GB/T 14112-2015半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T14112—2015

代替

GB/T14112—1993

半導體集成電路

塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14112—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

技術(shù)要求

4…………………1

引線框架尺寸

4.1………………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………2

引線框架外觀

4.3………………………3

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強度

4.5………………4

銅剝離試驗

4.6…………………………4

銀剝離試驗

4.7…………………………4

檢驗規(guī)則

5…………………4

檢驗批的構(gòu)成

5.1………………………4

鑒定批準程序

5.2………………………4

質(zhì)量一致性檢驗

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………7

標志包裝運輸貯存

7、、、……………………7

標志包裝

7.1、……………7

運輸貯存

7.2、……………7

附錄規(guī)范性附錄引線框架機械測量

A()………………8

附錄規(guī)范性附錄引線框架高溫和機械試驗

B()………16

附錄資料性附錄批允許不合格率抽樣方案

C()(LTPD)……………18

Ⅰ

GB/T14112—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替半導體集成電路塑封雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

GB/T14112—1993《》。

本標準與相比主要變化如下

GB/T14112—1993:

關(guān)于規(guī)范性引用文件增加引導語抽樣標準由代替增加引用

———:;GB/T2828.1—2012IEC410;

文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

增加術(shù)語和定義并增加了標稱長度精壓區(qū)共面性芯片粘接區(qū)下陷的定義

———,、、;

標準引線框架形狀和位置公差中增加了芯片粘接區(qū)平面度引線框架內(nèi)部位置公差的

———“4.2”,、

有關(guān)要求

;

修改了標準中對側(cè)彎的要求見原標準僅規(guī)定了側(cè)彎小于本標

———“”(4.2.1):0.05mm/150mm,

準在整個標稱長度上進行規(guī)定

;

修改了標準中對卷曲的要求見原標準中僅規(guī)定了卷曲變形小于

———“”(4.2.2):0.5mm/150mm,

本標準根據(jù)材料的厚度進行規(guī)定

;

修改了標準中對條帶扭曲的要求見原標準中僅規(guī)定了框架扭曲小于本標

———“”(4.2.4):0.5mm,

準將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度進行規(guī)定

,;

修改了標準中對引線扭曲的要求見原標準中規(guī)定了引線扭曲的角度及其內(nèi)引線端

———“”(4.2.5):

點的最大扭曲值本標準刪除了內(nèi)引線端點最大扭曲值的規(guī)定

,;

修改了標準中對精壓深度的要求見在原標準的基礎上增加了最大精壓深度與最

———“”(4.2.6):,

小引線間距的相關(guān)要求

;

修改了標準中對絕緣間隙的要求見原標準中規(guī)定的絕緣間隙為本標準

———“”(4.2.7):0.15mm,

修改為

0.1mm;

修改了標準中對精壓區(qū)共面性的要求見原標準中規(guī)定了引線框架條寬大于

———“”(4.2.8):

精壓區(qū)共面性為本標準修改為

50.8mm,±0.25mm,±0.2mm;

修改了標準中對芯片粘接區(qū)斜度的要求見原標準中分別規(guī)定了受壓和不受壓情況

———“”(4.2.9):

下的斜度本標準統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜

,2.54mm0.05mm;

對標準的引線框架外觀中相應條款進行了調(diào)整原標準對引線框架外觀要求按功能

———“4.3”,“

區(qū)其他區(qū)域分別表示本標準按毛刺凹坑壓痕和劃痕分別描述并對原標準中劃痕的

、”;“,、”,“”

要求適當加嚴即在任何區(qū)域內(nèi)劃痕均不得超過個

,“”1;

修改了標準中對局部鍍銀的要求見原標準中規(guī)定鍍銀層厚度不小于平

———“”(4.4.1.2):3.5μm(

均值本標準修改為不小于

),3μm;

修改了標準中對鍍層外觀的要求見在原標準的基礎上增加了對鍍層外觀的相關(guān)

———“”(4.4.2):,

要求

;

增加了銅剝離試驗的有關(guān)要求見

———“”(4.6);

增加了銀剝離試驗的有關(guān)要求見

———“”(4.7);

修改了標準中對檢驗要求的要求修改了原標準中分組的檢測水平及

———“”:A1a、A1b、A2AQL,

并對分組進行合并原標準中組采用抽樣方案本標準將

A1a、A1b,B2a、B2b;BLTPD,B1、

修改為抽樣方案并增加檢驗的抽樣要求

B2、B3AQL,C3、C4;

修改了標準中對貯存的有關(guān)要求原標準鍍銀引線框架保存期為三個月本標準規(guī)定為個

———“”:,6

月見

(7.2)。

Ⅲ

GB/T14112—2015

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標準主要起草人林桂賢王鋒濤洪玉云

:、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14112—1993。

Ⅳ

GB/T14112—2015

半導體集成電路

塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架以下簡稱引線框架的技術(shù)要求及檢

()

驗規(guī)則

。

本標準適用于雙列沖制型引線框架單列沖制型引線框架亦可參照使用

(DIP)。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗引出端及整體安

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計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣

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