反復(fù)插層對(duì)高嶺石結(jié)構(gòu)和性能的影響淺析

1、反復(fù)插層對(duì)高嶺石構(gòu)造和性能的影響淺析高嶺石是一種重要的粘土礦物，已被廣泛應(yīng)用于橡膠、塑料、環(huán)保等領(lǐng)域。同時(shí)，納米級(jí)高嶺石是一種重要的化工原料，可顯著進(jìn)步產(chǎn)品的檔次，增加產(chǎn)品的附加值，目前，插層法是最有希望也是最有效的制備納米級(jí)高嶺石的方法。經(jīng)過屢次插層與脫嵌得到的高嶺石具有足夠的活性，可與部分2價(jià)鹽類發(fā)生插層反響，但插層與脫嵌的重復(fù)次數(shù)與高嶺石類型有關(guān)，不同的高嶺石可能要經(jīng)過2次甚至幾十次不等的插層與脫嵌循環(huán)。Thompson等通過屢次插層與脫嵌反響得到無定形高嶺石，其比外表積由5 m2/g增至45 - 400 m2/g離了交換容量由0.10 mmol/g增至3 mmol/g，且該材料可與多種

2、金屬離了發(fā)生反響。此外，Patakfalvi等在65 0C直接利用二甲基亞颯CDMSO對(duì)高嶺石進(jìn)展插層，屢次插層后使高嶺石完全解體，最終到達(dá)了剝片的目的。Singh等為了驗(yàn)證在水合作用下片狀高嶺石是否會(huì)發(fā)生卷曲，利用醋酸鉀對(duì)高嶺石進(jìn)展屢次插層與水洗反響，不僅證實(shí)了該假設(shè)，并最終得到了埃洛石狀高嶺石。盡管前人對(duì)高嶺石屢次插層與脫嵌進(jìn)展了研究，但多集中在對(duì)產(chǎn)物的加工，而對(duì)屢次插層與脫嵌后高嶺石構(gòu)造及性能研究甚少。本研究分別利用二甲基亞颯CDMSO和去離了水對(duì)高嶺石進(jìn)展重復(fù)的插層與水洗，并采用X射線衍射CXRD、傅立葉變換紅外光譜FT-IRS旋轉(zhuǎn)魔角核磁共振MAS NMR掃描電鏡SEMI對(duì)插層和水洗

3、產(chǎn)物進(jìn)展表征，以期確定重復(fù)插層與脫嵌對(duì)高嶺石構(gòu)造及性能的影響。1實(shí)驗(yàn)方法1.1原料及儀器高嶺土選白張家口宣化市沙嶺了鎮(zhèn)，高嶺石含量達(dá)95 %，含少量石英。無水乙醇，分析純;二甲基亞颯CDMSO，分析純;上述兩種試劑均由西隴化工股份消費(fèi)。X射線衍射CXRD分析采用日本理學(xué)公司的Rigaku D/MAX 2500 PC型X射線衍射分析儀，測(cè)試條件:掃描步寬:0.020，管流40 mA，電壓150 V，掃描速度4 (0)/min狹縫系統(tǒng):DS=SS=10，RS=0.3 mm.紅外光譜(FT-IR)測(cè)試采用Nicolet 6700傅立葉紅外光譜儀，采用KBr壓片法制樣，波數(shù)測(cè)試范圍:600-4000

4、cm，分辨率4 cm.核磁共振測(cè)試采用德國(guó)Bruker公司MSL-300型譜儀在室溫條件下記錄的，a9Si的諧振頻率分別為59.6 Hz, 78.2 Hz，轉(zhuǎn)了轉(zhuǎn)速5kHz, 29Si的化學(xué)位移參照物分別為四甲2樣品制備稱取50 g高嶺石(K)置于100 mL質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90%的DMSO溶液中，60 0C攪拌12h，得到高嶺石/DMSO插層復(fù)合物(KD。將KD 置于去離了水中，常溫?cái)嚢? d，離心別離獲得水洗后產(chǎn)物.2結(jié)果與討論2.1 XRD分析高嶺石/DMSO插層復(fù)合物的XRD圖譜。經(jīng)DMSO插層處理后，高嶺石d值由原來的0.719 nm增至1.130 nm。該結(jié)果說明經(jīng)DMSO插層后，高嶺石

5、的層間距被撐大，這與以前文獻(xiàn)報(bào)道結(jié)果一致說明DMSO分了成功的進(jìn)入高嶺石層間。據(jù)Wiewiora和Brindley給出的插層率計(jì)算公式計(jì)算得出第一次插層的插層率為96.7 %.分別給出了1,2,3.8,9,10次高嶺石/DMSO插層復(fù)合物的XRD圖譜。DMSO對(duì)高嶺石進(jìn)展插層一直保持著較高的插層率，且在重復(fù)插層6次之后高嶺石衍射峰的強(qiáng)度兒乎消失，這是由于重復(fù)插層與水洗導(dǎo)致了高嶺石層間氫鍵破壞，層間作用力減弱，從而插層劑更易于進(jìn)入高嶺石層間。經(jīng)6次插層后，在2頭150-350之間曲線向上凸起，說明其構(gòu)造向無定型方向開展。據(jù)Wiewiora和Brindley的插層率計(jì)算公式，計(jì)算出各次插層復(fù)合物的

6、插層率。由圖3可看出，隨著插層次數(shù)的增加插層率逐步增大，且在重復(fù)7次插層后插層率趨近100%，這可能與高嶺石晶體構(gòu)造的破壞有關(guān)，同時(shí)也證明了重復(fù)的插層與脫嵌過程對(duì)高嶺石構(gòu)造產(chǎn)生了重要影響。2.2紅外光譜分析高嶺石(K)及經(jīng)5次、10次水洗后高嶺石紅外光譜圖。據(jù)Frost報(bào)道，可以將高嶺石的紅外光譜分為3個(gè)主要區(qū):Ca)高頻區(qū):3700-3600 cm，范圍，該區(qū)主要為經(jīng)基仲縮振動(dòng)帶，譜圖K中3620 cm，為內(nèi)經(jīng)基仲縮振動(dòng)峰，3696 cm、3668 cm、3652 cm為內(nèi)外表經(jīng)基仲縮振動(dòng)峰;Cb)中頻區(qū):1200-800 cm，處，呈現(xiàn)1個(gè)強(qiáng)的吸收帶，主要為S i0仲縮振動(dòng)帶和經(jīng)基解型振動(dòng)

7、;Cc)低頻區(qū):800-600 cm處，主要為Al。仲縮振動(dòng)、S i0彎曲振動(dòng)和經(jīng)基平動(dòng)。原始高嶺石(K)在3668cm和3652 cm出現(xiàn)2個(gè)譜帶，這說明原始高嶺石的結(jié)晶程度較高f H,91。比照發(fā)現(xiàn)，隨著水洗次數(shù)的增加，內(nèi)外表經(jīng)基的仲縮振動(dòng)帶強(qiáng)度逐漸降低，同時(shí)內(nèi)經(jīng)基仲縮振動(dòng)帶強(qiáng)度在經(jīng)歷五次水洗后也開始減弱。經(jīng)基振動(dòng)帶強(qiáng)度的減弱說明有部分經(jīng)基脫去，上述現(xiàn)象說明不僅高嶺石晶層外表遭到破壞，而且晶層內(nèi)部(硅氧四面體與鋁氧八面體之間)也受到了一定影響。高嶺石與峰一直存在，這說明盡管高嶺石構(gòu)造遭到一定破壞，但晶體構(gòu)造未發(fā)生崩塌。在中頻區(qū)，1115 cm，處的SiO鍵仲縮振動(dòng)強(qiáng)度逐漸減弱，1033 c

8、m和1008 cm，的SiO鍵反仲縮振動(dòng)峰的強(qiáng)度逐漸減弱并有消失的趨勢(shì)，這可能與內(nèi)經(jīng)基的脫去有關(guān)。913cm處的內(nèi)經(jīng)基振動(dòng)峰強(qiáng)度逐漸減小。低頻區(qū)，峰強(qiáng)均有減小的趨勢(shì)。無論原始高嶺石還是經(jīng)水洗后的高嶺石，其化學(xué)鍵或官能團(tuán)在紅外光譜上的波數(shù)并未發(fā)生大的改變，只是各個(gè)峰的強(qiáng)度均有不同程度的下降，這說明高嶺石經(jīng)10次插層、水洗后部分化學(xué)鍵或官能團(tuán)遭到破壞，使得其數(shù)量減少。3結(jié)論(1)部分內(nèi)外表經(jīng)基與部分內(nèi)經(jīng)基脫去。經(jīng)基以構(gòu)造水形式脫去，但其脫去并未對(duì)高嶺石硅氧骨架產(chǎn)生影響。此外，隨著水洗次數(shù)的增加，高嶺石無序度增加，疊置片層減少，晶形遭到一定破壞。(2)盡管化學(xué)位移發(fā)生了變化，但Si原了與AI原了聚合度保持不變，高嶺石主體仍呈層狀構(gòu)造。Si譜化學(xué)位移的變化是由構(gòu)造層內(nèi)鍵長(zhǎng)、鍵角的變化所致，而AI譜化學(xué)位移的變化可能與內(nèi)外表經(jīng)基的脫去有關(guān)。(3)實(shí)驗(yàn)最終產(chǎn)物可能為高嶺石向偏高嶺石轉(zhuǎn)變的中間狀態(tài)產(chǎn)物。水洗產(chǎn)物的MASNMR29S