標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 15876-2015 半導(dǎo)體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》相對于《GB/T 15876-1995 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:
-
技術(shù)內(nèi)容的更新:新版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的最新發(fā)展,對引線框架的材料、尺寸、形狀、電鍍要求等方面進(jìn)行了修訂,以適應(yīng)更高性能、更小型化集成電路的需求。
-
測試方法的改進(jìn):詳細(xì)規(guī)定了更精確、更科學(xué)的檢測和試驗(yàn)方法,包括機(jī)械強(qiáng)度測試、鍍層厚度與均勻性檢測等,確保引線框架質(zhì)量控制的準(zhǔn)確性和可靠性。
-
新增要求:可能加入了針對環(huán)保、可回收性或特定應(yīng)用環(huán)境(如高溫、高濕)下的性能要求,反映了行業(yè)對可持續(xù)發(fā)展和產(chǎn)品適用性的重視。
-
術(shù)語和定義的完善:隨著技術(shù)進(jìn)步,標(biāo)準(zhǔn)對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了梳理和更新,使得定義更加清晰準(zhǔn)確,便于業(yè)界統(tǒng)一理解和應(yīng)用。
-
標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化:可能對原有標(biāo)準(zhǔn)的章節(jié)布局進(jìn)行了調(diào)整,使其邏輯更加清晰,便于使用者快速查找所需信息。
-
兼容性與國際接軌:考慮到全球貿(mào)易和技術(shù)交流的需要,新標(biāo)準(zhǔn)可能參考或采納了國際上先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范,增強(qiáng)了中國標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互認(rèn)性。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2015-05-15 頒布
- 2016-01-01 實(shí)施
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GB/T 15876-2015半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS31200
L56.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T15876—2015
代替
GB/T15876—1995
半導(dǎo)體集成電路
塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范
Semiconductorintegratedcircuits—
Specificationofleadframesforplasticquadflatpackage
2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T15876—2015
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
技術(shù)要求
4…………………1
引線框架的尺寸
4.1……………………1
引線框架形狀和位置公差
4.2…………1
引線框架外觀
4.3………………………3
引線框架鍍層
4.4………………………3
引線框架外引線強(qiáng)度
4.5………………3
銅剝離試驗(yàn)
4.6…………………………3
銀剝離試驗(yàn)
4.7…………………………3
檢驗(yàn)規(guī)則
5…………………4
檢驗(yàn)批的構(gòu)成
5.1………………………4
鑒定批準(zhǔn)程序
5.2………………………4
質(zhì)量一致性檢驗(yàn)
5.3……………………4
訂貨資料
6…………………7
標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存
7、、、……………………7
標(biāo)志包裝
7.1、……………7
運(yùn)輸貯存
7.2、……………7
附錄規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測量
A()………………8
Ⅰ
GB/T15876—2015
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范
GB/T15876—1995《》。
本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下
GB/T15876—1995:
按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝
———,“
引線框架規(guī)范
”;
規(guī)范性引用文件增加引導(dǎo)語抽樣標(biāo)準(zhǔn)由代替增加引
———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;
用文件
GB/T2423.60—2008、SJ20129;
標(biāo)準(zhǔn)中的由設(shè)計(jì)改為引線框架尺寸并將原標(biāo)準(zhǔn)中引線鍵合區(qū)寬度精壓深度和金屬
———4.1“”“”,、
間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到
4.2;
對標(biāo)準(zhǔn)的引線框架形狀和位置公差中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整并增加了芯片粘接區(qū)
———“4.2”,
下陷的有關(guān)要求
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對卷曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于本標(biāo)準(zhǔn)
———“”(4.2.2):0.51mm,
根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對橫彎的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了引線數(shù)
———“”(4.2.3):52~100、132~164、196~
三個(gè)范圍內(nèi)的橫彎值本標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)大了引線數(shù)涵蓋的范圍
244,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對條帶扭曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲不超過
———“”(4.2.4):0.51mm,
本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定
,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對引線扭曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上
———“”(4.2.5):
的最大偏移量本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定
,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對精壓深度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對精壓寬度的影響簡
———“”(4.2.6):,
單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍本標(biāo)準(zhǔn)修改為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條
。:90%
件下精壓深度不大于材料厚度的其參考值為
,30%,0.015mm~0.06mm;
將金屬間隙修改為絕緣間隙并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對絕緣間隙的要求見原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)
———“”“”,“”(4.2.7):
定金屬與金屬的間隙應(yīng)受金屬間隙的要求限制每邊最大精壓凸出不超過本標(biāo)
“,0.051mm”,
準(zhǔn)修改為相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于
“0.076mm”;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對精壓引線端共面性的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的公差范圍為
———“”(4.2.8):
本標(biāo)準(zhǔn)考慮到極限情況把負(fù)差改為
±0.15mm、±0.2mm,-0.1mm;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對芯片粘接區(qū)斜度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條
———“”(4.2.9):
件下的最大斜度本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜
,2.54mm0.05mm;
將芯片粘接區(qū)平整度改為芯片粘接區(qū)平面度并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對芯片粘接區(qū)平面度的
———“”“”,“”
要求見取消了原標(biāo)準(zhǔn)中每芯片粘接區(qū)長度的限制
(4.2.11):2.54mm;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對毛刺的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了垂直毛刺和水平毛刺都不超過
———“”(4.3.1):
本標(biāo)準(zhǔn)對垂直毛刺和水平毛刺分別進(jìn)行了規(guī)定
0.025mm,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對凹坑壓痕和劃痕的要求見在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)
———“、”(4.3.2):
要求
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對局部鍍銀層厚度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度本
———“”(4.4.1):,
標(biāo)準(zhǔn)對局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定
;
增加了銅剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見
———“”(4.6);
Ⅲ
GB/T15876—2015
增加了銀剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見
———“”(4.7);
對標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)規(guī)則中相應(yīng)條款進(jìn)行修改參照檢驗(yàn)規(guī)則并增加了鑒定
———“5”,GB/T14112—2015,
批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)內(nèi)容
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對貯存的有關(guān)要求原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為個(gè)月本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為個(gè)月
———“”:3,6
見
(7.2);
增加了規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測量
———A“”。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC78)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位廈門永紅科技有限公司
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人林桂賢陳仲賢洪玉云
:、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T15876—1995。
Ⅳ
GB/T15876—2015
半導(dǎo)體集成電路
塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架以下簡稱引線框架的技術(shù)要求及
()
檢驗(yàn)規(guī)則
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝沖制型引線框架塑料四面引線扁平封裝刻
。
蝕引線框架也可參照使用
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安
GB/T2423.60—20082:U:
裝件強(qiáng)度
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣
GB/T2828.1—20121:(AQL)
計(jì)劃
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