工程電磁場(chǎng)復(fù)習(xí)題_第1頁(yè)
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1、、單項(xiàng)選擇題1 .靜電場(chǎng)是()A,無(wú)散場(chǎng)B.有旋場(chǎng)C.無(wú)旋場(chǎng)D.既是有散場(chǎng)又是有旋場(chǎng)2 .導(dǎo)體在靜電平衡下,其內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度()A.為零B.為常數(shù)C.不為零D.不確定3 .磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的一般關(guān)系為()3*-I444A.H-BB.H=hBC.B-HD.B-0H4 .電位移矢量與電場(chǎng)強(qiáng)度之間的一般關(guān)系為()A.D=;0EB.Eu;0DC.D=;rED.E=;:D5 .磁場(chǎng)能量密度等于(),a.ElDb.BlHc.-EuDd.-BH226 .電場(chǎng)能量密度等于(),a.ElDb.BlHc.-EuDd.-BH227 .鏡像法中的鏡像電荷是()的等效電荷。A.感應(yīng)電荷B.原電荷C.原電荷和感應(yīng)電

2、荷D.不確定8 .在使用鏡像法解靜電邊值問(wèn)題時(shí),鏡像電荷必須位于()A.待求場(chǎng)域內(nèi)B.待求場(chǎng)域外C.邊界面上D.任意位置9 .兩個(gè)點(diǎn)電荷之間的作用力大小與兩個(gè)點(diǎn)電荷之間距離成()關(guān)系。A.正比B.反比C.平方正比D.平方反比10 .矢量磁位的旋度是(A)A.磁感應(yīng)強(qiáng)度B.電位移矢量C.磁場(chǎng)強(qiáng)度D.電場(chǎng)強(qiáng)度11 .靜電場(chǎng)能量We等于()A.VElDlVB.2EELHdVC.2(DbEdVD.仆EuHdV12 .恒定磁場(chǎng)能量Wm等于()VELDdVD.VELHdVA.VBDdVB.1LBlHdV13 .關(guān)于在一定區(qū)域內(nèi)的電磁場(chǎng),下列說(shuō)法中正確的是()(A)由其散度和旋度唯一地確定;(B)由其散度和

3、邊界條件唯一地確定;(C)由其旋度和邊界條件唯一地確定;(D)由其散度、旋度和邊界條件唯一地確定。14 .下列表達(dá)式不可能成立的是()(A)ALdS=F_Adv;(B)Vyu=0;(C)VJ(VxA)=0;(D)K(Vu)=0膏V15 .下列達(dá)式成勺是()a、/Add;=ivLaaS;b、vFu=0;c、vUDu)=。;d、k(山)=016 .下面表述正確的為()(A)矢量場(chǎng)的散度仍為一矢量場(chǎng);(B)標(biāo)量場(chǎng)的梯度結(jié)果為一標(biāo)量;(C)矢量場(chǎng)的旋度結(jié)果為一標(biāo)量場(chǎng);(D)標(biāo)量場(chǎng)的梯度結(jié)果為一矢量17 .靜電場(chǎng)中()在通過(guò)分界面時(shí)連續(xù)。(A)E(B)D(C)E的切向分量(D)J18 .傳導(dǎo)電流是由()

4、形成的。(A)真空中帶電粒子定向運(yùn)動(dòng)(B)電介質(zhì)中極化電荷v運(yùn)動(dòng)(C)導(dǎo)體中自由電子的定向運(yùn)動(dòng)(D)磁化電流v速移動(dòng)19 .矢量場(chǎng)A=(Ax,Ay,AZ的散度在直角坐標(biāo)下的表示形式為()(A)出封衛(wèi);xfy:z.:x;:yy;zz.:AAe(C)漢內(nèi)沾FA;:A(D)L.L.r.二x二y二z20.導(dǎo)電媒質(zhì)的復(fù)介電常數(shù)又為()(A)s+j;(B)j?;(C)j;(D)jiocr21.以位函數(shù)毋為待求量邊值問(wèn)題中,函數(shù),則所謂第一類邊值問(wèn)題是指給定設(shè)3、以a都為邊界點(diǎn)s的點(diǎn)B.曳3nc.鏟(曰型二與G)由7(次力為先在邊界上的法向?qū)?shù)值)22 .電源以外恒定電場(chǎng)基本方程的微分形式說(shuō)明它是()D.有

5、散有旋場(chǎng)個(gè)1=_R_RR3A.有散無(wú)旋場(chǎng);B.無(wú)散無(wú)旋場(chǎng);C.無(wú)散有旋場(chǎng)_、,iL_j口M/、23 .關(guān)于距離矢量R=r-r,下面表示正確的為()4,1R1.1A、=2;B、Vr=Vr;C、=一;D、RR2RRB.口A,/=J(WA)dsLs.;D.LAxdl=J(V-A)dss24.斯克予定理的j達(dá)式為()A.口Adl=1(口A)ds;sC.口志d:=J(WA)/;s25.下面關(guān)于亥姆霍茲定理的描述,正確的是(A.研究一個(gè)矢量場(chǎng),必須研究它的散度和旋度,才能確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)。B.研究一個(gè)矢量場(chǎng),只要研究它的散度就可確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)。C.研究一個(gè)矢量場(chǎng),只要研究它的旋度誤就可確定該矢量場(chǎng)的

6、性質(zhì)。26.下列關(guān)于電場(chǎng)(力)線表述正確的是()A.由正的自由電荷出發(fā),終止于負(fù)的自由電荷;B.由正電荷出發(fā),終止于負(fù)電荷;C.正電荷逆著電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng),負(fù)電荷順著電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)27.下列關(guān)于電位移線表述正確的是()A.由正的自由電荷出發(fā),終止于負(fù)的自由電荷;B.由正電荷出發(fā),終止于負(fù)電荷;C.正電荷逆著電位移線運(yùn)動(dòng),負(fù)電荷順著電位移線運(yùn)動(dòng)28.電位移表達(dá)式D=/()A.在各種媒質(zhì)中適用;B.在各向異性的介質(zhì)中適用;C.在各向同性的、線性的均勻的介質(zhì)中適用;29.電位移表達(dá)式D=oE+p()A.在各種媒質(zhì)中適用;B.只在各向異性的介質(zhì)中適用;C.只在各向同性的、線性的均勻的介質(zhì)中適用;II30.磁場(chǎng)強(qiáng)

7、度表達(dá)式B=H()A.在各種磁介質(zhì)中適用;B.只在各向異性的磁介質(zhì)中適用;C,只在各向同性的、線性的均勻的磁介質(zhì)中適用;31.磁感應(yīng)強(qiáng)度表達(dá)式B=&H+20M()A.在各種磁介質(zhì)中適用;B.只在各向異性的磁介質(zhì)中適用;C,只在各向同性的、線性的均勻的磁介質(zhì)中適用;32 .電位不相等的兩個(gè)等位面()。A.可以相交B.可以相切C.不能相交或相切33 .兩個(gè)矢量的矢量積(叉乘)滿足以下運(yùn)算規(guī)律()A交換律;B分配律;C結(jié)合率;D以上均不滿足。34 .以下關(guān)于邊界條件的描述,正確的是(A)A電場(chǎng)強(qiáng)度切向分量連續(xù);B電位移矢量切向分量連續(xù);C電場(chǎng)強(qiáng)度法向分量連續(xù);D電位移矢量法向分量連續(xù)。35 .對(duì)于像

8、電荷,下列說(shuō)法正確的是()A像電荷是虛擬電荷,必須置于所求區(qū)域之內(nèi);B像電荷是虛擬電荷,必須置于所求區(qū)域之外;C像電荷是真實(shí)電荷,必須置于所求區(qū)域之內(nèi);D像電荷是真實(shí)電荷,必須置于所求區(qū)域之外。1-5:CACAD6-10:CABDA11-15:CBDBC16-20:DCCAC21-25:ABDBA26-30:BACAC31-35:ACBAB二、填空1 .電場(chǎng)強(qiáng)度可表示為的負(fù)梯度。2 .體電荷p,面電荷d線電荷t在場(chǎng)點(diǎn)r處產(chǎn)生的小電位為:3 .安培環(huán)路定律的微分形式是,它說(shuō)明磁場(chǎng)是。4 .全電流定律的微分方程5 .靜電場(chǎng)的邊界條件為、。6 .恒定電場(chǎng)的邊界條件為、。7 .恒定磁場(chǎng)的邊界條件為、。

9、8 .磁通連續(xù)性原理的微分形式是。9 .在無(wú)源區(qū)域中,波動(dòng)方程為、。10 .介電常數(shù)為的均勻線性介質(zhì)中,電荷的分布為p(r),則空間任一點(diǎn)VE=,VD=。11在時(shí)變電磁場(chǎng),Vxe=,表明時(shí)變電場(chǎng)是;VB=,表明時(shí)變磁場(chǎng)是。12.在兩種不同媒質(zhì)的分界面上,的切向分量總是連續(xù)的,的法向分量是連續(xù)的。13線性、各向同性媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系為:,。14 .在導(dǎo)電媒質(zhì)中,電磁波的相速隨頻率改變的現(xiàn)象稱,這樣的媒質(zhì)又稱為。15 .電流連續(xù)性方程的微分形式為。16 .研究宏觀電磁現(xiàn)象時(shí),常用到的四種電荷模型是:體電荷、面電荷、線電荷、點(diǎn)電荷,常用到的三種電流模型是:體電流、面電流、線電流。17 .極化體電荷密度與

10、極化強(qiáng)度P之間的關(guān)系式為。18 .表征時(shí)變場(chǎng)中電磁能量的守恒關(guān)系是定理。20 .鏡像法是用等效的代替原來(lái)場(chǎng)問(wèn)題的邊界,該方法的理論依據(jù)是21 .坡印廷矢量5二片m目,它的方向表示的傳輸方向,它的大小表示單位時(shí)間通過(guò)與能流方向相垂直的電磁能量。22 .無(wú)極分子遇到外電場(chǎng)的極化為:23 .鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的個(gè)數(shù)、和o24 .標(biāo)量場(chǎng)的梯度的方向?yàn)?大小為。25 .靜電場(chǎng)的基本方程積分形式為:、26 .恒定電場(chǎng)的基本方程微分/積分形式為:/、/27 .恒定磁場(chǎng)的基本方程微分/積分形式為:/、/28 .動(dòng)態(tài)電磁場(chǎng)的基本方程微分:、29電磁波的傳播速度等于o30 .電磁感應(yīng)定律的本質(zhì)就是變化的

11、磁場(chǎng)產(chǎn)生。三、簡(jiǎn)答題1 .寫出真空中高斯定理的積分表達(dá)式,說(shuō)明它揭示的物理意義。2 .寫出坡印廷定理的微分形式,說(shuō)明它揭示的物理意義。3 .寫出真空中安培環(huán)路定律的微分表達(dá)式,說(shuō)明它揭示的物理意義4 .寫出麥克斯韋方程組的積分/微分方程,說(shuō)明每個(gè)方程的意義。5 .試說(shuō)明靜電場(chǎng)中導(dǎo)體的基本特征。四、計(jì)算題(本大題共6小題,共50分)1、在直角坐標(biāo)系下證明矢量恒等式(VmA)2、矢量A=1+23,B=-3?z,(1)(2) AB(3)3、真空中均勻帶電球體,其電荷密度為p,半彳全為a,試求:(1)球內(nèi)任一點(diǎn)的電位移矢量Dr:a時(shí),(2)球外任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E解:(1)作半彳全為r的高斯球面,在高斯球面上電位移矢量的大小不變,根據(jù)高斯定理,有A-4DEdS=PdV=qsv(2)當(dāng)ra時(shí),作半徑為r的高斯球面,根據(jù)高斯定理,有D4r243f二一二a;3-a3-3-r3r3電場(chǎng)強(qiáng)度為-a33r3;r34、(1)將下列場(chǎng)矢量的瞬時(shí)值形式寫為復(fù)數(shù)形式并說(shuō)明均勻平面波極化方式解:因?yàn)樗訣(z,t)=eEmcos(t一kz)eyEmsin(t-kz)E(z,t)=qEmcos(t-kz)eyEmcos(t-kz-)=ReeXEmej(z)eyEmej(4-kz-2)j(-kz)j(-kz-H2)m(z)-exEmeeyEme=(exEXm-eyjEym)e-jkz因?yàn)樾=0,小y=-冗

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