標準解讀

《GB/T 35310-2017 200 mm硅外延片》是一項國家標準，旨在規(guī)定了直徑為200毫米（約8英寸）的單晶硅外延片的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存的要求。該標準適用于制造集成電路和其他半導體器件所使用的200毫米單晶硅外延片。

根據(jù)此標準，硅外延片應符合特定的物理尺寸參數(shù)，包括但不限于厚度、總厚度變化、翹曲度等，并且對外延層的質(zhì)量有著明確的規(guī)定，比如表面缺陷密度、電阻率均勻性等方面。此外，還定義了一系列測試方法來驗證這些參數(shù)是否達到指定的標準值，如使用四點探針法測量電阻率，采用X射線衍射技術檢測晶體結構完整性等。

對于質(zhì)量控制方面，《GB/T 35310-2017》提出了詳細的抽樣計劃與接受準則，確保每批次產(chǎn)品都能滿足既定的質(zhì)量水平。同時，在產(chǎn)品的包裝上也做了具體指導，以保證在運輸過程中不會因為不當處理而損壞產(chǎn)品；并且對如何正確標記信息進行了說明，以便于識別不同規(guī)格的產(chǎn)品及其制造商信息。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-12-29 頒布
  • 2018-07-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T35310—2017

200mm硅外延片

200mmsiliconepitaxialwafer

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35310—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有色金屬技術經(jīng)濟研究院

:、。

本標準主要起草人馬林寶駱紅楊帆金龍楊素心

:、、、、。

Ⅰ

GB/T35310—2017

200mm硅外延片

1范圍

本標準規(guī)定了直徑硅外延片的術語和定義產(chǎn)品分類要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標

200mm、、、、

志包裝運輸貯存質(zhì)量證明書

、、、、。

本標準適用于在型和型硅拋光襯底片上外延生長的硅外延片產(chǎn)品主要用于制作集成電路

NP。

或半導體器件

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T6617

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅外延層擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層晶體完整性檢測方法腐蝕法

GB/T14142

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146—

半導體材料術語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法

GB/T24578X

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅片翹曲度測試自動非接觸掃描法

GB/T32280

硅片包裝

YS/T28

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4產(chǎn)品分類

41產(chǎn)品按導電類型分為型和型型外延層摻雜元素為磷或砷型外延

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