標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 20230-2022 磷化銦單晶》作為對(duì)《GB/T 20230-2006 磷化銦單晶》的更新,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善:
-
技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化:新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)磷化銦單晶的純度、晶體結(jié)構(gòu)、位錯(cuò)密度等關(guān)鍵性能指標(biāo)提出了更嚴(yán)格的要求,反映了技術(shù)進(jìn)步帶來(lái)的產(chǎn)品質(zhì)量提升。這些變化旨在滿(mǎn)足更高精度和可靠性的應(yīng)用需求。
-
檢測(cè)方法的更新:隨著分析技術(shù)和儀器的發(fā)展,新標(biāo)準(zhǔn)引入了更先進(jìn)的檢測(cè)手段和分析方法,用于評(píng)估磷化銦單晶的物理、化學(xué)性質(zhì)。這包括但不限于更精確的光譜分析、電子顯微鏡觀測(cè)技術(shù)等,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
-
生產(chǎn)流程和質(zhì)量控制的規(guī)范:2022版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)磷化銦單晶的制備工藝流程、原材料選擇、生長(zhǎng)環(huán)境控制等方面給出了更具體和細(xì)致的規(guī)定,旨在促進(jìn)生產(chǎn)過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)范化,提高成品率和一致性。
-
環(huán)保與安全要求:考慮到環(huán)境保護(hù)和生產(chǎn)安全的重要性,新版標(biāo)準(zhǔn)加入了關(guān)于生產(chǎn)過(guò)程中廢棄物處理、有害物質(zhì)管控以及員工健康保護(hù)的相關(guān)要求,體現(xiàn)了可持續(xù)發(fā)展的理念。
-
術(shù)語(yǔ)和定義的修訂:為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌并適應(yīng)行業(yè)發(fā)展的最新趨勢(shì),新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)部分專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或新增,提高了標(biāo)準(zhǔn)的通用性和適用范圍。
-
標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的明確:對(duì)磷化銦單晶的應(yīng)用領(lǐng)域和規(guī)格種類(lèi)進(jìn)行了更加清晰的界定,幫助生產(chǎn)商和用戶(hù)更好地理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,促進(jìn)了市場(chǎng)的規(guī)范化發(fā)展。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2022-03-09 頒布
- 2022-10-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS29045
CCSH.83
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T20230—2022
代替GB/T20230—2006
磷化銦單晶
Indiumphosphidesinglecrystal
2022-03-09發(fā)布2022-10-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T20230—2022
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替磷化銦單晶與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性
GB/T20230—2006《》,GB/T20230—2006,
改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下
,:
更改了適用范圍見(jiàn)第章年版的第章
a)(1,20061);
增加了術(shù)語(yǔ)和定義一章見(jiàn)第章
b)“”(3);
更改了磷化銦單晶錠的牌號(hào)表示方法見(jiàn)年版的
c)(4.1,20063.1);
增加了磷化銦單晶拋光片的牌號(hào)表示方法見(jiàn)
d)(4.2);
更改了磷化銦單晶錠電學(xué)性能的要求見(jiàn)年版的
e)(5.1.1,20063.2.2);
增加了型非摻磷化銦單晶錠的電學(xué)性能要求見(jiàn)
f)n(5.1.1);
刪除了磷化銦單晶錠晶向以及其他晶向供需雙方協(xié)商確定的規(guī)定見(jiàn)年版的
g)<111>(20063.2.3);
增加了磷化銦單晶錠位錯(cuò)密度的要求見(jiàn)
h)(5.1.3);
刪除了磷化銦單晶錠無(wú)孿晶線的要求見(jiàn)年版的
i)(20063.2.4);
刪除了磷化銦單晶錠直徑的要求見(jiàn)年版的
j)(20063.2.5);
更改了磷化銦單晶拋光片位錯(cuò)密度的要求見(jiàn)年版的
k)(5.2.1,20063.3.1);
增加了磷化銦單晶拋光片表面取向及基準(zhǔn)標(biāo)記的要求見(jiàn)
l)(5.2.2);
增加了直徑磷化銦單晶拋光片的幾何參數(shù)要求見(jiàn)
m)150.0mm(5.2.3);
更改了磷化銦單晶拋光片厚度總厚度變化翹曲度總指示讀數(shù)的要求見(jiàn)年版
n)、、、(5.2.3,2006
的
3.3.2);
更改了磷化銦單晶拋光片表面質(zhì)量的要求見(jiàn)年版的
o)(5.2.4,20063.3.3);
增加了磷化銦單晶拋光片表面顆粒的要求見(jiàn)
p)(5.2.5);
刪除了磷化銦單晶拋光片晶向的要求見(jiàn)年版的
q)(20063.3.5);
更改了試驗(yàn)方法見(jiàn)第章年版的第章
r)(6,20064);
更改了組批檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣及檢驗(yàn)結(jié)果的判定見(jiàn)第章年版的第章
s)、、(7,20065);
更改了標(biāo)志的要求見(jiàn)年版的
t)(8.1,20066.1);
更改了包裝的要求見(jiàn)年版的
u)(8.2,20066.2、6.3);
更改了隨行文件的要求見(jiàn)年版的
v)(8.5,20066.5);
增加了訂貨單內(nèi)容見(jiàn)第章
w)(9);
增加了規(guī)范性附錄磷化銦單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法見(jiàn)附錄
x)“”(A)。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任
。。
本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司廣東先導(dǎo)
:、、
微電子科技有限公司有研國(guó)晶輝新材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司
、、。
本文件主要起草人孫聶楓李曉嵐王陽(yáng)劉惠生惠峰李素青朱劉王書(shū)杰邵會(huì)民周鐵軍
:、、、、、、、、、、
史艷磊付莉杰王博張曉丹姜?jiǎng)ν跤?/p>
、、、、、。
本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂
2006,。
Ⅰ
GB/T20230—2022
磷化銦單晶
1范圍
本文件規(guī)定了磷化銦單晶的牌號(hào)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和隨行文
、、、、、、、
件及訂貨單內(nèi)容
。
本文件適用于制作光電微電器件用的磷化銦單晶錠及磷化銦單晶拋光片
、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T1555
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣
GB/T2828.1—20121:(AQL)
計(jì)劃
非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法
GB/T4326
硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
GB/T6618
硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法
GB/T6624
硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法
GB/T13388X
半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
GB/T14264
硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法
GB/T19921
硅片切口
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