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  • 2012-11-07 頒布
  • 2013-03-01 實施
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YS∕T 264-2012 高純銦_第1頁
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YS∕T 264-2012 高純銦_第3頁
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文檔簡介

ICS7715099

H66..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T264—2012

代替

YS/T264—1994

高純銦

Highpurityindium

2012-11-07發(fā)布2013-03-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T264—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替高純銦本標準與相比主要變化如下

YS/T264—1994《》。YS/T264—1994:

擴大了高純銦的適用范圍

———;

刪除了范圍中的以高純銦為原料經電解精煉等工藝制得的高純銦

———99.999%,99.9999%;

將牌號高純銦化學成分中的含量由原來的-6改為現在的-6

———In-05Sn1.5×101.0×10;

增加了高純銦含量的計算方法錠重的要求和訂貨合同內容等

———、;

將取樣方法分成了生產樣的取樣和制樣及仲裁樣的取樣和制樣

———;

修改了試驗方法和檢驗結果的判定刪除了附錄

———,A。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準負責起草單位南京中鍺科技股份有限公司

:。

本標準主要起草人張莉萍李國輝

:、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T264—1994。

Ⅰ

YS/T264—2012

高純銦

1范圍

本標準規(guī)定了高純銦的要求試驗方法檢驗規(guī)則和標志包裝運輸貯存質量證明書和合同或

、、、、、、(

訂貨單內容等

)。

本標準適用于以工業(yè)粗銦為原料經原料處理及電解精煉等工藝制得的高純銦產品供制作化合

,。

物半導體高純合金高級軸承及半導體材料的摻雜劑等

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

高純銦分析方法

GB/T2594

數值修約規(guī)則與極限數值的表示和判定

GB/T8170

3要求

31產品分類

.

高純銦按其化學成分分為兩個牌號

,:In-05、In-06。

32化學成分

.

321高純銦的化學成分應符合表的規(guī)定

..1。

表1高純銦的化學成分

化學成分質量分數

()/%

牌號含量雜質含量-4不大于

In,/(×10)

不小于總和

FeCuPbZnSnCdTlMgAlAsSiSAgNi

In-0599.9990.50.410.510.510.50.50.5110.50.510

In-0699.99990.10.10.1—0.30.05—0.1——0.10.1——1

322高純銦的含量為減去表中雜質實測總和的余量

..100%。

323高純銦的雜質末位后數值的修約判定按中的有關規(guī)定進行

..,GB/T8170。

33外觀質量

.

呈銀白色表面應光亮平整無夾雜飛邊毛刺縮孔氧化膜及污物

。、,、

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