學(xué)課件_第4頁
雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度教學(xué)課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩85頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度--解決雜質(zhì)摻入后的影響34.1雜質(zhì)能級上的電子和空穴能帶中的能級:可以容納自旋方向相反的兩個電子雜質(zhì)能級:只能容納某個自旋方向的電子第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率能否用式下式?f(E)=E-E1+expkT第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布電子占據(jù)施主能級的概率f(e)(3-35)EkoT空穴占據(jù)受主能級的概率是fA(E)(3-36)1+expKoT第三章半導(dǎo)體中鹽流子的統(tǒng)計分布AcceptorElectrons十+++●+-DonorAcceptor可描述施受主雜質(zhì)能級被電子占據(jù)的情況:(1)施主雜質(zhì)能級上電子濃度n(未電離施主濃度n,=Npfp(E)=NpexpkTE-E1+第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布(2)受主能級上的空穴濃度PA(未電離受主濃度)PA=NA(E)=NaE-EkoT(3-38)·Donor.AcceptorElectrons++++++●+DonorAcceptor

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論