干擾耦合機(jī)理學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1干擾干擾(gnro)耦合機(jī)理耦合機(jī)理第一頁，共147頁。 電磁騷擾(soro)的耦合途徑傳導(dǎo)耦合：在騷擾源與敏感設(shè)備之間存在有完整的電路連接，電磁騷擾通過連接電路從騷擾源傳輸電磁騷擾至敏感設(shè)備。輻射耦合：電磁騷擾通過其周圍的媒介以電磁波的形式向外傳播，騷擾電磁能且按電磁場的規(guī)律向周圍空間發(fā)射。傳導(dǎo)耦合(+) 輻射耦合 例如(lr) 傳輸線的輻射/輻射源的傳輸線響應(yīng)第1頁/共146頁第二頁，共147頁。 電磁(dinc)騷擾的耦合途徑分類公共地阻抗耦合電阻性耦合公共電源內(nèi)阻耦合傳導(dǎo)耦合 電容性耦合電感性耦合干擾信號(hào)導(dǎo)線對(duì)導(dǎo)線輻射耦合 天線對(duì)天線場對(duì)導(dǎo)線電磁干擾耦合模型 C： 電容(din

2、rng)耦合 L： 電感耦合 Z： 共阻抗耦合 NC：近場耦合 FR：遠(yuǎn)場輻射 導(dǎo)線對(duì)導(dǎo)線，天線對(duì)天線，場對(duì)導(dǎo)線 電容性耦合，電感性耦合第2頁/共146頁第三頁，共147頁。 電磁輻射的基本(jbn)理論 環(huán)天線(tinxin)元 偶極天線(tinxin)元 縫隙天線(tinxin) n 電磁輻射n 電磁散射(snsh)（二次源，敏感體）n 基本天線結(jié)構(gòu) （等效為磁荷源）第3頁/共146頁第四頁，共147頁。3.1 傳導(dǎo)(chundo)耦合傳導(dǎo)(chundo)耦合是干擾源與敏感設(shè)備之間的主要騷擾耦合途徑之一。 傳導(dǎo)(chundo)騷擾可以通過電源線、 信號(hào)線、 互連線、 接地導(dǎo)體等進(jìn)行耦合。傳

3、導(dǎo)(chundo)耦合包括通過導(dǎo)體間的電容及互感而形成的干擾耦合。第4頁/共146頁第五頁，共147頁。電容性耦合由于電容實(shí)際是由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成的, 因此兩根導(dǎo)線就構(gòu)成了一個(gè)電容, 我們稱這個(gè)電容是導(dǎo)線之間的寄生電容。 由于這個(gè)電容的存在, 一個(gè)導(dǎo)線中的能量(nngling)能夠耦合到另一個(gè)導(dǎo)線上。 這種耦合稱為電容耦合或電場耦合。圖 3-1 電容性耦合模型第5頁/共146頁第六頁，共147頁。2221122jc1jRCRUUURXCR1. 電容性耦合模型圖3-1(a)表示一對(duì)平行導(dǎo)線所構(gòu)成兩回路通過線間的電容耦合, 其等效電路如圖3-1(b)所示。 假設(shè)電路1為騷擾源電路, 電路2為敏感電路,

4、 C為導(dǎo)線1與導(dǎo)線2間的分布電容, 由等效電路可計(jì)算出在回路2上的感應(yīng)電壓為(3-1)第6頁/共146頁第七頁，共147頁。式中, 當(dāng)耦合電容比較小時(shí), 即CR21時(shí), (3-1)式可以簡化為U2=jCR2U1 (3-2)G2L22CG2L21,jR RRXRRC(3-2)相關(guān)參量：工作頻率、 敏感電路對(duì)地的電阻R2(一般情況下為阻抗(zkng)、 分布電容C、 騷擾源電壓U1。 第7頁/共146頁第八頁，共147頁。另一個(gè)電容性耦合模型。 該模型是在前一模型的基礎(chǔ)上除了考慮兩導(dǎo)線(兩電路)間的耦合電容外, 還考慮每一電路的導(dǎo)線與地之間所存在的電容。 地面上兩導(dǎo)體之間電容性耦合的簡單(jind

5、n)表示如圖3-2所示。圖 3-2 地面上兩導(dǎo)線間電容性耦合模型第8頁/共146頁第九頁，共147頁。在圖3-2中, C12是導(dǎo)體1與導(dǎo)體2之間的雜散電容, C1G是導(dǎo)體1與地之間的電容, C2G是導(dǎo)體2與地之間的電容, R是導(dǎo)體2與地之間的電阻。導(dǎo)體1是騷擾源， 其騷擾源電壓為u1, 受害電路為電路2。 任何直接跨接在騷擾兩端的電容, 如圖3-2中的C12能夠被忽略, 因?yàn)樗挥绊懺趯?dǎo)體2與地之間耦合的騷擾電壓UN。 根據(jù)圖3-2(b)的等效電路, 導(dǎo)體2與地之間耦合的騷擾電壓UN能夠表示為(3-3)12N1122Gj1jC RUUR CC第9頁/共146頁第十頁，共147頁。如果R為低阻抗

6、, 即滿足: 那么, (3-3)式可化簡為122G1jRCC(3-4)N121jUC RU第10頁/共146頁第十一頁，共147頁。(3-4)式表明, 電容性耦合的騷擾作用相當(dāng)于在導(dǎo)體2與地之間連接了一個(gè)幅度為In=jC12U1的電流源。 (3-4)式是描述兩導(dǎo)體之間電容性耦合的最重要的公式, 它清楚地表明了拾取(耦合)的電壓依賴于相關(guān)參數(shù)。 假定騷擾源的電壓U1和工作頻率f不能改變, 這樣只留下兩個(gè)減小電容性耦合的參數(shù)C12和R。 減小耦合電容的方法是屏蔽導(dǎo)體、 分隔導(dǎo)體(增加導(dǎo)體間的距離)。 若兩導(dǎo)體之間距離加大, C12的實(shí)際值會(huì)減少, 因此降低導(dǎo)體2上感應(yīng)到的電壓, 若兩平行導(dǎo)體間分隔

7、距離為D, 且導(dǎo)體直徑為d, 則(3-5(a)0121Fcosh/mCD d第11頁/共146頁第十二頁，共147頁。當(dāng)D/d3時(shí), C12可簡化為其中, 08.851012Fm。 導(dǎo)體間的距離與電容性干擾之間的關(guān)系如圖3-3所示。 0 dB的參考點(diǎn)是取自導(dǎo)體間的距離為導(dǎo)體直徑的3倍, 而由圖中可看出相隔距離超過40倍的導(dǎo)體直徑, 再增加隔開的距離也無法得到顯著的衰減量。(3-5(b)012F ln 2/mCD d第12頁/共146頁第十三頁，共147頁。圖 3-3 導(dǎo)體間的間隔對(duì)電容性干擾耦合的影響第13頁/共146頁第十四頁，共147頁。如果R為高阻抗, 即滿足:那么, (3-3)式可簡化

8、為(3-6)式表明, 在導(dǎo)體2與地之間產(chǎn)生的電容性耦合騷擾電壓與頻率無關(guān), 且在數(shù)值上大于(3-4)式表示的騷擾電壓。122G1jRCC(3-6)12N1122GCUUCC第14頁/共146頁第十五頁，共147頁。圖3-4給出了電容性耦合騷擾電壓UN的頻率響應(yīng)。 它是(3-6)式的騷擾電壓UN與頻率的關(guān)系曲線圖。 正如前面已經(jīng)分析的那樣, (3-6)式給出了最大的騷擾電壓UN。 圖3-4 也說明, 實(shí)際的騷擾電壓UN總是小于或等于(3-4)式給出的騷擾電壓UN。 當(dāng)頻率滿足以下關(guān)系時(shí): (3-4)式就給出了是實(shí)際騷擾電壓UN(3-3)式的值)的 倍的騷擾電壓值。 在幾乎所有的實(shí)際情況中, 頻率

9、總是小于(3-7)式所表示的頻率, (3-4) 式表示的騷擾電壓UN總是適合的。 (3-7)122G1()R CC2第15頁/共146頁第十六頁，共147頁。圖 3-4 電容性騷擾耦合與頻率的關(guān)系第16頁/共146頁第十七頁，共147頁。表3-1 幾種典型傳輸線電容計(jì)算公式 第17頁/共146頁第十八頁，共147頁。第18頁/共146頁第十九頁，共147頁。表3-2 幾種導(dǎo)線及傳輸線間的互感公式 第19頁/共146頁第二十頁，共147頁。第20頁/共146頁第二十一頁，共147頁。2. 屏蔽體對(duì)電容性耦合的作用現(xiàn)在考慮導(dǎo)體2有一管狀屏蔽體時(shí)的電容性耦合, 如圖3-5所示。 其中C12表示(bi

10、osh)導(dǎo)體2延伸到屏蔽體外的那一部分與導(dǎo)體1之間的電容, C2G表示(biosh)導(dǎo)體2延伸到屏蔽體外的那一部分與地之間的電容, C1S表示(biosh)導(dǎo)體1與導(dǎo)體2的屏蔽體之間的電容, C2S表示(biosh)導(dǎo)體2與其屏蔽體之間的電容, CSG表示(biosh)導(dǎo)體2的屏蔽體與地之間的電容。第21頁/共146頁第二十二頁，共147頁。圖 3-5 導(dǎo)體2 具有屏蔽體時(shí)兩導(dǎo)線間電容性耦合模型第22頁/共146頁第二十三頁，共147頁。首先考慮導(dǎo)體2對(duì)地電阻為無限大的值, 導(dǎo)體2完全屏蔽, 此時(shí)C12、 C2G均為零。 由圖3-5(b)可知, 屏蔽體耦合到的騷擾電壓US為由于沒有耦合電流通過

11、C2S, 因此完全屏蔽的導(dǎo)體2所耦合的騷擾電壓為UN=US(3-9)(3-8)1SS11SSCCUUCC第23頁/共146頁第二十四頁，共147頁。如果屏蔽體接地, 那么電壓US0, 從而UN0。 導(dǎo)體2完全屏蔽, 即導(dǎo)體2不延伸到屏蔽體外的情況是理想情況。 實(shí)際上, 導(dǎo)體2通常確實(shí)延伸到屏蔽體外, 如圖3-5(a)所示。 此時(shí), C12、C2G均需要考慮。 屏蔽體接地, 且導(dǎo)體2對(duì)地電阻為無限大的值時(shí), 導(dǎo)體2上耦合的騷擾電壓為(3-10)12S2G1212NUCCCCU第24頁/共146頁第二十五頁，共147頁。C12的值取決于導(dǎo)體2延伸到屏蔽體外的那一部分的長度。 良好的電場屏蔽必須使導(dǎo)

12、體2延伸到屏蔽體外的那一部分的長度最小, 必須提供屏蔽體的良好接地。 假定電纜的長度小于一個(gè)波長, 單點(diǎn)接地就可以實(shí)現(xiàn)良好的屏蔽體接地。 對(duì)于長電纜, 多點(diǎn)接地是必須的。 最后, 我們考慮導(dǎo)體2對(duì)地電阻為有限值的情況。 根據(jù)圖3-5(c) 的簡化等效電路知, 導(dǎo)體2上耦合的騷擾電壓為(3-11)12N1122G2Sj1jC RUUR CCC第25頁/共146頁第二十六頁，共147頁。當(dāng)時(shí), (3-11)式可簡化為: (3-12)式和(3-4)式的形式完全一樣, 但是由于導(dǎo)體2此時(shí)被屏蔽體屏蔽, C12的值取決于導(dǎo)體2延伸到屏蔽體外的那一部分的長度, 因此C12大大減小, 從而降低了UN。122

13、G2S1j ()RCCC(3-12)N121jURC U第26頁/共146頁第二十七頁，共147頁。電感性耦合 當(dāng)一根導(dǎo)線上的電流發(fā)生變化, 而引起周圍的磁場發(fā)生變化時(shí), 恰好(qiho)另一根導(dǎo)線在這個(gè)變化的磁場中, 則這根導(dǎo)線上就會(huì)感應(yīng)出電動(dòng)勢。 于是, 一根導(dǎo)線上的信號(hào)就耦合進(jìn)了另一根導(dǎo)線。 這種耦合稱為電感性耦合或磁耦合。第27頁/共146頁第二十八頁，共147頁。1. 電感性耦合模型 電感性耦合也稱為磁耦合, 它是由磁場的作用所引起的。 當(dāng)電流I在閉合電路中流動(dòng)時(shí), 該電流就會(huì)產(chǎn)生(chnshng)與此電流成正比的磁通量。 I與的比例常數(shù)稱為電感L, 由此我們能夠?qū)懗? =LI(3-

14、13)電感的值取決于電路的幾何形狀和包含場的媒質(zhì)的磁特性。 第28頁/共146頁第二十九頁，共147頁。當(dāng)一個(gè)電路中的電流在另一個(gè)電路中產(chǎn)生磁通時(shí), 這兩個(gè)電路之間就存在互感M12, 其定義為(3-14)12表示電路1中的電流I1在電路2產(chǎn)生的磁通量。 由法拉第定律可知, 磁通密度為B的磁場在面積為S的閉合回路中感應(yīng)的電壓為11212IM(3-15)Nd ddSUtBS第29頁/共146頁第三十頁，共147頁。其中, B與S是向量, 如果閉合回路是靜止的, 磁通密度隨時(shí)間作正弦變化且在閉合回路面積上是常數(shù), B與S的夾角為, 那么(3-15)式可簡化為 如圖3-6所示, S是閉合回路的面積,

15、B是角頻率為(rads)的正弦變化磁通密度的有效值, UN是感應(yīng)電壓的有效值。(3-16)NjcosUBS第30頁/共146頁第三十一頁，共147頁。圖 3-6 感應(yīng)電壓取決于回路包圍的面積S第31頁/共146頁第三十二頁，共147頁。因?yàn)锽S cos表示耦合到敏感電路的總磁通量, 所以能夠把(3-14)式和(3-16)式結(jié)合起來, 用兩電路之間的互感M來表示感應(yīng)電壓UN, 即 (3-16)式和(3-17)式是描述兩電路之間電感性耦合的基本方程。(3-17)1N1djdiUMIMt第32頁/共146頁第三十三頁，共147頁。圖3-7表示了由(3-17)式描述的兩電路之間的電感性耦合。 I1是干

16、擾電路中的電流, M是兩電路之間的互感(hgn)。 (3-16)式和(3-17)式中出現(xiàn)的角頻率為(弧度秒), 表明耦合與頻率成正比。 為了減小騷擾電壓, 必須減小B、S、cos。 欲減少B值, 可利用加大電路間的距離或?qū)?dǎo)線絞繞, 使絞線產(chǎn)生的磁通密度B能互相抵消掉。 至于受干擾電路的面積S, 可將導(dǎo)線盡量置于接地面上, 使其減至最小; 或利用絞線的其中一條為地電流回路, 使地電流不經(jīng)接地平面, 以減少回路所圍的面積。 cos的減小則可利用重新安排干擾源與受干擾者的位置來實(shí)現(xiàn)。 第33頁/共146頁第三十四頁，共147頁。圖 3-7 兩電路間的電感性耦合第34頁/共146頁第三十五頁，共14

17、7頁。磁場與電場間的干擾有區(qū)別: 第一, 減小受干擾電路(dinl)的負(fù)載阻抗未必能使磁場干擾的情況改善; 而對(duì)于電場干擾的情況, 減小受干擾電路(dinl)的負(fù)載阻抗可以改善干擾的情況。 第二, 在磁場干擾中, 電感耦合電壓串聯(lián)在被干擾導(dǎo)體中, 而在電場干擾中, 電容耦合電流并聯(lián)在導(dǎo)體與地之間。 利用這一特點(diǎn), 可以分辨出干擾是電感耦合還是電容耦合。 在被干擾導(dǎo)體的一端測量干擾電壓, 在另一端減小端接阻抗。 如果測量的電壓減小, 則干擾是通過電容耦合的; 如果測量的電壓增加, 則干擾是通過電感耦合的(如圖3-8所示)。 第35頁/共146頁第三十六頁，共147頁。圖 3-8 電容耦合與電感耦

18、合的判別第36頁/共146頁第三十七頁，共147頁。2. 帶有屏蔽體的電感性耦合(1) 如果在圖3-7的導(dǎo)體2外放置一管狀屏蔽體時(shí), 如圖3-9所示。 考察(koch)一個(gè)屏蔽體是否對(duì)電感耦合起作用, 只要看屏蔽體的引入是否改變了原來的磁場分布。 設(shè)屏蔽體是非磁性材料構(gòu)成的, 且只有單點(diǎn)接地或沒有接地。 由于屏蔽是非磁性材料的, 因此它的存在對(duì)導(dǎo)體周圍的磁通密度沒有影響, 導(dǎo)體1與導(dǎo)體2的互感M12沒有變化。 所以導(dǎo)體1在導(dǎo)體2上感應(yīng)的電壓與沒有屏蔽時(shí)是相同的。 第37頁/共146頁第三十八頁，共147頁。圖 3-9 導(dǎo)體2帶有屏蔽體的電感耦合第38頁/共146頁第三十九頁，共147頁。在磁場

19、的作用(zuyng)下, 屏蔽體上也會(huì)感應(yīng)出電壓, 設(shè)導(dǎo)體1與屏蔽體間的互感為M1S, 則導(dǎo)體1上的電流I1在屏蔽體上感應(yīng)的電壓為US=jM1SI1(3-18) 但由于屏蔽體只單點(diǎn)接地或沒有接地, 因此屏蔽體上沒有電流, 所以不會(huì)產(chǎn)生額外的磁場, 因此這個(gè)屏蔽層對(duì)磁場耦合沒有任何影響。 如果屏蔽體的兩端接地, 屏蔽層上會(huì)有電流流過, 這個(gè)電流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)附加的磁場。 引起導(dǎo)體2周圍磁場的變化, 因此對(duì)電感耦合有一定影響。 第39頁/共146頁第四十頁，共147頁。為了分析這種情況, 首先研究屏蔽層與內(nèi)導(dǎo)體之間的耦合。 當(dāng)一個(gè)(y )空心管上有均勻電流IS時(shí), 所有的磁場在管子外部, 在管子的內(nèi)部

20、沒有磁場。 因此, 當(dāng)管子內(nèi)部有一個(gè)(y )導(dǎo)體時(shí), 管子上流過的電流產(chǎn)生的磁場同時(shí)包圍管子和內(nèi)導(dǎo)體(如圖3-10所示)。 管子的電感(自感)為LS=/IS, 內(nèi)導(dǎo)體與管子之間的互感為M=/IS, 由于包圍這兩個(gè)導(dǎo)體的磁通相同, 因此: M=LS(3-19)第40頁/共146頁第四十一頁，共147頁。圖 3-10 屏蔽層與內(nèi)導(dǎo)體之間互感第41頁/共146頁第四十二頁，共147頁。即屏蔽與內(nèi)導(dǎo)體之間的互感(hgn)等于屏蔽層的電感(自感)。 這個(gè)結(jié)論是假設(shè)管子上的電流均勻分布, 而沒有規(guī)定內(nèi)導(dǎo)體的位置, 因此這個(gè)結(jié)論不局限于同軸電纜。 圖3-11顯示了屏蔽層的磁場耦合屏蔽效果。 第42頁/共14

21、6頁第四十三頁，共147頁。圖 3-11 屏蔽層的磁場耦合屏蔽效果第43頁/共146頁第四十四頁，共147頁。屏蔽體與中心導(dǎo)體的等效電路如圖3-12所示, 屏蔽體上的電流IS在中心導(dǎo)體上感應(yīng)的干擾電壓為UN=jMIS(3-20)其中, LS及RS為屏蔽體的電感和電阻, 考慮到M=LS, 由(3-20)式和(3-21)式可得:(3-21)SSSSjUIRL(3-22)NSSSjjUURL第44頁/共146頁第四十五頁，共147頁。圖 3-12 屏蔽體的等效電路第45頁/共146頁第四十六頁，共147頁。當(dāng)C, (即RS/LS)時(shí)， UNjLSUS/RS;當(dāng)=C=RS/LS 或 f=fC=RS/(

22、2LS)時(shí), |UN|=0.5|US|;當(dāng)=5C=5RS/LS時(shí), |UN|=0.98|US|。這就是說, 當(dāng)屏蔽體有電流IS時(shí), 中心(zhngxn)導(dǎo)體上感應(yīng)的干擾電壓小于屏蔽體上的感應(yīng)電壓, 而當(dāng)5C時(shí), |UN|US|(如圖3-13所示)。 第46頁/共146頁第四十七頁，共147頁。圖 3-13 同軸電纜屏蔽體電流引起的中心導(dǎo)體上的感應(yīng)電壓第47頁/共146頁第四十八頁，共147頁。當(dāng)圖3-9所示屏蔽體兩端接地時(shí), 屏蔽體電流流動(dòng)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)干擾(騷擾)電壓進(jìn)入導(dǎo)體2, 因此, 感應(yīng)(gnyng)進(jìn)入導(dǎo)體2的干擾(騷擾)電壓有兩部分: 導(dǎo)體1的直接感應(yīng)(gnyng)騷擾電壓U12和感應(yīng)

23、(gnyng)的屏蔽體電流產(chǎn)生的騷擾電壓US2。 注意, 這兩個(gè)感應(yīng)(gnyng)電壓具有相反的極性。 因此, 感應(yīng)(gnyng)進(jìn)入導(dǎo)體2的干擾(騷擾)電壓可以表示為UN=U12US2(3-23)第48頁/共146頁第四十九頁，共147頁。根據(jù)上面的分析(參見(3-17)式、 (3-18)式和(3-22)式)有(3-25)S2S1S 1SSSSjjjjjUUM IRRLL第49頁/共146頁第五十頁，共147頁。注意到導(dǎo)體1與屏蔽體間的互感M1S, 等于導(dǎo)體1與導(dǎo)體2間的互感M12。 (相對(duì)于導(dǎo)體1, 屏蔽體和導(dǎo)體2放置于空間的相同位置), 則(3-23)式變?yōu)?當(dāng)頻率很低時(shí), 即jLSRS

24、, 則有這時(shí), 感應(yīng)的干擾(騷擾)電壓不隨頻率的增加而增加, 保持一個(gè)常數(shù), 這個(gè)數(shù)與沒有屏蔽時(shí)的差值就是屏蔽效果, 如圖3-11中陰影部分所示。 (2) 當(dāng)圖3-7的導(dǎo)體1 (干擾源)帶有一管狀屏蔽體時(shí), 其干擾耦合與屏蔽體的接地方式有關(guān), 則屏蔽體兩端同時(shí)接地時(shí), 如圖3-14所示。 (3-27(b)SN12 1SRUM IL第51頁/共146頁第五十二頁，共147頁。圖 3-14 屏蔽體與接地面間的分流第52頁/共146頁第五十三頁，共147頁。在圖3-14(b)中, 接地回路(ARSLSBA)可列出方程jMI1=(jLS+RS)IS(3-28) 考慮到LS=M, 由上式可得(3-29)

25、SS111SSSSjjjjjjCLIIIIRLRL第53頁/共146頁第五十四頁，共147頁。式中, CRS/LS, C=2fC, fC是屏蔽體的截止頻率(其值參見表3-3), 當(dāng)C時(shí)(例如, 5C5RS/LS), 則ISI1, 即屏蔽體上的電流IS大小與中心導(dǎo)體上的電流I1相同, 而方向相反, 因此屏蔽體上電流IS產(chǎn)生的磁場與中心導(dǎo)體上電流I1產(chǎn)生的磁場相抵消, 此時(shí)屏蔽體外不再有磁場存在, 從而抑制了磁(電感)耦合。 但這種措施只有當(dāng)5C時(shí), 才能(cinng)有效地減少磁場外泄; 當(dāng)頻率較低時(shí), 由于|IS|I1|, 屏蔽體上的電流|IS|產(chǎn)生的磁場不能抵消中心導(dǎo)體電流|I1|產(chǎn)生的磁場

26、, 為了解決這一問題, 可將屏蔽體的一端不接地面與負(fù)載連接, 如圖3-15所示。 第54頁/共146頁第五十五頁，共147頁。圖 3-15 屏蔽體單端接地第55頁/共146頁第五十六頁，共147頁。表3-3 屏蔽體截止頻率的測量值第56頁/共146頁第五十七頁，共147頁。此時(shí)不管(bgun)在任何頻率上, |IS|均與|I1|相等, 方向相反, 則IS產(chǎn)生的磁場抵消了I1產(chǎn)生的磁場, 使屏蔽體外不存在磁場, 而抑制了磁場(電感)耦合。 第57頁/共146頁第五十八頁，共147頁。電容性耦合與電感性耦合的綜合考慮前面研究電容性耦合及電感性耦合的模型及計(jì)算(j sun), 是假定只有單一類型的干

27、擾耦合, 而沒有其他類型耦合的情況, 但事實(shí)上各種耦合途徑是同時(shí)存在的。 當(dāng)耦合程度較小且只考慮線性電路分量時(shí), 電容性耦合(電耦合)和電感性耦合(磁耦合)的電壓可以分開計(jì)算(j sun), 然后再找出其綜合干擾效應(yīng)。 由前面的分析可知, 電容性耦合與電感性耦合的干擾有兩點(diǎn)差別: 首先, 電感性耦合干擾電壓是串聯(lián)于受害電路上, 而電容性耦合干擾電壓是并聯(lián)于受害電路上; 其次, 對(duì)于電感性耦合干擾, 可用降低受害電路的負(fù)載阻抗來改善干擾情況, 而對(duì)于電容性耦合, 其干擾情況與電路負(fù)載無關(guān)。 第58頁/共146頁第五十九頁，共147頁。根據(jù)第一點(diǎn)差別不難看出, 在靠近(kojn)干擾源的近端和遠(yuǎn)端

28、, 電容耦合的電流方向相同, 而電感耦合的電流方向相反。 圖3-16(a)給出電容耦合和電感耦合同時(shí)存在的示意圖, 設(shè)在R2G及R2L上的電容耦合電流分別為IC1及IC2, 而電感耦合電流分別為IL1及IL2, 顯然 IL1=IL2=IL, 在靠近(kojn)干擾源近端R2G上的耦合干擾電壓為U2G=(IC1+IL)R2G(3-30) 遠(yuǎn)端負(fù)載R2L上的耦合干擾電壓為U2L=(IC2IL)R2L(3-31)第59頁/共146頁第六十頁，共147頁。由(3-30)和(3-31)式可知, 對(duì)于靠近干擾源端(近端)電容性耦合電壓與電感性耦合電壓相疊加, 而對(duì)于靠近負(fù)載端, 或者說遠(yuǎn)離干擾源端, 總干

29、擾電壓等于電容性耦合電壓減去電感性耦合電壓, 在進(jìn)行相減計(jì)算時(shí), 是以復(fù)數(shù)形式進(jìn)行的。 圖3-16(b)為圖3-16(a)的等效電路, 由上面的分析可求得, 在靠近干擾源端(近端)干擾電壓為(3-32)2G()UU電容性耦合()U電容性耦合2G1200102C102G2Lj MRRRRRUURRRXRR第60頁/共146頁第六十一頁，共147頁。靠近負(fù)載端(遠(yuǎn)端)的干擾電壓為式中, (3-33)2L()()UUU電容性耦合電容性耦合2G1200102C102G2Lj MRRRRRUURRRXRRCXj1C2G2L2G2LRRRRR第61頁/共146頁第六十二頁，共147頁。圖 3-16 電容性

30、耦合與電感性耦合的綜合影響第62頁/共146頁第六十三頁，共147頁。 表3-4給出了幾種導(dǎo)線(doxin)及傳輸線的電感(自感)公式。 表3-5給出了導(dǎo)體的電阻公式。 第63頁/共146頁第六十四頁，共147頁。表3-4 幾種導(dǎo)線及傳輸線的電感(自感)公式 第64頁/共146頁第六十五頁，共147頁。第65頁/共146頁第六十六頁，共147頁。表3-5 導(dǎo)體的電阻公式 第66頁/共146頁第六十七頁，共147頁。第67頁/共146頁第六十八頁，共147頁。3.2 高頻耦合前面所研究的線間耦合是低頻情況下的耦合, 即導(dǎo)線長度較波長小得多的情況, 在高頻時(shí), 導(dǎo)體的電感和電容將不可忽略。 此時(shí),

31、 電抗值將隨頻率而變化, 感抗隨頻率增加而增加, 容抗隨頻率增加而減小。 在無線電頻率范圍(fnwi)內(nèi), 長電纜上的騷擾傳播應(yīng)按傳輸線特性來考慮, 而不能按集總電路元件來考慮。 第68頁/共146頁第六十九頁，共147頁。根據(jù)傳輸線特性, 對(duì)于長度與頻率所對(duì)應(yīng)的4可以比擬(或大于)的導(dǎo)體, 其特性阻抗為。 其端接阻抗應(yīng)等于該導(dǎo)體的特性阻抗, 實(shí)際上這是不大可能的。 因此, 在其終端會(huì)出現(xiàn)反射, 形成駐波。 在無線電頻率范圍內(nèi), 許多實(shí)際系統(tǒng)中的駐波現(xiàn)象均有明顯的騷擾耦合作用。 當(dāng)頻率較高, 其導(dǎo)線長度等于或大于14波長時(shí), 前面的公式就不再適用了, 因?yàn)椴荒苡眉傋杩沟姆椒▉硖幚矸植紖?shù)阻抗

32、。 此時(shí), 區(qū)別電容耦合或電感耦合已沒有意義, 需要用分布參數(shù)電路理論求解線上的電流波與電壓波來計(jì)算線間的干擾耦合。 /L C第69頁/共146頁第七十頁，共147頁。分布參數(shù)電路的基本理論 由電磁場理論可知, 在導(dǎo)線或傳輸線上有分布電阻及分布電感, 導(dǎo)線間有分布電容和分布電導(dǎo)。 在低頻時(shí), 或者說當(dāng)波長遠(yuǎn)大于線長時(shí), 這些分布參數(shù)對(duì)線上傳輸?shù)碾娏?dinli)、 電壓的影響很小, 而把電路作為集總參數(shù)電路來處理。 當(dāng)頻率很高使線長可以和波長相比較時(shí), 線上的分布參數(shù)對(duì)電流(dinli)、 電壓的影響很大, 此時(shí)需要用分布參數(shù)理論來研究。 第70頁/共146頁第七十一頁，共147頁。對(duì)于分布參

33、數(shù)電路, 線上任一無限小線元z上都分布有電阻Rz、 電感Lz及線間分布電導(dǎo)Gz和電容Cz。 這里R、 L、 G和C分別為線上單位長度(chngd)的分布電阻、 電感、 電導(dǎo)和電容, 其數(shù)值與傳輸線的形狀、 尺寸、 導(dǎo)線材料及周圍填充的介質(zhì)參數(shù)有關(guān)。 第71頁/共146頁第七十二頁，共147頁。對(duì)于距傳輸線始端z處線元z的等效電路可用圖3-17表示, 設(shè)z處的電壓和電流分別為u(z)和i(z), z+z處的電壓和電流分別為u(z+z)和i(z+z), 由于z, 導(dǎo)線周圍是無耗均勻媒質(zhì), 其介電常數(shù)與導(dǎo)磁率分別為和, 在x=0和x=l 處發(fā)射電路端接(dun ji)阻抗分別為Z0G和Z1G, 而接

34、收電路的端接(dun ji)阻抗分別為Z0R和Z1R, 其等效電路如圖3-19所示。 第79頁/共146頁第八十頁，共147頁。圖 3-18 傳輸線的高頻耦合第80頁/共146頁第八十一頁，共147頁。圖 3-19 傳輸線的高頻耦合的等效電路第81頁/共146頁第八十二頁，共147頁。在圖3-19中, UG(x)和UR(x)分別表示線上任一點(diǎn)發(fā)射線和接收線相對(duì)參考導(dǎo)體的電壓, 而IG(x)和IR(x)分別為線上任一點(diǎn)發(fā)射線電流及接收線電流。 下面用分布(fnb)參數(shù)電路理論來計(jì)算高頻線間的干擾耦合。 設(shè)單位長度上, 發(fā)射線和接收線的自電感分別為LG和LR, 自電容分別為CG和CR, 兩線間的互

35、感和互電容分別為LM和CM, 不考慮傳輸線上的損耗電阻, 可得到一小段傳輸線x的等效電路, 如圖3-20所示。第82頁/共146頁第八十三頁，共147頁。圖 3-20 x線元高頻耦合等效電路第83頁/共146頁第八十四頁，共147頁。利用與方程(3-34)相同的推導(dǎo)方法可求出, 當(dāng)x0時(shí), 線上(3-40) GGGMRRMGRRGGMGMRRRMRMGdjddjddjddjdUxL IxL IxxUxL IxL IxxIxCCUxC UxxIxCCUxC Uxx 第84頁/共146頁第八十五頁，共147頁。求解傳輸線方程(3-40)式可得(3-41) GGGGMRRRMGRRGGMGMMGRR

36、MRMGRsincos0j00sincos0j00sinj00cos0sinj00cos0lUll UlL IL IllUll UlL IL IllIllCCUC Ul IllIllCCUC Ul Il 第85頁/共146頁第八十六頁，共147頁。 設(shè)x=0, x=l的端接條件為(3-42) GS0GGR0GRG1R1RR0000GGUUZIUZIUlZ IlUlZ Il 第86頁/共146頁第八十七頁，共147頁。把(3-42)式代入(3-41)式中, 可得接收線兩端的干擾電壓UR(0)和UR(l)為(3-43(a) (3-43(b) 0R1R1RRMGDMGD0R1R0R1RjjZZZSU

37、lL lIC lUDZZZZ 0RRM1GGD20R1Rj2 1/0j1ZSUL l CS ID ZZk0R1RMGD20R1R1Gj2 1/1j1ZZC l CS UZZk第87頁/共146頁第八十八頁，共147頁。式中:0G1R1G0R2222RG0G1R0G1R111j11RGDqSkqS cosql；sinlSl；0R0RCRZZ，1R1RCRZZ；0G0GCGZZ，1G1GCGZZ；2CGG1ZLk，2CRR1ZLk，；第88頁/共146頁第八十九頁，共147頁。MGRLkL L，1GGDS0G1GZUUZZ，SGD0G1GUIZZ；G0G1GGGM0G1G0G1G()L lZZCC

38、lZZZZ；0R1RRRRM0R1R0R1RZZL lCClZZZZ。第89頁/共146頁第九十頁，共147頁。在上述公式中, ZCR(ZCG)為接收(發(fā)射)電路存在(cnzi)時(shí)發(fā)射(接收)電路的特性阻抗, k為耦合系數(shù), UGD和IGD為發(fā)射線的直流電壓和電流, G和R分別為發(fā)射和接收電路的時(shí)間常數(shù)。 第90頁/共146頁第九十一頁，共147頁。3.2.3 低頻情況的耦合 對(duì)于低頻情況, 線長l, 則有: 并且忽略LG、 LR、 CG、 CR的影響, 則可求出: (3-44)cos1qlsin1lSl LCRRRLCRRR000UlUlUlUUU第91頁/共146頁第九十二頁，共147頁。

39、式中: L1RRMGD1R0RjZUlL lIZZ ； L0RRMGD1R0R0jZUL lIZZ ；CC0R1RRRMGD0R1R( )(0)jZZUlUC lUZZ；SGD1G0GUIZZ；1GSGD1G0GZ UUZZ。第92頁/共146頁第九十三頁，共147頁。在(3-44)式中, 被干擾線上的端電UR(l)和UR(0)均是兩項(xiàng)干擾電壓的疊加, 其中為兩線間互感LM耦合產(chǎn)生的, 稱為電感耦合, 為兩線間電容CM耦合產(chǎn)生的, 稱為電容耦合, 不難看出(3-44)式與前節(jié)所推出的(3-32)式及(3-33)式是一致的。 根據(jù)(3-44)式可得到兩傳輸線低頻耦合(電感性耦合及電容性耦合)的等

40、效電路, 如圖3-21所示。 LRUCRU第93頁/共146頁第九十四頁，共147頁。圖 3-21 傳輸線低頻耦合的等效電路第94頁/共146頁第九十五頁，共147頁。3.3 輻射耦合輻射電磁場是騷擾耦合的另一種方式, 除了從騷擾源有意輻射之外, 還有無意輻射, 例如, 有短(小于4)單極(dn j)天線作用的線路和電纜, 或者起小環(huán)天線作用的線路和電纜, 都可能輻射電場或磁場。 輻射耦合的途徑主要有: 天線天線, 天線電纜, 天線機(jī)殼, 電纜機(jī)殼, 機(jī)殼機(jī)殼, 電纜電纜。對(duì)于輻射耦合, 電磁場理論中近場與遠(yuǎn)場的概念是十分重要的。 第95頁/共146頁第九十六頁，共147頁。電磁輻射當(dāng)場源的電

41、流或電荷隨時(shí)間變化時(shí), 就有一部分電磁能量進(jìn)入周圍空間, 這種現(xiàn)象稱為電磁能量的輻射。 研究電磁輻射, 最簡單的是電偶極子和磁偶極子的輻射。 實(shí)際(shj)天線可近似為許多偶極子的組合, 天線所產(chǎn)生的電磁波也就是這些偶極子所產(chǎn)生的電磁波的合成。 第96頁/共146頁第九十七頁，共147頁。1. 電偶極子的電磁輻射電偶極子是指一根載流導(dǎo)線, 它的長度l與橫向尺寸都比電磁波長小得多。 假設(shè)沿長度方向上的電流是均勻的, 導(dǎo)線長度l比場中任意點(diǎn)與電偶極子的距離小得多, 即場中任意點(diǎn)與導(dǎo)線上各點(diǎn)的距離可認(rèn)為是相等的。 偶極子經(jīng)傳輸線接于高頻源上, 如圖3-22 (a)所示。 高頻源的傳導(dǎo)電流在偶極子兩端

42、會(huì)中斷(zhngdun), 但偶極子兩臂之間的位移電流與之構(gòu)成了環(huán)路。 第97頁/共146頁第九十八頁，共147頁。圖 3-22 電偶極子輻射源第98頁/共146頁第九十九頁，共147頁。將電偶極子中心置于直角坐標(biāo)原點(diǎn), l沿y軸方向, 如圖3-22(b)所示。 設(shè)電偶極子上電流作余弦(或正弦)變化, 即I=Im cost。 那么, 電偶極子在介電媒質(zhì)中產(chǎn)生的電磁場(E和H)亦是時(shí)間的余弦(或正弦)函數(shù)。 自由空間的電荷(dinh)密度、 傳導(dǎo)電流密度JC以及電導(dǎo)率均為零, 麥克斯韋方程的微分形式可表達(dá)為第99頁/共146頁第一百頁，共147頁。(3-45) 式中: 為磁場強(qiáng)度(A/m); 為

43、電場強(qiáng)度(V/m)； 為磁感應(yīng)強(qiáng)度(T); 為電位移矢量(Q/m2)。 .jj00DHEtBEHtBD EHDB第100頁/共146頁第一百零一頁，共147頁。由上述方程組可解得電偶極子周圍的電磁場為(3-46) r223r233230011sin()cos() sin4()11cos()sin() cos2()()111sin()cos()sin() sin4()()0mmmHHIlHktkrtkrkrkrIlEktkrtkrkrkrIlEktkrtkrtkrkrkrkrE第101頁/共146頁第一百零二頁，共147頁。式中: Iml為電偶極子的電矩(Am); r為從坐標(biāo)中心到觀察點(diǎn)的距離(

44、m); k為波數(shù), 電磁波傳播單位長度(chngd)所引起的相位變化, 設(shè)電磁波的波長為, 則有k=2/(rad/m)。 下面按照觀察點(diǎn)到電偶極子的距離遠(yuǎn)近來討論電偶極子周圍電磁場各分量的表達(dá)式。 第102頁/共146頁第一百零三頁，共147頁。1) 近場區(qū)(又稱感應(yīng)場區(qū))在r/(2)的區(qū)域內(nèi), kr(2)的區(qū)域內(nèi), kr1。 由(3-46)式可見, 電偶極子產(chǎn)生的場分量主要取決于1/(kr)的低次項(xiàng), 而且(r qi)E與E相比可忽略, 因此在波的傳播方向上的電場分量近似為零, 近似得(3-48) 第104頁/共146頁第一百零五頁，共147頁。2) 遠(yuǎn)場區(qū)(又稱輻射場區(qū))在r(2)的區(qū)域內(nèi)

45、, kr1。 由(3-46)式可見, 電偶極子產(chǎn)生的場分量主要取決于1/(kr)的低次項(xiàng), 而且E與E相比可忽略, 因此在波的傳播方向上的電場分量近似為零, 近似得(3-48) 2sinsin()4sinsin()4mmk IlEtkrrkIIHtkrr第105頁/共146頁第一百零六頁，共147頁。由式(3-48)可看出, 無論是E還是, 幅值都和角無關(guān), 僅與角有關(guān), 而且正比于sin。 在90的方向, 即在垂直于偶極子軸線的方向上, 場強(qiáng)E及H最大。 輻射源向空間輻射的電磁場強(qiáng)度隨空間方向而變化的特性稱為輻射源的方向性, 圖3-23為電偶極子的方向圖。 工程上可以利用(3-47)式與(3

46、-48)式計(jì)算電偶極子周圍場強(qiáng)的值, 例如, 當(dāng)l長為1 cm、 Im為1 A時(shí), 不同距離上的場強(qiáng)值如表3-8所示。 H第106頁/共146頁第一百零七頁，共147頁。圖 3-23 電偶極子的方向圖第107頁/共146頁第一百零八頁，共147頁。表3-8 距電偶極子不同距離的場強(qiáng) 第108頁/共146頁第一百零九頁，共147頁。2. 磁偶極子的電磁幅射參照電偶極子的電磁幅射一節(jié), 用一個(gè)磁偶極子替代電偶極子。 該磁偶極子由假想的一對(duì)相距極小的正、 負(fù)磁荷(+qm, qm)組成, 如圖3-24(a)所示。 直徑遠(yuǎn)小于波長(bchng)的小環(huán)天線可作磁偶極子處理。 將通電小圓環(huán)置于xz平面, 環(huán)

47、中心與坐標(biāo)原點(diǎn)重合, 見圖3-24(b)。 設(shè)小圓環(huán)半徑為a, 流過的電流為im=Im sint, 可求得在空間某點(diǎn)處的電場與磁場的表達(dá)式為第109頁/共146頁第一百一十頁，共147頁。(3-49) r24m223mr2323m230011cos()sin() sin4()11sin()cos() cos2()()111cos()sin()cos() sin4()()0EEI aEktkrtkrkrkrI aHktkrtkrkrkrI aHktkrtkrtkrkrkrkrH第110頁/共146頁第一百一十一頁，共147頁。圖 3-24 磁偶極子輻射源第111頁/共146頁第一百一十二頁，共1

48、47頁。1) 近場區(qū)(又稱感應(yīng)電場區(qū))在r(2)的區(qū)域內(nèi), kr/(2)的區(qū)域內(nèi), kr1。 由式(3-49)可見, 磁偶極子產(chǎn)生的場分量主要取決于1/(kr)的低次項(xiàng), 而且Hr與H相比可忽略, 因此在波的傳播方向上的磁場分量近似為零, 得(3-51) r23m23m0sincos()4sincos()4HI a kHtkrrI a kEtkrr第113頁/共146頁第一百一十四頁，共147頁。由(3-51)式可見, 在磁偶極子的遠(yuǎn)場區(qū), 電磁場與空間的關(guān)系完全和電偶極子相仿。 當(dāng)=90時(shí), 即在線圈所在平面上, 電場與磁場為最大值。 同樣(tngyng), 當(dāng)一小圓環(huán)的半徑a為0.564

49、cm, 通過的電流為1 A時(shí), 其周圍的場強(qiáng)值列于表3-9。第114頁/共146頁第一百一十五頁，共147頁。表3-9 距磁偶極子不同距離的場強(qiáng) 第115頁/共146頁第一百一十六頁，共147頁。3.3.2 近場區(qū)與遠(yuǎn)場區(qū)的特性1. 近場區(qū)1) 波阻抗在上述分析中, 把r/(2)的區(qū)域作為近場區(qū), 但在電磁屏蔽領(lǐng)域通常把與偶極子相距為r/(2)的區(qū)域稱為遠(yuǎn)場區(qū)。 由式(3-48)和式(3-51)可見, 在遠(yuǎn)場區(qū)電磁場只有與傳播方向垂直的兩個(gè)場分量E和H, 或H和E有關(guān), 在傳播方向沒有場分量, 稱為橫電磁(TEM)波, 又稱平面電磁波。 圖3-28 為平面電磁波中電場與磁場的瞬時(shí)分布。 平面電

50、磁波具有下列特性: 第125頁/共146頁第一百二十六頁，共147頁。圖 3-28 遠(yuǎn)場區(qū)平面波的瞬時(shí)場分布第126頁/共146頁第一百二十七頁，共147頁。(1) 電磁波的兩個(gè)場分量電場與磁場在空間相互垂直, 且在同一平面上。 (2) 電場和磁場在時(shí)間上同相位。 (3) 平面波在自由空間的傳播速度8c003 10V ( m /s )第127頁/共146頁第一百二十八頁，共147頁。(4) 自由空間電場和磁場分量的比值(波阻抗)是一常數(shù), 與場源的特性和距離無關(guān)。 對(duì)于電偶極子, 可由式(3-48)得到波阻抗Zw為 (3-55)用磁偶極子遠(yuǎn)場區(qū)的E和H的表達(dá)式可獲得同樣的結(jié)果。 0w01203

51、77 ( )EZH第128頁/共146頁第一百二十九頁，共147頁。(5) 平面波中電場的能量密度We和磁場能量密度Wm各為電磁波總能量的一半, 即 (3-56) (3-57) (3-58)2e2EW22mHWemem22WWWWW第129頁/共146頁第一百三十頁，共147頁。(6) 電磁波能量的傳播方向由坡印廷矢量確定, 可用下式表示: 式中: 為坡印廷矢量; 和為互相垂直的電場與磁場矢量。 (7) 電場與磁場均隨離開場源的距離成反比地減小(見圖3-27)。 電磁兼容性測試時(shí)常利用這種關(guān)系進(jìn)行電磁發(fā)射極限值轉(zhuǎn)換。 例如, 在國家標(biāo)準(zhǔn)信息技術(shù)設(shè)備的無線電騷擾限值和測量方法中, 規(guī)定在3023

52、0 MHz頻段, B級(jí)受試設(shè)備的10 m準(zhǔn)峰值限值為30 dBV/m, 當(dāng)改用3 m距離測量時(shí), 限值將增加到40.5 dBV/m。 (3-59)HESSER第130頁/共146頁第一百三十一頁，共147頁。3. 空氣波阻抗與場源特性、 波長、 距離的關(guān)系綜上所述, 近場區(qū)與遠(yuǎn)場區(qū)的波阻抗有明顯區(qū)別。 分析金屬板的電磁屏蔽效能時(shí), 正是(zhn sh)這種材料界面上波阻抗的差異導(dǎo)致了反射損耗, 因此波阻抗是屏蔽效能計(jì)算中極重要的一個(gè)參數(shù)。 圖3-25給出了自由空間不同場區(qū)的波阻抗隨頻率及距離變化的關(guān)系。 進(jìn)入遠(yuǎn)場區(qū)之后, 波阻抗將趨向恒定的377 。 第131頁/共146頁第一百三十二頁，共1

53、47頁。4. 導(dǎo)體的波阻抗導(dǎo)電媒質(zhì)的波阻抗可由電磁波在遠(yuǎn)區(qū)自由空間傳播時(shí)波阻抗表達(dá)式(3-52)推出。 只需以導(dǎo)體的復(fù)介電常數(shù)代替自由空間的。 導(dǎo)體的波阻抗以表示, 有對(duì)良導(dǎo)體而言, 有, 則j(/) sZSj(/)jZ jj44SS1jeej2ZZ第132頁/共146頁第一百三十三頁，共147頁。上式中為良導(dǎo)體波阻抗的模, 有 (3-60)式中: 為導(dǎo)體的磁導(dǎo)率, 非鐵磁性材料的=0; 為導(dǎo)體的電導(dǎo)率; 為電磁波的角頻率。 從ZS的表達(dá)式可見, 電磁波在良導(dǎo)體內(nèi)傳播時(shí)電場與磁場相位差/4, 而且由于導(dǎo)體引入的損耗, 其幅度將按指數(shù)規(guī)律下降, 坡印廷矢量如圖3-29所示。 SZSZSSZZ第1

54、33頁/共146頁第一百三十四頁，共147頁。圖 3-29 電磁波在導(dǎo)體內(nèi)的傳播特性第134頁/共146頁第一百三十五頁，共147頁。(3-61)一般資料只提供相對(duì)電導(dǎo)率r和相對(duì)磁導(dǎo)率r, 見表3.8。 把r和r代入式(3-60)后, 可得式中: r=/0, 0=4107(H/m);r=/Cu, Cu為銅的電導(dǎo)率, Cu=5.8107(S/m)。 例如, 在頻率為1 MHz時(shí), 按式(3-61)可求得銅對(duì)電磁波的波阻抗為0.368 m。 7rSSr3.68 10 fZZ第135頁/共146頁第一百三十六頁，共147頁。電磁波的極化極化是指平面波的電場強(qiáng)度E在空間某一定點(diǎn)的方向變化情況(qngkung)。 無論是在抑制電磁波傳播或電磁兼容性試驗(yàn)中, 都會(huì)遇到電磁波的極化問題。 第136頁/共146頁第一百三十七頁，共147頁。 沿x方向傳播的平面波, E和H都在y-z平面上。 若Ez=0, 只有Ey存在(cnzi)(電偶極子垂直放置時(shí)在近場區(qū)所產(chǎn)生的電磁波就屬此情況), 則稱該平面波極化于y方向, 如圖3-30(a)所示。 Ey垂直于地平面, 又稱垂直極化。 若Ey0, 只有Ez存在(cn