微電子器件與IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-第2版,劉剛,陳濤,課后答案1

課后習(xí)題答案為什么經(jīng)典物理無(wú)法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)？在量子力學(xué)中又是用什么方法來(lái)描述的？解：在經(jīng)典物理中，粒子和波是被區(qū)分的。然而，電子和光子是微觀粒子，具有波粒二象性。因此，經(jīng)典物理無(wú)法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)。在量子力學(xué)中，粒子具有波粒二象性，其能量和動(dòng)量是通過(guò)這樣一個(gè)常數(shù)來(lái)與物質(zhì)波的頻率和波矢建立聯(lián)系的，即上述等式的左邊描述的是粒子的能量和動(dòng)量，右邊描述的則是粒子波動(dòng)性的頻率和波矢。1.2量子力學(xué)中用什么來(lái)描述波函數(shù)的時(shí)空變化規(guī)律？解：波函數(shù)是空間和時(shí)間的復(fù)函數(shù)。與經(jīng)典物理不同的是，它描述的不是實(shí)在的物理量的波動(dòng)，而是粒子在空間的概率分布，是一種幾率波。如果用表示粒子的德布洛意波的振幅，以表示波的強(qiáng)度，那么，t時(shí)刻在r附近的小體積元中檢測(cè)到粒子的概率正比于。1.3試從能帶的角度說(shuō)明導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體在導(dǎo)電性能上的差異。解：如圖1.3所示，從能帶的觀點(diǎn)來(lái)看，半導(dǎo)體和絕緣體都存在著禁帶，絕緣體因其禁帶寬度較大(6~7eV)，室溫下本征激發(fā)的載流子近乎為零，所以絕緣體室溫下不能導(dǎo)電。半導(dǎo)體禁帶寬度較小，只有1~2eV，室溫下已經(jīng)有一定數(shù)量的電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶。所以半導(dǎo)體在室溫下就有一定的導(dǎo)電能力。而導(dǎo)體沒(méi)有禁帶，導(dǎo)帶與價(jià)帶重迭在一起，或者存在半滿帶，因此室溫下導(dǎo)體就具有良好的導(dǎo)電能力。1.4為什么說(shuō)本征載流子濃度與溫度有關(guān)？解：本征半導(dǎo)體中所有載流子都來(lái)源于價(jià)帶電子的本征激發(fā)。由此產(chǎn)生的載流子稱為本征載流子。本征激發(fā)過(guò)程中電子和空穴是同時(shí)出現(xiàn)的，數(shù)量相等，。對(duì)于某一確定的半導(dǎo)體材料，其本征載流子濃度為式中，NC，NV以及Eg都是隨著溫度變化的，所以，本征載流子濃度也是隨著溫度變化的。1.5什么是施主雜質(zhì)能級(jí)？什么是受主雜質(zhì)能級(jí)？它們有何異同？解：當(dāng)半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì)后，在其導(dǎo)帶底的下方，距離導(dǎo)帶底很近的范圍內(nèi)可以引入局域化的量子態(tài)能級(jí)。該能級(jí)位于禁帶中，稱之為施主雜質(zhì)能級(jí)。同理，當(dāng)半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì)后，在其價(jià)帶頂?shù)纳戏?，距離價(jià)帶頂很近的范圍內(nèi)也可引入局域化的受主雜質(zhì)能級(jí)。施主能級(jí)距離導(dǎo)帶底很近，施主雜質(zhì)電離后，施主能級(jí)上的電子躍遷進(jìn)入導(dǎo)帶，其結(jié)果向?qū)峁﹤鲗?dǎo)電流的準(zhǔn)自由電子；而受主能級(jí)距離價(jià)帶頂很近，受主雜質(zhì)電離后，價(jià)帶頂?shù)碾娮榆S遷進(jìn)入受主能級(jí)，其結(jié)果向價(jià)帶提供傳導(dǎo)電流的空穴。1.6試比較N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體的異同。解：對(duì)同種材料制作的不同型號(hào)的半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，具有以下相同點(diǎn)：二者都具有相同的晶格結(jié)構(gòu)，相同的本征載流子濃度，都對(duì)溫度很敏感。不同點(diǎn)是，N型半導(dǎo)體所摻雜質(zhì)是施主雜質(zhì)，主要是靠電子導(dǎo)電，電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子：而P型半導(dǎo)體所摻雜質(zhì)是受主雜質(zhì)，主要靠空穴導(dǎo)電，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。1.7從能帶的角度說(shuō)明雜質(zhì)電離的過(guò)程。解：雜質(zhì)能級(jí)距離主能帶很近，其電離能一般都遠(yuǎn)小于禁帶寬度。因此，雜質(zhì)能級(jí)與主能帶之間的電子躍遷也比較容易完成。以施主雜質(zhì)為例，施主能級(jí)上的電子就是被該施主原子束縛著的電子。它在室溫下吸收晶格振動(dòng)的能量或光子的能量（只要其能量高于雜質(zhì)的電離能）后，就可以掙脫施主原子核對(duì)它的束縛，躍遷進(jìn)入導(dǎo)帶成為準(zhǔn)自由電子。這一過(guò)程稱之為雜質(zhì)電離。電離以后的雜質(zhì)帶有正電荷，電離以前的雜質(zhì)是電中性的。1.8什么是遷移率？什么是擴(kuò)散系數(shù)？二者有何關(guān)系？解：遷移率是描述載流子在電場(chǎng)作用下輸運(yùn)能力的一個(gè)物理量；擴(kuò)散系數(shù)是描述載流子在其濃度梯度作用下輸運(yùn)能力的物理量。二者可以通過(guò)以下愛因斯坦關(guān)系建立聯(lián)系：1.9說(shuō)明載流子的兩種輸運(yùn)機(jī)制，并比較它們的異同。解：載流子的輸運(yùn)機(jī)制可分為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)兩種。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是在半導(dǎo)體中存在載流子的濃度梯度時(shí)，高濃度一邊的載流子將會(huì)向低濃度一邊輸運(yùn)。這種運(yùn)動(dòng)稱為載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的強(qiáng)弱與濃度梯度的大小成正比，即與載流子的分布梯度有關(guān)。漂移運(yùn)動(dòng)是半導(dǎo)體中的載流子在電場(chǎng)力作用下的定向運(yùn)動(dòng)。其強(qiáng)弱只與電場(chǎng)的大小成正比，與載流子的分布沒(méi)有關(guān)系。1.10什么是費(fèi)米能級(jí)？什么是準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)？二者有何差別？解：在熱平衡條件下，半導(dǎo)體中能量為E的能級(jí)被電子占據(jù)的幾率f(E)服從費(fèi)米-狄拉克分布式中的EF就是費(fèi)米能級(jí)。它是一個(gè)描述半導(dǎo)體電子系統(tǒng)中電子填充能帶水平的標(biāo)志性參數(shù)，也稱為熱平衡系統(tǒng)的化學(xué)勢(shì)。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)是半導(dǎo)體系統(tǒng)在非平衡條件下（如關(guān)照或有電注入下），有非平衡載流子存在時(shí)，為了描述導(dǎo)帶電子在導(dǎo)帶各能級(jí)上的分布以及價(jià)帶空穴在價(jià)帶各個(gè)能級(jí)上的分布而引入的一個(gè)參考量。其大小也反映了電子和空穴填充能帶的水平。值得注意的是，一個(gè)能帶內(nèi)消除非平衡的影響僅僅需要，而少子壽命約為。所以，在非平衡載流子存在的絕大部分時(shí)間內(nèi)主能帶的電子都處于平衡分布。1.11什么是擴(kuò)散長(zhǎng)度？擴(kuò)散長(zhǎng)度與非平衡少數(shù)載流子壽命有何關(guān)系？解：擴(kuò)散長(zhǎng)度是描述載流子濃度隨著擴(kuò)散深度增加而衰減的特征長(zhǎng)度。擴(kuò)散長(zhǎng)度與非平衡少數(shù)載流子壽命的關(guān)系如下：1.12簡(jiǎn)述半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電機(jī)理。解：半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理與金屬是不同的。金屬中只有一種載流子（電子）參與導(dǎo)電，而半導(dǎo)體中同時(shí)有兩種載流子（電子和空穴）參與導(dǎo)電。本征半導(dǎo)體中導(dǎo)電的載流子是由于本征激發(fā)而產(chǎn)生的電子和空穴。它們是同時(shí)出現(xiàn)的，且，兩種載流子對(duì)電流的貢獻(xiàn)相同。但是，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中往往有，或者，存在著多數(shù)載流子和少數(shù)載流子。所以，多數(shù)載流子對(duì)電流的貢獻(xiàn)占據(jù)主要地位，而少數(shù)載流子對(duì)電流的貢獻(xiàn)卻可以忽略不計(jì)。習(xí)題11.1計(jì)算速度為的自由電子的德布洛意波長(zhǎng)。解：1.2如果在單晶硅中分別摻入的磷和的硼，試計(jì)算300K時(shí)，電子占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)的概率。根據(jù)計(jì)算結(jié)果檢驗(yàn)常溫下雜質(zhì)幾乎完全電離的假設(shè)是否正確。解：查表可知，磷作為硅晶體中的施主雜質(zhì)，其電離能為,硼作為硅晶體中的受主雜質(zhì)，其電離能為。于是有能級(jí)為ED的量子態(tài)被被電子占據(jù)的幾率為上述結(jié)果說(shuō)明，施主能級(jí)上的電子幾乎全部電離。能級(jí)為EA的量子態(tài)被空穴占據(jù)的幾率為上述計(jì)算結(jié)果說(shuō)明受主能級(jí)上的空穴幾乎全部被電離。1.3硅中的施主雜質(zhì)濃度最高為多少時(shí)材料是非簡(jiǎn)并的。解：若假設(shè)非簡(jiǎn)并的條件為, 那么，非簡(jiǎn)并時(shí)導(dǎo)帶電子濃度為非簡(jiǎn)并時(shí)，最高施主雜質(zhì)濃度為1.4某單晶硅樣品中每立方厘米摻有個(gè)硼原子，試計(jì)算時(shí)該樣品的準(zhǔn)自由電子濃度、空穴濃度以及費(fèi)米能級(jí)。如果摻入的是磷原子它們又是多少？解：硼原子摻入硅晶體中可以引入受主雜質(zhì)，材料是P型半導(dǎo)體：該樣品的空穴是多子，其濃度為電子是少子，其濃度為費(fèi)米能級(jí)為即費(fèi)米能級(jí)在本征費(fèi)米能級(jí)的下方0.299eV處。1.5某硅單晶樣品中摻有的硼、的磷和鎵，試分析該材料是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體？準(zhǔn)自由電子和空穴濃度各為多少？解：由硼、磷、鎵摻入硅中分別成為受主、施主和受主，它們?cè)诠杈w中引入的雜質(zhì)濃度依次為、、由于，即受主原子總數(shù)大于施主原子總數(shù)，所以該材料是P型半導(dǎo)體。此時(shí)，硅材料中空穴濃度為準(zhǔn)自由電子濃度為1.6有兩塊單晶硅樣品，它們分別摻有的硼和磷，試計(jì)算300K時(shí)這兩塊樣品的電阻率，并說(shuō)明為什么N型硅的導(dǎo)電性比同等摻雜的P型硅好。解：查P.22圖1.4.2可得空穴遷移率，電子遷移率于是，摻硼的單晶硅電阻率為摻磷的單晶硅電阻率為因?yàn)殡娮拥倪w移率大于空穴的遷移率，所以在其它條件不變的情況下，N型硅的導(dǎo)電性較P型硅的導(dǎo)電性高。1.7實(shí)驗(yàn)測(cè)出某均勻摻雜N型硅的電阻率為，試估算施主雜質(zhì)濃度。解：本查P.301附錄A可得，再查P.22圖1.4.2可得電子的遷移率為。則施主雜質(zhì)的濃度為1.8假設(shè)有一塊摻有施主雜質(zhì)的硅樣品，其截面積為，長(zhǎng)度為。如果在樣品兩端加上5V電壓，通過(guò)樣品的電流有多大？電子電流與空穴電流的比值是多少？解：摻有施主雜質(zhì)濃度的硅樣品，其電子濃度為，再查P.22可得電子的遷移率，于是，該材料的電導(dǎo)率為在該樣品兩端加上5V電壓后的電場(chǎng)強(qiáng)度為于是，電子電流密度為如果在樣品兩端加上5V電壓，通過(guò)樣品的電流為平衡空穴濃度為再查P.22圖1.4.2可得空穴遷移率為，于是電子電流與空穴電流的比值為1.9有一塊摻雜濃度為的N型硅樣品，如果在的范圍內(nèi)，空穴濃度從線性降低到，求空穴的擴(kuò)散電流密度。解：查P.22圖1.4.2可得當(dāng)時(shí)，，所以1.10光照射在一塊摻雜濃度為的N型硅樣品上，假設(shè)光照引起的載流子產(chǎn)生率為，求少數(shù)載流子濃度和電阻率，并畫出光照前后的能帶圖。已知，，，。解：，少數(shù)載流子濃度為電導(dǎo)率為電阻率為1.11寫出下列狀態(tài)下連續(xù)性方程的簡(jiǎn)化形式：（1）無(wú)濃度梯度、無(wú)外加電場(chǎng)、有光照、穩(wěn)態(tài)；（2）無(wú)外加電場(chǎng)、無(wú)光照等外因引起載流子的產(chǎn)生，穩(wěn)態(tài)。解：以P型半導(dǎo)體為例，電子為少數(shù)載流子，完整的連續(xù)性方程為無(wú)濃度梯度、無(wú)外加電場(chǎng)、有光照、穩(wěn)態(tài)情況下上式可以簡(jiǎn)化為因?yàn)闊o(wú)濃度梯度，所以含有濃度梯度的項(xiàng)均等于零，即因?yàn)闊o(wú)外加電場(chǎng)，所以，含有電場(chǎng)的項(xiàng)也為零，即又因?yàn)橛泄庹?，所以產(chǎn)生率G不等于零；因?yàn)橛懻摰氖欠€(wěn)態(tài)情況，所以，載流子濃度不隨時(shí)間變化同理，無(wú)外加電場(chǎng)、無(wú)光照等外因引起載流子的產(chǎn)生，穩(wěn)態(tài)情況下連續(xù)性方程可以簡(jiǎn)化為對(duì)于空穴來(lái)說(shuō)，根據(jù)空穴的連續(xù)性方程，作相應(yīng)的簡(jiǎn)化，同樣可以得到（1）和（2）。\

附錄資料：不需要的可以自行刪除電腦故障檢測(cè)卡代碼表

1、特殊代碼"00"和"ff"及其它起始碼有三種情況出現(xiàn)：

①已由一系列其它代碼之后再出現(xiàn)："00"或"ff"，則主板ok。

②如果將cmos中設(shè)置無(wú)錯(cuò)誤，則不嚴(yán)重的故障不會(huì)影響bios自檢的繼續(xù)，而最終出現(xiàn)"00"或"ff"。

③一開機(jī)就出現(xiàn)"00"或"ff"或其它起始代碼并且不變化則為主板沒(méi)有運(yùn)行起來(lái)。

2、本表是按代碼值從小到大排序，卡中出碼順序不定。

3、未定義的代碼表中未列出。

4、對(duì)于不同bios（常用ami、award、phoenix）用同一代碼代表的意義不同，因此應(yīng)弄清您所檢測(cè)的電腦是屬于哪一種類型的bios，您可查閱您的電腦使用手冊(cè)，或從主板上的bios芯片上直接查看，也可以在啟動(dòng)屏幕時(shí)直接看到。

5、有少數(shù)主板的pci槽只有一部分代碼出現(xiàn)，但isa槽有完整自檢代碼輸出。且目前已發(fā)現(xiàn)有極個(gè)別原裝機(jī)主板的isa槽無(wú)代碼輸出，而pci槽則有完整代碼輸出，故建議您在查看代碼不成功時(shí)，將本雙槽卡換到另一種插槽試一下。另外，同一塊主板的不同pci槽，有的槽有完整代碼送出，如dell810主板只有靠近c(diǎn)pu的一個(gè)pci槽有完整代碼顯示，一直變化到"00"或"ff"，而其它pci槽走到"38"后則不繼續(xù)變化。

6、復(fù)位信號(hào)所需時(shí)間isa與pci不一定同步，故有可能isa開始出代碼，但pci的復(fù)位燈還不熄，故pci代碼停要起始代碼上。

代碼對(duì)照表

00.已顯示系統(tǒng)的配置；即將控制INI19引導(dǎo)裝入。

01處理器測(cè)試1，處理器狀態(tài)核實(shí),如果測(cè)試失敗，循環(huán)是無(wú)限的。處理器寄存器的測(cè)試即將開始，不可屏蔽中斷即將停用。CPU寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或者失敗。

02確定診斷的類型（正常或者制造）。如果鍵盤緩沖器含有數(shù)據(jù)就會(huì)失效。停用不可屏蔽中斷；通過(guò)延遲開始。CMOS寫入／讀出正在進(jìn)行或者失靈。

03清除8042鍵盤控制器，發(fā)出TESTKBRD命令（AAH）通電延遲已完成。ROMBIOS檢查部件正在進(jìn)行或失靈。

04使8042鍵盤控制器復(fù)位，核實(shí)TESTKBRD。鍵盤控制器軟復(fù)位／通電測(cè)試?？删幊涕g隔計(jì)時(shí)器的測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

05如果不斷重復(fù)制造測(cè)試1至5，可獲得8042控制狀態(tài)。已確定軟復(fù)位／通電；即將啟動(dòng)ROM。DMA初如準(zhǔn)備正在進(jìn)行或者失靈。

06使電路片作初始準(zhǔn)備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁(yè)面寄存器和CMOS停機(jī)字節(jié)。已啟動(dòng)ROM計(jì)算ROMBIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。DMA初始頁(yè)面寄存器讀／寫測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

07處理器測(cè)試2，核實(shí)CPU寄存器的工作。ROMBIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發(fā)出BAT（基本保證測(cè)試）命令。.

08使CMOS計(jì)時(shí)器作初始準(zhǔn)備，正常的更新計(jì)時(shí)器的循環(huán)。已向鍵盤發(fā)出BAT命令，即將寫入BAT命令。RAM更新檢驗(yàn)正在進(jìn)行或失靈。

09EPROM檢查總和且必須等于零才通過(guò)。核實(shí)鍵盤的基本保證測(cè)試，接著核實(shí)鍵盤命令字節(jié)。第一個(gè)64KRAM測(cè)試正在進(jìn)行。

0A使視頻接口作初始準(zhǔn)備。發(fā)出鍵盤命令字節(jié)代碼，即將寫入命令字節(jié)數(shù)據(jù)。第一個(gè)64KRAM芯片或數(shù)據(jù)線失靈，移位。

0B測(cè)試8254通道0。寫入鍵盤控制器命令字節(jié)，即將發(fā)出引腳23和24的封鎖／解鎖命令。第一個(gè)64KRAM奇／偶邏輯失靈。

0C測(cè)試8254通道1。鍵盤控制器引腳23、24已封鎖／解鎖；已發(fā)出NOP命令。第一個(gè)64KRAN的地址線故障。

0D1、檢查CPU速度是否與系統(tǒng)時(shí)鐘相匹配。2、檢查控制芯片已編程值是否符合初設(shè)置。3、視頻通道測(cè)試，如果失敗，則鳴喇叭。已處理NOP命令；接著測(cè)試CMOS停開寄存器。第一個(gè)64KRAM的奇偶性失靈

0E測(cè)試CMOS停機(jī)字節(jié)。CMOS停開寄存器讀／寫測(cè)試；將計(jì)算CMOS檢查總和。初始化輸入／輸出端口地址。

0F測(cè)試擴(kuò)展的CMOS。已計(jì)算CMOS檢查總和寫入診斷字節(jié)；CMOS開始初始準(zhǔn)備。.

10測(cè)試DMA通道0。CMOS已作初始準(zhǔn)備，CMOS狀態(tài)寄存器即將為日期和時(shí)間作初始準(zhǔn)備。第一個(gè)64KRAM第0位故障。

11測(cè)試DMA通道1。CMOS狀態(tài)寄存器已作初始準(zhǔn)備，即將停用DMA和中斷控制器。第一個(gè)64DKRAM第1位故障。

12測(cè)試DMA頁(yè)面寄存器。停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器并使端口B作初始準(zhǔn)備。第一個(gè)64DKRAM第2位故障。

13測(cè)試8741鍵盤控制器接口。視頻顯示器已停用，端口B已作初始準(zhǔn)備；即將開始電路片初始化／存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)。第一個(gè)64DKRAM第3位故障。

14測(cè)試存儲(chǔ)器更新觸發(fā)電路。電路片初始化／存儲(chǔ)器處自動(dòng)檢測(cè)結(jié)束；8254計(jì)時(shí)器測(cè)試即將開始。第一個(gè)64DKRAM第4位故障。

15測(cè)試開頭64K的系統(tǒng)存儲(chǔ)器。第2通道計(jì)時(shí)器測(cè)試了一半；8254第2通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第5位故障。

16建立8259所用的中斷矢量表。第2通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；8254第1通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第6位故障。

17調(diào)準(zhǔn)視頻輸入／輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。第1通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；8254第0通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第7位故障。

18測(cè)試視頻存儲(chǔ)器，如果安裝選用的視頻BIOS通過(guò)，由可繞過(guò)。第0通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；即將開始更新存儲(chǔ)器。第一個(gè)64DKRAM第8位故障。

19測(cè)試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。已開始更新存儲(chǔ)器，接著將完成存儲(chǔ)器的更新。第一個(gè)64DKRAM第9位故障。

1A測(cè)試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。正在觸發(fā)存儲(chǔ)器更新線路，即將檢查15微秒通／斷時(shí)間。第一個(gè)64DKRAM第10位故障。

1B測(cè)試CMOS電池電平。完成存儲(chǔ)器更新時(shí)間30微秒測(cè)試；即將開始基本的64K存儲(chǔ)器測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第11位故障。

1C測(cè)試CMOS檢查總和。.第一個(gè)64DKRAM第12位故障。

1D調(diào)定CMOS配置。.第一個(gè)64DKRAM第13位故障。

1E測(cè)定系統(tǒng)存儲(chǔ)器的大小，并且把它和CMOS值比較。.第一個(gè)64DKRAM第14位故障。

1F測(cè)試64K存儲(chǔ)器至最高640K。.第一個(gè)64DKRAM第15位故障。

20測(cè)量固定的8259中斷位。開始基本的64K存儲(chǔ)器測(cè)試；即將測(cè)試地址線。從屬DMA寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

21維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入／輸出通道的檢查）。通過(guò)地址線測(cè)試；即將觸發(fā)奇偶性。主DMA寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

22測(cè)試8259的中斷功能。結(jié)束觸發(fā)奇偶性；將開始串行數(shù)據(jù)讀／寫測(cè)試。主中斷屏蔽寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

23測(cè)試保護(hù)方式8086虛擬方式和8086頁(yè)面方式?；镜?4K串行數(shù)據(jù)讀／寫測(cè)試正常；即將開始中斷矢量初始化之前的任何調(diào)節(jié)。從屬中斷屏蔽存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

24測(cè)定1MB以上的擴(kuò)展存儲(chǔ)器。矢量初始化之前的任何調(diào)節(jié)完成，即將開始中斷矢量的初始準(zhǔn)備。設(shè)置ES段地址寄存器注冊(cè)表到內(nèi)存高端。

25測(cè)試除頭一個(gè)64K之后的所有存儲(chǔ)器。完成中斷矢量初始準(zhǔn)備；將為旋轉(zhuǎn)式斷續(xù)開始讀出8042的輸入／輸出端口。裝入中斷矢量正在進(jìn)行或失靈。

26測(cè)試保護(hù)方式的例外情況。讀出8042的輸入／輸出端口；即將為旋轉(zhuǎn)式斷續(xù)開始使全局?jǐn)?shù)據(jù)作初始準(zhǔn)備。開啟A20地址線；使之參入尋址。

27確定超高速緩沖存儲(chǔ)器的控制或屏蔽RAM。全1數(shù)據(jù)初始準(zhǔn)備結(jié)束；接著將進(jìn)行中斷矢量之后的任何初始準(zhǔn)備。鍵盤控制器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

28確定超高速緩沖存儲(chǔ)器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。完成中斷矢量之后的初始準(zhǔn)備；即將調(diào)定單色方式。CMOS電源故障／檢查總和計(jì)算正在進(jìn)行。

29.已調(diào)定單色方式，即將調(diào)定彩色方式。CMOS配置有效性的檢查正在進(jìn)行。

2A使鍵盤控制器作初始準(zhǔn)備。已調(diào)定彩色方式，即將進(jìn)行ROM測(cè)試前的觸發(fā)奇偶性。置空64K基本內(nèi)存。

2B使磁碟驅(qū)動(dòng)器和控制器作初始準(zhǔn)備。觸發(fā)奇偶性結(jié)束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調(diào)節(jié)。屏幕存儲(chǔ)器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

2C檢查串行端口，并使之作初始準(zhǔn)備。完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM并加以控制。屏幕初始準(zhǔn)備正在進(jìn)行或失靈。

2D檢測(cè)并行端口，并使之作初始準(zhǔn)備。已完成任選的視頻ROM控制，即將進(jìn)行視頻ROM回復(fù)控制之后任何其他處理的控制。屏幕回掃測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

2E使硬磁盤驅(qū)動(dòng)器和控制器作初始準(zhǔn)備。從視頻ROM控制之后的處理復(fù)原；如果沒(méi)有發(fā)現(xiàn)EGA／VGA就要進(jìn)行顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試。檢測(cè)視頻ROM正在進(jìn)行。

2F檢測(cè)數(shù)學(xué)協(xié)處理器，并使之作初始準(zhǔn)備。沒(méi)發(fā)現(xiàn)EGA／VGA；即將開始顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試。.

30建立基本內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存。通過(guò)顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試；即將進(jìn)行掃描檢查。認(rèn)為屏幕是可以工作的。

31檢測(cè)從C800：0至EFFF：0的選用ROM，并使之作初始準(zhǔn)備。顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試或掃描檢查失敗，即將進(jìn)行另一種顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試。單色監(jiān)視器是可以工作的。

32對(duì)主板上COM／LTP／FDD／聲音設(shè)備等I／O芯片編程使之適合設(shè)置值。通過(guò)另一種顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試；卻將進(jìn)行另一種顯示器掃描檢查。彩色監(jiān)視器（40列）是可以工作的。

33.視頻顯示器檢查結(jié)束；將開始利用調(diào)節(jié)開關(guān)和實(shí)際插卡檢驗(yàn)顯示器的關(guān)型。彩色監(jiān)視器（80列）是可以工作的。

34.已檢驗(yàn)顯示器適配器；接著將調(diào)定顯示方式。計(jì)時(shí)器滴答聲中斷測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。35.完成調(diào)定顯示方式；即將檢查BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)。停機(jī)測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

36.已檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)；即將調(diào)定通電信息的游標(biāo)。門電路中A－20失靈。

37.識(shí)別通電信息的游標(biāo)調(diào)定已完成；即將顯示通電信息。保護(hù)方式中的意外中斷。

38.完成顯示通電信息；即將讀出新的游標(biāo)位置。RAM測(cè)試正在進(jìn)行或者地址故障＞FFFFH。

39.已讀出保存游標(biāo)位置，即將顯示引用信息串。.

3A.引用信息串顯示結(jié)束；即將顯示發(fā)現(xiàn)信息。間隔計(jì)時(shí)器通道2測(cè)試或失靈。

3B用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲(chǔ)器作初始準(zhǔn)備。已顯示發(fā)現(xiàn)＜ESC＞信息；虛擬方式，存儲(chǔ)器測(cè)試即將開始。按日計(jì)算的日歷時(shí)鐘測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

3C建立允許進(jìn)入CMOS設(shè)置的標(biāo)志。.串行端口測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

3D初始化鍵盤／PS2鼠標(biāo)／PNP設(shè)備及總內(nèi)存節(jié)點(diǎn)。.并行端口測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

3E嘗試打開L2高速緩存。.數(shù)學(xué)協(xié)處理器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。

40.已開始準(zhǔn)備虛擬方式的測(cè)試；即將從視頻存儲(chǔ)器來(lái)檢驗(yàn)。調(diào)整CPU速度，使之與外圍時(shí)鐘精確匹配。

41中斷已打開，將初始化數(shù)據(jù)以便于0：0檢測(cè)內(nèi)存變換（中斷控制器或內(nèi)存不良）從視頻存儲(chǔ)器檢驗(yàn)之后復(fù)原；即將準(zhǔn)備描述符表。系統(tǒng)插件板選擇失靈。

42顯示窗口進(jìn)入SETUP。描述符表已準(zhǔn)備好；即將進(jìn)行虛擬方式作存儲(chǔ)器測(cè)試。擴(kuò)展CMOSRAM故障。

43若是即插即用BIOS，則串口、并口初始化。進(jìn)入虛擬方式；即將為診斷方式實(shí)現(xiàn)中斷。.44.已實(shí)現(xiàn)中斷（如已接通診斷開關(guān)；即將使數(shù)據(jù)作初始準(zhǔn)備以檢查存儲(chǔ)器在0：0返轉(zhuǎn)。）BIOS中斷進(jìn)行初始化。

45初始化數(shù)學(xué)協(xié)處理器。數(shù)據(jù)已作初始準(zhǔn)備；即將檢查存儲(chǔ)器在0：0返轉(zhuǎn)以及找出系統(tǒng)存儲(chǔ)器的規(guī)模。.

46.測(cè)試存儲(chǔ)器已返回；存儲(chǔ)器大小計(jì)算完畢，即將寫入頁(yè)面來(lái)測(cè)試存儲(chǔ)器。檢查只讀存儲(chǔ)器ROM版本。

47.即將在擴(kuò)展的存儲(chǔ)器試寫頁(yè)面；即將基本640K存儲(chǔ)器寫入頁(yè)面。

48.已將基本存儲(chǔ)器寫入頁(yè)面；即將確定1MB以上的存儲(chǔ)器。視頻檢查，CMOS重新配置。

49.找出1BM以下的存儲(chǔ)器并檢驗(yàn)；即將確定1MB以上的存儲(chǔ)器。.

4A.找出1MB以上的存儲(chǔ)器并檢驗(yàn)；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。進(jìn)行視頻的初始化。

4B.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)的檢驗(yàn)結(jié)束，即將檢查＜ESC＞和為軟復(fù)位清除1MB以上的存儲(chǔ)器。.4C.清除1MB以上的存儲(chǔ)器(軟復(fù)位)即將清除1MB以上的存儲(chǔ)器.屏蔽視頻BIOSROM。.4D。已清除1MB以上的存儲(chǔ)器（軟復(fù)位）；將保存存儲(chǔ)器的大小。.

4E若檢測(cè)到有錯(cuò)誤；在顯示器上顯示錯(cuò)誤信息，并等待客戶按＜F1＞鍵繼續(xù)。開始存儲(chǔ)器的測(cè)試：（無(wú)軟復(fù)位）；即將顯示第一個(gè)64K存儲(chǔ)器的測(cè)試。顯示版權(quán)信息。

4F讀寫軟、硬盤數(shù)據(jù)，進(jìn)行DOS引導(dǎo)。開始顯示存儲(chǔ)器的大小，正在測(cè)試存儲(chǔ)器將使之更新；將進(jìn)行串行和隨機(jī)的存儲(chǔ)器測(cè)試。.

50將當(dāng)前BIOS監(jiān)時(shí)區(qū)內(nèi)的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存儲(chǔ)器測(cè)試；即將高速存儲(chǔ)器的大小以便再定位和掩蔽。將CPU類型和速度送到屏幕。

51.測(cè)試1MB以上的存儲(chǔ)器。.

52所有ISA只讀存儲(chǔ)器ROM進(jìn)行初始化，最終給PCI分配IRQ號(hào)等初始化工作。已完成1MB以上的存儲(chǔ)器測(cè)試；即將準(zhǔn)備回到實(shí)址方式。進(jìn)入鍵盤檢測(cè)。

53如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、并口和設(shè)置時(shí)種值。保存CPU寄存器和存儲(chǔ)器的大小，將進(jìn)入實(shí)址方式。.

54.成功地開啟實(shí)址方式；即將復(fù)原準(zhǔn)備停機(jī)時(shí)保存的寄存器。掃描“打擊鍵”

55.寄存器已復(fù)原，將停用門電路A－20的地址線。.

56.成功地停用A－20的地址線；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。鍵盤測(cè)試結(jié)束。

57.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查了一半；繼續(xù)進(jìn)行。.

58.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)檢查結(jié)束；將清除發(fā)現(xiàn)＜ESC＞信息。非設(shè)置中斷測(cè)試。

59.已清除＜ESC＞信息；信息已顯示；即將開始DMA和中斷控制器的測(cè)試。.

5A..顯示按“F2”鍵進(jìn)行設(shè)置。

5B..測(cè)試基本內(nèi)存地址。

5C..測(cè)試640K基本內(nèi)存。

60設(shè)置硬盤引導(dǎo)扇區(qū)病毒保護(hù)功能。通過(guò)DMA頁(yè)面寄存器的測(cè)試；即將檢驗(yàn)視頻存儲(chǔ)器。測(cè)試擴(kuò)展內(nèi)存。

61顯示系統(tǒng)配置表。視頻存儲(chǔ)器檢驗(yàn)結(jié)束；即將進(jìn)行DMA＃1基本寄存器的測(cè)試。.

62開始用中斷19H進(jìn)行系統(tǒng)引導(dǎo)。通過(guò)DMA＃1基本寄存器的測(cè)試；即將進(jìn)行DMA＃2寄存器的測(cè)試。測(cè)試擴(kuò)展內(nèi)存地址線。

63.通過(guò)DMA＃2基本寄存器的測(cè)試；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。.

64.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查了一半，繼續(xù)進(jìn)行。.

65.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查結(jié)束；將把DMA裝置1和2編程。.

66.DMA裝置1和2編程結(jié)束；即將使用59號(hào)中斷控制器作初始準(zhǔn)備。Cache注冊(cè)表進(jìn)行優(yōu)化配置。

67.8259初始準(zhǔn)備已結(jié)束；即將開始鍵盤測(cè)試。.

68..使外部Cache和CPU內(nèi)部Cache都工作。

6A..測(cè)試并顯示外部Cache值。

6C..顯示被屏蔽內(nèi)容。

6E..顯示附屬配置信息。

70..檢測(cè)到的錯(cuò)誤代碼送到屏幕顯示。

72..檢測(cè)配置有否錯(cuò)誤。

74..測(cè)試實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

76..掃查鍵盤錯(cuò)誤。

7A..鎖鍵盤。

7C..設(shè)置硬件中斷矢量。

7E..測(cè)試有否安裝數(shù)學(xué)處理器。

80.鍵盤測(cè)試開始，正在清除和檢查有沒(méi)有鍵卡住，即將使鍵盤復(fù)原。關(guān)閉可編程輸入／輸出設(shè)備。

81.找出鍵盤復(fù)原的錯(cuò)誤卡住的鍵；即將發(fā)出鍵盤控制端口的測(cè)試命令。.

82.鍵盤控制器接口測(cè)試結(jié)束，即將寫入命令字節(jié)和使循環(huán)緩沖器作初始準(zhǔn)備。檢測(cè)和安裝固定RS232接口（串口）。

83.已寫入命令字節(jié)，已完成全局?jǐn)?shù)據(jù)的初始準(zhǔn)備；即將檢查有沒(méi)有鍵鎖住。.

84.已檢查有沒(méi)有鎖住的鍵，即將檢查存儲(chǔ)器是否與CMOS失配。檢測(cè)和安裝固定并行口。85.已檢查存儲(chǔ)器的大?。患磳@示軟錯(cuò)誤和口令或旁通安排。.

86.已檢查口令；即將進(jìn)行旁通安排前的編程。重新打開可編程I／O設(shè)備和檢測(cè)固定I／O是否有沖突。

87.完成安排前的編程；將進(jìn)行CMOS安排的編程。.

88.從CMOS安排程序復(fù)原清除屏幕；即將進(jìn)行后面的編程。初始化BIOS數(shù)據(jù)區(qū)。

89.完成安排后的編程；即將顯示通電屏幕信息。.

8A.顯示頭一個(gè)屏幕信息。進(jìn)行擴(kuò)展BIOS數(shù)據(jù)區(qū)初始化。

8B.顯示了信息：即將屏蔽主要和視頻BIOS。.

8C.成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開始CMOS后的安排任選項(xiàng)的編程。進(jìn)行軟驅(qū)控制器初始化。

8D.已經(jīng)安排任選項(xiàng)編程，接著檢查滑了鼠和進(jìn)行初始準(zhǔn)備。.

8E.檢測(cè)了滑鼠以及完成初始準(zhǔn)備；即將把硬、軟磁盤復(fù)位。.

8F.軟磁盤已檢查，該磁碟將作初始準(zhǔn)備，隨后配備軟磁碟。.

90.軟磁碟配置結(jié)束；將測(cè)試硬磁碟的存在。硬盤控制器進(jìn)行初始化。

91.硬磁碟存在測(cè)試結(jié)束；隨后配置硬磁碟。局部總線硬盤控制器初始化。

92.硬磁碟配置完成；即將檢查BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)。跳轉(zhuǎn)到用戶路徑2。

93.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)已檢查一半；繼續(xù)進(jìn)行。.

94.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)檢查完畢，即調(diào)定基本和擴(kuò)展存儲(chǔ)器的大小。關(guān)閉A－20地址線。95.因應(yīng)滑鼠和硬磁碟47型支持而調(diào)節(jié)好存儲(chǔ)器的大小；即將檢驗(yàn)顯示存儲(chǔ)器。.

96.檢驗(yàn)顯示存儲(chǔ)器后復(fù)原；即將進(jìn)行C800：0任選ROM控制之前的初始準(zhǔn)備?！癊S段”注冊(cè)表清除。

97.C800：0任選ROM控制之前的任何初始準(zhǔn)備結(jié)束，接著進(jìn)行任選ROM的檢查及控制。.98.任選ROM的控制完成；即將進(jìn)行任選RO