單壁碳納米管綜述課件

·指導(dǎo)老師：葉曉萍主講人：羅麗紅成員：羅麗紅張映娜張麗玲鄒巧云汪強(qiáng)符朝欽張崇榮單壁碳納米管Single-wallcarbonnanotube·指導(dǎo)老師：葉曉萍主講人：羅麗紅成員：羅麗紅張映娜張麗玲主講內(nèi)容什么是納米材料1納米材料的特性243567單壁碳納米管的概述制備方法應(yīng)用前景結(jié)語主講內(nèi)容什么是納米材料1納米材料的特性243567單壁碳納米31.納米材料定義：結(jié)構(gòu)單元的尺寸在1納米至100納米范圍之間的材料，其中1nm=10-9m納米材料大致可分為四類：納米粉末納米纖維納米膜納米塊體31.納米材料定義：結(jié)構(gòu)單元的尺寸在1納米至100納米范圍納米材料的特性量子尺寸效應(yīng)體積效應(yīng)表面與界面效應(yīng)宏觀量子隧道效應(yīng)

納米材料其納米粒子出現(xiàn)了許多不同于常規(guī)固體的新奇特性，展示了廣闊的應(yīng)用前景，同時(shí)它也為常規(guī)的復(fù)合材料的研究增添了新的內(nèi)容。納米材料的特性量子尺寸效應(yīng)體積效應(yīng)表面與界面效應(yīng)宏觀量子隧道碳納米管的結(jié)構(gòu)碳納米管是石墨管狀晶體是單層或多層石墨片圍繞中心按一定的螺旋角卷曲而成的無縫納米級(jí)管種類：?jiǎn)伪谔技{米管（SWNTS）多壁碳納米管(MWNTS)長(zhǎng)徑比100～1000，甚至10000，為線狀物碳納米管圖示呈線狀物碳納米管碳納米管的結(jié)構(gòu)碳納米管是石墨管狀晶體單壁碳納米管（SWNTS3、單壁碳納米管的概述：（1）定義：碳的同素異形體由單層石墨片繞中心按一定角度卷曲而成的無縫、中空納米管。單壁碳納米管直徑為1-6nm3、單壁碳納米管的概述：（1）定義：?jiǎn)伪谔技{米管（2）特性更為典型的一維結(jié)構(gòu)無層間交互作用超級(jí)力學(xué)性能（鋼的100倍）極強(qiáng)的吸附性能優(yōu)異的儲(chǔ)氫特性更適于研究和理解碳管電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)現(xiàn)象單壁碳納米管（2）特性更為典型的一維結(jié)構(gòu)單壁碳納米管4制備方法（一）石墨電弧法（二）激光蒸發(fā)法（三）化學(xué)氣相沉積法4制備方法（一）石墨電弧法（一）石墨電弧法石墨電弧法又稱直流電弧法，電弧是一種氣體放電的現(xiàn)象。陽極原料填充→真空室抽空和充氣→起弧和放電→樣品的處理和觀察電弧法裝置圖基本原理：

電弧室充惰性氣體保護(hù)，兩石墨棒電極靠近，拉起電弧，再拉開，以保持電弧穩(wěn)定。放電過程中陽極溫度相對(duì)陰極較高，所以陽極石墨棒不斷被消耗，同時(shí)在石墨陰極上沉積出含有碳納米管的產(chǎn)物。（一）石墨電弧法石墨電弧法又稱直流電弧法，電弧是一種氣體放電陰極陽極1mmHe氣石墨電弧法裝置結(jié)構(gòu)示意圖在陰極上沉積出碳納米管陽極石墨蒸發(fā)陰極陽極1mmHe氣石墨電弧法裝置結(jié)構(gòu)示意圖在陰極上沉積出碳·氦氣為載氣，氣壓50—60Pa，·電流60A～100A，電壓19V～25V，·電極間距1mm～4mm，產(chǎn)率50％。

理想的工藝條件理想的工藝條件優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備比較簡(jiǎn)單，產(chǎn)量大，制得的SWNTs管直，結(jié)晶度高。缺點(diǎn)：電弧溫度高達(dá)3000~3700°C時(shí),

SWNTs被燒結(jié)在一起，造成較多的缺陷。 產(chǎn)物中含有較多雜質(zhì)(如催化劑、無定形炭等)，需進(jìn)一步系統(tǒng)提純，電弧的 放電過程較難控制，成本較高。燒結(jié)在一起的SWNTS高度純化的SWNTS優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備比較簡(jiǎn)單，產(chǎn)量大，制得的SWNTs管直，結(jié)激光蒸發(fā)法是將一根金屬催化劑、石墨混合的石墨靶放置于一長(zhǎng)形石英管中間，該管則置于一加熱爐內(nèi)。當(dāng)爐溫升至1200℃時(shí)，將惰性氣體充入管內(nèi)，并將一束激光聚焦于石墨靶上。石墨靶在激光照射下將生成氣態(tài)碳，氣態(tài)碳和催化劑離子被氣流從高溫區(qū)帶向低溫區(qū)，在催化劑的作用下生長(zhǎng)成單壁碳納米管。裝置圖如下：

（二）激光蒸發(fā)法圖1激光蒸發(fā)法裝置圖激光蒸發(fā)法是將一根金屬催化劑、石墨混合的石墨靶放置于一長(zhǎng)形石影響因素：催化劑保護(hù)壓強(qiáng)（3.0x104一4.5x104Pa）氣體（氦氣、氬氣）激光脈沖時(shí)間間隔（間隔越短，產(chǎn)率越高）激光脈沖功率（功率↑，直徑↓）激光蒸發(fā)法制備工藝流程影響因素：激光蒸發(fā)法制備工藝流程激光蒸發(fā)法制備單壁納米碳管的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)物純度高，易于提純。不足之處在于設(shè)備復(fù)雜、昂貴，而且產(chǎn)量不大。優(yōu)缺點(diǎn)激光蒸發(fā)法制備單壁納米碳管的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)物純度高，易于提純。優(yōu)缺（三）化學(xué)氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法主要機(jī)理：是使含有碳源的氣體(如乙炔乙烯等石油氣)流經(jīng)金屬催化劑(如鐵、鉆、鎳等)表面時(shí)分解，從而產(chǎn)生出碳納米管。氣相沉積法裝置圖特點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單、條件易控、能大規(guī)模制備、可直接生長(zhǎng)在合適的基底上常用氣體：甲烷、一氧化碳、苯等催化劑：Fe、Co、Ni、Mo等以及它們的氧化物1催化劑2管式爐3石英

4熱電偶5氣體混合6溫度控制（三）化學(xué)氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法主要機(jī)理：是使含有碳源的氣優(yōu)點(diǎn)：相對(duì)于電弧法和激光蒸發(fā)法而言,化學(xué)氣相沉積法因具有合成溫度較低產(chǎn)量高、納米碳管的直徑及螺旋性易控制等優(yōu)點(diǎn)而逐漸成為合成納米碳管的一種主要方法。缺點(diǎn)：產(chǎn)率較低且反應(yīng)氣體不能重復(fù)使用優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：相對(duì)于電弧法和激光蒸發(fā)法而言,化學(xué)氣相沉積法因具有合成制備的主要目標(biāo)：（1）連續(xù)批量生產(chǎn)；（2）結(jié)構(gòu)分布均勻且可控；（3）成本低，純度高;有待優(yōu)化的關(guān)鍵因素：（1）碳源；（2）催化劑及載體；（3）制備條件;符合實(shí)際生產(chǎn)、能大批量制備的方法是石墨電弧法和化學(xué)氣相沉積法。制備方法總結(jié)制備的主要目標(biāo)：（1）連續(xù)批量生產(chǎn)；（2）結(jié)構(gòu)分布均勻且可控5應(yīng)用儲(chǔ)氫材料電子領(lǐng)域高強(qiáng)度復(fù)合材料領(lǐng)域生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域5應(yīng)用儲(chǔ)氫材料電子領(lǐng)域高強(qiáng)度復(fù)合材料領(lǐng)域生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域儲(chǔ)氫材料超級(jí)電容器軍事方面的復(fù)合材料生物傳感器儲(chǔ)氫材料超級(jí)電容器軍事方面的復(fù)合材料生物傳感器

優(yōu)點(diǎn)：作為當(dāng)今材料科學(xué)領(lǐng)域的明星材料之一，SWNTs以獨(dú)特的結(jié)構(gòu)及性能展示出了它在各個(gè)領(lǐng)域的潛在價(jià)值。諾貝爾獎(jiǎng)獲得者的C60發(fā)現(xiàn)者之一R.E.Smalley稱：“碳納米管將是價(jià)格便宜，環(huán)境友好并為人類創(chuàng)造奇跡的新材料。”

6碳納米管的發(fā)展前景兩面看缺點(diǎn)：存在幾個(gè)問題有待解決，：一是，如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量碳納米管的連續(xù)批量工業(yè)化生產(chǎn)。二是，如何更深入研究碳納米管實(shí)際應(yīng)用問題。例如，在常溫常壓下如何解析氫氣及加快其儲(chǔ)氫放氫速度。

另外，碳納米管對(duì)人體存在一定的毒性作用。優(yōu)點(diǎn)：作為當(dāng)今材料科學(xué)領(lǐng)域的明星材料之一，SWNTs以獨(dú)特

單壁納米碳管作為納米材料和碳分子的一個(gè)新成員，以其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)受到人們?nèi)找鎻V泛的關(guān)注。人們正在努力探索新方法制備它，以獲得高純度、產(chǎn)量大、管徑均勻、缺陷少、操作方便且成本低廉的單壁碳納米管，來拓寬應(yīng)用領(lǐng)域。盡管它本身存在一些缺點(diǎn)但仍具有非常光明的前景，隨著單壁碳納米管合成技術(shù)和提純技術(shù)的日益成熟，大批量合成單壁碳納米管己成為可能，單壁碳納米管以特有的結(jié)構(gòu)和不斷擴(kuò)展的應(yīng)用領(lǐng)域

,必將開辟納米材料研究新天地。結(jié)語結(jié)語謝謝謝謝謝謝謝謝謝謝謝謝·指導(dǎo)老師：葉曉萍主講人：羅麗紅成員：羅麗紅張映娜張麗玲鄒巧云汪強(qiáng)符朝欽張崇榮單壁碳納米管Single-wallcarbonnanotube·指導(dǎo)老師：葉曉萍主講人：羅麗紅成員：羅麗紅張映娜張麗玲主講內(nèi)容什么是納米材料1納米材料的特性243567單壁碳納米管的概述制備方法應(yīng)用前景結(jié)語主講內(nèi)容什么是納米材料1納米材料的特性243567單壁碳納米281.納米材料定義：結(jié)構(gòu)單元的尺寸在1納米至100納米范圍之間的材料，其中1nm=10-9m納米材料大致可分為四類：納米粉末納米纖維納米膜納米塊體31.納米材料定義：結(jié)構(gòu)單元的尺寸在1納米至100納米范圍納米材料的特性量子尺寸效應(yīng)體積效應(yīng)表面與界面效應(yīng)宏觀量子隧道效應(yīng)

納米材料其納米粒子出現(xiàn)了許多不同于常規(guī)固體的新奇特性，展示了廣闊的應(yīng)用前景，同時(shí)它也為常規(guī)的復(fù)合材料的研究增添了新的內(nèi)容。納米材料的特性量子尺寸效應(yīng)體積效應(yīng)表面與界面效應(yīng)宏觀量子隧道碳納米管的結(jié)構(gòu)碳納米管是石墨管狀晶體是單層或多層石墨片圍繞中心按一定的螺旋角卷曲而成的無縫納米級(jí)管種類：?jiǎn)伪谔技{米管（SWNTS）多壁碳納米管(MWNTS)長(zhǎng)徑比100～1000，甚至10000，為線狀物碳納米管圖示呈線狀物碳納米管碳納米管的結(jié)構(gòu)碳納米管是石墨管狀晶體單壁碳納米管（SWNTS3、單壁碳納米管的概述：（1）定義：碳的同素異形體由單層石墨片繞中心按一定角度卷曲而成的無縫、中空納米管。單壁碳納米管直徑為1-6nm3、單壁碳納米管的概述：（1）定義：?jiǎn)伪谔技{米管（2）特性更為典型的一維結(jié)構(gòu)無層間交互作用超級(jí)力學(xué)性能（鋼的100倍）極強(qiáng)的吸附性能優(yōu)異的儲(chǔ)氫特性更適于研究和理解碳管電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)現(xiàn)象單壁碳納米管（2）特性更為典型的一維結(jié)構(gòu)單壁碳納米管4制備方法（一）石墨電弧法（二）激光蒸發(fā)法（三）化學(xué)氣相沉積法4制備方法（一）石墨電弧法（一）石墨電弧法石墨電弧法又稱直流電弧法，電弧是一種氣體放電的現(xiàn)象。陽極原料填充→真空室抽空和充氣→起弧和放電→樣品的處理和觀察電弧法裝置圖基本原理：

電弧室充惰性氣體保護(hù)，兩石墨棒電極靠近，拉起電弧，再拉開，以保持電弧穩(wěn)定。放電過程中陽極溫度相對(duì)陰極較高，所以陽極石墨棒不斷被消耗，同時(shí)在石墨陰極上沉積出含有碳納米管的產(chǎn)物。（一）石墨電弧法石墨電弧法又稱直流電弧法，電弧是一種氣體放電陰極陽極1mmHe氣石墨電弧法裝置結(jié)構(gòu)示意圖在陰極上沉積出碳納米管陽極石墨蒸發(fā)陰極陽極1mmHe氣石墨電弧法裝置結(jié)構(gòu)示意圖在陰極上沉積出碳·氦氣為載氣，氣壓50—60Pa，·電流60A～100A，電壓19V～25V，·電極間距1mm～4mm，產(chǎn)率50％。

理想的工藝條件理想的工藝條件優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備比較簡(jiǎn)單，產(chǎn)量大，制得的SWNTs管直，結(jié)晶度高。缺點(diǎn)：電弧溫度高達(dá)3000~3700°C時(shí),

SWNTs被燒結(jié)在一起，造成較多的缺陷。 產(chǎn)物中含有較多雜質(zhì)(如催化劑、無定形炭等)，需進(jìn)一步系統(tǒng)提純，電弧的 放電過程較難控制，成本較高。燒結(jié)在一起的SWNTS高度純化的SWNTS優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備比較簡(jiǎn)單，產(chǎn)量大，制得的SWNTs管直，結(jié)激光蒸發(fā)法是將一根金屬催化劑、石墨混合的石墨靶放置于一長(zhǎng)形石英管中間，該管則置于一加熱爐內(nèi)。當(dāng)爐溫升至1200℃時(shí)，將惰性氣體充入管內(nèi)，并將一束激光聚焦于石墨靶上。石墨靶在激光照射下將生成氣態(tài)碳，氣態(tài)碳和催化劑離子被氣流從高溫區(qū)帶向低溫區(qū)，在催化劑的作用下生長(zhǎng)成單壁碳納米管。裝置圖如下：

（二）激光蒸發(fā)法圖1激光蒸發(fā)法裝置圖激光蒸發(fā)法是將一根金屬催化劑、石墨混合的石墨靶放置于一長(zhǎng)形石影響因素：催化劑保護(hù)壓強(qiáng)（3.0x104一4.5x104Pa）氣體（氦氣、氬氣）激光脈沖時(shí)間間隔（間隔越短，產(chǎn)率越高）激光脈沖功率（功率↑，直徑↓）激光蒸發(fā)法制備工藝流程影響因素：激光蒸發(fā)法制備工藝流程激光蒸發(fā)法制備單壁納米碳管的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)物純度高，易于提純。不足之處在于設(shè)備復(fù)雜、昂貴，而且產(chǎn)量不大。優(yōu)缺點(diǎn)激光蒸發(fā)法制備單壁納米碳管的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)物純度高，易于提純。優(yōu)缺（三）化學(xué)氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法主要機(jī)理：是使含有碳源的氣體(如乙炔乙烯等石油氣)流經(jīng)金屬催化劑(如鐵、鉆、鎳等)表面時(shí)分解，從而產(chǎn)生出碳納米管。氣相沉積法裝置圖特點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單、條件易控、能大規(guī)模制備、可直接生長(zhǎng)在合適的基底上常用氣體：甲烷、一氧化碳、苯等催化劑：Fe、Co、Ni、Mo等以及它們的氧化物1催化劑2管式爐3石英

4熱電偶5氣體混合6溫度控制（三）化學(xué)氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法主要機(jī)理：是使含有碳源的氣優(yōu)點(diǎn)：相對(duì)于電弧法和激光蒸發(fā)法而言,化學(xué)氣相沉積法因具有合成溫度較低產(chǎn)量高、納米碳管的直徑及螺旋性易控制等優(yōu)點(diǎn)而逐漸成為合成納米碳管的一種主要方法。缺點(diǎn)：產(chǎn)率較低且反應(yīng)氣體不能重復(fù)使用優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：相對(duì)于電弧法和激光蒸發(fā)法而言,化學(xué)氣相沉積法因具有合成制備的主要目標(biāo)：（1）連續(xù)批量生產(chǎn)；（2）結(jié)構(gòu)分布均勻且可控；（3）成本低，純度高;有待優(yōu)化的關(guān)鍵因素：（1）碳源；（2）催化劑及載體；（3）制備條件;符合實(shí)際生產(chǎn)、能大批量制備的方法是石墨電弧法和化學(xué)氣相沉積法。制備方法總結(jié)制備的主要目標(biāo)：（1）連續(xù)批量生產(chǎn)；（2）結(jié)構(gòu)分布均勻且可控5應(yīng)用儲(chǔ)氫材料電子領(lǐng)域高強(qiáng)度復(fù)合材料領(lǐng)域生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域5