功率放大器（PA）行業(yè)技術(shù)路線格局及國內(nèi)廠商匯總分析_第1頁
功率放大器（PA）行業(yè)技術(shù)路線格局及國內(nèi)廠商匯總分析_第2頁
功率放大器（PA）行業(yè)技術(shù)路線格局及國內(nèi)廠商匯總分析_第3頁
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

功率放大器（PA）行業(yè)技術(shù)路線格局及國內(nèi)廠商匯總分析

3/4G時期以橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）工藝為主，LDMOS有局限性，氮化鎵（GaN）成為中高頻段主要技術(shù)方向。LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，5G基站AAU功率大幅提升，單扇區(qū)功率從4G時期的50W左右提升到5G時期的200W左右，傳統(tǒng)的LDMOS制程將很難滿足性能要求。隨著半導(dǎo)體材料工藝的進(jìn)步，氮化鎵（GaN）正成為中高頻頻段PA主要技術(shù)路線，GaN技術(shù)優(yōu)勢包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小，使之成為LDMOS的天然繼承者。GaN技術(shù)雖然性能出眾，但考慮到GaN昂貴的成本，預(yù)計初期5G功率放大器可能會以LDMOS與GaN混合為主，隨著成本的不斷下降，后續(xù)逐漸被GaN完全取代?；旧漕lPA技術(shù)路線比較資料來源：公開資料整理，立鼎產(chǎn)業(yè)研究中心傳統(tǒng)基站功率放大器領(lǐng)域，主要由恩智浦（NXP）、飛思卡爾（Freescale）和英飛凌（Infineon）三家公司壟斷，2015年NXP完成收購Freescale，為了規(guī)避反壟斷調(diào)查，NXP便將自己的RFPower部門以18億美元的價格出售給國內(nèi)的北京建廣資本，改組為Ampleon公司。2018年6月，國內(nèi)A股上市公司旋極信息發(fā)布公告，與合肥瑞成股東之一北京嘉廣資產(chǎn)管理中心簽訂《合作意向書》，擬購買其持有的合肥瑞成股權(quán)，從而間接收購Ampleon股權(quán)。此外，A股上市公司中，提供化合物半導(dǎo)體制造服務(wù)的--三安光電，作為國家大基金重點(diǎn)扶持的化合物半導(dǎo)體制造企業(yè)，是國家在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得戰(zhàn)略突破的重要布局

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論