SPICE模型的導(dǎo)入及仿真

ADSSPICE模型的導(dǎo)入及仿真SPICE模型的導(dǎo)入打開一個(gè)新的原理圖編輯視窗，暫時(shí)不用保存也不要為原理圖命名。導(dǎo)入SPICE模型：11223選擇要導(dǎo)入的SPICE模型文件選擇要導(dǎo)入的SPICE模型文件4導(dǎo)入完成！導(dǎo)入完成！已經(jīng)導(dǎo)入了：bfp640.dsnchip_bfp640.dsnsot343_bfp640.dsn等文件。新建一個(gè)原理圖，命名為“BFP640_all”，利用剛導(dǎo)入的SPICE文件并對(duì)照下載的SPICE文件附帶的原理圖進(jìn)行連接：附帶的原理圖附帶的原理圖文件描述元件名稱Q文件描述元件名稱Q在下拉菜單中選擇ADS內(nèi)建模型SYM_BJT_NPN選擇元件封裝單擊【OK】按鈕，保存新的設(shè)置并自動(dòng)關(guān)閉對(duì)話框；6、最后，單擊【Save】按鈕保存原理圖，電路符號(hào)就創(chuàng)建完成。二、直流仿真1、在ADS主視窗下單擊【File】→【Newdesign】，在彈出的對(duì)話框中輸入新原理圖名稱“BFP640_DC1”,并選擇“BJT_curve_tracer”設(shè)計(jì)模版，如下圖所示：?jiǎn)螕簟綩K】按鈕后，將彈出已經(jīng)帶有DC仿真控件的原理圖。2、單擊【ComponentLibraryList】圖標(biāo)，在彈出的對(duì)話框中，點(diǎn)選我們?cè)O(shè)置好的“BFP640_all”元件，放置到原理圖窗口中。連接好各端口后，即可進(jìn)行DC仿真，如下圖所示：3、單擊【Simulate】按鈕進(jìn)行DC仿真，仿真結(jié)束后將彈出DataDisplay窗口?！癇JT_curve_tracer”設(shè)計(jì)模版中包含顯示模版，所以仿真結(jié)束后已有相關(guān)的DC仿真結(jié)果參數(shù)，如下所示：我們選擇在VCE=2V，IC=20mA的直流工作點(diǎn)下進(jìn)行其他的設(shè)計(jì)。4、直流工作點(diǎn)仿真4.1、保存當(dāng)前的原理圖，并另存為一個(gè)新的原理圖“BFP640_DC_Bias”。4.2、刪除參數(shù)掃描控件“PARAMETERSWEEP”,和顯示模版。將“VAR”控件下的“VCE”更改為我們需要的“VCE=2V”，更改“DC”控件下的掃描參數(shù)為“IBB”，開始為10uA,結(jié)束為200uA，步進(jìn)為1uA。插入B極節(jié)點(diǎn)電壓線符號(hào)“VBE”。4.3、設(shè)置完后可單擊【Simulate】按鈕進(jìn)行仿真。設(shè)計(jì)完的原理圖如下所示：仿真結(jié)束后，在【palette】下打開【List】并插入VCE和IC.i參數(shù)。從仿真結(jié)果我們可以看到使得IC.i為20mA 的IBB和VBE值得：我們選擇用5V電壓為該NPN管配置直流偏置，可以計(jì)算偏置網(wǎng)絡(luò)出Rc和Rb的值。插入方程，并新打開一個(gè)“List”列表，如下所示：可以看出直流偏置網(wǎng)絡(luò)下，Rc=150Ohm和Rb=11.6K時(shí)使IC約為20mA。6、帶有偏置網(wǎng)絡(luò)的直流工作點(diǎn)仿真6.1、保存當(dāng)前原理圖，并以新的設(shè)計(jì)名“BFP640_DC_BiasNetwork”另存該原理圖；6.2、刪除I_Probe，I_DC和IBB，并添加Rc=150Ohm和Rb=11.6K，更改VCE=5V。如下所示：6.3、單擊菜單欄“Simulate”下的【SimulationSetup】，取消“OpenDataDisplaywhensimulationcompletes”選項(xiàng)前的勾，仿真完成后，不會(huì)自動(dòng)打來DataDisplay窗口。6.4、單擊【Simulate】按鈕進(jìn)行仿真，仿真結(jié)束后，單擊菜單欄“Simulate”下的【AnnotateDCSolution】，將在原理圖的各節(jié)點(diǎn)顯示電流和電壓值。從仿真結(jié)果可知，IC=19.9mA，VCE=2.0V,IBB=96.6uA，VBE=879mV。以上直流偏置網(wǎng)絡(luò)仿真結(jié)果，滿足設(shè)計(jì)要求。三、穩(wěn)定性系數(shù)及S參數(shù)仿真1、以設(shè)計(jì)名“BFP640_S_Parameter”另