壓敏陶瓷材料設(shè)計(jì)

1、材 料 化 學(xué) 專 業(yè)科 研 訓(xùn) 練（材料設(shè)計(jì)）題 目: 壓敏陶瓷材料設(shè)計(jì) 班級(jí)學(xué)號(hào): 材化09-1 姓 名:指導(dǎo)教師:哈爾濱理工大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院2012年01月 5日摘 要壓敏陶瓷是指電阻值與外加電壓成顯著的非直線性關(guān)系的半導(dǎo)體陶瓷。本文介紹了壓敏陶瓷的應(yīng)用和發(fā)展前景以及壓敏陶瓷的分類，并以ZnO壓敏陶瓷為例對(duì)壓敏陶瓷的電性能、工藝原理和導(dǎo)電機(jī)理進(jìn)行了介紹。最后論述了對(duì)ZnO壓敏陶瓷進(jìn)行提高致密度、摻雜Nb2O5，NaCO3、改變組分等一系列的改性的方法以及原理，使其有更優(yōu)越的壓敏性能。I材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練目 錄摘要 . I第1章 緒 論 . 11.1 壓敏陶瓷材料介紹 . 1第2章

2、 壓敏陶瓷工作原理及性能 . 52.1 電流電壓（I-V）特性 . 52.2 非線性系數(shù) . 52.3 材料常數(shù)C . 62.4 漏電流 . 72.5 電壓溫度系數(shù) . 72.6 殘壓比 . 82.7 相對(duì)介電常數(shù) . 8第3章 ZnO壓敏特性的優(yōu)化設(shè)計(jì) . 93.1 基本理論 . 93.2 降低壓敏電壓的改性 . 103.3 增大壓敏電壓的改性 . 11總 結(jié) . 13參考文獻(xiàn) . 14材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練第1章 緒 論1.1 壓敏陶瓷材料介紹壓敏陶瓷是指電阻值隨著外加電壓變化有一顯著的非線性變化的半導(dǎo)體陶瓷，具有非線性伏安特性，在某一臨界電壓下，壓敏電阻陶瓷電阻值非常高，幾乎沒有電流，但當(dāng)

3、超過這一臨界電壓時(shí)，電阻將急劇變化，并有電流通過，隨電壓的少許增加，電流會(huì)很快增大。使用時(shí)加上電極包封即成為壓敏電阻器。英文全名為variable resistor，簡(jiǎn)稱varistor，故又稱變阻器1。壓敏陶瓷材料是指在某一特定電壓范圍內(nèi)具有非線性歐姆（V-I）特性、其電阻值隨電壓的增加而急劇減小的一種半導(dǎo)體陶瓷材料。根據(jù)這種非線性V-I特性，可以用這種半導(dǎo)體陶瓷材料制成非線性電阻元件，即壓敏電阻器。壓敏電阻器的應(yīng)用很廣，可以用于抑制電壓浪涌、過電壓保護(hù)。由于壓敏電阻器在保護(hù)電力設(shè)備安全、保障電子儀器正常穩(wěn)定工作方面有重要作用，且由于其造價(jià)低廉，制作方便，因此在航天、航空、國(guó)防、電力、通訊、

4、交通和家用電器等許多領(lǐng)域得以廣泛的應(yīng)用。按照外形和結(jié)構(gòu)的特征，壓敏電阻器可分為：?jiǎn)螌咏Y(jié)構(gòu)壓敏電阻器、多層結(jié)構(gòu)壓敏電阻器（multilayer varistor, MLV） 和避雷器用壓敏電阻片（亦稱閥片）。根據(jù)其工作電壓，壓敏電阻器可分為低壓壓敏電阻器和高壓避雷器閥片2。目前商品化的壓敏電阻器來自ZnO、TiO、SrTiO等不同體系的壓敏材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練的ZnO壓敏電阻。ZnO壓敏電阻器一般是由ZnO粉料按照配方要求，添加有Bi、Sb、Mn、Co、Cr等金屬氧化物，通過常規(guī)電子陶瓷制備工藝經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。晶相結(jié)構(gòu)為固溶有Mn、Co的ZnO主晶相，富Bi晶間相和小顆粒狀的尖晶石相。ZnO壓敏

5、電阻具有優(yōu)秀的非線性歐姆特性、通流能量以及老化特性。然而，新型低電位梯度壓敏電阻器以及新型高電位梯度避雷器閥片的研制仍然是科研院所和生產(chǎn)廠家研發(fā)的重點(diǎn)。而近期報(bào)道的新型壓敏材料SnO 壓敏陶瓷具有高電位梯度以及與ZnO壓敏電阻器相類似高非線性歐姆特性，目前也正處于從研發(fā)到商業(yè)化的過渡階段。氧化鋅半導(dǎo)體陶瓷制成的壓敏電阻器（ZNR,Zinc Nonlinear resistor）,由于其造價(jià)低廉、制造方便、非線性系數(shù)大、響應(yīng)時(shí)間快、殘壓低、電壓溫度系數(shù)小、泄漏電流小等獨(dú)特性能，能起到過壓保護(hù)、抗雷擊、抑制瞬間脈沖的作用，而廣泛應(yīng)用于電力（交、直流輸配電）、交通、通訊、工業(yè)保護(hù)、電子、軍事等領(lǐng)域。

6、隨著電力的發(fā)展和電網(wǎng)的改造，電子信息、家電行業(yè)的發(fā)展，對(duì)壓敏電阻器的需求量越來越大，對(duì)性能的要求將越來越高，特別是軍事裝備的現(xiàn)代化、信息化，對(duì)壓敏電阻器的性能提出了更高的要求。目前， 我國(guó)高性能的ZNR還主要依靠進(jìn)口，研究高性能ZnO壓敏電阻器（ZNR）具有重大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益3。壓敏電阻的應(yīng)用非常廣泛，主要集中應(yīng)用介紹如下。壓敏電阻器作為過電壓保護(hù)的特點(diǎn)是：電子設(shè)備和儀器工作正常時(shí)，- 2 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練異常大的過電壓時(shí)，其工作點(diǎn)立即進(jìn)入非線性的擊穿區(qū)域，通過壓敏電阻的電流可比正常工作時(shí)高幾個(gè)數(shù)量級(jí)，這樣可將浪涌電流吸收掉，并將浪涌電壓降落到與其串聯(lián)的浪涌源內(nèi)阻上，防止了由于過電壓使

7、電子設(shè)備燒毀的事故發(fā)生。主要包括：電子設(shè)備的過壓保護(hù)、交流輸電線路的防雷保護(hù)、直流電源供電線路的防雷保護(hù)、整流設(shè)備中的操作過電壓防護(hù)、繼電器的觸點(diǎn)及線圈的保護(hù)、晶體管的過壓保護(hù)等。壓敏電阻器的穩(wěn)壓作用也是來源于（I-V）特性曲線。為了保證穩(wěn)壓效果，穩(wěn)壓用壓敏電阻器的工作點(diǎn)應(yīng)選在預(yù)擊穿區(qū)與擊穿區(qū)臨界附近的高a值處。壓敏電阻在正常工作時(shí)會(huì)有較大的電流和功耗，造成溫升。所以要求壓敏電阻的a大和電壓溫度系數(shù)小，以保證長(zhǎng)期使用性能穩(wěn)定。主要包括：電話機(jī)線路均衡器、電視機(jī)顯像管陽(yáng)極高壓穩(wěn)壓器等4。通常低壓壓敏電阻器包括浪涌保護(hù)器（surge protection device, SPD）所用ZnO壓敏電阻

8、器。目前，國(guó)內(nèi)用于SPD的ZnO壓敏電阻器的生產(chǎn)基本成熟。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，電子元件的高性能、小型化、多功能、高穩(wěn)定性成了發(fā)展的必然趨勢(shì)，研究人員更為關(guān)注的是如何研制低電位梯度（每毫米厚度壓敏電壓幾十伏甚至幾伏）的壓敏電阻器，以滿足各類精密小型電子設(shè)備的需求。低電位梯度壓敏電阻材料包括SrTiO 系和TiO系壓敏陶瓷，多層結(jié)構(gòu)壓敏電阻器（MLV）和ZnO基低壓壓敏陶瓷。ZnO壓敏電阻的一大應(yīng)用領(lǐng)域是在電力系統(tǒng)，被用作避雷器的核心元- 3 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練位梯度是一項(xiàng)國(guó)際性的研究課題。通常ZnO壓敏電阻的電壓梯度可以用如下公式表示：電壓梯度（V/mm）= nVg (1-1)式中：n為

9、單位厚度（mm）內(nèi)的平均晶界個(gè)數(shù)，Vg為晶界擊穿電壓。根據(jù)式(1)，不難看出提高ZnO閥片電位梯度的途徑一是降低ZnO晶粒的大小，意味著增加單位厚度內(nèi)的晶界個(gè)數(shù)；二是提高境界擊穿電壓。實(shí)際上這兩種途徑都要通過調(diào)整添加劑，控制工藝參數(shù)來實(shí)現(xiàn)的。作為世界上首家開發(fā)ZnO閥片的公司，日本明電舍公司近期研制并投入大批量生產(chǎn)的高壓ZnO閥片，其電位梯度可達(dá)300400V/mm。經(jīng)優(yōu)化配方和加工工藝，該公司所制備的閥片電性能優(yōu)良而且耐老化特性格外優(yōu)異。在115，荷電率95%經(jīng)1000h老化試驗(yàn)后，老化系數(shù)kct0.9。顯而易見，這種具有優(yōu)異性能的高梯度閥片不僅可以大大節(jié)約材料成本，而且閥片的小體積更容易滿

10、足GIS避雷器的要求2。- 4 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練第2章 壓敏陶瓷工作原理及性能壓敏陶瓷中應(yīng)用最廣，性能能最好的是ZnO壓敏半導(dǎo)體陶瓷。本章以ZnO壓敏半導(dǎo)體陶瓷為例，對(duì)其電性能、工藝原理和導(dǎo)電機(jī)理等進(jìn)行探討，并討論了其摻雜改性的原理。2.1 電流電壓（I-V）特性壓敏陶瓷主要用于制作壓敏電阻器，它是對(duì)電壓變化敏感的非線性電阻，其工作電壓是基于所用壓敏電阻特殊的非線性電流電壓(I-V)特征。電流電壓的非線性主要表現(xiàn)為：當(dāng)電壓低于某一臨界值（閥值電壓）之前，變阻器阻值非常高，其作用接近于絕緣體（其 I-V 關(guān)系服從歐姆定律）；當(dāng)電壓超過臨界值時(shí)，電阻就會(huì)急劇減少，其作用又相當(dāng)于導(dǎo)體（其I-V

11、 關(guān)系為非線性），其 I-V 關(guān)系可用下式表示：I=(V/C) (2-1) 式中：I 為通過壓敏電阻的電流，V 為加在變阻器兩端電壓，是非線性系數(shù)，表示電阻值隨電壓增加而下降的程度指數(shù)，C 為材料常數(shù)。由(2-1)式可見， 越大，則電壓增量所引起的電流相對(duì)變化越大，壓敏性越好。但 值不是常數(shù)，在臨界電壓以下， 逐步減小，電流很小的區(qū)域 1，表現(xiàn)為歐姆特性。對(duì)一定的材料C為常數(shù)，但C值的精確測(cè)量非常困難，而實(shí)際上壓敏電阻器呈現(xiàn)顯著壓敏性的電流 I=0.11mA，所以常用一定電流時(shí)的電壓 V 來表示壓敏性能，稱壓敏電壓值5。2.2 非線性系數(shù)對(duì)上式兩邊取對(duì)數(shù)并兩邊微分得：=dlgI/dlgV (2

12、-2)從該式可知，I-V特性曲線中是擊穿區(qū)（近于直線）曲線的斜率。- 5 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練1221別記錄I1、I2和電壓值V1、V2，整理后得：=1/（lgV1/V2） (2-3) 由的幾何意義來看，值越大，該曲線越陡，非線性越強(qiáng)。必須指出，在很寬的電流范圍內(nèi)，不是常數(shù)，在小電流和大電流條件下均有下降。值還與溫度有關(guān)，如ZnO壓敏電阻器，77K時(shí)的max高于298K時(shí)的max，且溫度下降時(shí)，出現(xiàn)max的電流值也下降。在形同溫度和相同電流條件下，值與壓敏電阻的成分有關(guān)。不同的壓敏電阻器達(dá)到最大值時(shí)的電壓不同，一般來講，在一定的幾何形狀下，電流在1mA附近時(shí)，ZnO壓敏電阻器的可達(dá)到最大值，

13、往往取1mA電流所對(duì)應(yīng)的電壓作為I隨V陡峭上升的電壓大小的標(biāo)志，把此電壓稱為（V1mA）壓敏電壓1。2.3 材料常數(shù)C如令=1，C正好是歐姆電阻值，C值大，在一定電流下所對(duì)應(yīng)的電壓也高，所以有時(shí)稱C為非線性電阻值。根據(jù)這個(gè)含義，C值應(yīng)與壓敏電阻器的幾何尺寸有關(guān)。為了比較不同材料的C值，把壓敏電阻器上流過1mA/cm2電流時(shí)，在電流通路上每毫米長(zhǎng)度上的電壓降定義為改壓敏電阻器的C值。它反映了材料的特性和材料的壓敏電壓的高低，故把C稱為材料常數(shù)。此外，在使用時(shí)，壓敏電阻器不同的連接方式對(duì)C值也有影響。如有n個(gè)壓敏電阻器串聯(lián)的情況，當(dāng)串聯(lián)后通過的電流等于單個(gè)壓敏電阻器的電流時(shí)，則需加的電壓為單個(gè)壓敏

14、電阻器所加電壓的n倍，因此V1mA值也增至n倍，這說明V1mA為定值的壓敏電阻可以多個(gè)串聯(lián)起來，達(dá)到高壓下使用的目的。另外，在工藝制造中，可調(diào)整產(chǎn)品的厚度獲得不同的壓敏電壓值。當(dāng)n個(gè)特性形同的壓敏電阻并聯(lián)時(shí)，若并聯(lián)前后所加電壓相- 6 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練力，使其通過較大電流而不導(dǎo)致失效1。2.4 漏電流壓敏電阻器在正常工作時(shí)，所流過壓敏電阻器的電流成為漏電流。對(duì)于ZnO壓敏電阻器來講，預(yù)擊穿區(qū)在1mA以下的I-V特性曲線部分，漏電流的大小與電壓、溫度都有關(guān)系，電壓、溫度升高都會(huì)使漏電流加大，使用壓敏電阻器時(shí)必須考慮這兩個(gè)因素對(duì)漏電流的影響。要使壓敏電阻器可靠地工作，漏電流應(yīng)盡可能小。漏電流

15、的大小一方面與材料的組成和制造工藝有關(guān)，另一方面與選用的壓敏電壓有關(guān)。選取壓敏電壓的主要依據(jù)是工作電壓。根據(jù)壓敏電壓V1mA可得到工作電壓VG，VG=0.66V1mA。該式是已知壓敏電阻器的壓敏電壓時(shí)，確定它的工作電壓的參考電壓。壓敏電阻器的工作電壓若選擇的合適，則漏電流小，工作安全可靠。一般漏電流可以控制在50100A之間。漏電流高于100A的產(chǎn)品，工作可靠性比較差1。2.5 電壓溫度系數(shù)壓敏電阻隨著溫度上升而下降，在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)和零功率（漏電流在50100A之間）條件下，溫度每變化1°C壓敏電壓的相對(duì)變化率成為壓敏電阻器的溫度系數(shù)?？捎孟率奖硎荆篴v=(V2V1)/ V1&#

16、183;(t2t1) = V/V1·t (2-4) 式中，V1為室溫下的壓敏電壓；V2為極限壓敏電壓；t1為室溫；t2為極限使用溫度。如果把a(bǔ)v推廣到較寬的溫度范圍，嚴(yán)格講av不是一個(gè)常數(shù)，電流情況下的av值比小電流情況下的要小些。一般可控制在10 -3到10-4/ °C1。- 7 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練這是生產(chǎn)中用的以評(píng)價(jià)壓敏電阻器在大電流情況下的質(zhì)量參數(shù)。它由下式定義：K=Ux/U1mA (2-5)式中，Ux為在大電流情況下壓敏電阻器上的電壓降，下標(biāo)x為通過壓敏電阻器的電流值，根據(jù)產(chǎn)品的不同，x=100A10kA1。2.7 相對(duì)介電常數(shù)材料的相對(duì)介電常數(shù)可以表示成：r=

17、Bd0/tB (2-6) 式中：B是晶界介電常數(shù)：d0是晶粒尺寸；tB是晶界厚度 4。- 8 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練第3章 ZnO壓敏特性的優(yōu)化設(shè)計(jì)3.1 基本理論ZnO壓敏電阻的壓敏電壓可表示為：V1mA=NV0=L(V0/d0) (3-1)式中：N為電極間平均晶粒數(shù)；V0為每個(gè)晶粒的電壓降；L為ZnO陶瓷芯片厚度；d0為晶粒直徑。圖1 分立雙肖特基勢(shì)壘模型求解泊松方程B=q=q2Ns2/20rNd (3-2) b=Ns/Nd=(20rB/q2Nd)1/2 (3-3)式中：B是平衡時(shí)費(fèi)米能級(jí)至邊界勢(shì)壘頂部的高度，為電勢(shì)，q為電子電荷，Nd為施主濃度，NS為受主面電荷密度，0為真空介電常數(shù)，r

18、為相對(duì)介電常數(shù)，b為耗盡層寬度。- 9 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練式如下：J=J0exp- 4(2 m)1/2B3/2/3qhE=J0exp- r/E (3-4)= r/E=4(2m)1/2B3/2/ 3qhE (3-5)式中：為非線性系數(shù)，E為能量與熱激發(fā)的激活能相關(guān)。顯然，B直接決定元件的導(dǎo)電特性，尤其是小電流區(qū)的電特性。從式(3-1)可以看出增大d0或降低L，V0均可降低壓敏電壓。從式(3-2)、(3-4)可以看出，Nd的增加會(huì)導(dǎo)致B的下降及J的增加。 由式(3-4)可以看出，欲減小J，提高穩(wěn)定性，必須增大NS，減小Nd并設(shè)法減少向ZnO晶界遷移的Zn離子數(shù)目，以便維持較高的NS。雙肖特基勢(shì)

19、壘是由界面態(tài)俘獲的電子在粒界層聚積，使n-ZnO能帶向上彎曲而形成的.在ZnO壓敏材料中，大離子半徑添加劑如Bi，Ba，Pr和Pb等偏析于晶界處，而過渡金屬離子如Co，Mn和Cr等為晶粒體摻雜劑，它們同時(shí)在晶粒體內(nèi)和界面處產(chǎn)生陷阱態(tài)。晶界處較高的陷阱態(tài)密度是形成高界面勢(shì)壘所必需的6。在這里，主要對(duì)ZnO進(jìn)行兩種改性，一種是壓敏電壓的減小的改性；第二種是壓敏電壓增大的改性。3.2 降低壓敏電壓的改性降低壓敏電壓的改性從兩方面入手，一個(gè)是提高其燒結(jié)致密度；另一個(gè)是摻雜Nb2O5。在制備ZnO壓敏陶瓷時(shí)，首先制備粒徑較大的ZnO粉末，然后利用液相燒結(jié)的作用，使坯體致密化而制備低壓陶瓷的。降低其壓敏電

20、壓，增- 10 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練燒結(jié)可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。氧化鋅壓敏陶瓷的燒結(jié)過程采用液相燒結(jié)，即在燒結(jié)過程中有部分液相生成的一種燒結(jié)過程。這種燒結(jié)的動(dòng)力是源于液相表面張力和固一液界面張力，這一點(diǎn)為使用大粒徑ZnO粉末制備壓敏電阻器創(chuàng)造了條件。也就是晶粒直徑d0變大，根據(jù)式(3-1)，其壓敏電壓將會(huì)降低。根據(jù)式（2-6），其介電常數(shù)將增大7。同時(shí)在燒結(jié)過程中，Bi2O3首先被熔化，從而產(chǎn)生液相燒結(jié)。Bi2O3被熔化，其陶瓷體的體積迅速收縮，ZnO顆粒間靠得更近，其陶瓷體內(nèi)的氣孔被排除，從而導(dǎo)致燒結(jié)體積減小，陶瓷體變得致密8 。在生產(chǎn)壓敏陶瓷時(shí)，在其原料中按比例加入一定量的Nb2O5，

21、Nb5+半徑(0.070nm)與Zn2+的半徑(0.074 nm)相近，高溫下容易進(jìn)入晶格取代Zn2+，破壞ZnO晶格，提高了離子的擴(kuò)散能力，可能促進(jìn)了晶粒的生長(zhǎng)。使晶粒直徑d0增大，同時(shí)電極間平均晶粒數(shù)N降低。并且施主摻雜將產(chǎn)生大量自由電子，促使晶界處耗盡層的削弱或消失，因此，導(dǎo)致了勢(shì)壘高度的急劇降低，也就是每個(gè)晶粒的電壓降V0降低。根據(jù)式(3-1)，其壓敏電壓將會(huì)降低。根據(jù)式（2-6），其介電常數(shù)增大9 。3.3 增大壓敏電壓的改性增大壓敏特性的改性也從兩方面入手。一種是改變其組分，另一種是摻雜受主雜質(zhì)Na2CO3。Bi2O3是一般ZnO壓敏陶瓷中不可缺少的添加劑(即構(gòu)成型添加劑)，在生產(chǎn)

22、陶瓷時(shí)，添加的Bi2O3不宜過多。- 11 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練23時(shí)就可熔化為液相，此液相推動(dòng)其他氧化物均勻地分布在ZnO晶粒和晶界中，而冷卻時(shí)由于Bi3+離子半徑(12nm)遠(yuǎn)比Zn2+(7.4nm )大，不能進(jìn)入ZnO晶粒而偏析在晶界。液相牽引的作用下，導(dǎo)致各種添加劑都向晶界偏聚，形成一個(gè)薄的界面，使晶界勢(shì)壘很高，每個(gè)晶粒的電壓降V0增大。根據(jù)式（3-1），其壓敏電壓也增大。但若添加量過大，一方面使晶界加寬，使尖晶石鈦酸鉍的量增加，導(dǎo)致非線性的減弱，使非線性系數(shù)和通流能力降低。另一方面，富Bi2O3液相又會(huì)使生長(zhǎng)的晶粒溶解，因而妨礙晶粒長(zhǎng)大，而且會(huì)在晶界附加更多的電子態(tài)能級(jí)，從而表現(xiàn)為

23、壓敏電壓隨Bi2O3含量的增加而升高，試樣的介電常數(shù)下降。同時(shí)，過高含量的Bi2O3在高溫下容易發(fā)生大量揮發(fā)而導(dǎo)致 瓷體出現(xiàn)孔洞或氣孔，影響非線性系數(shù)和穩(wěn)定性能。在冷卻過程中，低共熔點(diǎn)的富Bi2O3液相由于和ZnO晶粒的潤(rùn)濕性差，而在多晶交匯處析晶，也對(duì)穩(wěn)定性能有一定的影響10。在生產(chǎn)壓敏陶瓷時(shí)，在其原料中按比例加入一定量的Na2CO3。Na+的半徑(0.095nm）比Zn2+的半徑(0.074nm)大得多，高溫下不容易進(jìn)入晶格取代Zn2+，大部分Na+分布在ZnO晶粒間界上，阻止了相鄰ZnO晶粒的相互融合，從而阻止了ZnO晶粒的長(zhǎng)大，隨著NaCO3摻雜量的增加，樣品的晶粒尺寸d0越小，同時(shí)電

24、極間平均晶粒數(shù)N增大。根據(jù)式（2-6）和式（3-1），其壓敏電壓增大，介電常數(shù)降低6。- 12 -材料化學(xué)專業(yè)科研訓(xùn)練總 結(jié)經(jīng)過本次科研訓(xùn)練，我收獲到了很多。在剛剛看到這個(gè)課題壓敏陶瓷時(shí)，我就對(duì)課題進(jìn)入了一個(gè)誤區(qū)：我的想法是在壓力作用到陶瓷材料上不僅會(huì)引起電阻的變化，還會(huì)引起其他比如導(dǎo)電率、熱容、磁性等方面的變化。還為自己能想的這么多熱沾沾自喜。但經(jīng)過查閱資料才發(fā)現(xiàn)，壓敏陶瓷其實(shí)是指電阻值隨著外加電壓變化有一顯著的非線性變化的半導(dǎo)體陶瓷。在查找資料時(shí)也遇到了困難。我一直在關(guān)于陶瓷的書中去找關(guān)于壓敏陶瓷的相關(guān)信息，但是成果并不多。我還為此而困惑，壓敏陶瓷應(yīng)該不算冷門，但為什么相關(guān)資料這么少。后來經(jīng)過同學(xué)的幫助在功能材料的相關(guān)書籍中找到很多有關(guān)壓敏陶