標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》是中國關(guān)于磷化銦（InP）單晶材料的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細規(guī)定了磷化銦單晶的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、儲存要求，旨在確保此類材料的質(zhì)量可控性與一致性，滿足半導(dǎo)體器件制造等行業(yè)的需求。以下是標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的幾個關(guān)鍵點：

  1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件制備中使用的磷化銦單晶材料，包括其晶向、直徑、長度等基本規(guī)格。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實施本標(biāo)準(zhǔn)時所直接引用或參考的其他標(biāo)準(zhǔn)文件，這些文件對于理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)中的各項要求至關(guān)重要。

  3. 術(shù)語和定義：對標(biāo)準(zhǔn)中使用的一些專業(yè)術(shù)語進行了界定，幫助讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

  4. 分類：根據(jù)磷化銦單晶的特性，如電阻率、摻雜類型等進行分類，便于用戶根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的材料。

  5. 技術(shù)要求：

    • 化學(xué)組成：規(guī)定了磷化銦單晶中雜質(zhì)元素的最大允許含量，以保證材料的純度。
    • 物理性能：包括晶體結(jié)構(gòu)、直徑、長度、位錯密度、晶片平整度等指標(biāo)，確保材料的物理屬性滿足半導(dǎo)體器件加工及性能要求。
    • 電學(xué)性能：如電阻率、載流子濃度等，需符合特定范圍，以適應(yīng)不同電子器件的設(shè)計需求。

  6. 試驗方法：詳細說明了如何通過各種測試手段來驗證單晶的各項技術(shù)指標(biāo)，如X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)、四探針法測量電阻率等。

  7. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品檢驗的程序、抽樣方法及合格判定準(zhǔn)則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量控制。

  8. 標(biāo)志、包裝、運輸、儲存：為避免在后續(xù)處理和使用過程中材料受損，標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品的標(biāo)識信息、包裝材料、運輸條件及儲存環(huán)境提出了具體要求。

該標(biāo)準(zhǔn)通過上述各部分內(nèi)容，構(gòu)建了一套完整的磷化銦單晶質(zhì)量控制體系，指導(dǎo)生產(chǎn)、銷售及使用過程中的質(zhì)量管理和驗收工作，促進半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)品質(zhì)量提升。


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  • 2006-04-21 頒布
  • 2006-10-01 實施
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ICS29.045H83中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20230—2006磷化單晶indiumphosphidesinglecrystal2006-04-21發(fā)布2006-10-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)磷化銦單晶GB/T20230-2006中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：010)51299090、685220062006年10月第一版書號：155066·1-28063版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：010)68522006

GB/T20230—2006前本標(biāo)準(zhǔn)主要參考了SEMIM23-0302《磷化鋼單品拋光片》,結(jié)合我國實際情況進行編寫的本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標(biāo)準(zhǔn)由信息產(chǎn)業(yè)部(電子)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電子科技集團公司第十三研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫聶楓、周曉龍、孫同年。

GB/T20230—2006磷化銦單范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了·型、半絕緣型(Si)p型磷化鋼單品鍵及單品片的牌號、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于高壓液封直拉法(HP-LEC)制備的磷化鋼單品材料(以下簡稱單品）規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1555半導(dǎo)體單品品向測量方法GB/T2828(所有部分）計數(shù)抽樣檢驗程序GB/T4326非本征半導(dǎo)體單品霍耳遷移率和霍耳系數(shù)測量方法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T13387電電子材料品片參考面長度測量方法SJ/T3244.1GaAs和InP材料霍耳遷移率和載流子濃度的測量方法SJ/T3245磷化銦單品位錯密度測量方法SJ/T3249.1半半絕緣砷化鏢和磷化銦體單品材料的電阻率測試方法要求3.1牌號磷化鋼單品的牌號表示方法為：HPLEC-InP-口（（表示晶向表表示導(dǎo)電類型，括號內(nèi)的元素符號表示摻雜劑表示磷化鋼單品表示高壓液封直拉法示例：HPLEC-InP-Si(Fe）（100).表示高壓液封直拉法摻鐵半絕緣(100)品向磷化銦單品。若單品不強調(diào)生長方法和摻雜劑，則相應(yīng)部分可以省略3.2磷化銦單晶徒的特性3.2

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