標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 14112-1993 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn),全稱為《半導(dǎo)體集成電路 塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范》。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路中使用的塑料雙列封裝(DIP,Dual In-line Package)的沖制型引線框架的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存條件。具體要點(diǎn)包括:
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適用范圍:本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料封裝中,采用沖壓工藝制造的雙列引線框架。這類引線框架是集成電路封裝的關(guān)鍵部件之一,用于支撐并連接芯片與外部電路板。
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技術(shù)要求:
- 材料:規(guī)定了引線框架應(yīng)選用的金屬材料及其性能要求,如銅合金,需具備良好的導(dǎo)電性、耐蝕性和成型性。
- 尺寸與公差:詳細(xì)列出了引線框架的尺寸規(guī)格,包括外形尺寸、引腳間距、引腳長度等,并給出了相應(yīng)的公差范圍,確保封裝的標(biāo)準(zhǔn)化和互換性。
- 表面處理:要求引線框架表面需進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚?,如鍍錫、鍍鎳金等,以提高焊接可靠性和防氧化能力。
- 機(jī)械強(qiáng)度:規(guī)定了引線框架在彎曲、扭力測試下的強(qiáng)度要求,確保封裝過程及使用中的機(jī)械穩(wěn)定性。
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檢驗(yàn)方法:描述了對引線框架進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)的具體方法,包括外觀檢查、尺寸測量、材料分析、電氣性能測試等,確保產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。
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標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存:
- 標(biāo)志:要求在包裝上清晰標(biāo)注產(chǎn)品型號、批號、生產(chǎn)日期等信息。
- 包裝:規(guī)定了引線框架的包裝方式和防護(hù)措施,以防止運(yùn)輸和儲存過程中的物理損傷和腐蝕。
- 運(yùn)輸:提出了運(yùn)輸過程中應(yīng)避免的極端溫度、濕度條件及劇烈震動的要求。
- 儲存:說明了引線框架的理想儲存環(huán)境,如溫濕度控制,以防潮、防塵和防腐蝕。
此標(biāo)準(zhǔn)旨在統(tǒng)一和提升半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝引線框架的質(zhì)量水平,促進(jìn)其在電子制造業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)化應(yīng)用,確保產(chǎn)品的互換性、可靠性和長期穩(wěn)定性。
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- 1993-01-21 頒布
- 1993-08-01 實(shí)施
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GB/T 14112-1993半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
UDC621.382L55中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14112-93半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范SemiconductorintegratedcircuitsSpecificationforstampedleadframesofplasticDIP1993-01-21發(fā)布1993-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14112-93SemiconductorintegratedcircuitsSpeciticationforstampedleadtramesofplasticDIP1主題內(nèi)容與適用范圍本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架(以下簡稱引線框架)的技術(shù)要求及檢驗(yàn)規(guī)則。本規(guī)范適用于雙列(DIP)沖制型引線框架,單列沖制型引線框架亦可參照使用。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB4719半導(dǎo)體集成電路新產(chǎn)品定型鑒定的程序規(guī)則GB7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T14113半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語IEC410計(jì)數(shù)檢查抽樣方案和程序技術(shù)要求3.1引線框架尺寸引線框架的尺寸應(yīng)符合GB7092的有關(guān)規(guī)定,并符合引線框架設(shè)計(jì)圖紙的要求。3.2引線框架形狀和位置公差3.2.1側(cè)彎小于0.05mm/150mm(見本規(guī)范附錄A1)3.2.2卷曲小于0.5mm/150mm(見本規(guī)范附錄A2)。3.2.3橫彎小于標(biāo)稱條寬的0.5%(見本規(guī)范附錄A3)。3.2.4框架扭曲小于0.5mm(見本規(guī)范附錄A4)。3.2.5引線扭曲不超過3°30,即在距離內(nèi)引線端點(diǎn)0.25mm處測得扭曲值不大于0.02mm(見本規(guī)范附錄A5)。3.2.6在保證精壓寬度不小于引線寬度80%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%(見本規(guī)范附錄A6)3.2.7材料厚度為0.25mm時,相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.15mm(見本規(guī)范附錄A7)。3.2.8材料厚度為0.25mm時,精壓區(qū)共面性(見本規(guī)范附錄A8)應(yīng)符合表1的規(guī)定加m引線框架條寬精
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