TD-LTE射頻板測(cè)試說(shuō)明beta1要點(diǎn)

1、TD-LTE射頻板測(cè)試說(shuō)明SW78202075C擬制：審核：標(biāo)準(zhǔn)化：批準(zhǔn)1測(cè)試內(nèi)容eRPLU發(fā)射/接收 鏈路性能指標(biāo)（單路要求）ITEM技術(shù)指標(biāo)指標(biāo)要求發(fā)射Tx接收Rx1Freque ncy25482642MHz2570MHz 2620MHz2Ga in（增益）52dB (2dB) 20 C 30 C41dB( dB) 20 C 30C3增益溫度變化2dB (-40 C +85 C相對(duì)常溫增益)2dB (-40 C +85 C相對(duì)常溫增益)4NF（噪聲系數(shù)）不測(cè)量3dB 20 C 30 C -13dBm7S11輸入駐波比2:1 (-9.5dB)1.5:1(-14dB)8S22輸出駐波比1.5:

2、1(-14dB)2:1(-9.5dB)9Pout， max（輸出功率）40.2dBm (開(kāi)啟 DPD)不測(cè)量10Ripple1.5 dB (30MHz 帶內(nèi))2.5dB (30MHz)3dB (74MHz 帶內(nèi))11DC currentl 5.7V280mA280mA12DC currentI 28V1.7A 常開(kāi)下行滿功率輸出13帶外抑制頻率（MHz）抑制（dB）頻率（MHz ）抑制（dB）02349羽502400為023492400024002533更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期三維通信股份有限公司第1頁(yè)共12

3、頁(yè)TD-LTE射頻板測(cè)試說(shuō)明SW78202035C27492841弟28414000支0eRPLU反饋鏈路性能指標(biāo)ITEM技術(shù)指標(biāo)指標(biāo)要求說(shuō)明1輸入信號(hào)頻率范圍2540MHz- 2650MHz2輸出信號(hào)頻率范圍2540MHz- 2650MHz3前向功率檢測(cè)通道增益-54 dB4反向功率檢測(cè)通道增益-48 dB5前向功率檢測(cè)通道增益平坦度 15dB2所需儀器及工具名稱參考型號(hào)數(shù)量備注矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀Network An alyzerE5062A , ZVB41ESD外殼接地宀 口 4 aP BS 信號(hào)發(fā)生器Signal GeneratorE4438C, N5182A1ESD外殼接地頻譜儀（帶掃源）

4、Spectrum An alyzerE4443A , R&S FSQ81ESD外殼接地噪聲系數(shù)測(cè)試儀Noise Figure MeterN8973A1ESD外殼接地直流電源DC Power SupplyGPC-3060D1ESD外殼接地50 Q SMA終端負(fù)載SMA1大功率衰減器40dB 200W150 Q N終端負(fù)載N型1轉(zhuǎn)換頭1N陽(yáng)t SMA陰1校驗(yàn)時(shí)用轉(zhuǎn)換頭2SMA 陰t SMA 陰1校驗(yàn)時(shí)用3 RX接收鏈路測(cè)試1）接收鏈路增益、帶內(nèi)波動(dòng)以及輸入輸出駐波比更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期三維通信股份有限公司第1

5、4頁(yè)共12頁(yè)測(cè)試步驟/信號(hào)流程:測(cè)試步驟：負(fù)載步驟1：正確連接模塊至已校準(zhǔn)好的網(wǎng)絡(luò)分析儀；步驟2：正確設(shè)置模塊跳線，工作在常收狀態(tài)；步驟3：通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試接收鏈路的增益曲線,分別讀取 2570MHz、2600MHz、2620MHz增益值取平均得接收鏈路增益，讀取任意30MHz通帶內(nèi)的最大增益、最小增益，算出30MHz帶內(nèi)波動(dòng);步驟4:通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試接收鏈路的50MHz帶內(nèi)S11, S22曲線，分別讀出帶內(nèi)最大駐波比;步驟5：分別測(cè)試四條通路。預(yù)期結(jié)果：增益：41dB(2dB)帶內(nèi)波動(dòng)：2.5dB30MHz帶內(nèi)輸入駐波比：1.5:1輸出駐波比：2:12) 接收鏈路噪聲系數(shù)測(cè)試步驟/信號(hào)流

6、程:測(cè)試步驟：更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期頻譜儀Noise PortE4440Port1噪聲頭負(fù)載RF_RX =ANT eRPLURF TX步驟1:噪聲系數(shù)測(cè)試儀自校;步驟2:模塊的RX端口接噪聲系數(shù)測(cè)試儀輸入口，ANT端口接噪聲系數(shù)測(cè)試儀的噪聲頭,TX端口接50歐姆匹配負(fù)載；步驟3：設(shè)置模塊工作在常收狀態(tài);步驟4：讀取噪聲系數(shù)值 NF； 步驟5：分別測(cè)試四條通路。預(yù)期結(jié)果：鏈路噪聲系數(shù)：帶內(nèi)最大值NF -13dBm4) 接收鏈路帶外抑制測(cè)試測(cè)試步驟/信號(hào)流程：測(cè)試步驟：步驟1：對(duì)網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行直通校準(zhǔn)(功率：-

7、40dBm，頻段OMHz5000MHZ ;步驟2：正確連接模塊至已校準(zhǔn)好的網(wǎng)絡(luò)分析儀；步驟3：設(shè)置模塊工作在常收狀態(tài)；步驟4:將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀頻率范圍設(shè)定在2570MH2620MHz讀取最小S21幅度值SO;步驟5 :分別將將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀頻率范圍設(shè)定在0MHz-2400MHz 2400MHz2533MHz、2749MHz2841MHz、2841MHz4000MHz 各自讀得最大的 S21 幅度值為 S1、S2、 S3、S4;步驟6：計(jì)算(SO-S1), (S0-S2) , (S0-S3) , ( SO-S4)即為各個(gè)頻段要求的抑制比；步驟7：分別測(cè)試四個(gè)通道。預(yù)期結(jié)果:頻率(MHz)抑制(d

8、B)02400MHz 30dB24002533MHz 5dB27492841MHz 5dB28414000MHz 20dB更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期4 TX發(fā)射鏈路測(cè)試1)發(fā)射鏈路增益，帶內(nèi)波動(dòng)(30MHz&74MHz)測(cè)試 測(cè)試連接框圖如下：測(cè)試前先進(jìn)行校準(zhǔn)，把信號(hào)發(fā)生器到被測(cè)射頻板的電纜損耗記入信號(hào)發(fā)生器；由于下行鏈路輸出端功率較大，所以端口必須加衰減40dB以上的衰減器，將被測(cè)射頻板和頻譜儀之間的電纜損耗合計(jì)衰減器自身差損共同記入頻譜儀。信號(hào)源 Agile nt N5182A 設(shè)置：a) Amptd= -

9、20dBmb) 設(shè)置信號(hào)源輸出方式為掃頻輸出：SWEEP-c on figure step sweepFreq start :2545MHz Freq stop :2645MHz Points: 500 (可以適當(dāng)調(diào)節(jié)) sweep freq 設(shè)置為 on頻譜儀 R&S FSQ8 1155.5001.08 設(shè)置：a) Center Freq :2595MHzSPAN :100 MHzRBW :30 kHz (可以適當(dāng)調(diào)節(jié))AMPLITUDE Ref Level :40dBmAtte nu ati on :AutoScale/Div:1dBb) Trace/View: Max Hold發(fā)射鏈路增

10、益測(cè)試:步驟1：分別讀取2570MHz、2595MHz、2620MHz處的功率值并計(jì)算三個(gè)頻點(diǎn)的增益G1，G2，G3。(增益=輸出信號(hào)功率-輸入信號(hào)功率(-20 dBm)。更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期步驟2:發(fā)射鏈路增益=(G1+G2+G3 ) 13。帶內(nèi)波動(dòng)測(cè)試：(1) 30MHz內(nèi)帶內(nèi)波動(dòng)測(cè)試步驟1:讀取頻帶(2570MHz2620MHz )內(nèi)任意30MHz信號(hào)增益的最大值、最小值，算出30MHz帶內(nèi)波動(dòng)(2) 74MHz內(nèi)帶內(nèi)波動(dòng)測(cè)試步驟1:讀取頻帶(2548MHz2642MHz )內(nèi)任意74MHz信號(hào)最大

11、增益、最小增益，算出74MHz 帶內(nèi)波動(dòng)預(yù)期結(jié)果：增益：52dB (戈dB)帶內(nèi)波動(dòng)：1.5dB30MHzDual ARB-Select Waveform-Waveform Segme nts(選 擇 WCDMA_TM1_64DPCH_4C_WFM) -Load Segme nt From Int Meidab) Mode-Dual ARB-Select waveform- 選擇 WCDMA_TM1_64DPCH_4C_WFM-ARB on如果已經(jīng)導(dǎo)入，則可跳過(guò)上述兩步驟。(2) 測(cè)試輸入信號(hào)參數(shù)設(shè)置：a) Freq=2595MHz , Mod 設(shè)置為 onb) Amptd最初可設(shè)置為-30d

12、Bm。在測(cè)試時(shí)，逐步加大至輸出功率為40dBm。(可對(duì)電源限流以保護(hù)功放)頻譜儀設(shè)置：(1) 頻譜儀 FSQ8 R&S 1155.5001.08 設(shè)置如下：a) Meas -MULT CARR ACP-CP/ACP STANDARD- 選擇 W-CDMA 3GPP FWDb) Meas -MULT CARR ACP- CP/ACP CONFIG- 其中 NO. OF ADJ CHAN 設(shè)置為 2 (default=2) , NO. OF TX CHAN 設(shè)置為 4。其余設(shè)置 default更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名

13、日期c）FERQ-CENTER FREQUENCY 設(shè)置為 2595MHzd）SPAN 設(shè)置 defaulte）AMPT REF LEVEL OFFSET 根據(jù)測(cè)試線的線損進(jìn)行補(bǔ)償設(shè)置 注意：在頻譜儀輸入端必須接 40dB的衰減器。ACPR測(cè)試：步驟1:記錄下Adjace nt Cha nnal （ 5MHz ）中Lower和Upper值中較差的數(shù)據(jù)。 例：Lower:-28dB， Upper: -28.5dB，則記錄下-28dB。步驟2：記錄下Alternate Channal （ 10MHz ）中Lower、Upper值中較差的數(shù)據(jù)。方法同步 驟1。功放工作電流測(cè)試：步驟1：記錄下輸出功率

14、為 40dBm時(shí)的28V電源的電流值步驟2：計(jì)算兩級(jí)功放效率（暫）100%28 I 28V預(yù)期結(jié)果：WCDMA 4FA :ACPR :-27 dBc/ 5IHz; -27dB/ 10MHzI28V 1.7A Pout=40dBm3）輸入、輸出駐波（S11, S22）測(cè)試40dB衰減器測(cè)試連接框圖如下：網(wǎng)絡(luò)分析儀PORT1PORT2RF_TX ANT eRPLURF RX常發(fā)50 Q負(fù)載矢網(wǎng)校準(zhǔn):更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期a) Center freq: 2.6GH z,b) Span :1GHz,c) Power

15、: -20 dBmS11測(cè)試步驟1:測(cè)試2570MHz2620MHz頻段內(nèi)的 S11，并在 Marker Search中選擇 MAX 項(xiàng)，將MAX值添入表格。S22測(cè)試步驟1:關(guān)掉功放28V電源。步驟2：測(cè)試2570MHz2620MHz頻段內(nèi)的 S22,并在 Marker Search中選擇 MAX 項(xiàng)，將MAX值添入表格。預(yù)期結(jié)果: 輸入駐波比：2:1 （ -9.5dB ）;輸出駐波比：1.5:1 （-14dB）4）前向耦合度和平坦度測(cè)試網(wǎng)絡(luò)分析儀（帶40dB衰減器）校準(zhǔn)設(shè)置如下:a) 頻率范圍：2548MHz 2642MHz ,b) 輸出功率：-20dBm ,c) IF 帶寬：1KHz ;

16、測(cè)試步驟：步驟1： eRPLU模塊的TX端口接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 PORT 1, ANT經(jīng)過(guò)40dB衰減器后接矢量 網(wǎng)絡(luò)分析儀PORT2, RX接匹配負(fù)載，使其正常工作，設(shè)為常發(fā)狀態(tài)；測(cè)出S21。步驟2:設(shè)置網(wǎng)絡(luò)分析儀：Display-Date to Mem，存儲(chǔ)eRPLU發(fā)射增益曲線，然后設(shè)置DataMath 為：Data/Mem。步驟3: eRPLU模塊的TX端口接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 PORT 1 , ANT接大功率匹配負(fù)載（50W以 上） , RX端口經(jīng)40dB衰減器后接網(wǎng)絡(luò)分析儀 PORT2。設(shè)置eRPLU工作在前向檢測(cè)狀態(tài)。設(shè)置方法：對(duì)應(yīng)測(cè)試發(fā)射鏈路通道的接插件引腳電平設(shè)置如下（低：GND，

17、高：6V）。通道號(hào)前向檢測(cè)引腳編號(hào)狀態(tài)檢測(cè)與上行輸出切換引腳編號(hào)狀態(tài)TX1FRD S1 (9)高PD EN1 (15)高TX2FRD S2 (8)高PD EN2 (14)高TX3FRD S3 (26)高PD EN3 (32)高更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期TX4FRD S4 (27)高PD EN4 (33)高步驟4:用網(wǎng)絡(luò)分析儀讀出曲線，即為前向耦合度曲線（負(fù)值），記下值。步驟5:讀取該曲線里的最大值和最小值，算出前向功率檢測(cè)通道增益平坦度預(yù)期結(jié)果：Gain=54dB dBRipple 15dB23492400 M

18、Hz 10dB5 I2C接口功能測(cè)試步驟1：將eRPLU模塊的TX端口連接到信號(hào)源的輸出口，ANT端口通過(guò)大功率衰減器接頻譜分析儀，其他端口接匹配負(fù)載;步驟2： eRPLU上電；步驟3：通過(guò)控制板對(duì)eRPLU里的EEPROM進(jìn)行讀寫(xiě)，看是否能夠正常寫(xiě)入和讀出;步驟4：通過(guò)控制板讀取溫度傳感器數(shù)值，與實(shí)際溫度比較，看是否一致。預(yù)期測(cè)試結(jié)果:EEPROM能夠讀寫(xiě)數(shù)據(jù)正確更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期更改標(biāo)記數(shù)量更改單號(hào)簽名日期底圖總號(hào)舊底圖總號(hào)簽名日期TD-LTE射頻板測(cè)試說(shuō)明SW78202035C溫度數(shù)據(jù)能夠正確讀出6高低溫功能測(cè)試1）低溫試驗(yàn)方法低溫試驗(yàn)采用GB/T2423.1-2001的試驗(yàn)Ad，即散熱樣品溫度漸變的低溫試驗(yàn)。 試驗(yàn)嚴(yán)酷等級(jí)為-40C,持續(xù)時(shí)間2h,試驗(yàn)溫度的容