模擬電子練習(xí)題

1、第1頁/共8頁 下一頁 文本預(yù)覽：模擬電子習(xí)題集一選擇題1半導(dǎo)體中的空穴是(B)：A半導(dǎo)體晶格中的缺陷B電子脫離共價(jià)鍵后留下的空位C帶正電的離子2工作在放大狀態(tài)的晶體管，流過集電結(jié)的主要是（B）A擴(kuò)散電流B漂移電流3下列元、器件中有源器件是(C)：A電阻器B電容器C晶體管4多級(jí)放大電路與單管放大電路相比，頻帶（B）A變寬B變窄C差不多5差動(dòng)輸入信號(hào)與兩個(gè)輸入信號(hào)的（A）有關(guān)。A差B和C比值D平均值6輸出級(jí)的互補(bǔ)電路常用的接法是(B)：A共射或共源B共集或共漏C 共基或共柵7具有下列情況的就一定是反饋放大電路(B)：A輸出與輸入之間有信號(hào)通路B電路中存在反向傳輸?shù)男盘?hào)通路C除放大電路以外還有信號(hào)

2、通路8為了抑制漂移，集成運(yùn)放的輸入級(jí)一般是差動(dòng)放大電路，因此對(duì)于由雙極型三極管構(gòu)成輸入級(jí)的集成運(yùn)放，兩個(gè)輸入端的外接電阻應(yīng)（B）A較大B對(duì)稱C較小9在輸入電壓從足夠低逐漸上升到足夠高和從足夠高下降到足夠低兩種不同變化過程中，（B）的輸出電壓隨uI變化的曲線是不同的。A簡單電壓比較器B滯回比較器C窗口比較器10濾波可利用（C）實(shí)現(xiàn)A二極管 B變頻電路C低通濾波電路D高通濾波電路11本征半導(dǎo)體溫度升高后(C)A自由電子數(shù)目增多，空穴數(shù)目基本不變B空穴數(shù)目增多，自由電子數(shù)目基本不變C自由電子和空穴數(shù)目都增多，且增量相同D自由電子和空穴數(shù)目不變12二極管的正向電阻（B），反向電阻（A）A大B小13NP

3、N型和PNP型晶體管的區(qū)別是（C）A由兩種不同材料硅和鍺制成的B滲入的雜質(zhì)元素不同C P區(qū)和N區(qū)的位置不同14某個(gè)處于放大狀態(tài)的電路，當(dāng)輸入為10mV時(shí)，輸出電壓為7V；輸入電壓為15mV時(shí)，輸出電壓為6.5V 。它的電壓放大倍數(shù)為（C）A700 B100 C-10015放大電路與單管放大電路相比，高頻時(shí)附加相移（A）A變大B變小C基本不變16差模放大倍數(shù)Ad是（B）之比，共模放大倍數(shù)Ac是（C）比。A輸出的變化量與輸入變化量B輸出差模量與輸入差模量C輸出共模量與輸入共模量D輸出直流量與輸入直流量17復(fù)合管組成的電路可以(B)：A展寬頻帶B提高電流放大系數(shù)C減小溫漂18所謂開環(huán)是指具有以下主要

4、特點(diǎn)的電路(B)：A無信號(hào)源B無反饋通路 C無電源D無負(fù)載19當(dāng)集成運(yùn)放處于（A）狀態(tài)時(shí)，可運(yùn)用（D）和（E）概念。A 線性放大B開環(huán)C深負(fù)反饋D虛短E虛斷20功率放大電路的輸出功率大是由于(C)：A電壓放大倍數(shù)大或電流放大倍數(shù)大B輸出電壓高且輸出電流大C輸出電壓變化幅值大且輸出電流變化幅值大21.N型半導(dǎo)體是純凈半導(dǎo)體加入以下(C)物質(zhì)后形成的半導(dǎo)體：A電子B硼元素（三價(jià)）C銻元素（五價(jià)）22二極管的伏安特性時(shí)I=（C）A KU2 B KU3/2 C K（EU/UT-1）23當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的（ A），反向電流（A），UBE（B）A變大B變小C基本不變24兩個(gè)AU=100的放大電路和分別

5、對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的電壓信號(hào)進(jìn)行放大時(shí)得到U01=4.85V，U02=4.95V。由此可知放大電路比較好，因?yàn)樗模˙）。（設(shè)所接負(fù)載電阻相同）A放大倍數(shù)大B輸入電阻大C輸出電阻小25直接耦合放大電路能放大（C），阻容耦合電路能放大（B）A直流信號(hào)B交流信號(hào)C交直流信號(hào)26電路的Ad越大表示（B），Ac越大表示（A）。A溫漂越大B有用信號(hào)的放大倍數(shù)越大C仰制溫漂能力越強(qiáng)27為了提高ri，減小溫漂，通用型集成運(yùn)放的輸入級(jí)大多采用（C）電路。A共射或共源B共集或共漏C差動(dòng)放大28所謂閉環(huán)是指(B)：A考慮信號(hào)源內(nèi)阻B有反饋通路C接入電源D接入負(fù)載29（B）是（A）的特殊情況A虛短B虛地C虛斷30功率

6、放大電路與電壓放大電路或電流放大電路的主要區(qū)別是(A)：A功放電路的輸出功率比較大,而電壓或電流放大電路的輸出功率一般比較小 B功放電路的效率比較高，而電壓或電流放大電路的效率很低C功放電路的輸出電壓幅值比電壓放大電路的大31N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（B），P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（A）A空穴B自由電子32二極管電壓從0.65V增大10%，流過的電流增大（B）A 10% B 大于10% C小于10%33場效應(yīng)管G-S之間的電阻比晶體管b-e間電阻（A）A大B小C差不多34電路的靜態(tài)是指(C)：A輸入交流信號(hào)幅值不變時(shí)的電路狀態(tài)B輸入交流信號(hào)頻率不變時(shí)的電路狀態(tài)C無信號(hào)輸入時(shí)的電路狀態(tài)35阻容耦

7、合電路與直接耦合電路的多級(jí)放大電路之間的最主要不同點(diǎn)是(A)： A所放大的信號(hào)不同B交流通路不同C直流通路不同36共模仰制比KCMR是（C）之比A差模輸入信號(hào)與共模輸入信號(hào)B輸出量中差模成分與共模成分C差模放大倍數(shù)與共模放37。為了減小ro，通用型集成運(yùn)放輸出級(jí)大多采用（C）電路。A共集或共漏B差動(dòng)放大C互補(bǔ)或準(zhǔn)互補(bǔ)跟隨38若接入反饋后與未接入反饋時(shí)相比有以下情況者為負(fù)反饋，反之為正反饋(BD)： A凈輸入量增大 B凈輸入量減小C輸出量變大D輸出量變小39電壓比較器與放大電路、運(yùn)算電路的主要區(qū)別是：電壓比較器電路中的集成運(yùn)放工作在（C）或（D），因此它的輸出只有（A）和（B）兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)40所

8、謂電路的最大不失真輸出功率是指輸入正弦波信號(hào)幅值足夠大，使輸出信號(hào)基本不失真且幅值最大時(shí)(C)：A晶體管上得到最大功率B電源提供的最大功率C負(fù)載上獲得的最大交流功率41.N型半導(dǎo)體（C），P型半導(dǎo)體（C）A帶正電B帶負(fù)電C呈中性42當(dāng)溫度升高后，二極管的正向電壓（B），反向電流（A）A增大B減小C基本不變43場效應(yīng)管是通過（B）改變漏極電流的。A柵極電流B柵源電壓C漏源電壓44分析放大電路時(shí)常常采用交直流分開分析的方法。這是因?yàn)?C)：A晶體管是非線性器件B電路中存在電容C在一定條件下電路可視為線性電路，因此可用疊加定理45因?yàn)樽枞蓠詈想娐犯骷?jí)靜態(tài)工作點(diǎn)相互獨(dú)立，所以這類電路(A)A溫漂小B能

9、放大直流信號(hào)C放大倍數(shù)穩(wěn)定46長尾式差放電路中，Re越大則（D）A Ad越大B Ad越小 C Ac越大 D Ac越小47集成運(yùn)放內(nèi)部是由直接耦合方式的多級(jí)放大電路組成的，作為放大器應(yīng)用，它是（C） A能放大直流信號(hào)，不能放大交流信號(hào)B能放大交流信號(hào)，不能放大直流信號(hào)C既能放大交流信號(hào)，也能放大直流信號(hào)48直流負(fù)反饋是指(B)：A只存在于直接耦合電路，而阻容耦合電路中不存在的反饋B直流通路中的負(fù)反饋C只在放大直流信號(hào)時(shí)才有的反饋49無論是用集成運(yùn)放還是集成電壓比較器構(gòu)成的電壓比較器電路，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電位關(guān)系相同，即只要反相輸入端的電位高于同相輸入端的電位，則輸出為（B）電平。相反，若

10、同相輸入端電位高于反相輸入端電位，則輸出為（A）電平。A高B低50所謂效率是指(C)：A輸出功率與輸入功率之比B輸出功率與晶體管上消耗的功率之比C最大輸出功率與電源提供的功率之比二填空題1 雙極型三極管從結(jié)構(gòu)上看可以分成（NPN） 和（PNP）兩種類型，它們工作時(shí)有（電子）和（空穴）兩種載流子參與導(dǎo)電。2 甲類放大電路是指放大管的導(dǎo)通角等于（2）。3 電流源電路作為偏置電路的作用是（提供穩(wěn)定偏置電流），作為有源負(fù)載電路的作用是（提高開環(huán)電壓增益）。4 流過（反相）求和電路反饋電阻的電流等于各輸入電流的代數(shù)和。5 放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是（線性）失真和（非線性）失真。6 在共射阻容耦合

11、放大電路中，使低頻區(qū)電壓增益下降的主要原因是（耦合電容及射極旁路電容）的影響；使高頻區(qū)電壓增益下降的主要原因是（結(jié)電容）的影響。7 （空穴）的出現(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個(gè)重要特點(diǎn)。8 若想得到最大輸出功率，BJT的參數(shù)條件：通過BJT的最大集電極電流為（VCC/RL），所選BJT的ICM一般不宜低于此值。9 常用的穩(wěn)定工作點(diǎn)的電路有射極偏置電路等，它是利用（反饋原理）來實(shí)現(xiàn)的。10.（電流源）電路常用作放大電路的有源負(fù)載和決定放大電路各級(jí)Q點(diǎn)的偏置電路。11.場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上看可分成（結(jié)型） 和（絕緣柵型）兩大類型，它們的導(dǎo)電過程僅僅取決于（多數(shù)）載流子的流動(dòng)。12.乙類放大電路是指放大管的導(dǎo)

12、通角等于（）。13.帶Re電阻的長尾型差動(dòng)放大電路，對(duì)于（零點(diǎn)漂移）和(共模信號(hào))都有很強(qiáng)抑制能力。14.（同相）比例運(yùn)算電路的特例是電壓跟隨器，它具有Ri大和RO很小的特點(diǎn)，常用作緩沖器。15.三極管放大電路中，測得晶體管三個(gè)引腳對(duì)地電位分別為：VA=5V、VB=8V、VC=5。2V，則三極管對(duì)應(yīng)的電極是：A為（e）極、B為（c）極，C為（b）極。晶體管屬（PNP）型三極管。16.在雙端輸入、單端 輸出的差動(dòng)放大電路中，發(fā)射極公共電阻Re對(duì)（差模）信號(hào)的放大無影響，對(duì)（共模）信號(hào)的放大具有很強(qiáng)的抑制作用。17.空間電荷區(qū)有時(shí)又稱為（耗盡層）。18.（零點(diǎn)漂移）就是當(dāng)放大電路的輸入端短路時(shí)，輸

13、出端還有緩慢變化的電壓產(chǎn)生，即輸出電壓偏離原來的起始點(diǎn)而上下漂動(dòng)。19.（頻率響應(yīng)）與（帶寬）是放大電路的重要指標(biāo)之一。20.（互補(bǔ)對(duì)稱電壓跟隨）電路常用作集成電路運(yùn)算放大器的輸出級(jí)。 21.場效應(yīng)管屬于（電壓）控制型器件，而晶體三極管則認(rèn)為是（電流）控制型器件。22.在甲乙類放大電路中，放大管的導(dǎo)通角為（2。23.所謂零點(diǎn)漂移是（就是當(dāng)放大電路的輸入端短路時(shí)，輸出端還有緩慢變化的電壓產(chǎn)生）。24.工作在電壓比較器中的運(yùn)放與工作在運(yùn)算電路中的運(yùn)放的主要區(qū)別，前者通常工作在（開環(huán)）狀態(tài)或（正反饋）狀態(tài)，因此，它的輸出一般只有高電平和低電平兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。25.在差動(dòng)放大電路中，若VS1=8mV，V

14、S2=10mV，則輸入差模電壓vsd=（18）mV，共模輸入電壓vsc=（1）mV。26.共模抑制比KCMR為（AVd與AVc）之比，KCMR越大，表明電路對(duì)（共模信號(hào)）的抑制能力越強(qiáng)。27.PN結(jié)的基本特性（單向?qū)щ娦裕┲挥性谕饧与妷簳r(shí)才顯示出來。28.集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端之間的電壓通常接近于零，即vI=vN-vP0，若把它理想化，則有vI=0，故稱為（虛短）。29.FET是電壓控制電流器件，只依靠一種載流子導(dǎo)電，因而屬于（單極性）器件。負(fù)反饋可以（提高增益穩(wěn)定性）、（減小非線性失真）、（抑制噪聲）、（擴(kuò)展頻帶）和控制（輸入電阻）和（輸出電阻）。30.晶體三極管用來放大時(shí)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)處于（正向

15、）偏置，集電結(jié)處于（反向）偏置。31.乙類推挽功率放大電路的（較高）較高，在理想情況下其值可達(dá)（78.5%）。32.差動(dòng)放大電路有（4）種輸入輸出連接方式，其差模電壓增益與（輸出）方式有關(guān)，與（輸入）方式無關(guān)。33.單門限比較器只有（1）個(gè)門限電壓值，而遲滯比較器則有（2）個(gè)門限電壓值。34.單相橋式整流電路中，若輸入電壓V2=30V，則輸出電壓Vo=（27）V 35.在反饋電路中，若|1+AF|1，則為（負(fù)）反饋；若|1+AF|1，則為（正）反饋。36.根據(jù)共同端的不同，BJT可有三種連接方式：（共基極）、（共發(fā)射極）和（共集電極）接法。37.集成運(yùn)放兩輸入端幾乎不取用電流，即iI0，如把它

16、理想化，則有iI=0，故稱（虛斷）。38.功率放大電路是在大信號(hào)下工作，通常采用（圖解法）進(jìn)行分析。反饋過深，有時(shí)放大電路就不能穩(wěn)定地工作，而產(chǎn)生振蕩現(xiàn)象，稱為放大電路的（自激）。39.三極管的穿透電流ICEO是集基反向飽和電流ICBO的（1+）倍。在選用管子時(shí)，一般希望ICEO盡量（?。?0.乙類推挽功率放大電路會(huì)產(chǎn)生一種被稱為（交越）失真的特有的非線性失真現(xiàn)象。41.集成運(yùn)放中， 由于電路結(jié)構(gòu)引起的零輸入對(duì)應(yīng)非零輸出的現(xiàn)象為（失調(diào)），主要原因是（參數(shù)不完全對(duì)稱）造成的。42.若希望在Vi3V時(shí)，VO為低電平，可采用反相輸入（單門限）電壓比較器。43.在圖B4.4.1中，二極管為理想器件，

17、D1工作在（截止）狀態(tài)；D2工作在（導(dǎo)通）狀態(tài)；VA0為（3）V。44.采用（電壓）負(fù)反饋，能穩(wěn)定輸出電壓。45.放大器是一種能量控制部件，它的放大作用是針對(duì)（變化量）而言的。46.把比較器輸出電壓VO從一個(gè)電平跳變到另一個(gè)電平時(shí)相應(yīng)的輸入電壓VI值稱為（門限電壓）。47.功率放大電路研究的重點(diǎn)是如何在允許的失真情況下，盡可能提高（輸出功率）和（效率）。48.負(fù)反饋放大電路產(chǎn)生自激振蕩的根本原因之一是AF的（附加相移）。三.判斷題1 由于空間電荷區(qū)內(nèi)沒有載流子，所以又稱為耗盡層。2 與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)較大（?。?，所以低噪聲放大器的前級(jí)通常選用晶體管（）（場效應(yīng)管）。（）3

18、共集放大電路的輸入電阻小，輸出電阻大，所以常用來實(shí)現(xiàn)阻抗的轉(zhuǎn)換。（）4 偏置電路是調(diào)節(jié)各級(jí)的電壓配合的，使輸入端對(duì)地電壓為零時(shí)，輸出端對(duì)地電壓也為零。（）5 判斷一個(gè)電路是否有反饋，是通過分析它是否存在傳輸通路而進(jìn)行的。（）6 負(fù)反饋放大電路中，反饋系數(shù)等于反饋量與輸出量之比。7 電壓比較器中的集成運(yùn)放主要工作在線性區(qū)域，因此虛短、虛斷等概念僅在判斷臨界情況下適用。（）8 正弦波放大電路中的選頻網(wǎng)絡(luò)主要作用是只讓單一頻率滿足振蕩條件。9 在電源設(shè)備中的濾波電路是要抑制所有的直流成分只保留交流成分。（）10 耗盡層中的電荷量隨外加電壓變化而改變時(shí)，就形成了電容效應(yīng)，稱為擴(kuò)散電容（）。11 外加電

19、壓改變時(shí)引起擴(kuò)散區(qū)內(nèi)積累的電荷量變化就形成了電容效應(yīng)，其所對(duì)應(yīng)的電容稱為勢壘電容（）（擴(kuò)散電容）。12 放大作用的實(shí)質(zhì)是一種能量控制作用。13 在晶體管的使用中，發(fā)射極和集電極可以對(duì)調(diào)。（）14 輸入差模信號(hào)時(shí)的放大倍數(shù)稱為差模放大倍數(shù)15 從輸入到輸出，不存在其他的信號(hào)流通途徑（或通路），也就是不存在反饋。16 接入負(fù)反饋以后，放大電路的放大倍數(shù)是不帶反饋時(shí)放大倍數(shù)的1/（1+AF）17 利用過零比較器可正弦波變成方波。18 如果在整個(gè)頻域中不存在任何一個(gè)頻率能滿足相位平衡條件，則不必考慮幅值條件就可以斷定不能產(chǎn)生正弦波振蕩。19 對(duì)于穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路，在電網(wǎng)電壓不變時(shí)，負(fù)載電流的變化范圍也就

20、是穩(wěn)壓管電流的調(diào)節(jié)范圍。20.互補(bǔ)電路也可認(rèn)為是有源負(fù)載電路21.發(fā)射區(qū)為正向偏置，集電結(jié)為正向（反向）偏置的區(qū)域稱為放大區(qū)。()20 放大倍數(shù)定義為輸出量（變化量的幅值）與輸入量（變化量的幅值）之比（）。21 共基電路的特點(diǎn)是具有電壓跟隨的性質(zhì)。（）22 晶體管是有源器件，有晶體管作為負(fù)載就稱為有源負(fù)載。23 對(duì)于負(fù)反饋電路，由于負(fù)反饋?zhàn)饔檬馆敵隽孔冃?，則輸入量變小，又使輸出量更小，最后就使輸出為零，無法放大（）。24 負(fù)反饋放大電路性能的改善多與1+AF有關(guān)。25 在放大、運(yùn)算等電路中常用的虛短等深度反饋概念對(duì)于比較器不再適用。26 LC正弦波振蕩電路有變壓器反饋式、電感三點(diǎn)式和電容三點(diǎn)式

21、三種，它們都是用LC諧振回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)。27 串聯(lián)穩(wěn)壓電路中的調(diào)整管是用來放大的，同時(shí)將輸出電壓調(diào)節(jié)在一個(gè)固定的值上。（）差動(dòng)電路也可認(rèn)為是有源負(fù)載電路28 對(duì)于晶體管來說UBE隨溫度的變化規(guī)律與二極管正向?qū)妷旱囊粯樱?即溫度每升高1，UBE減小11.5mV ()（22.5mV）。29 輸入阻抗可用來衡量放大電路對(duì)信號(hào)源的影響。30 分析場效應(yīng)管放大電路的方法是和分析晶體管放大電路一樣的，可用圖解法及等效電路法。31 輸入失調(diào)電壓UIO是兩個(gè)輸入 端電壓之差。（）32 對(duì)于正反饋電路，由于正反饋?zhàn)饔檬馆敵隽孔兇螅瑒t輸出量變大，又使輸出量更大，最后必然使輸出量接近無窮大（）。33 深度負(fù)反

22、饋放大電路的放大倍數(shù)幾乎只取決于反饋系數(shù)，而與開環(huán)放大倍數(shù)的具體數(shù)值無關(guān)。34 比較器所采用的運(yùn)放不但沒有引入負(fù)反饋，有時(shí)甚至還加正反饋。35 無論開關(guān)器件的輸出電壓為高電平或低電平，如果經(jīng)過一定的延遲時(shí)間后可使開關(guān)器件的輸出改變狀態(tài)，便能產(chǎn)生周期性的振蕩，否則不能振蕩。36 限流保護(hù)的思想是當(dāng)調(diào)整管電流超過一定限度時(shí)，對(duì)它的集電極電流進(jìn)行分流，以限制調(diào)整管的發(fā)射極電流不至于太大。（）復(fù)合管組成的電路可以改變管子類型。（）37 ICEO（pt）指基極開路時(shí)，集電極、發(fā)射極間的穿透電流，它是ICBO的（1+）倍。38 圖解法的關(guān)鍵是利用晶體管的特性曲線來表示其電壓與電流的關(guān)系，電路的電壓與電流的

23、關(guān)系也用曲線（或直線）來表示，然后利用作圖的方法來求解。39 放大電路的組成原則就是：靜態(tài)時(shí)要保證晶體管有合適的工作點(diǎn)；動(dòng)態(tài)時(shí)要使信號(hào)能通過晶體管實(shí)現(xiàn)不失真的放大。40 輸入失調(diào)電流IIO輸入電流為零時(shí)的輸出電流。（）41 并聯(lián)反饋適用于電壓求和的方式來反映反饋對(duì)輸入信號(hào)的影響。（）42 滿足|1+AF|1條件的負(fù)反饋，稱為深度負(fù)反饋。43 由于比較器的輸入信號(hào)是模擬量，而它的輸出電平是離散的，因此電壓比較器可作為模擬電路與數(shù)字電路之間的過渡電路。44 正弦波振蕩電路一般有放大、反饋、選頻三個(gè)基本組成部分（）。45 一旦過流保護(hù)電路起作用，將使輸出電壓和輸出電流都下降到接近零，這種類型稱為限流

24、型保護(hù)電路。（）任何實(shí)際放大電路嚴(yán)格說都存在某種反饋。四.多選題1 二極管在電路中有著廣泛的應(yīng)用，可用于（ABC）A限幅 電路 B門電路 C整流電路 D濾波電路2 晶體管的參數(shù)變化可以通過在電路形式上進(jìn)行改進(jìn)而加以抑制，可采用以下哪些方法（ABC）A采用溫度補(bǔ)償?shù)霓k法B采用負(fù)反饋的方法來穩(wěn)定工作點(diǎn)C采取其他耦合方式3 阻容耦合電路與直接耦合電路的多級(jí)放大電路之間的主要不同點(diǎn)是（AC）A所放大的信號(hào)不同B交流通路不同C直流通路不同4 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響有（ABCD）A提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性B減小非性失真及抑制干擾噪聲C擴(kuò)展頻帶D改變輸入輸出電阻大小5 電壓比較器與放大電路、運(yùn)算電路的主要區(qū)

25、別是：電壓比較器電路中的集成運(yùn)放工作在（CD）A高電平B低電平C 開環(huán)狀態(tài)D正反饋狀態(tài)6 穩(wěn)壓管正常工作的條件有（AB）A必須工作在反向擊穿狀態(tài) B穩(wěn)壓管中的電流要在穩(wěn)定電流和允許的最大電流之間。 C必須工作在正向?qū)顟B(tài)7 多級(jí)放大電路的級(jí)間耦合可采用以下哪幾種方法（ABC）A直接耦合B阻容耦合C變壓器耦合8 阻容耦合電路（AC）A各級(jí)Q點(diǎn)相互獨(dú)立B Q點(diǎn)互相影響 C各級(jí)AU互不影響 D AU互相影響9 產(chǎn)生自激振蕩的關(guān)鍵是（CD）A由于附加相移使反饋的極性由正變負(fù)B反饋信號(hào)足夠小 C由于附加相移使反饋的極性由負(fù)變正D反饋信號(hào)足夠大10 下列比較器中有兩個(gè)閾值的是（BC）A簡單電壓比較器B滯回比較器C窗口比較器11.溫度對(duì)晶體管特性的影響主要包括以下哪些（ABC）A UBE B 集電極、基極間的反向飽和電流ICBO C 放大系數(shù)12.下列元、器件中有源器件是：（DE）A電阻器B電容器C普通二極管D電池E晶體管13.集成運(yùn)放包括以下單元電路（ABCD）A輸入級(jí) B輸出級(jí) C 中間級(jí) D偏置電路 E 穩(wěn)壓電路14.反饋通路可由下