晶圓處理工程用語(yǔ)

1、晶圓處理工程用語(yǔ)D1基本、共同用語(yǔ)編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D1001unloader卸載機(jī)、卸貨機(jī)是將被加工對(duì)象（work）從所定位置取出之機(jī)構(gòu)D1002Indexer指針器，索引器是指發(fā)送機(jī)（sender）與接收機(jī)（receiver）之總稱(chēng)。在處理之前后，亦有使用同一匣盒使遮光罩（mask），晶圓等基板收納位置不會(huì)變化之單面匣式（uni-cassette）方式。D1003Waferautomatictransfersystem晶圓自動(dòng)傳送系統(tǒng)是指將晶圓每次一片或每次多片，從匣盒自動(dòng)轉(zhuǎn)移至各處理裝置之裝置。此一裝置是由匣盒載物臺(tái)（cassettestage）、晶圓搬運(yùn)機(jī)器人，以及該接口所

2、構(gòu)成，大都與匣盒搬運(yùn)機(jī)械人搭配使用。D1004Waferhoist晶圓交接升降裝置系指有關(guān)晶圓輸送機(jī)構(gòu)之晶圓交接升降機(jī)構(gòu)。大都與附屬在輸送機(jī)構(gòu)先端之晶圓承接臂成對(duì)搭配使用，位在交接之制程位置，由晶圓承接部分與驅(qū)動(dòng)該部分之上下機(jī)構(gòu)所組成。D1005Waferholder晶圓保持器系指有關(guān)形成薄膜之半導(dǎo)體制造裝置，在各種處理或晶圓輸送時(shí)，用來(lái)保持晶圓之裝置部分。D1006X-Ystage/X-Ytable從橫移動(dòng)載物臺(tái)/從橫移動(dòng)載物盤(pán)是指可將被加工對(duì)象（work）加以從橫方向移動(dòng)，且可決定其精確位置之機(jī)構(gòu)。D1007materialsafetydatasheet材料安全數(shù)據(jù)清單MSDS是指記錄化學(xué)

3、物質(zhì)之物性、毒性、可燃性，反應(yīng)性及處理方法之安全性數(shù)據(jù)清單。為確保使用瓦斯或藥品處理裝置在操作時(shí)之安全為目的，通常與使用說(shuō)明書(shū)等附加在一起。D1008Orientationflatarrangeequipment晶圓定向平面擺齊裝置是指將匣盒內(nèi)晶圓之定向平面加以擺齊在一個(gè)方向之裝置。為要檢查晶圓轉(zhuǎn)移傳送是否確實(shí)，或?yàn)橐咕A在各處理裝置內(nèi)之定向決定，能順利所使用之裝置。D1009cassette/magazine晶圓匣盒/晶圓收納盒是指將晶圓被加工對(duì)象整齊加以收納之裝置。為使晶圓加工對(duì)象在各制程上能容易進(jìn)行搭載及卸在載為目的，所使用之匣盒。類(lèi)同之用語(yǔ)有magazine一語(yǔ)。D1010casse

4、tte-to-cassettehandling匣盒間轉(zhuǎn)運(yùn)處理系指從供給側(cè)晶圓匣盒，將晶圓每次一片自動(dòng)加以取出，輸送至處理室處理后，將晶圓逐片收納在收納側(cè)晶圓匣盒之處理方式。D1011Availability利用度，利用率系指針對(duì)計(jì)劃運(yùn)輸時(shí)間，實(shí)際可正常運(yùn)輸時(shí)間之比率。D1012Substrate基板，基片是指成為處理對(duì)象之空白遮光罩（maskblank），晶圓等材料總稱(chēng).D1013Carrierbox指為要輸送或保管晶圓之容器.在制造過(guò)程上務(wù)編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明運(yùn)載盒必保持晶圓不至受到容器排放瓦斯之污染，輸送盒材質(zhì)之鑒定至為重要目前，輸送盒以使用聚丙稀(

5、polypropylene)樹(shù)脂及聚碳酸脂(polycarbonate)的樹(shù)脂為主.D1014Clustertool組合設(shè)備公具指將不同裝置廠家之設(shè)備或不同制程之結(jié)合，或能將半導(dǎo)體裝置制造商獨(dú)特之制造模塊，加以裝配之多加工室(multichamber)制造裝置。是以美國(guó)半導(dǎo)體制造裝置廠家為中心之團(tuán)體MESA(ModularEquipmentStandardArchitecture)所提倡者。D1015Pre-purge是指要使用熱處理爐、反應(yīng)室或瓦斯配管系統(tǒng)之前，將純性瓦斯引進(jìn)加以?xún)艋僮?。D1016Costofownership是將半導(dǎo)體制造相關(guān)設(shè)備之投資，或?qū)I(yíng)運(yùn)之經(jīng)濟(jì)性評(píng)價(jià)基準(zhǔn)，以經(jīng)營(yíng)

6、位皆加以模型化者。將制造裝置之壽命周期成本(lifecyclecost)，以裝置價(jià)格、生產(chǎn)性、可靠性及成品率等加以考量，而算出每一晶圓良品成本之方法。D1017Magneticcoupledfeedthrough磁耦合旋轉(zhuǎn)饋通是指利用N極S極之磁性結(jié)合力，將外旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力傳達(dá)到真空氣氛內(nèi)之旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。是一種非接觸旋轉(zhuǎn)，因多半在真空與大氣間隔著一道墻壁之構(gòu)造，其真空密封壽叩為無(wú)限大，對(duì)超冋真空性能之維持很有效。D1018Magneticlevitationtransfer磁懸浮輸送是指利用磁性反斥力之非接觸性輸送機(jī)構(gòu)。是由控制磁懸浮之控制電磁鐵、線性馬達(dá)及懸浮體等所構(gòu)成，例如遮光罩或晶圓等之基片搭載

7、在懸浮體上來(lái)移動(dòng)。在真空中使用時(shí)，因?qū)俜墙佑|，無(wú)振動(dòng)、無(wú)潤(rùn)滑油及全然不產(chǎn)生灰塵，具有可獲得潔凈真空等大特點(diǎn)。D1019Robotforusinginvacuum真空機(jī)械人是指在真空室內(nèi)，為要移送基板單體所使用輸送機(jī)構(gòu)之總稱(chēng)。為防止例如遮光罩，晶圓等基板受到微粒之污染，采用振動(dòng)部極低之機(jī)構(gòu)。就其功能而言，一般具有直進(jìn)、旋轉(zhuǎn)、上下移動(dòng)等功能。D1020Throughput生產(chǎn)量，工作數(shù)是單位時(shí)間內(nèi)所能處理之遮光罩或晶圓等基板之工作數(shù)量。D1021Slowvent緩慢通氣是指將真空裝置之真空槽，恢復(fù)到大氣壓之過(guò)程中，經(jīng)由調(diào)節(jié)電導(dǎo)閥，可以很小之導(dǎo)入速度緩慢加以通氣。其目的在于防止微粒飛揚(yáng)。Softve

8、nt軟性通氣編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D1022Slowpumping/slowroughing緩慢排氣是指將真空裝置從大氣壓開(kāi)始真空排氣過(guò)程中，經(jīng)由調(diào)節(jié)電導(dǎo)閥以很小之排氣速度緩慢加以排氣。其目的在于防止微粒飛揚(yáng)。類(lèi)似之用語(yǔ)有軟性排氣(softroughing)。Softroughmg軟性排氣D1023Electrostaticchuck靜電夾頭，靜電夾盤(pán)是在載物臺(tái)上設(shè)立介電層，對(duì)載物臺(tái)與晶圓間施加電壓，經(jīng)由發(fā)生在兩者間之庫(kù)倫力，將晶圓加以吸住之機(jī)構(gòu)。為要保持晶圓及溫度控制，可以在載物臺(tái)或輸送系統(tǒng)等。D1024Sender發(fā)送機(jī)是指將收納處理前之遮光罩或晶圓等基板之匣盒，加以搭載并將基板輸

9、送至處理裝置之機(jī)構(gòu)。D1025Soaktime熱煉時(shí)間系指將退火裝置或真空蒸鍍裝置之加熱對(duì)象物，以不致蒸發(fā)之溫度加以維持之時(shí)間。就退火而言，指維持所希望時(shí)間，就真空蒸鍍法而言，指預(yù)備加熱溫升排氣之時(shí)間。D1026Softlanding軟性著陸旨在橫型之熱氧化裝置，熱擴(kuò)散裝置及熱CVD裝置，將搭載晶元之晶舟，輸入或輸出制成反應(yīng)管之際，不至于接觸管內(nèi)壁，具有可抑制產(chǎn)生微粒功能之搬運(yùn)裝置。D1027Turbomolecularpump渦輪式分子泵指具有汽渦輪機(jī)形之葉片，經(jīng)由咼速旋轉(zhuǎn)之轉(zhuǎn)子，將與其葉片表面碰撞氣體分子給與運(yùn)動(dòng)量，以輸送氣體之運(yùn)動(dòng)量輸送式真空泵?？稍诜肿恿黝I(lǐng)域有動(dòng)作。D1028Dummy

10、wafer仿真晶元，虛設(shè)晶圓指當(dāng)裝置在試運(yùn)轉(zhuǎn)中，分批處理晶圓時(shí)為要湊齊片數(shù)，或?yàn)槌休d效應(yīng)等對(duì)策所使用，指實(shí)際沒(méi)有形成IC圖案的晶圓.D1029Chip?die芯片/小芯片指將用來(lái)制作無(wú)源(被動(dòng)。組件、有源(主動(dòng))組件，或被制成集成電路為前提之半導(dǎo)體或絕緣物細(xì)片。有時(shí)亦可稱(chēng)為(片狀器件)。請(qǐng)參閱cf.JIS.請(qǐng)參閱圖E-1002.D1030Turn-around-time一貫制程所需時(shí)間指將工件之完成產(chǎn)品所需要之時(shí)間。如何將產(chǎn)品提早完成，Q-TAT(QUICKTAT)D1031Dryvacuumpump干式真空泵指作為渦輪式分子泵或低溫泵(cryopump)(oilfree)指出加工，系瓦斯通路

11、不會(huì)混入油分之不沾油泵。通?？蓮拇髿鈮簻p壓至10-3PaD1032Batchprocessing分批處理系指每次可見(jiàn)多數(shù)片晶圓加以處理之方式。D1033Buffer緩衡容器系指可在裝置內(nèi)暫時(shí)收納遮光罩或晶圓等基板之單兀。通常可分為使用載運(yùn)閘盒，或使用專(zhuān)用治具者?；逯M(jìn)出有先進(jìn)先出(FIFO)，有后進(jìn)先出(LIFO)之2種方式。D1034Footprint腳印系指將裝置設(shè)置在平面時(shí)，從正上方加以投影之總設(shè)置面積。編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D1035Processinducedparticlecounter制程感應(yīng)粒子計(jì)數(shù)器系指具有嚴(yán)格之試料氣體防漏機(jī)構(gòu)，將試料流通路內(nèi)鼻子殘留雜質(zhì)徹底加以除

12、去之光散射式粒子計(jì)數(shù)器。系用來(lái)監(jiān)視半導(dǎo)體組件制造原料瓦斯，CVD或注入粒子裝置等減壓槽中之浮游粒子數(shù)。D1036Beltlesstransfersystem無(wú)帶式輸送系統(tǒng)是指將遮光罩或晶圓等基板背面，以諸如真空機(jī)械人或磁浮等非用直接輸送帶之基板輸送機(jī)構(gòu)之總稱(chēng)。以采用橡皮輸送帶或金屬性彈性帶之輸送，無(wú)法防止來(lái)自輸送帶材質(zhì)之污染，因此今后均以無(wú)帶式輸送主流。D1037Singlewaferprocessing單晶圓處理方式是指將晶圓一片一片加以處理之方式。D1038Multi-chambervacuumsystem多式真空系統(tǒng)是指關(guān)于布線工程、薄膜形成工程等，經(jīng)由將各個(gè)不冋制程適當(dāng)加以搭配在一起，

13、且在一貫之氣氛下加以處理，為提升制程之總功能為目的，所構(gòu)成之多室真空裝置。此一真空裝置有以輸送室為中心，在其周?chē)鷮⒅瞥淌遗渲瞥煞派錉钚?。以及以輸送室為中央，而將制程室配置在兩?cè)之線形型等兩種。D1039Mechanicalchuck機(jī)械式夾頭是指利用機(jī)械爪具或環(huán)形吸盤(pán)等，將晶圓外周部加以機(jī)械式保持、安裝之機(jī)構(gòu)。D1040Receiver接受匣盒是指搭載處理后之遮光罩，晶圓等基板之收納匣盒，及將基板由處理裝置取出之機(jī)構(gòu)。D1041Recipe處理程序是指為要進(jìn)行晶圓制程之處理控制，對(duì)制程裝置之制程次序，及控制參數(shù)（溫度，壓力，瓦斯之種類(lèi)及流量，時(shí)間等控制目標(biāo)值）等相關(guān)裝置個(gè)別之處理程序。D104

14、2Loader裝載機(jī)、裝料機(jī)指將加工對(duì)象（work）放置與所定位置或安裝之機(jī)構(gòu)。D1043load-lockchamber加載互瑣真空室是不得將處理室暴露于大氣中，可進(jìn)行晶圓之裝入與取出為目的之真空室。在處理室之前后或任一方配置一個(gè)閥，經(jīng)由閥與真空排氣系統(tǒng)動(dòng)作之搭配，可以經(jīng)常保持處理室在真空狀態(tài)。D1044rapidthermalprocess快速熱處理是有關(guān)熱處理，為提升產(chǎn)量（throughput）等目的，將溫度作快速上升或下降等操作或制程。D1045in-situ就地，在現(xiàn)場(chǎng)，自然（環(huán)境）以往都將起當(dāng)作另外制程進(jìn)行之處理，卻將其編入其它制程內(nèi)，諸如：in-situcleaning,in-s

15、itudoping,及in-situmonitoring可分另U當(dāng)作就地清潔，自然（環(huán)境）摻雜，及現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)視等使用。D1046Opencassette開(kāi)放式晶圓匣是屬于可收納晶圓而在裝置間搬運(yùn)之容器，由可支持晶圓之部位，與搬運(yùn)時(shí)將容器本體加以把持之部位，以及由此等支持體所組成，其晶圓收納部成為開(kāi)放狀態(tài)之晶圓搬運(yùn)容器。編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D1047Kinematiccoupling運(yùn)動(dòng)舉上之耦合在載物臺(tái)上配置有位于三角形頂點(diǎn)之三個(gè)凸?fàn)?，且具?次元曲面之突出頭，在各個(gè)突出頭套上設(shè)在被載物體之3個(gè)顛倒V字形之嵌合罩，是用來(lái)進(jìn)行位置決定之機(jī)構(gòu)。被使用作300mm之晶圓搬運(yùn)機(jī)(wafercar

16、rier)。具有較大之調(diào)準(zhǔn)范圍與經(jīng)由自動(dòng)求心之較咼位置決定精確度為其特點(diǎn)。D1048Swiftstartupsystem快速啟動(dòng)系統(tǒng)關(guān)于半導(dǎo)體等生產(chǎn)啟動(dòng)，從初期階段起冋時(shí)將各裝置加以設(shè)置，邊決定制程條件，邊快速提高到全能生產(chǎn)時(shí)能力之快速生產(chǎn)啟動(dòng)方法。D1049Thermalbudget熱預(yù)算系指在制程中，晶圓所受到的總熱量。是溫度及暴露于該溫度全時(shí)間的函數(shù)。D1050PIDtemperaturecontrolPID溫度控制是典型制程溫度控制方式之一種。使用P為比例，1為積分，D為微分等3種基本演算，將目標(biāo)值與現(xiàn)有值間的差值變換成控制量者。針對(duì)PID各參數(shù)變更，可較為容易地預(yù)測(cè)其控制特性的變化。

17、D1051Pod密閉夾式容器為達(dá)成高度局部潔凈化需要，且降低潔凈室的營(yíng)運(yùn)成本為目的，是用作保存及輸送如晶圓等被處理體密閉容器的總稱(chēng)。經(jīng)由以下主要構(gòu)成要素的選擇，可以考量有如下四種組合，容器內(nèi)部可保持晶圓的匣盒部分，與容器為一體構(gòu)造，(即匣盒部分為可拆開(kāi)式或無(wú)法拆開(kāi)式)。其開(kāi)口部位在前面或底面者。D1052Processintegration加工整合，整合處理當(dāng)靠量抑制加工研發(fā)的投資結(jié)果，在半導(dǎo)體制造裝置內(nèi)，以一定的條件或環(huán)境下，將多項(xiàng)加工連續(xù)反復(fù)加以處理，在同一晶圓上重復(fù)加工，可以提升合格率或生產(chǎn)效率的技術(shù)。列如可以列舉以in-situ將蝕刻或?yàn)R射等，施加一連串的處理，且加以回收之多室裝置等。

18、D2薄膜形成用語(yǔ)編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2001Thinfilmdepositionsystem薄膜沉積系統(tǒng)是指有關(guān)半導(dǎo)體制造工程，可形成絕緣膜，電極布線膜，及半導(dǎo)體膜之裝置總稱(chēng)。有關(guān)薄膜之形成原理可大略分成真空蒸鍍裝置，濺鍍(sputtering)系統(tǒng)等PVD(physicalVaporDeposition)系統(tǒng),CVD(ChemicalVaporDeposition)系統(tǒng)，及磊晶(epitaxial)生長(zhǎng)系統(tǒng)。編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2002Injector注入器系指諸如CVD系統(tǒng)，磊晶生長(zhǎng)系統(tǒng)等反映室內(nèi)，注入瓦斯之噴出部。也可稱(chēng)為噴嘴。nozzle噴嘴D2003Wafer

19、heatingmechanism晶圓加熱機(jī)構(gòu)系指為加熱晶圓所護(hù)套加熱器，紅外線燈加熱器等的總稱(chēng)。隨著晶圓之大口徑化，需要面內(nèi)有均勻加熱性能，進(jìn)年來(lái)在發(fā)熱體與晶圓背面間，使用He或Ar等瓦斯作為熱媒體，此一媒體加熱已成為重要技術(shù)。D2004SpinonglasscoatingSOG涂敷SOG涂布是指為要層間絕緣膜或平坦化，所使用涂敷有SOG(spinon-glass)膜之敷層。此一敷層使用將SiOx溶解于酒精俗稱(chēng)調(diào)味料之藥液。敷層后進(jìn)行硬化烘焙(400-700)使溶劑揮發(fā)。因藥液之粘度很高，有使用噴嘴洗滌及帽套洗滌機(jī)構(gòu)之必要。D2005Overhang突出部分，懸垂物是指有關(guān)組件之穿孔(thro

20、ughhole)等，其段差部之縱橫比(aspectratio)較大時(shí)，上部段差部角較下部底面之膜厚為大，形成如冋雨檐突出部分之膜。D2006Shutter快門(mén)光匣是指位在薄膜形成裝置之蒸發(fā)源與晶圓間，所設(shè)置之遮斷板。薄膜形成中為打開(kāi)。D2007Stepcoverage階躍式覆蓋率是指位在LSI等半導(dǎo)體組件薄膜表面上，有微細(xì)段差部之膜復(fù)蓋狀態(tài)。因有段差部之復(fù)蓋狀態(tài)，直接影響到布線之不正常斷線，成為產(chǎn)品合格率，品質(zhì)下降之原因。D2008Planarization平坦化是指隨著布線之多層化，可以將縱向構(gòu)造之段差凹凸情況，加以緩和之技術(shù)。就絕緣膜之平坦化法而言，有鍍膜(coating)法，偏濺射(bi

21、assputtering)法，平坦化熱處理(reflow)法、背面蝕刻(etchback)法，及剝離(liftoff)法。就金屬膜之平坦化法而言，有偏濺射法、CVD選擇生長(zhǎng)法等。對(duì)于CMP法所能獲得跨于晶圓全面之平坦化，特別稱(chēng)為全面平坦化。D2009Void空隙，空洞當(dāng)將晶圓加熱時(shí)鋁等金屬膜構(gòu)造將產(chǎn)生變化。此時(shí)，將有壓縮應(yīng)力作用于布線材料膜，為緩和此一應(yīng)力過(guò)程，將在表面上產(chǎn)生突起之結(jié)晶粒，在溫度下降之過(guò)程為要緩和張力，而在結(jié)晶粒界所產(chǎn)生之空隙。D2010Polyimidecoating聚酸亞胺涂敷是指為要形成保護(hù)膜、層間絕緣膜，所加以之涂敷聚酸亞胺膜。因聚酸亞胺粘性很高(1000-2000CP

22、)使用揮發(fā)性較低溶劑NMP(N-methylpydolidon)。涂敷后，為溶劑之揮發(fā)而在400C中進(jìn)行硬化烘焙。編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2011Mousehole是指在組件圖案之段差部形成薄膜之際，由于側(cè)老鼠洞壁與平面間之膜質(zhì)之不冋，往后在蝕刻制程中由部分系在咼速蝕刻下進(jìn)行，而產(chǎn)生蛀蟲(chóng)狀之洞穴。D2012Reflow圓滑熱處理，平坦化熱處理技術(shù)是指隨著LSI組件之積體化，為緩和較復(fù)雜之段差縱向構(gòu)造，經(jīng)由高溫?zé)崽幚碇\求平坦化為目的，所使用之技術(shù)。將含有磷8-12%（重量百分比）之PSG膜,以CVD法加以沉積，經(jīng)由大約1000C之咼溫?zé)崽幚?，利用PSG之流動(dòng)性將晶圓表面加以平坦化。為降低

23、玻璃之軟化點(diǎn)，亦利用對(duì)PSG膜摻入硼雜質(zhì)之BPSG膜。注：PSG（phrasestructuregrammer）文句構(gòu)造文法。D2013Wafercoolingstage晶圓冷卻夾片臺(tái)是指將編排在半導(dǎo)體制造裝置內(nèi)之高溫晶圓，加以冷卻之夾片臺(tái)。亦稱(chēng)為冷卻站（coolingstation）,氧化、退火裝置或抗蝕刻處理裝置，亦有此一設(shè)備。D2014Ferroelectricthinfilm鐵電薄膜強(qiáng)誘電體薄膜是指使用與電容器的PAT*1、BST*2、SBT*3等強(qiáng)電介體薄膜。是由MOCVD法，溶液汽化CVD法，濺射法，solgel法及涂敷法等所形成。注：*1：pbxZr1xTiO3;*2:BaxSr

24、1一xTiO3;*3:SrBi2Ta2O9.D2015Plasmatrap離子噴鍍系統(tǒng)是指在CVD裝置，為要保護(hù)真空泵等，利用等離子體去除所反應(yīng)副生物的裝置。21真空蒸鍍裝置用語(yǔ)編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D2101Vacuumevaporationsystem真空蒸鍍系統(tǒng)真空蒸著裝置是指在低于10-2Pa壓力的真空裝置內(nèi)放置蒸發(fā)源，并在其周?chē)胖镁A，經(jīng)由加熱蒸發(fā)源使材料（金屬或某種化合物），在真空中將晶圓加以蒸鍍的裝置，蒸發(fā)源原子（或分子）由蒸發(fā)源汽化直接在晶圓基板上沉積凝積。D2102Resistanceheatingevaporation電阻加熱真空蒸鍍系統(tǒng)抵抗加熱真空蒸著裝置此一裝

25、置可以分類(lèi)成以W,Ta,Mo等高熔點(diǎn)金屬，所制成加熱器或BN等復(fù)合材料加以通電，使蒸發(fā)材料直接加熱蒸發(fā)的直接加熱式裝置，以及由坩堝與發(fā)熱體所構(gòu)成的間接加熱式裝置等2種。此一系統(tǒng)的真空蒸鍍裝置中，構(gòu)造最簡(jiǎn)單具備有能量上最穩(wěn)定狀態(tài)的特點(diǎn)。D2103Electronbeamevaporationsystem電子束蒸鍍系統(tǒng)系指將電子束照射于蒸發(fā)材料使其加熱，有利用其蒸發(fā)擊力來(lái)蒸鍍之裝置。就此一方法而言，坩堝因置于水中冷卻，坩堝材料中之雜質(zhì)，混入蒸鍍膜之可能性較小，此法亦使用于咼融點(diǎn)物質(zhì)，半導(dǎo)體或氧化物之蒸鍍。編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D2104Inductionheatingevaporation

26、系指利用蒸發(fā)材料本身所感應(yīng)之高頻電流，作為system感應(yīng)加熱蒸鍍系統(tǒng)咼周波誘導(dǎo)加熱真空蒸著裝置加熱源之真空蒸鍍裝置。此一方法僅對(duì)電感應(yīng)材料有效，而不能適用于絕緣體。此法可利用于不受荷電粒子損傷之蒸鍍裝置。D2105Ionplatingsystem離子噴鍍系統(tǒng)系指將晶圓置于陰極側(cè)，產(chǎn)生輝光放電，從蒸發(fā)源將蒸發(fā)原子加以電離化或激勵(lì)，加速后撞擊在基板上，且加以堆積之真空蒸鍍裝置。經(jīng)由此法可以獲得密接性很強(qiáng)之被膜。具有可得膜質(zhì)很優(yōu)良之化合物被膜等特點(diǎn)。D2106IonizedclusterbeamevaporationSystem成團(tuán)離子線束蒸鍍系統(tǒng)系指在咼真空中，將102103個(gè)原子聚集成團(tuán)加以電

27、離化，且加速撞擊堆積在晶圓上之裝置。以成團(tuán)蒸發(fā)源作為蒸發(fā)源，且將蒸汽容器之蒸汽出口做成小噴嘴，促使容器內(nèi)外壓力差很大以便噴出。此時(shí)，蒸汽在斷熱膨脹之過(guò)程下形成一團(tuán)一團(tuán)。成團(tuán)之電離化，系利用熱電子放射燈絲與陽(yáng)極，經(jīng)由電子撞擊來(lái)進(jìn)行。D2107Depositionrate蒸鍍速率系指每單位時(shí)間內(nèi)，在晶圓上生成之膜厚。就真空蒸鍍法而言，稱(chēng)為蒸鍍速率，就濺射法而言，稱(chēng)為濺束鍍速率，就CVD法而言，可稱(chēng)為沉積速率。D2108Evaporationsource蒸發(fā)源系指有關(guān)真空蒸鍍法中，將作為膜材料之蒸發(fā)材料，加以蒸發(fā)之加熱源。此一蒸發(fā)源以電阻加熱蒸發(fā)源，電子束蒸發(fā)源，感應(yīng)加熱蒸發(fā)源為代表。D2109Ev

28、aporationmaterial蒸發(fā)材料系指經(jīng)由蒸發(fā)源加熱使之蒸發(fā)，所稱(chēng)為膜之物質(zhì)。D2110Rotaryandrevolutionaryjig自轉(zhuǎn)公轉(zhuǎn)夾具系指有關(guān)蒸鍍裝置，所使用晶圓固定夾具之一種.針對(duì)蒸發(fā)源配置多數(shù)個(gè)（通常為3個(gè)）圓頂狀晶圓固定夾具，在蒸鍍中，因可進(jìn)行各圓頂夾具之自轉(zhuǎn)與公轉(zhuǎn)，可得跨于廣大面積厚度均一之膜，同時(shí)階躍式覆蓋范圍具佳。D2111Domejig圓頂夾具系指內(nèi)側(cè)能保持多數(shù)晶圓之圓頂狀晶圓固定器。在其中心軸設(shè)置蒸發(fā)源，且經(jīng)由將圓頂加以公轉(zhuǎn)，可同時(shí)對(duì)多數(shù)之晶圓附著鈞一之膜。D2112Thicknesscontrol膜厚控制系在成膜制程中，經(jīng)由厚膜計(jì)（水晶振蕩式，原子吸光

29、式及光學(xué)式等）來(lái)監(jiān)控膜及蒸鍍速度，使能成為所定膜厚，或保持一定之蒸鍍速度等控制。D2113Laserablation鐳射燒蝕系利用咼密度之光子照射，切斷蒸發(fā)材料表面之化學(xué)結(jié)合，使其蒸發(fā)而形成薄膜者。22濺鍍裝置用語(yǔ)編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2201Sputteringsystem濺鍍系統(tǒng)在真空中引進(jìn)放電用瓦斯，若對(duì)電極間施加電壓，將產(chǎn)生輝光放電。此時(shí)等離子體(plasma)中之正離子撞襲到陰極之靶表面，而將靶原子掏出來(lái)。系指利用此一濺射現(xiàn)象，在晶圓上形成薄膜之成膜裝置。放電瓦斯使用氬氣(Ar)。D2202Diodesputteringsystem二極管濺鍍系統(tǒng)系指具有由一對(duì)陰極與陽(yáng)極所成

30、之2極冷陰極輝光放電管構(gòu)造之濺鍍裝置。陰極相當(dāng)于靶子，而陽(yáng)極兼作基板固定器之功能。產(chǎn)生輝光放電后，等離子體中之氬正離子撞擊到靶子表面，將靶原子掏出來(lái)，而將設(shè)置在陽(yáng)極之晶圓上，形成薄膜。D2203DCdiodesputteringsystem直流二極管濺鍍系統(tǒng)系指具有由一對(duì)陰極與陽(yáng)極所成之2極冷陰極輝光放電管構(gòu)造，在電極間施加直流電壓，使產(chǎn)生輝光放電，在此系指利用位在陰極上靶子之濺射現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)行形成薄膜之濺鍍裝置。靶子材料只限于導(dǎo)電體。D2204RFdiodesptutteringsystem高頻二極管濺鍍系統(tǒng)指具有一對(duì)陰極與陽(yáng)極所成之2極冷陰極輝光放電管構(gòu)造，電極間主要施加13.56MHz之高

31、頻電壓，使之產(chǎn)生輝光放電，而利用位在陰極靶子表面濺射現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)行形成薄膜之濺鍍裝置。離子產(chǎn)生效率交直流2極方式為優(yōu)。除了金屬、半導(dǎo)體外，當(dāng)然亦可使用于絕緣體，因而被廣泛使用。D2205Magnetronsputteringsystem直接電磁場(chǎng)型濺鍍系統(tǒng)在濺射法中，是指施加于陰極之電場(chǎng)與成直交之磁場(chǎng)搭配所構(gòu)成裝置之總稱(chēng)。電子受磁場(chǎng)之作用開(kāi)始作擺線運(yùn)動(dòng)(trochoidalmotion)，因要推進(jìn)很長(zhǎng)之距離，而與瓦斯分子間之碰撞頻度大增，克維持咼離子電流密度放電，因此可作到咼速濺鍍。D2206Magnetronsputteringsystem磁控管濺鍍系統(tǒng)是指經(jīng)由磁控管原理施加交叉之點(diǎn)磁場(chǎng)，使從

32、陰極產(chǎn)生之電子進(jìn)行擺線運(yùn)動(dòng)，在靶子表面形成咼密度等離子體，可以較低電壓來(lái)提高濺鍍速度之高功率效率濺鍍裝置。從與潘寧(Penning)冷陰極放電同一原理，來(lái)進(jìn)行產(chǎn)生離子潘寧磁控應(yīng)用，而稱(chēng)為磁控管濺射法。D2207Planarmagnetronsputteringsystem平面磁控管濺鍍系統(tǒng)是指磁力線由平板狀靶子之背面出來(lái)，再回到靶子側(cè)之構(gòu)造，具有此一陰極構(gòu)造之磁控管型濺鍍裝置。磁場(chǎng)在靶上成為環(huán)形(racetrack)狀構(gòu)造，電子一旦進(jìn)入該空間就被封閉在內(nèi)無(wú)法跑出來(lái)。D2208Coaxialmagnetronsputteringsystem同軸磁控管濺鍍系統(tǒng)是指陰極與陽(yáng)極具有同軸圓筒狀構(gòu)造之磁控

33、管型濺鍍裝置。在中心圓筒狀之靶子內(nèi)部，收納有多數(shù)個(gè)圓筒狀磁鐵，經(jīng)由在靶子表面產(chǎn)生平行之磁場(chǎng)，可維持磁控管放電。亦有將陰極與陽(yáng)極相反配置之反向同軸磁控管濺射方式。編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2209Sputter-gunsputteringsystem是針對(duì)具有圓錐臺(tái)狀之靶子，在其背后配置磁通濺射槍濺鍍系統(tǒng)路，而可在靶表面產(chǎn)生平行磁場(chǎng)之構(gòu)造，是指具有此一陰極構(gòu)造之磁控管型濺鍍裝置。靶子形狀具有特征，是屬于使用效率很優(yōu)異之靶子。D2210Facingtargetsputtering(FTS)system相面對(duì)靶子濺鍍系統(tǒng)是指有2個(gè)互相面對(duì)之平板陰極，與沿著其中心軸之磁場(chǎng)，搭配而成磁控管型之濺鍍

34、裝置。電子被封閉在相面對(duì)之陰極間，產(chǎn)生高密度之等離子體。對(duì)磁性體之咼速濺鍍很有效。D2211Thermoionicassistedtriodesputteringsystem三極管熱離子輔助濺鍍系統(tǒng)是指利用熱陰極放電之濺鍍裝置。因具有電子供應(yīng)燈絲，相面對(duì)陽(yáng)極及陰極等3極，而稱(chēng)為熱離子輔助三極管濺射方式。因熱離子產(chǎn)生機(jī)構(gòu)獨(dú)立，具有將靶電壓在廣泛圍內(nèi)，單獨(dú)加以控制之特點(diǎn)。D2212Thermoinicassistedtetrodesputteringsystem四極管熱離子輔助濺鍍系統(tǒng)是在三極管熱離子輔助濺鍍裝置中，在燈絲前側(cè)附加熱電子控制用柵極，而成為四極管熱離子輔助濺鍍裝置。是為提升熱離子之控

35、制性，由三極管熱離子輔助濺鍍裝置，進(jìn)一步加以發(fā)展出來(lái)者。D2213Ionbeamsputteringsystem離子束濺鍍系統(tǒng)是指針對(duì)置于高真空氣氛中之靶子，將從獨(dú)立離子源以咼能加速引出來(lái)之離子加以撞擊，可在10-：Pa以下低瓦絲壓力下，進(jìn)行成膜之濺鍍裝置。D2214Biassputteringsystem偏壓濺鍍系統(tǒng)是指以負(fù)偏壓施加于晶圓為特點(diǎn)之濺鍍裝置。離子之一部將流入基板，雖然在成膜過(guò)程中晶圓面，因受到離子之沖擊將吸附在膜面之雜志瓦斯驅(qū)離出來(lái)，除能進(jìn)行純水作用外，其它可當(dāng)作對(duì)階躍式覆蓋范圍(stepcoverage)之改善，以及膜面平坦化效應(yīng)之改善等為目的，加以利用。D2215React

36、ivesputteringsystem反應(yīng)性濺鍍系統(tǒng)是指隨著一種化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生之化合物薄膜(氧化膜或氮化膜等)，可附加在素材之濺鍍裝置。除了氬氣外，將活性瓦斯引入濺鍍室，列如對(duì)素材如加以濺射金屬，可形成金屬化合物之薄膜。D2216Co-sputteringsystem共同濺鍍系統(tǒng)是指將2種以上具有不同成分兀素指靶，同時(shí)加以濺鍍，可獨(dú)立將個(gè)別功率加以控制，能制作經(jīng)由此一組成所能控制之膜濺鍍裝置?？衫糜谀纬捎?種以上之元素合金或化合物薄膜。D2217ElectronCouplingResonance(ECR)sputteringsystem電子耦合諧振濺鍍系統(tǒng)是指施加微波與磁場(chǎng)，使之產(chǎn)生電子回

37、旋加速器共振放電，籍以進(jìn)行將等離子體(plasma)與靶電位，獨(dú)立加以控制之濺鍍裝置。D2218Cathode/targetelectrode陰極/靶電極在濺鍍裝置中，是將靶子設(shè)置在陰極表面被加以濺鍍。此一型裝置之陰極有時(shí)亦可稱(chēng)為靶電極(targetelectrode)。D2219Collimatesputtering準(zhǔn)直濺鍍是指對(duì)從橫尺寸比(aspectratio)較大之接觸孔(contacthole。加以鍍膜之際。為使至底部亦能或充分之膜厚，在靶子與晶圓間插入格子狀板，具有強(qiáng)制地提高垂直成分機(jī)構(gòu)之建設(shè)。編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2220Sputteringrate系指有關(guān)濺鍍裝置，每

38、單位時(shí)間之成膜厚度。濺鍍速率D2221Sputteringyield濺射二次放射系數(shù)系指針對(duì)每一個(gè)入射離子或中性粒子，從靶子表面被掏出來(lái)之原子或分子數(shù)目之統(tǒng)計(jì)性比例。濺射二次放射系數(shù)，依離子之種類(lèi)，能量之大小，離子入射角，靶子材質(zhì)，靶子結(jié)晶構(gòu)造及面方位而變化。D2222Target靶子系指在濺鍍裝置中，設(shè)置于陰極表面，被離子撞擊成膜之材料物質(zhì)。D2223Efficiencyoftargetutilization靶子利用效率系指針對(duì)使用前之靶容積，對(duì)消耗容積之比例。位在磁控管陰極上靶材料之消耗，系被夾在磁極之特定領(lǐng)域（浸蝕領(lǐng)域）內(nèi)進(jìn)行。此一浸蝕領(lǐng)域之消耗深度，可以確定靶子之壽命。D2224Bac

39、kingplate支撐板系指在濺鍍裝置中，將靶子固定在陰極時(shí)，所用之靶固定板。利用例如磁控管濺鍍裝置這樣大電流密度放電之場(chǎng)合，為防止靶本身之溫度上升，將靶子連接固定在支撐板上，藉以充分冷卻支撐板本身。D2225Pre_sputtering系指在濺鍍裝置中，在晶圓成膜之前，靶子表面污染層之去除，或?yàn)榘斜砻嬷捕槟康模M(jìn)行之預(yù)先濺鍍處理。通常將快門(mén)光閘關(guān)閉狀態(tài)下進(jìn)行濺射。D2226Forcefillprocess系指濺射法等對(duì)覆蓋之洞穴進(jìn)行A1布線之際，在加熱狀態(tài)下，將靶與基板間距離離遠(yuǎn)一點(diǎn)，且可在低壓下安定加以放電之濺射法。D2227Longthrowsputteringmethod系屬于提

40、升根本覆蓋范圍之一種方法，為僅將濺射粒子之垂直成分能到達(dá)基板，將靶與基板間距離離遠(yuǎn)一點(diǎn)，且可在低壓下安定加以放電之濺射法。23CVD裝置用語(yǔ)編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D2301Chemicalvapordepositionsystem化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)系指將可構(gòu)成薄膜材料之兀素，一種或數(shù)種之化合物瓦斯、單體瓦斯供給晶圓，經(jīng)由汽相或在晶圓表面之化學(xué)反應(yīng)，可形成所希望薄膜之裝置。若擬激勵(lì)瓦斯，通常要使用熱能或等離子體放電。最近以光（雷射光或紫外線等）激勵(lì)之CVD裝置亦漸接近實(shí)用化。D2302ThermalCVDsystem熱激勵(lì)CVD系統(tǒng)熱CVD裝置系指以熱能作為激勵(lì)CVD反應(yīng)之裝置總稱(chēng)。就熱之

41、發(fā)生源而言，電阻加熱方式與紅外線燈加熱方式。因受反應(yīng)室內(nèi)瓦斯壓力，又可分成大氣壓CVD裝置，與低壓CVD裝置。編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D2303AtmosphericpressureCVD系指反應(yīng)室內(nèi)壓力，為大氣壓之CVD裝置。其system大氣壓CVD系統(tǒng)常壓CVD裝置特點(diǎn)為沉積速度快，比較上其階躍式覆蓋范圍較佳。D2304LowpressureCVDsystem低壓CVD系統(tǒng)減壓CVD裝置/低壓CVD裝置系指將反應(yīng)室保持在減壓（低壓）狀態(tài)之CVD裝置。其特點(diǎn)為可進(jìn)行晶圓表面之均一反應(yīng)，比較上其階躍式覆蓋范圍較佳。為此已下過(guò)很多功夫。D2305VerticallowpressureCV

42、Dsystem垂直型低壓CVD系統(tǒng)縱型減壓CVD裝置系指將反應(yīng)管及加熱器，配置成垂直之低壓CVD裝置。與水平型比較設(shè)置面積較小，因負(fù)載鎖定（loadlocking）化容易，逐漸成為主流。D2306MetalorganicCVDsystem有機(jī)金屬CVD系統(tǒng)有機(jī)金屬CVD裝置/MOCVD裝置系指利用有機(jī)金屬化合物之熱分解反應(yīng)，來(lái)制作化合物半導(dǎo)體膜之CVD裝置。與經(jīng)由汽相磊生成法，所生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體單結(jié)晶之MOVPE裝置，雖有所分但裝置構(gòu)成上有很多類(lèi)同點(diǎn)。Organo-metallicCVDsystem有機(jī)金屬CVD系統(tǒng)OMCVD裝置D2307PlasmaenhancedCVDsystem等離子體

43、增強(qiáng)CVD系統(tǒng)系指在低壓下，經(jīng)反應(yīng)性瓦斯之等離子體放電分解，可形成薄膜之CVD裝置之總稱(chēng)。與熱激勵(lì)CVD法不同，具有可在較低溫CVD反應(yīng)之特點(diǎn)。將等離子體之產(chǎn)生能量，若以頻率為主加以分頻時(shí)，有高頻等離子體，微波等離子體，ECR等離子體等各種裝置。D2308RFplasmaenhancedCVDsystem高頻等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)系指在低壓下，經(jīng)由反應(yīng)性瓦斯之高頻輝光放電分解，可形成薄膜之CVD裝置。經(jīng)由裝置構(gòu)造，可分頻為電容性耦合型及電感性耦合型。D2309CapacitivecoupledplasmaenhancedCVDsystem電容性耦等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)系指對(duì)設(shè)置在石英反應(yīng)管之外

44、側(cè)或內(nèi)側(cè)相面對(duì)電極間，施加電壓產(chǎn)生低壓反應(yīng)瓦斯之等離子體，經(jīng)由等離子體分解可在晶圓上，形成薄膜之CVD裝置。D2310MultipleparallelplateelectrodeplasmaenhancedCVDsystem多平行電極等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)系指對(duì)石英反應(yīng)管內(nèi)插入多數(shù)平行電極板，在此電極上設(shè)置有多數(shù)成垂直之晶圓，具有此一構(gòu)造之電容性耦合型等離子體CVD裝置。在相面對(duì)平行電極板間，施加高頻功率產(chǎn)生低壓反應(yīng)瓦斯之等離子體，而形成薄膜D2311DiodeparallelplateenhancedCVDsystem二極管平行板等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)系指反應(yīng)室內(nèi)有2片平行電極板相對(duì)，在內(nèi)

45、建有加熱器之一側(cè)電極板上設(shè)置晶圓，在互相面對(duì)之電極間施加高頻電壓，使之產(chǎn)生低壓反應(yīng)瓦斯之等離子體，使晶圓上形成薄膜之電容性耦合型等離子體CVD裝置。編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D2312Coaxialcylindricalplasma指對(duì)圓筒型外部電極內(nèi)部，配置同軸狀多面體之enhancedCVDsystem同軸圓筒型等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)晶圓固定電極，此一電容性耦合等離子體增強(qiáng)型CVD裝置。在二電極間施加高頻電壓，使之產(chǎn)生低壓反應(yīng)瓦斯之等離子體，而在晶圓上形成薄膜。D2313InductivecoupledplasmaenhancedCVDsystem電感性耦等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)系指繞在

46、石英反應(yīng)管外側(cè)之線圈施加咼頻電壓，使之產(chǎn)生低壓反應(yīng)瓦斯之等離子體，使設(shè)置在反應(yīng)管內(nèi)之晶圓上，形成薄膜之等離子體CVD裝置。D2314MicrowaveplasmaenhancedCVDsystem微波等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)系指具有由微波導(dǎo)波管，與產(chǎn)生等離子體瓦斯導(dǎo)入口，經(jīng)由微波激勵(lì)之等離子體放電室，所構(gòu)成之等離子體CVD裝置。在經(jīng)由微波所產(chǎn)生等離子流之下游，引進(jìn)反應(yīng)瓦斯，可在內(nèi)建有加熱器（susceptor）內(nèi)，于低溫形成薄膜。亦有將反應(yīng)瓦斯直接引進(jìn)等離子體放電裝置之方法。D2315AfterglowmicrowaveplasmaenhancedCVDsystem隔離型微波等離子體增強(qiáng)型CV

47、D系統(tǒng)系指將經(jīng)由微波將等離子體產(chǎn)生室與成膜室加以隔離，期間以輸送通路加以連接之微波等離子體增強(qiáng)型CVD裝置。因晶圓沒(méi)有暴露在等離子體下，具有不受等離子體影響之低損害成膜之特點(diǎn)。D2316ElectronCouplingResonance(ECR)plasmaenhancedCVDsystemECR等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)是指由微波導(dǎo)波管連接而在周?chē)O(shè)有磁場(chǎng)產(chǎn)生機(jī)構(gòu)之等離子體室,與收納晶圓之反應(yīng)室，所構(gòu)成之CVD裝置.經(jīng)由2.45GHz之微波與875G之磁場(chǎng)，利用離子源來(lái)產(chǎn)生咼密度之等離子體，將反應(yīng)性瓦斯加以分解，于低溫下在晶圓上形成薄膜D2317PhotoassistedCVDsystem光輔

48、助型CVD系統(tǒng)光CVD裝置是指經(jīng)由光能將氣體分子加以分解,于低溫在晶圓片上形成薄膜之CVD裝置因所使用光源，可分類(lèi)成雷射CVD裝置與紫外線燈CVD裝置.D2318LaserassistedCVDsystem雷射輔助型CVD裝置是指經(jīng)由雷射光能將氣體分子加以分解，與低溫在晶圓片上形成薄膜之CVD裝置因所使用雷射（由電子激勵(lì)）,與紅外線雷射（由振動(dòng)激勵(lì)）等CVD裝置.D2319UltravioletlampheatingCVDsystem紫外線燈加熱型CVD系統(tǒng)是指由紫外線燈光裝置，與內(nèi)建有晶圓片加熱器之反應(yīng)室，所構(gòu)成之CVD裝置紫外線光源要使用可產(chǎn)生200nm-300nm之紫外線，或200nm以

49、下之真空紫外線波長(zhǎng)范圍之燈泡總之，反應(yīng)分子之光分解，是利用瓦斯分子之位能（potentialenergy）吸收紫外線，將其提高到電子激勵(lì)狀態(tài)，然后加以分解之原理.。D2320Liquidsourcedeliverysystem液體源輸送系統(tǒng)系指將Si或金屬化合物等液體源，加以汽化并連續(xù)輸送一定量至反應(yīng)室之裝置。慣用之起泡方法，系將輸送量以汽化瓦斯之流量加以控制之方法（直接法）與以液體之流量加以控制，然后加以汽化之方法已被研發(fā)，依反應(yīng)室之壓力條件，或液體源之蒸汽壓，分開(kāi)使用。編號(hào)用語(yǔ)（英文/中文）用語(yǔ)說(shuō)明D2321Radiofrequencyworkcoil系指當(dāng)將Si或GaAs等之半導(dǎo)體晶圓加

50、以加熱之高頻工作線圈際，為要加熱搭載此等被加熱體之承受器，在其近旁所配置之感應(yīng)線圈。對(duì)感應(yīng)線圈施加高頻電壓，由于被加熱體屬于導(dǎo)體，因受電磁感應(yīng)而產(chǎn)生渦電流，而以渦電流所產(chǎn)生之熱來(lái)加熱被加熱體。D2322Coldwall冷壁在CVD裝置中，系利用內(nèi)建在反應(yīng)室中來(lái)自加熱器，或紫外線燈泡之放射熱或高頻加熱，將晶圓加以加熱之方法。因反應(yīng)室之內(nèi)壁溫度不致成為高溫，與熱壁相對(duì)而稱(chēng)為冷壁。D2323Depositionrate沉積速度系指在晶圓片上每單位時(shí)間之生長(zhǎng)膜厚。使用于CVD成膜方法之場(chǎng)合較多。D2324Chambercleaning反應(yīng)室清除是指將附著在反映室內(nèi)之反應(yīng)殘?jiān)右郧宄椒ā＞透晌g刻(d

51、ryetching)法而言，有利用瓦斯之化學(xué)蝕刻(chemicaletching)法，與等離子體清除(plasmacleaning)法。D2325TEOS-O3atmosphericpressureCVDmethodTEOS-O3大氣壓CVD法TEOS-O3CVD法是指以屬于液體源之TEOS*作為反應(yīng)源，以O(shè)3作為氧化劑，在大氣壓下形成SiO2膜之CVD法。具有優(yōu)越之階躍式覆蓋范圍，與高生產(chǎn)量(through-out)為期特點(diǎn)。有時(shí)以B、P作為殘雜(dopant)。*tertraetylorthosilicate:SiQClCHJq，冠其頭一字而稱(chēng)為T(mén)EOS。D2326Reactiontube

52、反應(yīng)管是指在CVD裝置或磊晶生長(zhǎng)裝置等熱處理裝置中，反應(yīng)部形狀為管狀者。是以高純度石英管被用作反應(yīng)管材。D2327Reactionchamber/reactor反應(yīng)室/反應(yīng)器是指在CVD、磊晶生長(zhǎng)裝置等所用之成膜室。可以收納晶圓、晶圓保持架(waferholder)及承授Depositionchamber沉積室，蒸鍍室器(susceptor).特別以咼純度石央制作之管狀者，稱(chēng)為反應(yīng)管。反應(yīng)室有時(shí)亦稱(chēng)為沉積室。D2328Plasmacleaning等離子體清除，電漿清除是指在CVD裝置中，經(jīng)由反應(yīng)氣體離子體之產(chǎn)生，將附著于反應(yīng)室內(nèi)之膜，加以清除之方法。D2329PlasmaTEOSCVDmeth

53、od等離子體TEOSCVD法是指對(duì)低壓CVD之反應(yīng)室輸送TEOS作為反應(yīng)瓦斯，經(jīng)由對(duì)電極間施加高頻電壓來(lái)產(chǎn)生等離子體，而在晶圓片上形成SiO2膜之方法。有時(shí)以B、P作為摻雜劑。D2330Pre-cleaningchamber預(yù)先清除室是指在蒸鍍或沉積前，將晶圓片表面加以清除之專(zhuān)用處理室。大都使用于多室腔型之裝置。D2331Hotwall熱壁是指在CVD裝置中，利用由反應(yīng)室之外側(cè)加熱器，來(lái)進(jìn)行加熱反應(yīng)器內(nèi)晶圓之方法。因此反應(yīng)室內(nèi)壁溫度為高溫，而稱(chēng)為熱壁。編號(hào)用語(yǔ)(英文/中文)用語(yǔ)說(shuō)明D2332MetalCVDmethod是指利用金屬化合物之熱分解，來(lái)形成金屬膜之金屬CVD法CVD法。為對(duì)應(yīng)于細(xì)微圖案之布線、填坑及平坦化，可選擇WCVD、覆蓋（blanket）WCVD已被實(shí)用化。其它作為位障（barrier）層之形成或布線材料，已經(jīng)研發(fā)了好多種金屬之成膜方法。D2333Excludingbacksidedeposition防止背面沉積系指可防止在晶圓背面生成薄膜之構(gòu)造及其方法。在金屬CVD法中，反應(yīng)瓦斯會(huì)迂回到晶圓背面，進(jìn)行不完全成膜，此法大都為防止因剝離有時(shí)會(huì)產(chǎn)生微粒時(shí)使用。D2335D