FGA25N120為內(nèi)帶阻尼管的場(chǎng)效應(yīng)管

1、FGA25N120為內(nèi)帶阻尼管的場(chǎng)效應(yīng)管FGA25N120為內(nèi)帶阻尼管的場(chǎng)效應(yīng)管IGBT有三個(gè)電極,分別稱為柵極G也叫控制極或門極、集電極C亦稱漏極及發(fā)射極E也稱源極一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別1用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗X 1k檔上，任選兩個(gè)電極，分另U測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向 電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，貝U該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極So因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵 極Go也可以將萬(wàn)用表的黑表筆紅表筆也行任意接觸一個(gè)電

2、極， 另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè) 得的電阻值近似相等時(shí)，那么黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極 分別為漏極和源極。假設(shè)兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是PN結(jié)的反 向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；假設(shè)兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向PN結(jié)，即是正向電阻，判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。假設(shè)不出現(xiàn)上述情 況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試，直到判別出柵極為止。2用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)雖場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的 電阻值

3、是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于RX10或RX100檔，測(cè)雖源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾 千歐范圍(在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同 的)，如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè) 得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于RX 10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng) 測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，那么說(shuō)明管是正常的；假設(shè)測(cè)得上述各阻 值太小或?yàn)橥?，那么說(shuō)明管是壞的。要注意，假設(shè)兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。(3)用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R

4、X100檔，紅表筆接源極S,黑表筆 接漏極D,給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源 極間的電阻值。然后用于捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以 觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管 的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，說(shuō)明管的放大能力大；假設(shè)表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬(wàn)用表的RX100檔，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的G極開路，測(cè)得漏源電阻RDS為600 Q,用于捏住G極后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12k

5、 Q,表針擺動(dòng)的幅度較大，說(shuō)明該管是好的，并有較大的放大能力。運(yùn)用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn)：首先，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用于捏住柵極 時(shí)，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)電阻值減小，也可能向左擺動(dòng)電阻 值增加。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用 電阻檔測(cè)雖時(shí)的工作點(diǎn)可能不同或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)所致，試驗(yàn)說(shuō)明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺 動(dòng)幅度較大，就說(shuō)明管有較大的放大能力。第二，此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過(guò)高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺

6、 絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到 柵極，弓I起柵極擊穿。第三，每次測(cè)雖完畢，應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少雖電荷，建立起VGS電壓，造成再 進(jìn)行測(cè)雖時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。4用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管首先用測(cè)雖電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆 測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)雖一次，把 其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極 為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極， 還可以用

7、估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是8極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。 當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路， 一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。(5)用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對(duì)VMOS N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)雖跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接 源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向 電壓。此時(shí)柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表 的歐姆檔選在RX 10kQ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用于接觸柵 極G時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的

8、反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說(shuō)明管 的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小，用此法測(cè)時(shí)，反向阻值變化不大。二、.場(chǎng)效應(yīng)管的使用考前須知(1)為了平安使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散 功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。(2)各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須 將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。 尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑

9、料盒子內(nèi)，保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。(4)為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作 臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源 極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后 才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人 體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊 接場(chǎng)效應(yīng)管是比擬方便的，并且確保平安；在未關(guān)斷電源時(shí)，絕對(duì)不 可以把管插人電路或從電路中拔出。以上平安措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。(5)在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡H防止靠近發(fā)熱元 件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；

10、管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管 在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。總之，確保場(chǎng)效應(yīng)管平安使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的 平安措施也是各種各樣，廣闊的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣闊的電子愛 好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的方法，平安有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET )簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管， 其全稱為V型糟MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新開展起來(lái)的高效、功率開關(guān)器件

11、。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高108W9、驅(qū)動(dòng)電流小0.1 m左右，還具有耐壓高最高1200V、工作電流大1.5A100A、輸出功率高1250W、跨導(dǎo)的線性 好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu) 點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等 優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于土次擊穿現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源

12、極和漏極大大致處于 同一水平面的芯片上，其工作電流根本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管那么不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：第一，金屬柵極采用V型糟結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的反面引出， 所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)源極S出發(fā), 經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極Do電流方 向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過(guò)大電流。由于 在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件 四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面

13、介紹檢測(cè)VMOS管的方法。1.判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵x 1k檔分別測(cè)雖三個(gè)管腳之間的電阻 。假設(shè)發(fā)現(xiàn)某腳 與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，那么證明此腳為G極，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。2.判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反 向電阻存在差異，可識(shí)另U S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其 中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3.測(cè)雖漏-源通態(tài)電阻RDS (on)將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的RX1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的

14、RDS (on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表RX 1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS (on) =3.2W，大于0.58W(典型值)。4.檢查跨導(dǎo)將萬(wàn)用表置于RX 1k(或RX100 )檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高?？记绊氈?1) VMOS管亦分N溝道管與P溝道管， 但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管，測(cè)H時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測(cè)方法中的1、2項(xiàng)不再適用。(3)目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品，是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管，其最高工作頻率fp=120MHz