Touch_Panel產(chǎn)品開發(fā)教育訓(xùn)練

1、Touch Panel產(chǎn)品開發(fā)教育訓(xùn)練目錄1 . Touch Panel簡介 1.1. 電容式TP特點(diǎn) 1.8. 電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（三） 1.2. 電容式TP工作原理 1.9. 電容TP產(chǎn)品 1.3. 電容式TP分類 1.20. TP常用術(shù)語 1.4. 投射電容與表面電容對比 1.21. 無塵室級別的劃分 1.5. 自電容與互電容結(jié)構(gòu) 1.22. 生產(chǎn)線代數(shù)和玻璃尺寸 1.5.1. 自電容 1.23. TP行業(yè)知名廠商（一） 1.5.2. 互電容 1.24. TP行業(yè)知名廠商（二） 1.6. 電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一） 1.7. 電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（二） 2 . TP各站制程簡介 2.1

2、. 黃光制程（前制程） 2.11. Sputter機(jī)臺（一） 2.2. 黃光制程流程 2.11. Sputter機(jī)臺（二） 2.2. 黃光制程流程（詳解） 2.12. Wash Clean （清洗） 2.2. 黃光制程流程（細(xì)化） 2.13. 清洗機(jī)臺與清洗液 2.3. Sputter（濺鍍） 2.14. Coating（涂布） 2.4. Sputter 主要控制參數(shù) 2.15. Coating 制程控制點(diǎn) 2.5. ITO Sputter 應(yīng)用 2.16. Pre-bake（軟烤） 2.6. Metal Sputter 應(yīng)用（一） 2.17. 軟烤機(jī)臺與目的 2.6. Metal Sputt

3、er 應(yīng)用（二） 2.18. Exposure（曝光） 2.7. SiO2 Sputter 應(yīng)用 2.19. 曝光技術(shù)解析（一） 2.8. Sputter 相關(guān)問題 2.20. 曝光技術(shù)解析（二） 2.9. Sputter 制程管控參數(shù) 2.21. 曝光機(jī)臺與光罩 2.10. Sputter靶材與機(jī)臺 2.22. Developer （顯影）目錄 2.23. 顯影機(jī)臺與流程 2.36. 涂布異常圖片 2.24. Post bake（硬烤） 2.37. 顯影異常圖片 2.25. 硬烤機(jī)臺與作用 2.38. ITO 蝕刻異常圖片 2.26. Etching（蝕刻） 2.39. Metal蝕刻異常圖

4、片 2.27. 蝕刻機(jī)臺與蝕刻液 2.40. 其它異常不良圖片 2.28. Stripe（剝膜） 2.41. 可剝膠印刷 2.29. 剝膜機(jī)臺與剝膜液 2.42. 可剝膠印刷制程參數(shù)及異常 2.30. Oven（高溫烘烤） 2.43. 可剝膠印刷流程與作用 2.31. 高溫烘烤機(jī)臺 2.44. 可剝膠制程管控項目 2.32. 黃光制程產(chǎn)品（一） 2.45. 可剝膠機(jī)臺 2.33. 黃光制程產(chǎn)品（二） 2.46. 后段制程 2.34. 黃光制程化學(xué)用品 2.47. 切割 2.35. 黃光制程常見不良 2.48. 切割成形與機(jī)臺目錄 2.49. 清洗 2.50. FOG 2.51. FOG邦定制程

5、 2.52. FOG邦定分解圖 2.53. ACF貼附主要參數(shù)及不良 2.54. FPC熱壓主要參數(shù)及不良 2.55. FOG相關(guān)材料及機(jī)臺 2.56. OCA貼合工藝流程 2.57. OCA貼合制程（一） 2.58. OCA貼合制程（二） 2.59. Final（最終） 目錄1. TP技術(shù)起源 觸控面起源于1970年代美國軍方用 途開發(fā),1980年代移轉(zhuǎn)至民間后, 日本開始發(fā)展觸控面板2. TP的分類 進(jìn)行觸控技術(shù)依感應(yīng)原理可分為電阻式（Resistive）、電容式（Capacitive）、表面音波式（Surface Acoustic Wave）、光學(xué)式（Optics）和電磁式（ Digiz

6、er ）等幾種. 3. 電容式TP的發(fā)展歷程 電容式觸控技術(shù)于20多年前誕生，早期由美商3M（明尼蘇達(dá)礦業(yè)制造）公司獨(dú)占整個電容式觸控面板的國際市場。在幾年前由于基本專利到期，全球觸控面板的生產(chǎn)業(yè)者紛紛加入開發(fā)電容式觸控面板事業(yè)領(lǐng)域中，期待有所發(fā)揮。1 . Touch Panel簡介u 注：目前我司主要從事電容式觸控面板的開發(fā)和制造。1.1. 電容式TP特點(diǎn)n 電容式觸控產(chǎn)品具防塵、防火、防刮、強(qiáng)固耐用及具有高分辨率等優(yōu)點(diǎn)， 但也有價格昂貴、容易因靜電或濕度造成觸控失誤等缺點(diǎn)。1.2. 電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作的。人是接地物(即導(dǎo)電體)，給工作面通一個很低的電

7、壓，當(dāng)用戶觸摸熒幕時，手指頭吸收走一個很小的電流，這個電流分別從觸控面板四個角或四條邊上的電極中流出，并且理論上流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成比例，控制器通過對這四個電流比例的精密計算，得出觸摸點(diǎn)的位置。在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓手指接觸觸控屏?xí)r從四個角落傳到接觸點(diǎn)的微量電流被帶走產(chǎn)生壓降控制器由接觸點(diǎn)壓降程度計算出 X / Y坐標(biāo)位置再傳給計算機(jī)主機(jī)I1I2I3I4p 表面電容式 由一個普通的ITO層和一個金屬邊框，當(dāng)一根手指觸 摸屏幕時，從面板中放出電荷。感應(yīng)在觸摸屏的四角 完成，不需要復(fù)雜的ITO圖案p 投射

8、電容式（感應(yīng)電容式） 采用1個或多個精心設(shè)計的、被蝕刻的ITO層，這些ITO層通過蝕刻形 成多個水平和垂直電極投射電容式根據(jù)不同工作原理又分： n 自感應(yīng)電容式（自電容）n 互感應(yīng)電容式（互電容）1.3. 電容式TP分類 Type Item投射式電容（Projective Capacitance）表面式電容（Surface Capacitance）結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn) 多點(diǎn)觸控（Multi-Touch） Z軸感應(yīng)分辨（Proximity Sensing） S/N夠大即可分辨觸控位置 布線較投射式電容簡單缺點(diǎn) 布線較表面式電容復(fù)雜 電磁場,高頻干擾造成游標(biāo)飄移或誤動作 單點(diǎn)觸控（Single Touch）

9、需常進(jìn)行位置校準(zhǔn)應(yīng)用智能型手機(jī)數(shù)位相機(jī)筆記型計算機(jī) 銷售點(diǎn)管理系統(tǒng)（POS）售票機(jī) 博奕游戲/娛樂機(jī)1.4. 投射電容與表面電容對比1.5. 自電容與互電容結(jié)構(gòu)n 自電容以ITO pattern來看又可分為： 1.軸交錯式、2. 獨(dú)立短陣式兩類，當(dāng)手指Touch時， 手指與電極間會感應(yīng)成一個耦合電容，經(jīng)由量測電 容值變化，計算觸控點(diǎn)坐標(biāo)。n 互電容的ITO layer被制成驅(qū)動線路和感測 線路 pattern，在線路互相交叉處形成耦合 電容節(jié)點(diǎn)，當(dāng)手指Touch時，會造成耦合電 容值改變，再經(jīng)由控制器測得觸控點(diǎn)坐標(biāo)。自電容的觸摸感應(yīng)檢測方法需要每行和每列都進(jìn)行檢測l 行與列之間存在多個固有的寄

10、生電容(CP)l 行與列距離越近,寄生電容CP越大自電容行或列感應(yīng)檢測1.5.1. 自電容行行行行列列列列列列ITO Pattern1.5.2. 互電容當(dāng)行列交叉通過時, 行列之間會產(chǎn)生互電容l 驅(qū)動和感應(yīng)單元之間形成邊緣電容l 行列交叉重疊處會產(chǎn)生耦合電容l 感應(yīng)單元的自感應(yīng)電容依然存在, 但不必進(jìn)行測量互電容感應(yīng)檢測點(diǎn)行行行行列4-CMCMITO Pattern1.6. 電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1. GG結(jié)構(gòu)：即為Cover Glass（蓋片玻璃）+ Sensor Glass(感應(yīng)玻璃) 構(gòu) 成Touch Panel。1.7. 電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（二）1.8. 電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（三

11、）1. OGS結(jié)構(gòu)：將Cover Glass與Sensor Glass合二為一成為一體式 電容TP，即為One Glass Solution（單片玻璃解決方案）1.9. 電容TP產(chǎn)品隨著TP的發(fā)展各種各樣的TP產(chǎn)品出現(xiàn)在我們的生活里，你喜歡哪一個？產(chǎn)品結(jié)構(gòu)類其它類Cover Glass：蓋板玻璃 Sensor：傳感器 IC：集成芯片 Substrate：基板 PF：保護(hù)膜 FPC：可撓性印刷線路板 Design Feasibility Review Phase：可行性評估階段 Proto Phase：規(guī)劃階段 EVT：工程驗證階段ACF：異方性導(dǎo)電膠 OCA：光學(xué)透明膠 LOCA/OCR：液態(tài)

12、光學(xué)透明膠 ASF：防爆膜 Sponge：泡棉 DVT：設(shè)計驗證階段 PVT：試產(chǎn)驗證階段 MP：量產(chǎn)階段 Process Flow：制程流程ITO Pattern：ITO圖形 ITO Jumper：ITO跳線/橋線 PI：光阻絕緣層 Icon：圖標(biāo) Metal Trace：金屬線路Sputter：濺鍍 Wash clean：清洗 Coating：涂布 Pre-bake ：軟烤 Metal Jumper：金屬跳線/橋線Passivation：保護(hù)層 Silver Glue：銀漿 VA：視區(qū) IR Hole：紅外孔 AA：功能區(qū)Exposure：曝光 Developer：顯影 Post bake

13、：硬烤Etcher：蝕刻 Etcher：蝕刻 Stripping：剝膜Stack Up：堆疊圖 Trace Width：線路寬度 Trace Space：線路間距 ITO Bonding Pad：ITO邦定區(qū)Oven：高溫烘烤 FMAE：失效模式與效應(yīng)分析 CP：制程能力指數(shù) CPK：量產(chǎn)規(guī)格限度 基本類CS: 表面應(yīng)力 DOL：強(qiáng)化深度 CT：壓縮應(yīng)力、拉深應(yīng)力 AG：抗炫 AR：抗反射 AS：抗污 AF：抗指紋 ITO：氧化銦錫 BM：黑色材料 Metal：金屬（Mo-Al-Mo） SiO2：二氧化硅 IM：Nb2O5+SiO2PR：光阻 POL：偏光片 CF：彩色濾光片 LCD/LCM：

14、液晶顯示器、模組Barcode：條形碼Spec：規(guī)格 Mask：光罩 Mark：靶標(biāo) VMI：目檢 ESD：靜電釋放 GND：地線Shielding：防護(hù)、屏蔽Hard Coating Film：硬化涂層TFT：薄膜電晶體 Cell：液晶填充制程 OD：光學(xué)密度1.20. TP常用術(shù)語1.21. 無塵室級別的劃分u TP的制造對環(huán)境要求很高，必須在潔凈度很高的無塵室環(huán)境下 進(jìn)行作業(yè)。 （美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)NO.209B-1973） （個數(shù)/ ft3） 微 粒 子凈化等級101001000100001000000.5m以上10以下100以下1000以下10000以下100000以下5.0m以上-10以

15、下65以下700以下u 注：目前我司TP無塵室主要為千級，部分貼合區(qū)域可達(dá)百級1.22. 生產(chǎn)線代數(shù)和玻璃尺寸第1代(1990) 300 X 400第2代(1993) 360 X 465 370 X 470 400 X 500第3代(1995) 550 X 650 550 X 670 600 X 720 620 X 750第4代(2000) 680 X 880 730 X 920第5代(2002.5) 1000 X 1200 1100 X 1250 1100 X 1300第6代(2003.5) 1500 X 1800 1500 X 1850第7代 (2004.5) 1870 X 2200u 注

16、：目前我司TP生產(chǎn)線為3代線，玻璃基板尺寸：550 x650mm1.23. TP行業(yè)知名廠商（一）1.24. TP行業(yè)知名廠商（二）2.1. 黃光制程（前制程）o 黃光制程： 通過對涂覆在玻璃表面的光敏性物質(zhì)(又稱為光 刻膠或光阻)，經(jīng)曝光、顯影后留下的部分對底 層起保護(hù)作用，然后進(jìn)行蝕刻并最終獲得永久 性的圖形的過程。 o為什么光刻區(qū)采用黃光照明？ n因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光,所以采用黃光，就象洗像的暗房采用暗紅光照明，并且黃光對人體危害性最小。 2.2. 黃光制程流程u 以上為黃光基本制程，詳細(xì)制程需根據(jù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來制定 Oven （高溫烘烤） Exposure （曝光）Pr

17、e-bake（軟烤） Coating （涂布）Wash Clean （清洗）Sputter （濺鍍） Stripe （剝膜） Etching （蝕刻） Post bake （硬烤） Developer （顯影）2.2. 黃光制程流程（詳解）鍍膜（Sputter）上光阻（Coater）光罩（Mask）顯影（Developer）顯影液曝光（Exposure）蝕刻（Etch）去光阻（Stripper） 蝕刻液素玻璃剝膜液2.2. 黃光制程流程（細(xì)化）鍍 膜、上光阻曝 光、顯 影蝕 刻剝 膜2.3. Sputter （濺鍍）n濺鍍原理： 靶材接陰極，基板接正極或接地，導(dǎo)入氬氣,利用低壓氣體（Ar）放電

18、現(xiàn) 象: 電子在電場的作用下加速飛向基板的過程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離 出大量的Ar+和e-，形成等離子體(電漿)。Ar+在電場的作用下加速轟擊 靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)在基板上沉積成膜。玻璃基板靶材u 靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉積到基板2.4. Sputter 主要控制參數(shù)參數(shù)意義設(shè)定范圍參數(shù)名稱加熱玻璃基板一般0350ITO：300左右 SiO2：110左右Metal：70左右溫度 Temperature1. 產(chǎn)生Ar Plasma，提供Ar離子撞擊Target，濺射出的Target原子在基板表面沉積。2.提供反應(yīng)氣體,如O2數(shù)10200Sccm氣體流量

19、 Ar Flow Rate保證穩(wěn)定的Plasma和膜質(zhì)。0.1？Pa保證穩(wěn)定的膜厚和阻抗。0？KW制程壓力Pressure靶材功率Power2.5. ITO Sputter 應(yīng)用 u 在黃光制程中，主要有ITO、Metal、SiO2需要經(jīng)過Sputter。ITO 是一種導(dǎo)電氧化物。中文名稱是氧化銦錫，具有高導(dǎo)電率、高穿透率、高的機(jī)械硬度、良好化學(xué)穩(wěn)定性。因此，它是液晶顯示器（LCD）、觸摸屏（Touch Panel）的透明電極最常用的薄膜材料。u ITO 特點(diǎn)：透明、導(dǎo)電、穩(wěn)定性好ITO 應(yīng)用：1. 面電阻（方塊電阻）2. 膜厚3. 穿透率4. 附著力 ITO Sputter制程管控點(diǎn)：方塊電

20、阻： 是指一個正方形的薄膜導(dǎo)電材料邊到邊“之”間的電阻，方塊電阻有 一個特性：即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊 長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度 及材料的電阻率等因素有關(guān)（方阻越大，膜厚越?。?。2.6. Metal Sputter 應(yīng)用（一）Metal：mo/AL/mo（鉬/鋁/鉬），鉬的沸點(diǎn)和導(dǎo)電性能突出，線熱膨脹系數(shù)小，易于加工。鉬與大多數(shù)玻璃成分在化學(xué)上是相容的，且不會由于小量鉬溶解在玻璃熔槽內(nèi)而造成有害的發(fā)色效應(yīng)，所以鉬與玻璃間附著力較好。而鋁的導(dǎo)電性好，但對玻璃基板的附著力較差，且易氧化腐蝕，所以第一層鉬可以提高與玻璃基板之間的附著力，而

21、最后一層鉬可以防護(hù)鋁被氧化和腐蝕。Metal 應(yīng)用1. 面電阻（方塊電阻）2. 膜厚3. 附著力Metal Sputter制程管控：2.6. Metal Sputter 應(yīng)用（二）u Metal的作用：架橋ITO絕緣材料MetalMetal 在TP中的位置2.7. SiO2 Sputter 應(yīng)用SiO2膜以其折射率低、透光性好的特性用于光學(xué)零件的表面防護(hù)以及減反射涂層。此外SiO2膜具有良好的絕緣性、穩(wěn)定性和機(jī)械特性，硬度高、結(jié)構(gòu)精細(xì)、膜層牢固、抗磨耐腐蝕、熔點(diǎn)高而用于多層薄膜傳感器的絕緣層。u SiO2 特點(diǎn)：穿透率高、絕緣、抗磨耐腐蝕SiO2 應(yīng)用：1. 膜厚2. 穿透率3. 附著力SiO

22、2 Sputter制程管控點(diǎn)：在基層上濺鍍一層SiO2薄膜，利用此膜層保護(hù)其下基層，防止基層上的電路受外界環(huán)境的侵蝕而失去其原始設(shè)計的功能。SiO2 制程目的：2.8. Sputter 相關(guān)問題項 目鍍 膜 效 果影響因素基片清洗效果濺射功率濺射氣體純度濺射氣體壓力原 因基片清洗不凈，基片上留有的殘余雜質(zhì)或油跡、灰塵，會在成膜過程中影響淀積原子與基板之間的結(jié)合力以及原子之間的結(jié)合力。濺射功率增加，使得Ar氣的電離率提高，從而提高濺射速率，這樣基片表面的膜層與基板的粘附能力及膜層致密性都有所提高，并縮短了濺射時間，提高了膜層質(zhì)理。Ar氣純度不夠；會在膜層中形成很多缺陷，濺射一定厚度膜層后，膜層明

23、顯疏松，硬度增加。氣壓太低，則不能起輝或起輝不足，轟擊靶材的氬氣離子數(shù)目太少；如氣壓過高，氬離子與靶材原子的碰撞中，靶材原子損失的動能太多，造成淀積到基板上的原子能量低，也影響膜層的附著力和致密性。項 目ITOMetalSiO2檢測儀器Sputter膜 厚（A）75nm（B）25nm400nm75nm80nm橢圓儀面電阻25 /Sq100 /Sq0.4 /Sq無無薄膜電阻測量儀折 射1.87 0.031.87 0.03無1.45 0.031.45 0.03橢圓儀膜厚均勻性5%5%5%5%5%穿 透TBDTBDTBDTBDTBD全光譜穿透率測量儀穿透均勻性10%10%10%10%10%耐 磨無無

24、無1010鉛筆硬度計附著力4B4B4B4B4B百格刀，P99膠帶2.9. Sputter 制程管控參數(shù)u 目前我廠Sputter生產(chǎn)主要管控的制程參數(shù)：2.10. Sputter 靶材與機(jī)臺Sputter 機(jī)臺（廠內(nèi)）靶 材靶 材靶 材藍(lán)思科技藍(lán)思科技LENS藍(lán)思科技（長沙）有限公司藍(lán)思科技（長沙）有限公司LENS TECHNOLOGY (CHANGSHA)CO.,LTD狀態(tài)指示燈緊急停止轉(zhuǎn)移站 1LED柔性燈條轉(zhuǎn)移站 2裝卸臺存儲站臺車2.11. Sputter 機(jī)臺（一）u 員工工作區(qū)域：掛片，取片藍(lán)思科技藍(lán)思科技LENS藍(lán)思科技（長沙）有限公司藍(lán)思科技（長沙）有限公司LENS TECHN

25、OLOGY (CHANGSHA)CO.,LTD渦輪分子泵浦干式泵浦（dry pump）低真空載入載出腔體高真空載入載出腔體緩沖腔體 制程腔體 緩沖腔體 回轉(zhuǎn)腔體（粗抽到67Pa左右）(可抽到5*10-3 Pa）2.11. Sputter 機(jī)臺（二）2.12. Wash Clean （清洗）清 洗：通過磨刷、脫脂藥液及清水的清洗移除玻璃基板上的污染物、微粒、減少針孔和其他缺陷，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布，提高玻璃與光阻的結(jié)合能力。主要參數(shù)：清洗液濃度(2000-5A,5%),脫脂毛刷壓入量，傳送速度，溫度，噴洗流量，噴洗壓力，AP功率，供氣流量，玻璃表面與純水的接觸角小于8（

26、接觸角決定清洗后潔凈度）。制程主要不良項目：刮傷，疊片和清洗不干凈。u 注：目前我們廠內(nèi)從Sputter之后的黃光段清洗都未使用清洗液，都是使用超純水。2.13. 清洗機(jī)臺與清洗液（1）2000-5A：主要成分KOH及表面活性劑，主要用于清洗素玻璃和ITO玻璃。其與一般動植物油脂的反應(yīng)機(jī)理為皂化反應(yīng)： (RCOO)3C3H5+3KOH3RCOOK+C3H5(OH)3 生成物RCOOK可溶于水。（2）FPD 120：主要成分為氨基三乙酸【分子式為N(CH2COOH)3】、有機(jī)羧酸及一些表面活性劑。由于Metal鍍層的活性較高，能被2000-5A清洗液侵蝕，因而清洗Metal玻璃必須使用專用的FP

27、D 120清洗劑。清洗機(jī)臺清洗液相關(guān)知識2.14. Coating（涂布）涂 布：將光阻涂布在已鍍膜的 Glass表面上，利用光阻保護(hù)Glass表面的鍍膜層，光阻在經(jīng)曝光，顯影，蝕刻，產(chǎn)生圖案在 Glass上。（光阻是一種感光材料，它的組成：樹脂、感光劑、溶劑。光阻分為正型光阻和負(fù)型光阻）正型光阻：曝光的部分產(chǎn)生解離反應(yīng)，使感光部分解離成小分子，形成易溶于顯影液的結(jié)構(gòu)。（正型光阻一般用于過渡性，如在做ITO、Metal時候，光阻最終被剝除掉，不會保留在產(chǎn)品上）負(fù)型光阻：曝光的部分產(chǎn)生鏈接反應(yīng)，使感光部分結(jié)構(gòu)加強(qiáng)，形成不溶于顯影液的結(jié)構(gòu)。（負(fù)型光阻因附著力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和

28、保護(hù)層時，最終會成為產(chǎn)品本身的一部分而保留下來）u 友情簡版：快速區(qū)分正負(fù)型光阻-正型見光死，負(fù)型見光活。l 刮刀速度設(shè)定會因為機(jī)臺及刮刀壓力而有不同。刮刀速度太慢：降低產(chǎn)能刮刀速度太快：光阻涂布不均 平坦度極差Coater 刮刀速度u 刮刀壓力設(shè)定會因為機(jī)臺及光阻滴下量而有不同。壓力太?。簳构庾璧蜗铝刻俣斐赏坎疾痪?。壓力太高：會使光阻滴下量太多而造成膜厚太高。n GAP的大小直接影響到膜厚的高低，所以GAP的調(diào)整對涂布是相當(dāng)重要的一環(huán)。涂布機(jī)印刷方式Coater GAP調(diào)整Coater 刮刀壓力2.15. Coating制程控制點(diǎn)玻璃刮刀光阻GAP2.16. Pre-bake（軟烤）軟

29、 烤：將玻璃上光阻層的大部分的溶劑去除，并使光阻由原來的液態(tài)，經(jīng)過軟烤之后，而成為固態(tài)的薄膜，以加強(qiáng)光阻層對玻璃表面的附著能力，軟烤后光阻內(nèi)溶劑降到520%左右，厚度也將減少1020%。主要參數(shù)：烘烤溫度：90120烘烤時間：13min制程主要不良項目：刮傷、玻璃受熱不均，使光阻局部過烤或烘烤不足，造成后續(xù)的顯影不凈或顯影過顯（過度會造成光阻變脆而粘性降低，對光敏感性變差；不夠則附著力差溶劑含量高使曝光精準(zhǔn)度變差且顯影對無曝光的光阻選擇性降低，導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移不良）2.17. 軟烤機(jī)臺與目的軟烤機(jī)臺1、去除光阻的殘余溶劑。 2、增加光阻的附著力。3、提高照射區(qū)與非照射區(qū)的 顯影速率比。4、降低光阻

30、的內(nèi)部應(yīng)力,防止 光阻劑的龜裂。軟烤的目的：利用光透過光罩照射光阻劑，使其感光，照射到光的光阻起化學(xué)反應(yīng)，從而將光罩上的圖形清晰、準(zhǔn)確的投影在玻璃基板表面上。（曝光方式有三種：接觸式、接近式和投影式，目前我司采用的曝光方式為接近式。）曝 光：1、曝光能量：正型光阻能量越大幅寬越小，量測線距越大。 負(fù)型光祖能量越大幅寬越大，量測線距越小。2、溫度：Mask溫度235，熱脹冷縮影響對位標(biāo)記的距離。 機(jī)板溫度：調(diào)整CP（冷卻段）、Stage段的保溫度為23。3、GAP值（50300um）：正型GAP值越大幅寬越小，量測線距越大。 負(fù)型GAP值越大幅寬越大，量測線距越小。制程主要參數(shù)：曝光偏移、固定光

31、阻殘留異常、過曝。（ 對于正型光阻，曝光能量越大，幅寬越小，負(fù)型光阻反之。曝光溫度對基板的影響是當(dāng)溫度異常時，光罩由于熱脹冷縮，圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板上時與規(guī)格值存在差別，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量）制程主要不良項目：2.18. Exposure（曝光）曝光玻璃基板顯 影蝕刻 / 去光阻正光阻負(fù)光阻光阻光罩2.19. 曝光技術(shù)解析（一）接觸式接近式投影式2.20. 曝光技術(shù)解析（二）類型優(yōu)勢劣勢接觸式較佳的解析度有微粒的附著接近式品質(zhì)較接觸式佳解析度差投影式解析度佳曝光時間長對 比2.21. 曝光機(jī)臺與光罩Mask類型：乳劑型光罩：菲林Film Mask，干版Emulsion Mask。鉻膜型光罩（鉻版）：

32、蘇打玻璃、硼硅玻璃（低膨脹玻璃）、石英玻璃。（我司目前使用的是鉻膜型光罩材質(zhì)是蘇打玻璃）鉻膜型光罩保養(yǎng)：鉻版為硬掩膜版，為防止其變形，需要豎直存放，為保證其表面的潔凈度，一般要保存在1000級以上的無塵室內(nèi)，溫度維持215，濕度5010RH。Mask（光罩）相關(guān)知識曝光機(jī)臺2.22. Developer （顯影）顯 影：將正型光阻中的被曝光的那部分光阻快速溶解于顯影液中(負(fù)型光阻正好與之相反,是未曝光的部分溶于顯影液中),未曝光的那部分光阻溶解速度緩慢，從而通過控制顯影時間，可以顯現(xiàn)出光罩上的圖形。我司使用的顯影液：正型光阻所用顯影液為：TMAH（四甲基氫氧化銨），是一種有機(jī)弱堿。負(fù)型光阻所用

33、顯影液為：KOH（氫氧化鉀），是種無機(jī)堿。主要參數(shù)：顯影傳導(dǎo)速度顯影液電導(dǎo)率顯影溫度顯影噴壓制程主要不良項目：顯影不凈，顯影過顯，光阻回黏。（顯影液電導(dǎo)度越高，幅寬越小，線距越大，電導(dǎo)度過高時會造成過顯，電導(dǎo)度過低會造成顯影不盡。顯影時間對產(chǎn)品的影響是顯影時間越長，幅寬越小，線距越大，時間過長則會造成過顯，而且會影響膜厚）2.23. 顯影機(jī)臺與流程 ISO：隔離區(qū)，防止藥液回濺，并循環(huán)回收藥液。DVP：顯影區(qū)，顯影液與被曝光光阻反應(yīng)。采用的藥洗方式為噴灑式，噴頭來回擺動以防止顯影不均勻。Rinse：循環(huán)水洗，設(shè)置Rinse水刀是使水洗均勻，防止殘留的藥液繼續(xù)和光阻反應(yīng)。BJ：二流體洗凈，主要是

34、利用水包覆氣體，并噴向基板時因水泡爆裂，使較小的particle因水泡爆裂而震出，利用水汽噴淋。Back Brush：下毛刷，有些Particle水洗不掉，需用毛刷刷凈HP：高壓水洗。FR： 最后純水洗。AK：風(fēng)刀，將基板上的水吹干。顯影機(jī)分為顯影段和水洗段： ISO（開始） RinseDVP1 BJDVP2 Back BrushDVP3 HPDVP4 FRDVP5 （結(jié)束）AK顯影機(jī)臺顯影流程2.24. Post bake（硬烤）除去光阻中剩余的溶劑及水氣，使光阻內(nèi)未溶解的感光化合物和樹脂間之結(jié)合更緊密，以增加光阻對熱之穩(wěn)定性及底層物質(zhì)之附著力。使經(jīng)顯影后的正面帶圖形的光阻固化，從而使其圖形

35、穩(wěn)定。對相同的光阻，硬烤溫度通常會比軟烤的溫度還要高些。硬 烤：1. 硬烤溫度：100130 C2. 硬烤時間：13min主要參數(shù)：硬烤不充分或過烤，造成后續(xù)的蝕刻不凈或蝕刻過蝕。制程主要不良項目：2.25. 硬烤機(jī)臺與作用1. 將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除。2. 改進(jìn)光阻蝕刻和離子布植的抵抗力。3. 改進(jìn)光阻的附著力。4. 聚合作用和穩(wěn)定光阻。5. 光阻流動填滿針孔。硬烤的作用：文字文字文字硬烤機(jī)臺文字2.26. Etching（蝕刻）蝕 刻：利用酸性蝕刻液將材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或者物理撞擊作用，使不需材料移除，將玻璃中未受光阻保護(hù)的那部分ITO（Metal）腐蝕掉，留下所需要的線路和圖形。主要參數(shù)：

36、蝕刻液濃度，蝕刻傳導(dǎo)速度，蝕刻溫度，噴淋壓力。制程主要不良項目：蝕刻不凈，過蝕，ITO，Metal殘留以及蝕刻異常。2.27. 蝕刻機(jī)臺與蝕刻液ITO 蝕刻液：目前我司ITO所用蝕刻液為王水，其主要成分為： 鹽酸（HCl）； 硝酸（HNO3）。Metal蝕刻液：Metal蝕刻液要求僅能蝕刻Metal鍍層而不會腐蝕玻璃上的ITO,現(xiàn)公司使用的蝕刻液為鋁酸（Al）。 其主要成分為：磷酸（H3PO4），硝酸（HNO3），冰乙酸（俗稱冰醋酸 HAc）。蝕刻機(jī)臺蝕刻液相關(guān)知識2.28. Stripe（剝膜）剝 膜：用堿液對光阻進(jìn)行結(jié)構(gòu)性的破壞，使光阻溶解，以達(dá)到去除光阻的目的，得到設(shè)計所需圖形。剝膜液：

37、目前我司ITO和Metal使用的剝膜液都是N300。其主要成分為：MEA（單乙醇胺）、BDG（二乙二醇丁醚）。主 要 參 數(shù)：剝膜傳導(dǎo)速度，剝膜液濃度，剝膜溫度，噴灑方式。剝膜不凈，光阻回黏，剝膜藥液殘留。制程主要不良項目：2.29. 剝膜機(jī)臺與剝膜液N300剝膜液的組成成分主要是MEA（單乙醇胺）+ BDG（二乙二醇丁醚），比例為30%MEA+70%BDG。MEA易吸收空氣中的水與CO2（二氧化碳），使其濃度降低，制程管控中主要設(shè)計管控MEA濃度，以達(dá)到制程需求。在生產(chǎn)運(yùn)行中，高溫度及長時間（以控制機(jī)臺運(yùn)行速度來控制）的剝離，使剝膜液的利用及剝離效果得到最佳化。剝 膜 液：文字文字文字文字剝

38、膜機(jī)臺2.30. Oven（高溫烘烤）高溫烘烤：高溫烘烤之目的在于進(jìn)一步去除光阻中的溶劑，高溫烘烤將光阻中的溶劑含量降到最低。使其進(jìn)一步固化，增加光阻附著性，避免后制程光阻脫落。之前我們說過光阻可以分為保留性光阻和過渡性光阻，只有保留性光阻才需要經(jīng)過高溫烘烤。（例如負(fù)型光阻因附著力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保護(hù)層時，最終會成為產(chǎn)品本身的一部分而保留下來）主 要 參 數(shù)：烘烤溫度：200250烘烤時間：3040min高溫烘烤不充分或過烤（如果烘烤不夠，則光阻的附著力會不夠膜厚變大，過烤則會產(chǎn)生色差膜厚變?。┲瞥讨饕涣柬椖浚?.31. 高溫烘烤機(jī)臺高溫烘烤使用的機(jī)臺是IR隧道爐，此

39、機(jī)臺是為了將玻璃基板上的涂布劑，進(jìn)行干燥及硬化處理, 將玻璃基板放在Cassette內(nèi)，利用熱風(fēng)干燥玻璃，采用內(nèi)循環(huán)對流運(yùn)風(fēng)式設(shè)計，可獨(dú)立分組調(diào)節(jié)各段溫度及虛幻運(yùn)風(fēng)，使?fàn)t內(nèi)溫度均勻穩(wěn)定。IR 隧道爐：文字文字文字高溫烘烤機(jī)臺（IR隧道爐）文字2.32. 黃光制程產(chǎn)品（一）u 經(jīng)過黃光制程最終做出如下產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（未包含Metal Trace與Bonding PAD）ITO Pattern玻 璃Metal Bridge（架橋）灰色部分PI（絕緣）黑色部分2.33. 黃光制程產(chǎn)品（二）STEP3文字文字經(jīng)過黃光制程最終達(dá)到所需的設(shè)計結(jié)構(gòu)STEP2文字文字STEP1文字文字項 目線 別藥 液 名 稱成

40、分外 觀PH值溶解度1ITO GD709堿性清洗劑KOH、水、界面活性劑無色液體11可溶于水2ITOMetalEC-IP100 光阻劑酚衍生物、酚醛樹脂、醋酸酯暗紅色NA不溶于水34線通用EZ240 光阻稀釋劑丙二醇甲醚、乙酸丙二醇單甲基醚酯無色透明吸濕性液體57可溶于水4ITOMetalDEV DT200顯影液（TMAH）氫氧化四甲基銨、水無色液體11可溶于水5ITO 蝕刻類王水（ITO 蝕刻液）硝酸、鹽酸暗褐色1可溶于水，酒精及丙酮6ITOMetal剝膜液（N300）MEA單乙醇胺、BDG二乙二醇丁醚無色或微黃12可溶于水7OC 顯影液 大乾KD850KOH、水、界面活性劑微黃澄清液體11

41、12可溶于水8Metal蝕刻鋁酸（Metal 蝕刻液）醋酸、硝酸、磷酸透明無色液體1可溶于水9TOP OCEOC 170 光阻劑乙酸丙二醇單甲基醚酯、壓克力單體、壓克力樹脂、光起始劑無色液體NA不溶于水2.34. 黃光制程化學(xué)用品2.35. 黃光制程常見不良涂布不良：1. 涂布針孔 2.箭影 3.氣泡 4.刮傷 5.臟污 6.光阻回濺顯影不良：1. 顯影不凈 2.過顯 3.刮傷 4.臟污 5.藥液殘留 6. 光阻脫落 7.顯影圈 8.凹點(diǎn)蝕刻不良：1. ITO&Metal殘留/過蝕 2.臟污 3.刮傷剝膜不良：1. 剝膜不凈 b.臟污 3.刮傷 4.藥液殘留其它不良：1. MO脫落 2.SiO

42、2脫落 3.靜電擊傷 4.線阻偏差2.36. 涂布異常圖片1. 涂布針孔（部分因臟污、光阻粘度、涂布機(jī)臺異常等所導(dǎo)致，目視為白色亮點(diǎn)） 2.涂布?xì)馀荩ú糠忠蚺K污、光阻粘度、涂布機(jī)臺異常等所導(dǎo)致，目視為白色亮點(diǎn)）3.涂布臟污（部分因來料臟污、未清洗干凈、機(jī)臺臟污等所導(dǎo)致） 4.涂布箭影（部分因玻璃上粘有有機(jī)物、涂布機(jī)臺異常、光阻粘度、 風(fēng)刀水未吹干等所導(dǎo)致）2.37. 顯影異常圖片1. 顯影不凈（部分因軟烤溫度、時間、曝光能量、顯影速度等所導(dǎo)致,出現(xiàn)為顯影后, 目視白色條狀,2D為彩色物質(zhì)）2. 藥液殘留（在顯影、剝膜清洗后留下的藥液殘留）3. Metal線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘

43、有臟污等其他物質(zhì)所導(dǎo)致）4. 光阻脫落（部分因軟烤溫度、曝光能量、顯影速度等所導(dǎo)致，出現(xiàn)為顯影后， 目視黑色點(diǎn)狀，如脫落不嚴(yán)重目視無法識別）6.頂傷（因機(jī)臺及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致。出現(xiàn)在每道制程，目視為白色亮點(diǎn)、 2D下成臟污狀且透有彩色） 5.光阻刮傷（因機(jī)臺及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致。出現(xiàn)在每道制程，強(qiáng)光下目視 為白色條、點(diǎn)狀）7. 顯影圈（部分因顯影速度及電導(dǎo)率等所導(dǎo)致，出現(xiàn)在顯影后，目視為 小白點(diǎn)、較小且密集）8.鋸齒（部分因軟烤溫度、曝光能量、顯影速度等所導(dǎo)致，出現(xiàn)在顯影后， 目視鋸齒狀/外觀”老鼠咬”）9. 凹點(diǎn)（大部分是因臟污或其它物質(zhì)導(dǎo)致光阻無法被顯影干凈，一般出現(xiàn) 在 TOP OC制程，

44、目視為亮點(diǎn)）10.藥液殘留（部分是因風(fēng)刀未吹干及藥液回粘水洗不掉，出現(xiàn)在每道制程， 目視背光為白色、未烤前大部分可擦拭）2.38. ITO蝕刻異常圖片1 .ITO蝕刻不凈/ITO殘留（一般因光阻殘留、蝕刻速度及藥液濃度、光阻回濺等導(dǎo)致 蝕刻不凈嚴(yán)重的強(qiáng)光下目視為白霧狀，白光下不明顯，通常借助于2D或萬用表）2 .ITO被蝕（一般因涂布異常、蝕刻速度等所導(dǎo)致、光阻被刮傷等目視對光可見,背 光不可見）2.39. Metal蝕刻異常圖片2.Metal被蝕（大部分是因涂布異常、蝕刻速度、光阻被刮傷、曝光、顯影等）1.Metal蝕刻不凈/Metal殘留（大部分是因光阻殘留、蝕刻速度、藥液濃度 等，目視反

45、光且不透光）2.40. 其它異常不良圖片2.Metal刮傷（大部分因機(jī)臺異常、作業(yè)手法等所導(dǎo)致。目視為白色點(diǎn)線狀 ，背光明顯）1.ITO刮傷/表面刮傷（大部分因機(jī)臺異常、作業(yè)手法等所導(dǎo)致。目視為白色點(diǎn) 線狀，背光明顯）3.靜電擊傷（最常出現(xiàn)在涂布、曝光、軟硬烤段，目視為白色點(diǎn)狀，強(qiáng)光下可見）4. SiO2氣泡（一般出現(xiàn)在TOP OC顯影后、來料，目視為白色亮點(diǎn)）6.ITO線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質(zhì)所導(dǎo)致）5.MO脫落（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）7.臟污 8. 偏移（主要出現(xiàn)在曝光光罩偏位及耙標(biāo)異常所導(dǎo)致）Metal偏移TOP OC偏移Metal偏移9.Me

46、tal氧化（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）10.PI異常 （Metal 蝕刻剝膜時藥液滲透）2.41. 可剝膠印刷u 可剝膠印刷介于前段黃光制程和后段白光制程之間，在黃光制程中鍍SiO2時 會用到可剝膠印刷，而在產(chǎn)品做完黃光制程后進(jìn)入后段制程前也會做可剝膠 印刷。可剝膠印刷作業(yè)原理： 先將玻璃基板置放在作業(yè)平臺上再利用網(wǎng)板印 刷方式對玻璃基板作網(wǎng)印涂布作業(yè)，將需要保護(hù)的地方用可剝膠保護(hù)起來。刮印刀回墨刀回墨方向刮印方向玻 璃臺 面網(wǎng) 板可剝膠2.42. 可剝膠印刷制程參數(shù)及異常刮印刀下壓量，玻璃與網(wǎng)版的間距，刮印的速度，以及后面烘烤的時間。印刷破片：刮刀下壓量太大，人為破片印刷破洞：網(wǎng)版網(wǎng)

47、塞 對位異常： 靠PIN松脫，網(wǎng)版變形可剝膠殘留：刮刀下壓量，網(wǎng)版可剝膠印刷位置偏移：人為原因，機(jī)臺對位異?？蓜兡z遺膠：粘度偏小，網(wǎng)版網(wǎng)孔偏大制程主要異常及原因制程主要參數(shù)2.43. 可剝膠印刷流程與作用在SIO2濺渡之前將需預(yù)留Bonding區(qū)域保護(hù)起來，避免被濺渡到。A 面可剝膠印刷作用：需將產(chǎn)品可視區(qū)全部印刷保護(hù)起來，防止在切割磨邊時造成刮傷，劃傷。B面SIO2濺鍍A面可剝膠印刷ICT測試B面可剝膠撕膜B面可剝膠印刷可 剝 膠 作 用可剝膠印刷流程制程管控項目網(wǎng)板GAP值51mm抬板高度105mm回墨刀壓入量405mm刮印刀壓入量225mm刮刀速度1.50.5網(wǎng)板GAP值是網(wǎng)板和印刷臺面

48、之間距離抬板高度的設(shè)定是防止印刷時基板出現(xiàn)粘板現(xiàn)象回墨刀壓入量是根據(jù)回墨效果而調(diào)整，一般設(shè)定值不宜太大，防止壓壞網(wǎng)板刮刀壓入量是根據(jù)產(chǎn)品印刷效果而調(diào)整刮刀速度對機(jī)臺Tact time及產(chǎn)品印刷質(zhì)量有一定影響定位精度200um目前是手動靠PIN對位，對位精度大概在400um左右2.44. 可剝膠制程管控項目2.45. 可剝膠機(jī)臺可剝膠成形效果文字文字文字可剝膠印刷機(jī)臺文字文字文字2.46. 后段制程切割清洗FOGBondingTestOCA貼合包裝出貨成品覆膜Fianl Test加壓脫泡CG貼合玻璃基板經(jīng)過了前面的黃光制程后，上面已經(jīng)形成了金屬線路和圖案，而后大版的玻璃經(jīng)過切割成小片，邦定（Bo

49、nding）FPC，貼合CG，終測直至到最后的包裝出貨。u 以下流程為基本流程，詳細(xì)流程以實(shí)際作業(yè)及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)2.47. 切割切割切割目的通過刀輪切割，將做好黃光制程的550 x650mm的玻璃基板切割成所需的小片，再流至下一道制程。主要參數(shù)切割深度、切割速度、切割壓力。制程主要不良破片、刮傷蹦邊、蹦角、延伸性裂痕。2.48. 切割成形與機(jī)臺 切割機(jī)臺 切割前 切割成單片2.49. 清 洗在后段使用的超聲波清洗機(jī)，其原理是：超聲波作用于液體中時，液體中每個氣泡的破裂會產(chǎn)生能量極大的沖擊波，相當(dāng)于瞬間產(chǎn)生幾百度的高溫和高達(dá)上千個大氣壓的無數(shù)微小氣泡隨時爆破，這種現(xiàn)象被稱之為“空化效應(yīng)”,超聲波清洗正是應(yīng)用液體中氣泡破裂所產(chǎn)生的沖擊波來達(dá)到清洗和沖刷產(chǎn)品內(nèi)外表面的作用