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太陽能電池制作流程20090318熊飛太陽電池的制造過程硅片檢驗Waferincominginspection蝕刻和表面制絨Wetetchandsurfacetexture磷擴散POCL3emitterdiffusion去除磷硅玻璃PSGremoval抗反射層鍍膜SiNxARCdepositiononfront前面電極印刷和干燥FrontAgscreenprintanddry背面電極印刷和干燥RearAgscreenprintanddry背面電場印刷和干燥RearAlscreenprintanddry前后面金屬接觸共燒結(jié)Front&Rearcontactco-firing激光邊緣結(jié)隔離Laserisolation光電檢測和分類Photoelectrictestandsort入庫和出貨Storageandshippment太陽電池制造過程-硅片檢驗硅片來料檢驗外觀Appearance半導(dǎo)體導(dǎo)電極性Siconductiontype電阻率Resistivity中心厚度Centralthickness平均厚度Averagethickness表面平坦度/總厚度偏差TTV(totalthicknessvariation)翹曲度Bow少數(shù)載流子壽命Minoritycarrierlifetime邊長/直徑Lengthwaferedges/Diameter太陽電池制造過程-蝕刻制絨單晶硅堿蝕刻多晶硅酸蝕刻10um10um太陽電池制造過程-擴散擴散制程目的:形成PN結(jié).擴散機臺:TempressTubeFurnace(TS81254)原理:分為兩個過程預(yù)沉積4POCl3+3O22P2O5+6Cl2(800-900℃)磷驅(qū)入2P2O5+5Si4P+5SiO2(850-950℃)擴散深度0.3-0.5um擴散方塊電阻50-80ohm/sq.太陽電池制造過程-去除磷硅玻璃制程目的:去除含磷的二氧化硅層.蝕刻機臺:RENAInOx原理:6HF+SiO2H2SiO6+2H2O(25℃)流程為:HF去除氧化層DIW洗凈熱風(fēng)吹干.蝕刻速率選擇比:ER(SiO2)/ER(Si)~100太陽電池制造過程-PECVDPECVD制程目的:沉積抗反射膜(ARC)沉積機臺:OTBDEPx1500原理:NH3+SiH4(400-500℃)SiNx+H2流程為:硅片裝入加熱沉積SiNx冷卻破片清掃硅片卸出沉積厚度:~80nm.太陽電池制造過程-印刷燒結(jié)FrontsidebusbarFrontsidefingerRearsidebusbar太陽電池制造過程-測試分類光電測試原理:利用模擬太陽光照射測量電池的輸出電學(xué)參數(shù).光電測試條件:溫度25℃,光譜分布AM1.5,光強1000W/m2.光電測試主要參數(shù)短路電流Isc開路電壓Voc最大功率Pm

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